薄膜在 a- si thin film solar cell 的應用
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薄膜在 a-si thin film solar cell 的應用
目錄薄膜太陽能電池非晶矽 a-si非晶矽薄膜太陽能電池參考文獻
薄膜太陽能電池薄膜電池應用到建築物的圍護結構如
屋頂、天窗、外觀、門窗等部分的建築材料之中。
轉換效率不高,且有光衰退現象,非晶矽太陽能電池具有非常寬的頻譜吸收,也可以做成可撓式的薄膜電池,對於綠建築等等需要將電池服貼於窗戶甚至是建築的表面。
薄膜太陽能電池特點:
1. 輕量 (weight)重量輕,使用在建築物上時可減輕建築物負擔。2. 可製成可撓式 (flexibility)容易與其他產品整合、可在非平面 ( 如球型屋頂、弧形玻璃帷幕 ) 上應用。3. 低成本 (cost)製造成本低,對消費者在安裝時更具吸引力,在大規模大面積安裝時更具優勢。4. 長效性 (longevity)對溫度耐受度較高、對光照度需求較低,累積發電量較高較不受環境因素影響。
薄膜太陽能電池可應用在計算機、耳機、收音機、溫度計、
手錶、鬧鐘、 LED 照明、感應燈、電池充電器等等。
可拋棄式電子產品,如射頻識別、智慧型包裝、智慧卡耗電低產品。
可用於服飾應用,並可延伸應用在帳篷、窗簾、百葉窗等,太陽光電可被視為服飾上的充電器、電力的來源,此外應用在軍事與防救災用途上,如美國軍方一直都有資助相關廠商開發應用軍事用途的太陽能產品。
非晶矽非晶矽( amorphous silicon α-Si )又稱
無定形矽。單質矽的一種形態。棕黑色或灰黑色的微晶體。矽不具有完整的金剛石晶胞,純度不高。熔點、密度和硬度也明顯低於晶體矽。
結構特徵為短程有序而長程無序的 α-si 。純α- 矽因缺陷密度高而無法使用。採用氣相沉積法製作 pn 接面。非晶矽在太陽輻射峰附近的光吸收係數比晶體矽大一個數量級。
能帶寬度 1.7~ 1.8eV ,而遷移率和少子壽命遠比晶體矽低。現已工業應用,
非晶矽太陽能電池非晶矽具有較佳的光吸收能力,因此僅需較薄的吸收層,轉換效率約 6~7% ,另外矽薄膜由於其結構的影響而有光劣化的問題,在使用後的短時間內效率會衰退 15~35% 。
薄膜電池具有轉換效率低的劣勢,卻也同時具備成本低廉的優勢。非晶矽薄膜電池中矽的用量僅為普通多晶矽用量的 1/100 。
非晶矽太陽能電池元件結構
非晶矽太陽能電池製造流程ITO
基板
ITO
基板
i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層
ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
EVA 層
金屬框EVA 層
導線 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
光
金屬框
圖案ITO
基板
p 型矽薄膜層ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
(1) 透明導電 ITO 基板形成
(3) 基板清洗
(5) 結晶矽薄膜層形成 (i 型晶矽半導體形成 )
(7) 雷射蝕刻圖案化 ( 結晶矽 )
(9) 雷射蝕刻圖案化 ( 金屬電極 )
(11) 積層化處理
(2) 雷射蝕刻圖案化
(4) 結晶矽薄膜層形成 (p 型結晶矽半導體形成 )
(6) 晶矽薄膜層形成 (n 型晶矽半導體形成 )
(8) 金屬電極形成
(10) 導線形成
(12) 特性測試
I V
非晶矽太陽能電池製造流程ITO
基板
ITO
基板
i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層
ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
EVA 層
金屬框EVA 層
導線 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
光
金屬框
圖案ITO
基板
p 型矽薄膜層ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
(1) 透明導電 ITO 基板形成
(3) 基板清洗
(5) 結晶矽薄膜層形成 (i 型晶矽半導體形成 )
(7) 雷射蝕刻圖案化 ( 結晶矽 )
(9) 雷射蝕刻圖案化 ( 金屬電極 )
(11) 積層化處理
(2) 雷射蝕刻圖案化
(4) 結晶矽薄膜層形成 (p 型結晶矽半導體形成 )
(6) 晶矽薄膜層形成 (n 型晶矽半導體形成 )
(8) 金屬電極形成
(10) 導線形成
(12) 特性測試
I V
非晶矽太陽能電池製造流程ITO
基板
ITO
基板
i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層
ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層ITO
基板
EVA 層
金屬框EVA 層
導線 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
光
金屬框
圖案ITO
基板
p 型矽薄膜層ITO
基板
n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層
p 型矽薄膜層ITO
基板
金屬膜 n 型矽薄膜層i 型矽薄膜層p 型矽薄膜層
ITO
基板
(1) 透明導電 ITO 基板形成
(3) 基板清洗
(5) 結晶矽薄膜層形成 (i 型晶矽半導體形成 )
(7) 雷射蝕刻圖案化 ( 結晶矽 )
(9) 雷射蝕刻圖案化 ( 金屬電極 )
(11) 積層化處理
(2) 雷射蝕刻圖案化
(4) 結晶矽薄膜層形成 (p 型結晶矽半導體形成 )
(6) 晶矽薄膜層形成 (n 型晶矽半導體形成 )
(8) 金屬電極形成
(10) 導線形成
(12) 特性測試
I V
薄膜應用 -ITO層
ITO需具有高光穿透率、低電阻、極佳導電特
性,用來當透明電極。就銦錫氧化物而言,透明導電薄膜成形的
方法:◦濺鍍法 (Sputtering)◦ 電子束蒸鍍法 (Electron Beam
Evaporation)◦熱蒸鍍法 (Thermal Evaporation
Deposition)◦化學氣相鍍膜法 (Chemical Vapor
Deposition)◦噴霧熱裂解法 (Spray Pyrolysis)
薄膜應用 - a-si層
http://www.residentialsolar101.org/thin-film-solar-technology/
a-si非晶矽層:主要是經由光電效應產生光電流。
薄膜型矽太陽能電池元件的製作方法:◦液相磊晶 (Liquid Phase Epitaxy, LPE)◦ 低壓化學蒸鍍 (Low Pressure CVD, LP-CVD)◦ 常壓化學蒸鍍 (Atmosphere Pressure CVD,
AP-CVD)◦ 電漿強化化學蒸鍍 (Plasma Enhanced CVD,
PE-CVD)◦離子輔助化學蒸鍍 (Ion Assisted CVD, IA-
CVD)◦熱線化學蒸鍍 (Hot Wire CVD, HW-CVD)
P-i-n
n p
p n
i
厚度 (t)
光
p
光
厚度 (t)
ndf(J )電子擴散電流
dr(J )電子漂移電流
pdf(J )電洞漂移電流
dr(J )漂移電流
薄膜應用 - 其他部分
薄膜層應用
矽薄膜型太陽能電池
接觸電極 (Contact Electrode)
光吸收薄膜層 (Absorber Layer)
鈍化薄膜層 (Passivation Layer)
抗反射層 (Antireflective Layer)
濺 鍍 (Sputtering) 蒸 鍍 (Evaporation)
濺鍍、蒸鍍電漿式化學氣相沉積 (PE-CVD)
濺 鍍電漿式化學氣相沉積 (PE-CVD)
濺 鍍電漿式化學氣相沉積 (PE-CVD)
Atomic Layer Deposition利用電漿沉積技術來進行原子薄膜層的沉積以及形成,一般原子薄膜層沉積技術 (Atomic Layer Deposition, ALD) ,可以分為四大反應步驟:◦ 1.反應性前驅體分子 (Precursor Molecules) 沉積
於基板表面而呈飽和狀態,並進行表面吸附化學反應。◦ 2. 將惰性載體氣體 (Inert Carrier Gas) 注入,而
將過剩的或未反應的反應性前驅體分子帶出反應腔 (Reaction Chamber) 。
◦ 3. 在基板表面進行自我限制性化學反應,並將原子一層一層地堆積或階梯覆蓋 (Step Coverage) ,以形成薄膜層。
◦ 4. 將惰性載體氣體注入,而將副反應的以及過剩的反應性前驅體分子帶出反應腔
薄膜應用 - 抗反射層用於提升透光度,減少反射。
鈍化薄膜層增加光在膜層內的散射距離以增加吸收。
http://www.ndl.narl.org.tw/web/research/energy.html
EVA層EVA膜的基本功能:
1.固定太陽能電池及 連接電路導線提供 Cell絕緣保護2.進行光學藕合3.提供適度的機械強度4.提供熱傳導途徑
參考文獻 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%A4%AA%E9%9
8%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0#.E8.96.84.E8.86.9C.E5.A4.AA.E9.99.BD.E9.9B.BB.E6.B1.A0
http://college.itri.org.tw/topiclearn.aspx?id=153 http://pv.energytrend.com.tw/knowledge/201208
21-4890.html http://www.kson.com.tw/chinese/study_23-16.ht
m http://www2.nsysu.edu.tw/physdemo-kh/2012/E4
/E4.php http://www.mmmpc.com.tw/yuehyin/MagSumma
ry.aspx?ID=480&MID=9390 http://www.display-all.com/news/news_detail.php
?language_page=taiwan&button=news&adtype=news_ptech&cate=tech&serial=16734&check_o=40536
http://ejournal.stpi.narl.org.tw/NSC_INDEX/Journal/EJ0001/9807/9807-08.pdf