Maszkkészítés

•Planár technológia•Kvázi-sík felületen•Technológiai lépések: rétegek megmunkálása•Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint

•Litográfia•Ábrák kialakítása a felületen•Adott munkafázis gátlása adott helyen

•Pl. leválasztás, marás, fémezés stb.•Ábraalakítás eszközei: maszkok•CMOS: legalább 10 különböző maszk kell

2

Maszkkészítés• Maszkok

• Primer: ábrahordozó, árnyékolás levilágításnál

• Reziszt (szerves): művelet gátlás, oxidmaszk kialakítás

• Oxid: védelem műveletek ellen, amire reziszt nem alkalmas

3

Maszkkészítés

• Kritérium: pontosság• Abszolút pontosság

• Technológiai felbontás egysége () szerint (vonalvastagság, ábra alakja)

• Relatív pontosság• Koherencia: illeszthetőség adott munkadarab

különböző maszkjai között• Illesztés a lépések során: kézzel (~1m) / lézeres

interferometria (pár nm)

• Előtorzítás: a technológia okozta torzítások ellen

4

Maszkkészítés

• Primer maszk– fém vagy Fe2O3 üveg hordozón– Pontos és drága (pl. előállításkor stabil

hőmérséklet szükséges)– Koherenciához: egyszerre kialakítás vagy

lézeres interferometria– Klasszikus: rubilit-fóliába vágott kép

> 1:10 kicsinyített fotó > fotózás továbbkicsinyítve, chipeknek megfelelően többszörözve

5

Maszkkészítés

• Korszerű– nem készül mesterrajz (rubilit)– Digitális ábragenerálás a „második”, kicsinyített

szintre– Ez közvetlenül szeletre fotózható (sok példányra

lassú az illesztések miatt), DSW: direct step writing– vagy készíthető „1x” maszk– „1x” maszk: kontakt (kopik) vagy proximity: kb. 1m

magasan (alávilágítás ellenére ez ma a jellemző)

6

Maszkkészítés

• Elektronsugaras ábraalakítás– Közvetlenül a szeletre (DWW: direct wafer

writing, kis példányszám)– Közvetlenül az „1x” maszkra RTG

ábragenerálás– RTG: kis hullámhossz, de nem tudjuk

fókuszálni

• Optikai (UV) ábragenerálás– A fizikai határok közelében, de még mindig ez

az általános

7

Maszkkészítés

• Ionsugaras ábraalakítás– DWW (rezisztre)– Anyageltávolítás (l. katódporlasztás)

• Pl. krómmmaszk javítása, Cr leválasztás ionból

– Közvetlen implantáció lehetősége• Trench-kapacitásos DRAM-cella: trench fala

közvetlenül implantálható

8