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附件 1

批准立项年份 2009

通过验收年份 2012

国家级实验教学示范中心年度报告

（2018 年 1 月——2018 年 12 月）

实验教学中心名称：集成电路实验教学中心/集成电路设计与制造虚

拟仿真实验教学中心

实验教学中心主任：张玉明

实验教学中心联系人/联系电话：马佩军/13991208595

实验教学中心联系人电子邮箱：pjma@xidian.edu.cn

所在学校名称：西安电子科技大学

所在学校联系人/联系电话：张宇鹏/029-81891766

2019 年 1 月 8 日填报

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第一部分 年度报告编写提纲（限 5000 字以内）

一、人才培养工作和成效

（一）人才培养基本情况

集成电路实验教学中心承担着我校微电子和集成电路专业 2000

余人的实践教学任务，年均工作量约为 16 万人时，为培养与提升学

生的实践能力和创新能力起到了重要作用。同时，已服务于西安地区

兄弟院校相关专业，受益面逐渐扩大。

中心一贯坚持“教研相长”的理念，积极推动科研反哺教学，科研

成果转化为实验项目，用于实验教学，贵重科研仪器设备向教学开放

（如重点实验室与教学实验室的融合、本科生进课题组参加科研训练

等）。中心联合高水平科研平台“宽带隙半导体技术国家重点学科实

验室”，建成与科研高度融合的超净室 120 平米，为本科生生产实习

过程中对超净环境要求较高的工艺提供了场所，进一步优化集成电路

工艺类实验项目及环境。该实验室目前已正式投入本科教学，用于本

科生的生产实习。

经过中心的实验教学训练，学生们掌握了半导体的基本测试技

术、微电子器件原理分析、工艺制造和集成电路设计的主要技能，锻

炼了实际动手能力，加深了专业基础知识的理解，拓宽了知识面，同

时也培养了自主学习能力和创新发展意识，推动了相近学科知识的交

叉融合，达到了良好的教学效果。

3

（二）人才培养成效评价等

2018 年中心投入经费 205 万元用于实验建设，新增设备仪器 72

台套，完成了如下事项：

1. 成立机器人创新俱乐部；

2. 与国微集团联合共建科研教学融合实验室；

3. 与芯原微电子公司合作开设《模拟集成电路设计》课程；

4. 与 Intel、Synopsys、Cadence、NI、海思等公司联合举办“微电

之光”集成电路技能暑期训练营；

5. 与振华永光公司、深圳振华公司建立校外实践基地；

6. 与 Synopsys 公司、安博公司合作建立集成电路设计培训基地；

7. 与芜湖市人民政府联合共建“西电-芜湖研究院”；

8. 与中国西电集团、西安高新区管委会三方共建“陕西省半导体

先导技术中心”；

9. 中心教师开设《创新与创业指导课程》，进一步充实了实践教

学体系。

目前，实验教学内容涵盖了专业和专业基础课程的主要知识点，

为学生培养科学思维和创新意识提供了优越的环境。同时，也实现了

对集成电路产业链技能的系统培养。

中心以各类软硬件建设为依托，通过实验教改立项、大学生科研

训练计划等多种途径，为学生创造优异的学术环境及氛围，为学生参

加“国创”项目、科研训练、各类学科竞赛、科技兴趣小组等课外学术

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科技竞赛提供场地和技术支持，多途径培养学生创新能力，效果显著。

2018 年度中心学生获奖情况如表 1 所示：

表 1 中心本科生获奖情况

序号 课外科技活动类别 获奖等级 获奖人

数

1 美国大学生数学建模竞赛

国际一等奖 14 国际二等奖 11

2

全国大学生数学建模竞赛

全国一等奖 1 全国二等奖 2 省级一等奖 11 省级二等奖 4

3 2018 年中国大学生计算机设计大赛

全国二等奖 5 省级二等奖 1

4 全国大学生英语竞赛

全国一等奖 3 省级一等奖 1

5 中国大学生物理学术竞赛

全国三等奖 1 省级一等奖 5

6 "创青春"全国大学生创业大赛 省级铜奖 3 7 全国大学生嵌入式系统专题邀请赛 全国一等奖 1

8 全国大学生瑞萨杯信息科技前沿专

题邀请赛 全国三等奖

1

9

陕西省大学生德州仪器（TI）杯模拟

及模数混合电路应用设计竞赛

省级一等奖 4 省级二等奖 4 省级三等奖 8

10 第十届全国大学生数学竞赛

省级一等奖 12 省级二等奖 23 省级三等奖 41

11

第四届“互联网+”大学生创新创业大

赛

全国金奖 2 省级金奖 1 省级银奖 2

2018 年度，国家级大学生创新创业训练计划项目结题验收 12 项，

11 项合格，1 项优秀（全校排名第一）、省级大学生创新创业训练计

划结题验收 11 项，10 项合格，1 项优秀（全校排名第四）；获准

2018-2019 年国家级大学生创新创业训练计划 22 项，省级大学生创新

5

创业训练计划 28 项；培育 2019 年国家级大学生创新创业训练计划项

目立项 39 项。

二、教学改革与科学研究

（一）教学改革立项、进展、完成等情况

2018 年度，中心教改项目情况如下：

1. “氮化镓发光二极管工艺制造与光电特性”实验教学项目获批

国家首批虚拟仿真实验项目；

2. “面向国家急需，构建“三位一体”集成电路人才培养模式的改

革与实践”获 2018 年国家教学成果一等奖；

3. 集成电路设计与集成系统特色专业教学团队获批陕西普通高

校省级教学团队；

4. “以示范性微电子学院建设为契机，探索创新人才培养和个性

化教育机制”获批陕西高校教学改革研究项目。

5. 2017 年立项的 8 项新实验开发与新实验设备研制项目进展顺

利，2018 年又新立项新实验开发与新实验设备研制项目 5 项，如表 2

所示。中心一贯重视实践教学改革，2010 年至今，中心共计投入 66

万元用于实验立项，新实验开发及实验设备研制立项 75 项。

表 2：2018 年新实验的立项情况 序号 项目名称 项目类型

1 面向机器学习的 IoT 应用开发平台 新实验 2 基于 RISC-V 指令集的 SoC 系统设计实验 新实验 3 隧穿场效应晶体管可靠性仿真实验 新实验 4 基于 FPGA 的数字集成电路综合实验 新实验 5 干涉显微镜目镜显示方式的改进 新设备

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(二) 科学研究等情况

2018年，实验中心教师共承担了 21项纵向科研项目，经费约 3225

万元，另有横向科研项目 8 项，经费约 785 万元,在国内外重要刊物

发表 SCI 检索论文 43 篇，授权国家发明专利 20 个，其中一项为美国

授权专利。

2018 年度科研获奖情况如下：

1. “氮化镓高效微波功率器件关键技术”获得 2018 年度国家技术

发明二等奖；

2. “氮化镓新型异质结构功率器件及关键技术”获 2017 年教育部

技术发明一等奖；

3. “XX FPGA技术研究与应用”项目获 2017年国防技术发明一等

奖；

4. “高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”获 2018 年

陕西省科学技术奖一等奖。

三、人才队伍建设

（一）队伍建设基本情况

目前，中心已经形成了一支学术水平高、理论与实验结合能力强、

年龄与知识结构合理、勇于创新、爱岗敬业的师资队伍。中心为进一

步提升实验教师的整体实力，自 2017 年起陆续引进 4 位具有博士学

历的专职教师，其中 2 位具有工程背景，曾在企业参与了众多重大项

目的研究。中心现有专兼职教师 53 人，其中专职教师具有博士学位

7

占比 96％，其余教师均具有硕士学位。

（二）队伍建设的举措与取得的成绩等

实验教师队伍的水平和素质直接影响到实验中心的建设和发展，

为此，中心十分重视实验教学队伍能力的提高，并采取了具体有效的

措施。2018 年，中心新引进一位博士毕业生进入专职实验教师队伍，

并对专职实验教师的学历和背景提出了更高要求，以提升了实验师资

队伍的整体实力。为促进实验教学的内容和形式符合产业发展的需

求，中心还聘请国内外集成电路知名企业专家做兼职教师，邀请其前

来中心授课、举办学术讲座或进行专项培训，2018 年 10 月，中心组

织“元器件质量可靠性评价、应用和失效分析技术高级培训研讨班”，

对企业和学生进行专业培训。同时，中心鼓励青年教师去其他优秀院

校参观学习，派遣青年教师赴国内外培训，定期举办青年教师讲课和

实验技能竞赛以及课件评比，并鼓励实验教师参加各类讲课竞赛，使

青年教师的教学水平不断提升。

四、信息化建设、开放运行和示范辐射

（一）信息化资源、平台建设，人员信息化能力提升等情况

中心已建立了专门的网络主页和实验教学管理系统。该系统经进

一步完善后，将具备以下完整功能：

1. 信息发布。包括预约实验、管理学生的账号、资料、成绩等，

提供实验报告的上传、批改，仪器的查询等。学生在实验前可在中心

网站上查看最近的课程安排、临时变动情况、实验前注意事项等各种

8

信息。

2．网络预习。学生可在上课前登陆网站进行实验预习，包括浏

览课件、看仪器使用的视频录像、思考问题、提交预习报告等等。

3．课外学习。网站资源丰富，涉及集成电路技术实践的各个方

面，是学生拓展知识面、参与课外实践的好去处。

4．实验管理。包括实验信息、实验资源、实验报告、实验成绩、

仪器设备等等的管理。

5．在线答疑。实现在线答疑功能，克服时间和空间障碍，及时

解决同学提出的问题和疑惑。

（二）开放运行、安全运行等情况

中心每年为毕业论文设计、学生科技创新活动及学生参加挑战杯

等各种竞赛提供实验场地。中心采用实验阶段安排、网上预约、实验

员值班、进入登记的等方式，实现实验教学中心的开放运行。另外，

为充分发挥辐射与示范作用，中心面向西安地区高校相关专业开放。

中心实行开放运行模式，各室均有专人负责，部分实验室实行学

生在自主管理，通过中心网站对各实验室进行全面管理。为提高学院

实验室开放程度，学院累计投入 300 余万元建设“创新实验室”，该实

验室采用中心教师指导、学生自主管理的开放模式运行。

实验中心的运行严格按照安全规范进行，定期对相关人员进行安

全教育和培训，不定时进行安全检查，确保实验中心整体运行安全。

（三）对外交流合作、发挥示范引领、支持中西部高校实验教学

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改革等情况

自建立至今，中心为国家培养了一批微电子、集成电路领域的专

业人才，与国内外各研究机构及企业建立了良好的关系。同时，中心

所具备的软硬件条件、师资力量和科研技术水平也受到业界的广泛认

可及高度评价。目前，国内外多家知名企业，如 Intel、AMD、华润

微电子、京东方等，已在中心设立专项奖学金；国外多所大学（比利

时鲁汶大学、日本德岛大学、德国慕尼黑工大等）和研究机构（欧洲

微电子中心 IMEC 等）与中心建立了交流、合作机制；同时，国内外

多数著名的半导体企业均在中心建有大学计划项目。

经过多年的建设与发展，虚拟实验中心的影响力逐步增强，服务

范围日益扩大。在校内，正在从面向集成电路专业转变为面向全校所

有相关专业；在校外，正在从面向本校转变为面向全省具有集成电路

专业的高校(如，西北大学、西安理工大学、陕西科技大学、西安邮

电大学、西安科技大学等)和相关企事业单位（航天 771 所、中电 20

所、Intel 西安公司、总装备部等）提供实践教学及培训服务。

五、示范中心大事记

（一）有关媒体对示范中心的重要评价，附相应文字和图片资料

1．2018 年 11 月 17 日，芜湖市长贺懋燮调研西电芜湖研究院时

强调：全力支持研究院各项建设，共创校地合作协同创新的典范。

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2. 2018 年 11 月 21 日，芜湖市长贺懋燮一行参观西电微电子学

院宽带隙半导体材料重点实验室，交流西电芜湖研究院建设发展意

见。

（二）省部级以上领导同志视察示范中心的图片及说明等

（三）其它对示范中心发展有重大影响的活动等

1. “面向国家急需，构建“三位一体”集成电路人才培养模式的改

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革与实践”获 2018 年国家教学成果一等奖。

2. “氮化镓发光二极管工艺制造与光电特性”获国家首批虚拟仿

真实验项目。

3. 2018 年 5 月，“微电子科学与工程”进入全球工程教育“第一方

阵”，获中国工程教育专业认证，标志该专业的质量实现了国际实质

等效。

4. 集成电路设计与集成系统特色专业教学团队获批陕西普通高

校省级教学团队。

5. “以示范性微电子学院建设为契机，探索创新人才培养和个性

化教育机制”获批陕西高校教学改革研究项目。

6. “氮化镓高效微波功率器件关键技术”获得 2018 年度国家技术

发明二等奖。

7. “氮化镓新型异质结构功率器件及关键技术”获 2017 年教育部

技术发明一等奖。

8. 参与项目“XX FPGA 技术研究与应用”获 2017 年国防技术发

明一等奖。

9. “高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”获 2018 年

陕西省科学技术奖一等奖。

10. 与芜湖市人民政府联合共建“西电-芜湖研究院”，已招生运

行。

11. 与中国西电集团、西安高新区管委会三方共建“陕西省半导

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体先导技术中心”，已正式运行。

六、示范中心存在的主要问题

基于中心发展定位和建设目标，同时从中心的可持续发展性考

虑，目前主要存在两个方面的不足。

(1) 需进一步有效解决学生人数规模与中心同时可接纳人数的

矛盾。

(2) 需进一步加强中心的信息化建设，不断增强网络教学资源。

七、所在学校与学校上级主管部门的支持

自 2017 年起，学校将实验教师岗单独列为一个系列，在人员招

聘，岗位聘任和职称评定等方面独立进行考核，该举措的出台，使得

实验中心吸纳了不少优秀博士毕业生和优秀教师。2018 年，中心获

批修购基金 190 万，学院利用虚拟仿真实验中心项目奖励及学院配套

经费共计投入超过 205 万元用于中心建设，与国微集团联合共建科研

教学融合实验室，在学校的支持下，与芜湖市人民政府联合共建“西

电-芜湖研究院”。

八、下一年发展思路

（一）根据教学需求和示范辐射作用，进一步完善虚拟实验平台

的功能。基于学院开设的微电子相关课程（工艺、器件、电路、可靠

性等），进一步完善相应的虚拟仿真实验，以辅助理论教学；基于需

求的专业虚拟仿真实践（示范辐射作用，扩大示范中心影响力），实

现基于虚拟仿真平台的实时在线授课。

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（二）改革和重建实验课程体系，引入慕课，云课堂等线上线下

相结合的授课模式，扩大实验平台规模和课堂受益面，实现虚实结合

的实验教学改革模式。

（三）吸纳具有工程背景的优秀人才，加强实验教师队伍建设。

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第二部分 示范中心数据

（数据采集时间为 2018 年 1 月 1 日至 12 月 31 日）

一、示范中心基本情况

示范中心名称 集成电路实验教学中心/集成电路设计与制造虚

拟仿真实验教学中心

所在学校名称 西安电子科技大学

主管部门名称 教育部

示范中心门户网址 http://smesy.xidian.edu.cn/ http://icdm.xidian.edu.cn

示范中心详细地址

西安电子科技大学南校

区 E 楼 F 楼/西安电子科

技大学北校区东大楼

邮政编码 710071

固定资产情况 7660 余万元

建筑面积 3440㎡ 设备总值 7200 万元 设备台数 950 台

经费投入情况 205 万元

主管部门年度经费投入

（直属高校不填） 万元 所在学校年度经费投入 190 万元

注：（1）表中所有名称都必须填写全称。（2）主管部门：所在学校的上级

主管部门，可查询教育部发展规划司全国高等学校名单。

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二、人才培养情况

（一）示范中心实验教学面向所在学校专业及学生情况

序号 面向的专业

学生人数 人时数

专业名称 年级

1 微电子科学与工程 2014、2015、2016、2017 级

979 40670

2 集成电路据设计与集成系统 2014、2015、2016、2017 级

1030 38956

注：面向的本校专业：实验教学内容列入专业人才培养方案的专业。

（二）实验教学资源情况

实验项目资源总数 126 个 年度开设实验项目数 37 个

年度独立设课的实验课程 10 门 实验教材总数 2 种

年度新增实验教材 0 种 注：（1）实验项目：有实验讲义和既往学生实验报告的实验项目。（2）实

验教材：由中心固定人员担任主编、正式出版的实验教材。（3）实验课程：在

专业培养方案中独立设置学分的实验课程。

（三）学生获奖情况

学生获奖人数 157 人 学生发表论文数 3 篇 学生获得专利数 8 项

注：（1）学生获奖：指导教师必须是中心固定人员，获奖项目必须是相关

项目的全国总决赛以上项目。（2）学生发表论文：必须是在正规出版物上发表，

通讯作者或指导老师为中心固定人员。（3）学生获得专利：为已批准专利，中

心固定人员为专利共同持有人。

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三、教学改革与科学研究情况

（一）承担教学改革任务及经费

序号 项目/

课题名称 文号 负责人

参加 人员

起止

时间 经费

（万元） 类别

1

以示范性微电子学

院建设为契机，探

索创新人才培养和

个性化教育机制

陕教高

[2015]21 号

张玉明 张进成

冯晓丽

柴常春

毛 维

2015-2018

2 a

2

微电子专业类“二三四”人才培养模

式构建与实践研究

陕教科

规办

[2018]10 号

冯晓丽 蔡觉平

孙立锐

卞学愚

康海燕

2018- a

注：（1）此表填写省部级以上教学改革项目（课题）名称：项目管理部门

下达的有正式文号的最小一级子课题名称。（2）文号：项目管理部门下达文件

的文号。（3）负责人：必须是中心固定人员。（4）参加人员：所有参加人员，

其中研究生、博士后名字后标注*，非本中心人员名字后标注＃。（5）经费：指

示范中心本年度实际到账的研究经费。（6）类别：分为 a、b 两类，a 类课题指

以示范中心为主的课题；b 类课题指本示范中心协同其他单位研究的课题。

（二）承担科研任务及经费

序号 项目/课题名称 文号 负责人 参加 人员

起止

时间 经费

(万元) 类别

1

陕西省集成电路与

系统集成重点实验

室 2018年评估后补

助 50万

C018250007

朱樟明 朱樟明 2018

年起 50 a

2 XXX条件下集成 XXX

的基础科学技术问

题

FG1801XXXX0

01 张玉明 张玉明

2018

年起 40 a

3 XX半导体XXX单晶材

料基础研究

F018XXXX07

元磊 元磊 2018

年起 32 a

4 新型半导体材料与

器件创新团队

C018250005

张进成 张进成 2018

年起 80 a

5 陕西半导体先导技

术研发和测试中心

C018250006

张玉明 张玉明 2018

年起 800 a

6 半导体氧化镓单晶

与外延薄膜生长研

B018250038

冯倩 冯倩 2018

年起 31.3 a

17

究

7 XXX典型半导体材料

XX的实验研究

F018XXXX05

马晓华 马晓华 2018

年起 200 a

8 半导体功率器件与

集成

B018250036

段宝兴 段宝兴 2018

年起 30 a

9 基于忆阻器的神经

突触研究

B018250003

王树龙 王树龙 2018

年起 3 a

10

石墨烯/氮化镓异质

结基红外-紫外复合

光电探测器的应用

研究

B018250034

朱卫东 朱卫东 2018

年起 60 a

11 6英寸碳化硅外延制

备技术研发

B018250037

张玉明 张玉明 2018

年起 60 a

12 大尺寸 GaN外延片规

模化制备技术

B018250030

许晟瑞 许晟瑞 2018

年起 60 a

13 高效率氮化镓微波

功率器件及关键技

术

B018250035

马佩军 马佩军 2018

年起 40 a

14

基于智能传感系统

的低功耗高精度

CMOS模数转换器芯

片研发

B018250027

刘术彬 刘术彬 2018

年起 50 a

15 氮化物半导体量子

点的可控制备及其

单光子发射器件

BS18018250001

陈大正 陈大正 2018

年起 42 a

16 超宽禁带半导体材

料与器件研究

B018250022

郝跃 郝跃 2018

年起 708.7 a

17 超宽禁带半导体器

件关键技术研究

B018250002

郝跃 郝跃 2018

年起 248.3 a

18 XXX功率器件技术

FW16018XXXX

01 马晓华 马晓华

2018

年起 500 a

19 第三批万人计划_朱

樟明

CS31118250002

朱樟明 朱樟明 2018

年起 80 a

20

XX级高可靠电子元

器件 XXX实施指南系

列标准制定（2018年

度）

FG1701XXXX0

01 游海龙 游海龙

2018

年起 10 a

21 超高速 XXX转换器关

键技术研究

FY2001XXXX0

03 丁瑞雪 丁瑞雪

2018

年起 100 a

18

22 激光雷达接收端芯

片技术合作项目

HX01201809007

朱樟明 朱樟明 2018

年起 309 b

23 GaN器件界面温度梯

度高精度测量与评

价技术

HX01201807036

陈大正 陈大正 2018

年起 30.7 b

24 UMC EFLASH 工艺上

模拟 IP研发

HX03201810012

刘术彬 刘术彬 2018

年起 25 b

25 基于三维石墨烯/四

氧化三锰复合电极

材料的制备方法

HX02201809002

宁静 宁静 2018

年起 5 b

26 非挥发性存储器通

用擦写设备电源控

制模块集成电路化

HX01201807059

张艺蒙 张艺蒙 2018

年起 200 b

27 脉冲电源性能实验

系统

HX01201807005

刘毅 刘毅 2018

年起 205 b

28 高温热电材料低维

化电学性能表征

HX03201804006

费春龙 费春龙 2018

年起

8.745

2 b

29 超声探头精密切割

研究服务

HX03201805007

费春龙 费春龙 2018

年起 2 b

注：此表填写省部级以上科研项目（课题）。

（三）研究成果

1.专利情况

序号 专利名称 专利授权号 获准

国别 完成人 类型 类别

1 非 Si 掺杂无 InGaN 黄

光 LED 材料及其制作

方法 CN105070801B 中国

许晟瑞 郝 跃 任泽阳

李培咸

张进成

姜 腾 蒋仁渊

马晓华

发明

专利 独立

完成

2 批量加工晶圆的统计

过程控制方法 CN105425749B 中国

游海龙

田文星

顾 凯贾新章

发明

专利 独立

完成

19

3 二维片上网络拓扑结

构的自适应路由方法 CN104901899B 中国

史江义

舒 浩李 钊马佩军

王 禛 吴冰冰

余文哲

张春焱

发明

专利 独立

完成

4 利用截尾样本确定产

品合格率的方法 CN104484747B 中国

游海龙

田文星

顾 凯贾新章

发明

专利 独立

完成

5 基于石墨烯与磁控溅

射氮化铝的硅基氮化

镓生长方法 CN105655238B 中国

张进成 陈智斌 吕佳骐 郝 跃

发明

专利 独立

完成

6 基于二硫化钼和磁控

溅射氮化铝的氮化镓

生长方法 CN105810562B 中国

张进成 庞 凯 陈智斌 吕佳骐 朱家铎

许晟瑞 林志宇 宁 静 张金风 郝 跃

发明

专利 独立

完成

7 一种二维片上网络的

拓扑结构以及路由方

法 CN104683242B 中国

史江义 舒 浩 余文哲

马佩军 王 禛 吴冰冰 李 钊 张春焱

发明

专利 独立

完成

8 在石墨烯上基于磁控

溅射氮化铝的氮化镓

生长方法 CN105734530B 中国

张进成 陈智斌 吕佳骐

发明

专利 独立

完成

20

郝 跃

9 基于黑磷和磁控溅射

氮化铝的氮化镓生长

方法 CN105931946B 中国

张进成 朱家铎 陈智斌 庞 凯 吕佳骐

许晟瑞 林志宇 宁 静 张金风 郝 跃

发明

专利 独立

完成

10 基于二硒化锡和磁控

溅射氮化铝的氮化镓

生长方法 CN105869998B 中国

张进成 吕佳骐 陈智斌 庞 凯 朱家铎

许晟瑞 林志宇 宁 静 张金风 郝 跃

发明

专利 独立

完成

11 基于二硫化锡和磁控

溅射氮化铝的氮化镓

生长方法 CN105977135B 中国

张进成 陈智斌 庞 凯 吕佳骐 朱家铎

许晟瑞 林志宇 宁 静 张金风 郝 跃

发明

专利 独立

完成

12 基于氧化锌透明电极

的异面型光导开关及

其制作方法 CN106910794B 中国

郭 辉 吴建鲁 曹鹏辉 张玉明 张晨旭

发明

专利 独立

完成

13 基于铟锡氧化物透明

电极的异面型光导开

关及其制作方法 CN106910795B 中国

郭 辉 曹鹏辉 吴建鲁 张玉明

发明

专利 独立

完成

21

张晨旭

14 基于 65nm 工艺的超陡

倒掺杂抗辐照 MOS 场

效应管 CN105514169B 中国

刘红侠

张 丹陈树鹏

陈 安 侯文煜

发明

专利 独立

完成

15

基于非晶化与尺度效

应的 AlN 埋绝缘层上

晶圆级单轴应变 Ge 的

制作方法

CN105845617B 中国

郝 跃戴显英

梁 彬苗东铭

祁林林

焦 帅

发明

专利 独立

完成

16

基于氮化硅应力薄膜

与尺度效应的 AlN 埋

绝缘层上晶圆级单轴

应变 Si 的制作方法

CN105938814B 中国

戴显英

焦 帅郝 跃吴武健

苗东铭

祁林林

梁 彬

发明

专利 独立

完成

17 多沟道侧栅结构的绝

缘栅 AlGaN/GaN 高电

子迁移率晶体管 CN105405878B 中国

王 冲 魏晓晓 郑雪峰

何云龙

马晓华 张进成 郝 跃

发明

专利 独立

完成

18 基于斯塔克效应的

SOUP结构光电调制器

及制作方法 CN105759468B 中国

张春福 韩根全 彭芮之 郝 跃 张进城 冯 倩

发明

专利 独立

完成

19 基于 MOSFET 开关动

态特性的驱动电路 CN106059552B 中国

张艺蒙 许 耀 宋庆文 汤晓

燕

发明

专利 独立

完成

22

张玉明

20

Method for Preparing Structured Graphene on SiC Substrate Based on

Cl2 Reaction

US9,951,418B2 美国

郭 辉张克基

张玉明

邓鹏飞

雷天民

张丰期

发明

专利 独立

完成

注：（1）国内外同内容的专利不得重复统计。（2）专利：批准的发明专利，

以证书为准。（3）完成人：所有完成人，排序以证书为准。（4）类型：其他等

同于发明专利的成果，如新药、软件、标准、规范等，在类型栏中标明。（5）

类别：分四种，独立完成、合作完成-第一人、合作完成-第二人、合作完成-其

他。如果成果全部由示范中心固定人员完成的则为独立完成。如果成果由示范中

心与其他单位合作完成，第一完成人是示范中心固定人员则为合作完成-第一人；

第二完成人是示范中心固定人员则为合作完成-第二人，第三及以后完成人是示

范中心固定人员则为合作完成-其他。（以下类同）

2. 发表论文、专著情况

序号 论文或专著名称 作者 刊物、出版

社名称

卷、期

（或

章

节）、

页

类型 类别

1

InGaN-channel high-electron-mobility transistor with enhanced linearity

and high-temperature

performance

Zhang, Yachao Zhang, Tao Zhou, Hong Li, Yao Xu, Shengrui Bao, Weimin

Zhang, Jincheng Hao, Yue

APPLIED PHYSICS EXPRESS

vlo11,No.9

国外

刊物 独立

完成

2

Characterization of bulk traps and interface states in

AlGaN/GaN heterostructure under proton irradiation

Zheng,XueFeng

Dong, ShuaiShuai Ji, Peng

Wang, Chong He, YunLong

Lv, Ling Ma, Xiao-Hua

Hao, Yue

APPLIED PHYSICS LETTERS

vlo112,No.

23

国外

刊物 独立

完成

3 Temperature APPLIED vlo11 国外 独立

23

dependent electrical

properties of pulse laser deposited

Au/Ni/beta-(AlGa)(2)O-3 Schottky

diode

Feng, Qian Feng, Zhaoqing

Hu,Zhuangzhuang Xing, Xiangyu Yan, Guangshuo Zhang, Jincheng Xu, Yongkuan Lian, Xiaozheng

Hao, Yue

PHYSICS LETTERS

2,No.7

刊物 完成

4

Energy-band alignment of

(HfO2)(x)(Al2O3)(1-x) gate dielectrics

deposited by atomic layer deposition on

beta-Ga2O3 (-201)

Yuan, Lei Zhang,

Hongpeng Jia, Renxu Guo, Lixin

Zhang, Yimen Zhang, Yuming

APPLIED SURFACE SCIENCE

vlo433,No.

国外

刊物 独立

完成

5

Ultrathin ZnO interfacial

passivation layer for atomic layer deposited ZrO2 dielectric on the p-In0.2Ga0.8As

substrate

Liu, Chen Lu, Hongliang Yang, Tong

Zhang, Yuming Zhang, Yimen

Liu, Dong Ma, Zhenqiang

Yu, Weijian

APPLIED SURFACE SCIENCE

vlo444,No.

国外

刊物 独立

完成

6

A non-equilibrium Ti4+ doping

strategy for an efficient hematite electron transport layer in perovskite

solar cells

Zhu, Weidong Zhang, Qianni

Zhang, Chunfu Chen, Dazheng

Zhou, Long Lin, Zhenhua Chang, Jingjing Zhang, Jincheng

Hao, Yue

DALTON TRANSAC

TIONS

vlo47,No.1

8

国外

刊物 独立

完成

8

A 10-Bit Self-Clocked SAR

ADC With Enhanced Energy

Efficiency for Multi-Sensor

Liu, Shubin Shen, Yi

Wang, Jingyu Zhu, Zhangming

IEEE SENSORS JOURNAL

vlo18,No.1

0

国外

刊物 独立

完成

24

Applications

9

A 5-GHz Low-Power Low-Noise

Integer-N Digital Subsampling PLL With SAR ADC

PD

Liu, Maliang Ma, Rui

Liu, Shubin Ding, Zhen Zhang, Pan

Zhu, Zhangming

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWA

VE THEORY

AND TECHNIQ

UES

vlo66,No.9

国外

刊物 独立

完成

10

Thermal stability study of n-type

and p-type ohmic contacts

simultaneously formed on 4H-SiC

Zhang, Yimeng Guo, Tao

Tang, Xiaoyan Yang, Jie

He, Yanjing Zhang, Yuming

JOURNAL OF

ALLOYS AND

COMPOUNDS

vlo731,No.

国外

刊物 独立

完成

11

Photonic Generation of Neuron-Like

Dynamics Using VCSELs Subject

to Double Polarized Optical

Injection

Xiang, Shuiying Zhang, Yahui

Guo, Xingxing Wen, Aijun

Hao, Yue

JOURNAL OF

LIGHTWAVE

TECHNOLOGY

vlo36,No.1

9

国外

刊物 独立

完成

12

AlN piezoelectric thin films for

energy harvesting and acoustic

devices

Fei, Chunlong Liu, Xiangli

Zhu, Benpeng Li, Di

Yang, Xiaofei Yang, Yintang

NANO ENERGY

vlo51,No.

国外

刊物 独立

完成

13

One-step synthesis of novel

snowflake-like Si-O/Si-C

nanostructures on 3D graphene/Cu

foam by chemical vapor deposition

Ning, Jing Wang, Dong

Zhang, Jincheng Feng, Xin

Zhong, Ruixia Chen, Jiabo

Dong, Jianguo Guo, Lixin

Hao, Yue

NANO RESEARC

H

vlo11,No.4

国外

刊物 独立

完成

14 Enhanced

Performance of Inverted

You, Hailong Dai, Lin

Zhang, Qianni

POLYMERS

vlo10,No.7

国外

刊物 独立

完成

25

Non-Fullerene Organic Solar Cells by Using Metal Oxide Electron- and

Hole-Selective Layers with

Process Temperature <= 150 degrees C

Chen, Dazheng Jiang, Qubo

Zhang, Chunfu

15

Study on Neutron Irradiation-Induce

d Structural Defects of

GaN-Based Heterostructures

Gu, Wenping Xu, Xiaobo Zhang, Lin

Gao, Zhiyuan Hu, Xiaochuan

Zhang, Zan

CRYSTALS

vlo8,No.5

国外

刊物 独立

完成

16

Numerical Implementation of Wavelength-Depe

ndent Photonic Spike Timing

Dependent Plasticity Based

on VCSOA

Xiang, Shuiying Gong, Junkai Zhang, Yahui

Guo, Xingxing Han, Yanan Wen, Aijun Hao, Yue

IEEE JOURNAL

OF QUANTU

M ELECTRO

NICS

vlo54,No.6

国外

刊物 独立

完成

17

Simulation Study Toward

High-Performance Transparent-Conductive-Oxide Free Perovskite Solar

Cells Using Metal Microcavity and Optical Coupling

Layer

Chen, Dazheng

Xi, He Zhang, Chunfu Chang, Jingjing Lin, Zhenhua Zhu, Weidong

Pang, Shangzheng Yang, Haifeng

Zhang, Jincheng Guo, Lixin Hao, Yue

IEEE PHOTONI

CS JOURNAL

vlo10,No.2

国外

刊物 独立

完成

18

A 0.55-V, 28-ppm/degrees C,

83-nW CMOS Sub-BGR With

Liu, Lianxi Mu, Junchao

Zhu, Zhangming

IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS

vlo65,No.1

国外

刊物 独立

完成

26

UltraLow Power Curvature

Compensation

AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS

19

A High-Performance Gate Engineered

InGaN Dopingless Tunnel FET

Duan, Xiaoling Zhang, Jincheng Wang, Shulong

Li, Yao Xu, Shengrui

Hao, Yue

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRO

N DEVICES

vlo65,No.3

国外

刊物 独立

完成

20

Novel SiC/Si Heterojunction

Power MOSFET With Breakdown

Point Transfer Terminal

Technology by TCAD Simulation

Study

Duan, Baoxing Yang, Xin

Lv, Jianmei Yang, Yintang

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRO

N DEVICES

vlo65,No.8

国外

刊物 独立

完成

21

Adaptive On-Time-Controll

ed PFM Boost Converter with a Below-Threshold Startup Voltage

Liu, Lianxi Liao, Xufeng

Huang, Wenbin Zhu, Zhangming

Yang, Yintang

JOURNAL OF

CIRCUITS SYSTEMS

AND COMPUTE

RS

vlo27,No.8

国外

刊物 独立

完成

22

Efficient Semitransparent Perovskite Solar

Cells Using a Transparent Silver

Electrode and Four-Terminal

Perovskite/Silicon Tandem Device

Exploration

Chen, Dazheng

Pang,Shangzheng Zhu, Weidong

Zhang, Hongxiao Zhou, Long He, Fengqin

Chang, Jingjing Lin, Zhenhua

Xi, He Zhang, Jincheng Zhang, Chunfu

Hao, Yue

JOURNAL OF

NANOMATERIALS

vlo,No.

国外

刊物 独立

完成

23 Zero-lag intensity Xiang, Shuiying vlo35 国外 独立

27

correlation properties in small ring laser network

with heterogeneous

delays

Gong, Junkai Zhang, Hao

Guo, Xingxing Wang, Haoning Zhang, Yahui

Wen, Aijun

JOURNAL OF THE

OPTICAL SOCIETY

OF AMERICA B-OPTICA

L PHYSICS

,No.2 刊物 完成

24

Enhanced Electrical

Properties of Atomic Layer

Deposited LaxAlyO Thin

Films with Stress Relieved Preoxide

Pretreatment

Wang, Xing Liu, Hongxia

Zhao, Lu Wang, Yongte

MATERIALS

vlo11,No.9

国外

刊物 独立

完成

25

Influence of Nitrogen

Concentration on Self-Compliance

Resistive Switching in

Ta/SiNx/Pt RRAM Devices

Gao, Hai Xia Jiang, Peng Fei

Zhang, Zhen Fei Yang, Mei

Ma, Xiao Hua Yang, Yin Tang

PHYSICA STATUS SOLIDI

A-APPLICATIONS

AND MATERIA

LS SCIENCE

vlo215,No.

14

国外

刊物 独立

完成

26

Study of the Temperature

Dependence of AlGaN/GaN HEMTs with

Oxygen Plasma Treatment

Wang, Chong

He, Qing Wu, Ji Zheng,

Xue-Feng He, Yun-Long

Wang, Xin Tian, Ye

Mao, Wei Ma, Xiao-Hua

Zhang, Jin-Cheng Hao, Yue

PHYSICA STATUS SOLIDI

A-APPLICATIONS

AND MATERIA

LS SCIENCE

vlo215,No.

14

国外

刊物 独立

完成

28

27

Study of GaN-based step-doping

superjunction CAVET for further

improvement of breakdown voltage

and specific on-resistance

Mao, Wei Wang, Haiyong Shi, Penghao

Yang, Cui Zhang, Yantao

Zheng, Xuefeng Wang, Chong

Zhang, Jinchen Hao, Yue

SEMICONDUCTOR SCIENCE

AND TECHNOL

OGY

vlo33,No.2

国外

刊物 独立

完成

28

Characteristics and threshold voltage

model of GaN-based

FinFET with recessed gate

Wang, Chong Wang, Xin

Zheng, Xue-Feng Wang, Yun

He, Yun-Long Tian, Ye He, Qing

Wu, Ji Mao, Wei

Ma, Xiao-Hua Zhang, Jin-Cheng

Hao, Yue

CHINESE PHYSICS

B

vlo27,No.9

国外

刊物 独立

完成

29

Low specific on-resistance GaN-based

vertical heterostructure

field effect transistors with

nonuniform doping

superjunctions

Mao, Wei

Wang, Hai-Yong Shi, Peng-Hao Wang, Xiao-Fei

Du, Ming Zheng, Xue-Feng

Wang, Chong Ma, Xiao-Hua

Zhang, Jin-Cheng Hao, Yue

CHINESE PHYSICS

B

vlo27,No.4

国外

刊物 独立

完成

30

GaN-based FinFET with

double-channel AlGaN/GaN

heterostructure

Wang, Chong Wang, Xin

Zheng, Xuefeng He, Qing

Wu, Ji Tian, Ye Mao, Wei

ELECTRONICS

LETTERS

vlo54,No.5

国外

刊物 独立

完成

29

Ma, Xiaohua Hao, Yue

31

GaN microrod sidewall epitaxial lateral overgrowth on a close-packed microrod template

Duan, Xiaoling Zhang, Jincheng

Xiao, Ming Zhang, Jinfeng

Hao, Yue

JAPANESE

JOURNAL OF

APPLIED PHYSICS

vlo57,No.5

国外

刊物 独立

完成

32

Electron Momentum and

Energy Relaxation Times in Wurtzite

GaN, InN and AlN: A Monte Carlo Study

Wang, Shulong Dou, Yanliu

Liu, Hongxia Lin, Zhiyu

Zhang, Hailin

JOURNAL OF

ELECTRONIC

MATERIALS

vlo47,No.2

国外

刊物 独立

完成

33

A 1.2 V, 3.0 ppm/degrees C, 3.6 mu A CMOS

bandgap reference with novel 3-order

curvature compensation

Liu, Lianxi Huang, Wenbin Mu, Junchao

Zhu, Zhangming Yang, Yintang

MICROELECTRONI

CS JOURNAL

vlo72,No.

国外

刊物 独立

完成

34

Novel lateral double-diffused MOSFET with

folded silicon and high-permittivity

dielectric breaking silicon limit

Duan, Baoxing Shi, Tongtong

Yang, Yintang

SUPERLATTICES

AND MICROSTRUCTURE

S

vlo123,No.

国外

刊物 独立

完成

35

Research on the growth of

beta-(AlGa)(2)O-3 film and the analysis of electrical

characteristics of Ni/Au Schottky contact using Tung's model

Feng, Qian

Hu,zhuangzhuang Feng, Zhaoqing Xing, Xiangyu

Zuo, Yan Yan, Guangshuo

Lu, Xiaoli Zhang, Chunfu

Zhou, Hong Zhang, Jincheng

SUPERLATTICES

AND MICROSTRUCTURE

S

vlo120,No.

国外

刊物 独立

完成

30

36

Characterization of

high-transconductance long-channel hydrogen-terminat

ed polycrystal diamond field

effect transistor

Zhang Jin-Feng Yang Peng-Zhi Ren Ze-Yang

Zhang Jin-Cheng Xu Sheng-Rui

Zhang Chun-Fu Xu Lei

Hao Yue

ACTA PHYSICA SINICA

vlo67,No.6

国外

刊物 独立

完成

37

Energy-efficient switching scheme based on floating

technique for SAR ADC

Ding, Ruixue Sun, Depeng Liu, Shubin

Liang, Hongzhi Zhu, Zhangming

ANALOG INTEGRA

TED CIRCUITS

AND SIGNAL

PROCESSING

vlo97,No.1

国外

刊物 独立

完成

38

PN-assisted digital background

calibration of two-step ADC to

over 14-bit accuracy

Liu, Maliang Hu, Jin

Zhang, Sirui Zhu, Zhangming

ANALOG INTEGRA

TED CIRCUITS

AND SIGNAL

PROCESSING

vlo94,No.1

国外

刊物 独立

完成

39

Polar Dependence of Threading Dislocation

Density in GaN Films Grown by Metal-Organic

Chemical Vapor Deposition

Lin, Zhi-Yu

Chen, Zhi-Bin Zhang, JinCheng

Xu, Sheng-Rui Jiang, Teng

Luo, Jun Guo, Li-Xin

Hao, Yue

CHINESE PHYSICS LETTERS

vlo35,No.2

国外

刊物 独立

完成

40

First-principles investigations on structural, elastic and mechanical

properties of BNxAs1-x ternary

Zhang, Junqin Ma, Huihui Zhao, Bin Wei, Qun

Yang, Yintang

INTERNATIONAL

JOURNAL OF

MODERN PHYSICB

vlo32,No.1

2

国外

刊物 独立

完成

31

alloys

41

Etched

Al0.32Ga0.68N/GaN HEMTs with

high output current and

breakdown voltage (> 600 V)

Duan, Baoxing Xie, Shenlong Guo, Haijun

Yang, Yintang

MICRO & NANO

LETTERS

vlo13,No.5

国外

刊物 独立

完成

42

SiC/Si heterojunction

VDMOS breaking silicon limit by

breakdown point transfer

technology

Duan, Baoxing Lv, Jianmei Zhao, Yihan Yang, Yintang

MICRO & NANO

LETTERS

vlo13,No.1

国外

刊物 独立

完成

43

A first principle calculation of

anisotropic elastic, mechanical and

electronic properties of TiB

Zhang, Junqin Zhao, Bin

Ma, Huihui Wei, Qun

Yang, Yintang

INTERNATIONAL

SYMPOSIUM ON

MATERIAL

SCIENCE AND

ENGINEERING

(ISMSE 2018)

vlo1946,No

.

国外

刊物 独立

完成

44

Electronic and Elastic properties of the antifluorite structure Mg2Si under pressure

Zhang, Junqin Ma, Huihui Zhao, Bin Wei, Qun

Yang, Yintang

MATERIALS

SCIENCE, ENERGY

TECHNOLOGY AND POWER

ENGINEERING II

(MEP2018)

vlo1971,No

.

国外

刊物 独立

完成

注：（1）论文、专著均限于教学研究、学术论文或专著，一般文献综述及

一般教材不填报。请将有示范中心署名的论文、专著依次以国外刊物、国内重要

刊物，外文专著、中文专著为序分别填报，并在类型栏中标明。单位为篇或册。

32

（2）国外刊物：指在国外正式期刊发表的原始学术论文，国际会议一般论文集

论文不予统计。（3）国内重要刊物：指中国科学院文献情报中心建立的中国科

学引文数据库(简称 CSCD) 核心库来源期刊 (http://www.las.ac.cn), 同时可对国

内发行的英文版学术期刊论文进行填报，但不得与中文版期刊同内容的论文重

复。（4）外文专著：正式出版的学术著作。（5）中文专著：正式出版的学术著

作，不包括译著、实验室年报、论文集等。（6）作者：所有作者，以出版物排

序为准。

3.仪器设备的研制和改装情况

序号 仪器设 备名称

自制或 改装

开发的功能 和用途

（限 100 字以内）

研究成果 （限 100字以

内）

推广和应

用的高校

1 2 …

注：（1）自制：实验室自行研制的仪器设备。（2）改装：对购置的仪器设

备进行改装，赋予其新的功能和用途。（3）研究成果：用新研制或改装的仪器

设备进行研究的创新性成果，列举 1－2 项。

4.其它成果情况

名称 数量 国内会议论文数 36 篇 国际会议论文数 7 篇

国内一般刊物发表论文数 9 篇 省部委奖数 2 项 其它奖数 1 项

注：国内一般刊物：除 CSCD 核心库来源期刊以外的其他国内刊物，只填

报原始论文。

33

四、人才队伍基本情况

（一）本年度固定人员情况

序号 姓名 性别 出生

年份 职称 职务

工作

性质 学位 备注

1 张玉明 男 1965 正高级 中心

主任 管理 博士

博士生导师

国家教学成

果一等奖

2 郝 跃 男 1958 正高级 其他 管理 博士 博士生导

师，院士

3 杨银堂 男 1962 正高级 其他 管理 博士 博士生导师

4 马晓华 男 1973 正高级 其他 管理 博士 博士生导师

5 庄奕琪 男 1957 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

6 史江义 男 1973 副高级 其他 教学 博士

7 马佩军 男 1972 副高级 其他 研究 博士

8 柴常春 男 1960 正高级 其他 管理 博士 博士生导师

9 刘 毅 男 1971 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

10 游海龙 男 1979 副高级 其他 研究 博士

11 郑雪峰 男 1979 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

12 樊永祥 男 1976 中级 其他 教学 硕士

13 张军琴 女 1976 副高级 其他 教学 博士

14 李跃进 男 1960 正高级 其他 教学 硕士

15 许晟瑞 男 1981 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

16 张艺蒙 男 1982 副高级 其他 研究 博士 博士生导师

17 冯倩 女 1976 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

18 丁瑞雪 男 1981 副高级 其他 技术 博士

19 刘红侠 女 1968 正高级 其他 技术 博士 博士生导师

20 张进成 男 1976 正高级 其他 教学 博士

博士生导师

长江学者

国家技术发

明二等奖

21 戴显英 男 1961 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

22 段宝兴 男 1977 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

34

23 王树龙 男 1983 副高级 其他 研究 博士

24 郭辉 男 1978 副高级 其他 研究 博士 博士生导师

25 蔡觉平 男 1976 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

26 刘术彬 男 1982 副高级 其他 技术 博士

27 朱樟明 男 1978 正高级 其他 技术 博士 博士生导师

28 刘马良 男 1985 副高级 其他 技术 博士

29 高海霞 女 1977 副高级 其他 研究 博士

30 张金风 女 1977 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

31 朱卫东 男 1990 中级 其他 技术 博士

32 刘琛 男 1988 中级 其他 技术 博士

33 张军琴 女 1976 副高级 其他 研究 博士

34 陈树鹏 男 1987 中级 其他 研究 博士

35 陈大正 男 1989 中级 其他 技术 博士

36 刘帘曦 男 1979 正高级 其他 研究 博士 博士生导师

37 王冲 男 1978 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

38 毛维 男 1981 副高级 其他 教学 博士 博士生导师

39 宁静 女 1985 副高级 其他 研究 博士

40 刘毅 男 1971 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

41 费春龙 男 1988 中级 其他 技术 博士

42 元磊 男 1987 中级 其他 技术 博士

43 张春福 男 1979 正高级 其他 教学 博士 博士生导师

44 娄永乐 女 1987 中级 其他 教学 博士

45 康海燕 女 1983 中级 其他 教学 博士

46 韩本光 男 1983 副高级 其他 教学 博士

47 段小玲 女 1988 中级 其他 教学 博士

48 FuHui 男 1975 其他 技术 硕士

49 富保罗 男 1952 其他 教学 博士

50 孙芳 女 1976 其他 技术 硕士

51 丁渭斌 男 1980 其他 技术 本科

52 刘斌 男 1985 其他 教学 硕士

53 王懿 男 1985 其他 技术 本科

35

（二）本年度流动人员情况

序号 姓名 性别 出生

年份 职称 国别 工作单位 类型 工作期限

1 谷文萍 女 1982 中级 中国 长安大学 其他 2014 年起

2 王斌 男 1983 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2014 年起

3 顾凯 男 1983 中级 中国 西安诠释软件有

限公司 其他 2014 年起

4 林志宇 男 1986 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2015 年起

5 韩超 男 1983 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2016 年起

6 项水英 女 1986 副高级 中国 西安电子科技大

学 其他 2016 年起

7 刘阳 女 1987 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2017 年起

8 胡彦飞 男 1987 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2017 年起

9 张雅超 男 1990 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2017 年起

10 汪星 男 1991 中级 中国 西安电子科技大

学 其他 2017 年起

11 Colin

Humphreys

男 1941 正高级 英国 英国剑桥大学 访问学

者 2012 年起

12 M．Jamal

Deen 男 1955 正高级 加拿大

加拿大麦克玛斯

特大学

访问学

者 2012 年起

13 Jianhui Zhao

男 1959 正高级 美国 美国罗格斯大学 访问学

者 2012 年起

14 Tao Wang 男 1968 正高级 英国 英国谢菲尔德大

学

访问学

者 2012 年起

15 Jye Chyi

Lu 男 1957 正高级 美国

美国佐治亚理工

学院

访问学

者 2012 年起

16 Jin Zhou 男 1959 正高级 澳大利亚 澳大利亚昆士兰

大学

访问学

者 2012 年起

17 Jisheng

Han 男 1962 正高级 澳大利亚

Queensland Micro and

Nano technology Centre

访问学

者 2012 年起

36

序号 姓名 性别 出生

年份 职称 国别 工作单位 类型 工作期限

18 Weisheng

Zhao 男 1980 正高级 法国 法国国家科学院

访问学

者 2012 年起

19 Jianfu Zhang

男 1963 正高级 英国

Liverpool John Moores

University

访问学

者 2012 年起

20 Chunxian

g Zhu 男 1969 副高级 新加坡 新加坡国立大学

访问学

者 2012 年起

21 Weidong

Zhang 男 1966 副高级 英国

Liverpool John Moores

University

访问学

者 2012 年起

22 陈敬 男 1962 正高级 中国 香港科技大学 访问学

者 2008 年起

23 张鼎张 男 1966 正高级 中国 台湾中山大学 访问学

者 2013 年起

24 李清庭 男 1949 正高级 中国 台湾成功大学 访问学

者 2016 年起

25 于宗光 男 1960 正高级 中国 中国电子科技集

团 58 所

访问学

者 2014 年起

26 欧阳晓平 男 1961 正高级 中国 西北核技术研究

所

访问学

者 2014 年起

27 赵天绪 男 1964 正高级 中国 宝鸡文理学院 访问学

者 2012 年起

28 沈绪榜 男 1933 正高级 中国 航天 771 研究所 访问学

者 2012 年起

29 韩俊刚 男 1943 正高级 中国 西安邮电大学 访问学

者 2012 年起

30 刘卫国 男 1964 正高级 中国 西安工业大学 访问学

者 2012 年起

31 王俊平 女 1964 正高级 中国 西安电子科技大

学 其他 2012 年起

注：（1）流动人员：包括“访问学者和其他”两种类型。（2）工作期限：

在示范中心工作的协议起止时间。

37

（三）本年度教学指导委员会人员情况

序号 姓名 性别 出生

年份 职称 职务 国别 工作单位 类型

参会

次数

1 郝跃 男 1958 正高级 主任

委员 中国

西安电子

科技大学

校内

专家 2

2 庄奕琪 男 1957 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 4

3 张玉明 男 1965 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 1

4 马晓华 男 1973 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 3

5 朱樟明 男 1978 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 1

6 柴常春 男 1960 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 3

7 马佩军 男 1972 正高级 委员 中国 西安电子

科技大学

校内

专家 4

注：（1）教学指导委员会类型包括校内专家、外校专家、企业专家和外籍

专家。（2）职务：包括主任委员和委员两类。（3）参会次数：年度内参加教学

指导委员会会议的次数。

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五、信息化建设、开放运行和示范辐射情况

（一）信息化建设情况

中心网址 http://smesy.xidian.edu.cn/index.asp http://icdm.xidian.edu.cn/index.html

中心网址年度访问总量 5282 人次

信息化资源总量 38615Mb 信息化资源年度更新量 1018Mb

虚拟仿真实验教学项目 55 项

中心信息化工作联系人 姓名 马佩军

移动电话 13991208595 电子邮箱 pjma@xidian.edu.cn

（二）开放运行和示范辐射情况

1.参加示范中心联席会活动情况

所在示范中心联席会学科组名称 国家级实验教学示范中心联席会

电子学科组

参加活动的人次数 3 人次

2.承办大型会议情况

序号 会议名称 主办单位名称 会议主席 参加人数 时间 类型

1

西安电子科技大

学微电子行业校

友会 2018 理事年

会暨第三届西电

微电子行业校友

论坛

西电微电子行

业校友会、西

电芜湖研究院

106

2018年 5月 12日-13日

全国

性

2

示范性微电子学

院创新创业教育

工作研讨会暨院

长交流研讨会

西安电子科技

大学微电子学

院 83

2018年 5月

全国

性

注：主办或协办由主管部门、一级学会或示范中心联席会批准的会议。请按

全球性、区域性、双边性、全国性等排序，并在类型栏中标明。

39

3.参加大型会议情况

序号 大会报告名称 报告人 会议名称 时间 地点 1 2 …

注：大会报告：指特邀报告。 4.承办竞赛情况

序号 竞赛名称 参赛人数 负责人 职称 起止时间 总经费

（万元）

1 第四届“芯原

杯”电路设计大

赛 153 张玉明 教授

2018 年 4月 16 日-6月 2 日

2.1

2

第二届全国大

学生集成电路

创新创业大赛

西北赛区决赛

300 张玉明 教授 2018 年 7月 24 日

-25 日 10

注：学科竞赛：按国家级、省级、校级设立排序。

5.开展科普活动情况

序

号 活动开展时间 参加人数 活动报道网址

1 2018 年 4 月 24 日 326 http://sme.xidian.edu.cn/html/xyxw/2018/0508/633.html

2 2018 年 6 月 5 日 43 http://sme.xidian.edu.cn/html/xyxw/2018/0607/648.html

3 2018 年 6 月 15 日 217 http://sme.xidian.edu.cn/html/xyxw/2018/0627/656.html

4 2018 年 10 月 30 日 52 http://sme.xidian.edu.cn/html/xyxw/2018/

1115/717.html

6.接受进修人员情况

序号 姓名 性别 职称 单位名称 起止时间

1

2

…

注：进修人员单位名称填写学校，起止时间以正式文件为准。

40

7.承办培训情况

序号 培训项目名称 培训人数 负责人 职称 起止时间 总经费

（万元）

1

微电之光”全国

集成电路行业

工程技能实训

暑期开放训练

营

100 张玉明 教授 2018 年 7月 23 日-8月 20 日

6

2

元器件质量可

靠性评价、应用

和失效分析技

术高级培训研

讨班

74 游海龙 副教授 2018年 10月 16 日

-21 日 3

注：培训项目以正式文件为准，培训人数以签到表为准。

（三）安全工作情况

安全教育培训情况 510 人次 是否发生安全责任事故

伤亡人数（人） 未发生

伤 亡 0 0 √

注：安全责任事故以所在高校发布的安全责任事故通报文件为准。如未发生

安全责任事故，请在其下方表格打钩。如发生安全责任事故，请说明伤亡人数。

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