薄膜在 DRAM 元件的應用

指導老師：吳文端學生： MA230106 劉期政 MA230123 吳智捷

Outline

1. DRAM 介紹2. DRAM 結構與組成3. 薄膜之特性與說明

DRAM 介紹 DRAM 稱為動態隨機存取記憶體。 記憶體主要分為 RAM 和 ROM 。 RAM 可以更改寫入的資料但是當電源移除資料便會消失。 ROM 寫入資料後無法修改，不過當電源移除時資料也不

會消失 RAM 又分為 DRAM 與 SRAM 。 兩者的差別是 DRAM 需要不斷的充電以保持資料，而

SRAM 則不用，此外，

DRAM 結構與組成

薄膜之特性與說明 緩衝氧化層：

減低應力對矽晶片造成的缺陷。

N-well 與 P-well 層：使用磷離子 (P31) 與硼離子 (B11) 進行離子佈植，且 P-well 深度約是N-well 的兩倍。

N-well P-well

P-sub

x2x

薄膜之特性與說明 場氧化層 APT 佈植：

為了避免空乏區過大造成源極與汲極類似短路現象，所以會將源極與汲極基體的濃度增濃。

P-sub

N-well N-well

P-sub

N-wellN-well

空乏區域 APT

薄膜之特性與說明 複晶矽沉積：

以 LPCVD 沉積，用來作為閘極。

源極與汲極製作：nMOS 使用 As75 離子佈植作源極與汲極， pMOS 以

BF2 離子佈植作源極與汲極。

金屬層Ⅰ沉積：濺鍍金屬層，金屬結構為 Ti/TiN/ 鋁矽銅合金 /TiN ，

後者 TiN 為用來當作該層的抗反射層。

薄膜之特性與說明 ILD 製程：

ILD 為一層三明治結構，分別沉積 PECVD Oxide/SOG/PECVD Oxide 。

金屬層Ⅱ沉積：該金屬層沉積 Ti ，該層因為沒直接與矽接觸所以無須

沉積 TiN 。

鈍化層沉積：使用 PECVD 沉積 SiO2 ，該層為用來保護鋁矽銅合金

與 緩衝層。

參考文獻 圖解 RAM 結構與原理，系統記憶體的 Channel 、 Chip 與

Bank - 第 1 頁。 http://www.techbang.com/posts/18381-from-the-channel-to-address-computer-main-memory-structures-to-understand?page=1

bm.nsysu.edu.tw/tutorial/cmfong/reports/%B2%A3%B7~%A4%C0%AAR/DRAM%B2%A3%B7~.pdf

南臺科技大學， MY 數位學習，蔣富成，積體電路製程，上課教材 CH3~CH5 。 http://my.stust.edu.tw/course.php?courseID=27724&f=doclist