الذاكرة الرئيسية
description
Transcript of الذاكرة الرئيسية
(Random Access Memory )RAM
. هذا بالذاكرة المستخدمين غالب يربطه ما هو المسمى هذا لربمامن مشتق التي يه. Random Access Memoryاالسم الذاكرة
. يجب منظم غير كلمة لشرح منظم غير بشكل إليها الولوج يمكن . مقسمة الذاكرة الذاكرة في المعلومة تخزين يتم كيف نشرح أن . . عند الخاص عنوانها لها صفحة كل صفحات وتسمى خانات إلى
إليها الولوج يتم فانه الذاكرة في مخزنة معلومة أي إلى االحتياجبها الخاص عنوانها خالل من خاص .مباشرة عنوان وجود عدم عند
الصفحات بكل البحث يجب المعلومة إليجاد فانه صفحة، لكل . بطريقة يتم البحث هذا المطلوبة المعلومة على العثور لغاية
والثالثة الثانية ثم ومن خانة بأول البحث أي أالن. الخ ..منظمةمعنى شرح من انتهينا المعلومات RAMوقد بعض نبين أن يجب
. تخزين تستطيع ال الذاكرة هذه الذاكرة من النوع هذا عن . المخزنة المعلومة أن أي كهربائية طاقة وجود بدون المعلومة
. الطاقة عن الذاكرة فصل عند مسحها يتم
قاسم. نضال م 2
الرئيسية الذاكرة مكونات ماليين من مركبة متكاملة دائرة تعد ذاكرة قطعة كل
الترانزستورات اتحاد يكونها التي و Transistorsالخالياترانزيستور Capacitorsالمكثفات كل يشكل بحيث
هذه من خلية وكل الذاكرة خاليا من واحدة خلية ومكثفالبت . أن ونذكر البيانات من M واحدا M بتا تعادل bitالخاليا
وكل الذاكرة في وحدة أصغر بايت 8هو تشكل بتوالبايت ، M في Byteواحدا واحد حرف لتخزين كافي
رمز . أو رقم أو الكتابة ،العشوائي الوصول ذاكرة من نوع من أكثر هناك
. األنواع هذه باختالف تتفاوت وأسعارها
قاسم. نضال م 3
مع المعالج تخاطب طريقةالرئيسية الذاكرة
متحكم طريق عن والذاكرة المعالج بين التخاطب يتم(Memory Controler Hub)الذاكرة
الذاكرة بين: Memory controler hubمتحكم يتوضعبعمليات بالتحكم يقوم و الرئيسية والذاكرة المعالج
. الرئيسية الذاكرة و المعالج بين البيانات انتقال: المعالج و الذاكرة متحكم بين مسارات ثالثة هناكData busControl busAddress bus
قاسم. نضال م 4
مع المعالج تخاطب طريقةالرئيسية الذاكرة
: الرئيسية الذاكرة و الذاكرة متحكم بين النواقل أنواعData bus :لمتحكم الذاكرة من المقروءة البيانات تحمل
الذاكرة متحكم من كتابتها المراد البيانات أو الذاكرة. الرئيسية للذاكرة
Address bus :القراءة المطلوب المكان تحدد مسارات. الرئيسية للذاكرة الذاكرة متحكم من به الكتابه أو منه
Control bus :وقد تنفيذه المطلوب األمر على تحتويكتابة أو Storeيكون بالذاكرة البيانات في Readلتخزين
الذاكرة . من القراءة أردنا حال
قاسم. نضال م 5
RAM
قسمين إلى الرئيسية الذاكرة تقسمأساسيين :
SRAM(Static RAM). الساكنة الذاكرة أوDRAM(Dynamic RAM) الذاكرة أو
الديناميكية.
قاسم. نضال م 7
SRAM(Static RAM) إلى التحتاج وهي كهربائي تيار بها أن طالما بالبيانات تحتفظ
أو ال Refreshانعاش DRAMمثل نوع من الذاكرة في القيم القالبات) باستخدام SRAMتخزن
(Flip-Flops تحديث إلى تحتاج ال فهي مثل (Refresh)لذلكDRAMال
بال مقارنة جدا DRAMصغيرة ال من بكثير .DRAMأسرع. الثمن غالية مثل عالية سرعات إلى تحتاج التي األجزاء في تستخدم
عليها مثال وأهم L1 cache, L2 cache,L3 cacheالمعالج
قاسم. نضال م 8
SRAM(Static RAM)
أنواع عدة :لهاASRAM(Asynchronous SRAM)SBSRAM(Synchronous Burst SRAM)PBSR(Pipeline Burst SRAM)
قاسم. نضال م 9
DRAM(Dynamic RAM) لعملية تتعرض أن البد ألنها األسم بهذا كل Refreshسميت انعاش أو
. بها المخزنة البيانات فقدت وإال الوقت من فترة أو اإلنعاش عملية بنفس Refreshتتم كتابتها وإعادة البتات بقراءة
المكان. من .SRAMذواكر أرخص الرئيسية الذواكر في .RAMتستخدم ببطء طاقتها تفقد المكثفات وهذه المكثفات من مصفوفة من تتكون
ال يتحول قد دوريا شحنها يتم لم إلى 1وإذا احدها معناه 0في وهذاب يدعى ما خطأ .Data corruptionحدوث
: الذاكرة من نوعين إلى الذاكرة هذه تقسمRDRAM(Rambus Dynamic RAM)SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)
قاسم. نضال م 10
SDRAM( Synchronous DRAM)
Synchronous DRAM و الذاكرة أنواع اشهر تكون لربماأآلن استخداما هذه يتعن Synchronousكلمة ،أكثرها أن
تعمل مع الذاكرة .سرعة بالتزامن النظام ساعة هذه تستطيع التي السرعة تبين لمسميات توحيد أيجاد تم
. عليها العمل الذاكرةPC66 سرعة على العمل تستطيع الذاكرة أن 66تعنى
و على PC100ميغاهرتز تعمل أنها ميغاهرتز .100تعنى
قاسم. نضال م 11
SDRAM(Synchronous DRAM)
وهي : أنواع عدة لهاSDR-SDRAM(Single Data Rate SDRAM)DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)DDR2-SDRAM(Double Data Rate2
SDRAM)DDR3-SDRAM(Double Data Rate3
SDRAM)
قاسم. نضال م 12
SDR-SDRAM(Single Data Rate SDRAM)
. النظام ساعة مع بالتزامن تعمل بال سرعتها MHzتقاس بها تعمل التي MHz 66,75,83,133السرعات على يحوي استخداما األكثر بعرض 168النوع اتصال .64نقطة بت بعرض الناقل متطلبات لتلبية الذاكرة من واحدة شريحة تركيب يمكن
64 bits لن وإال النظام سرعة من أكبر أو مساوية الذاكرة سرعة تكون أن يجب
. مستقرا النظام يكونPC66 سرعة على العمل تستطيع الذاكرة أن و 66تعنى ميغاهرتز
PC100 على تعمل أنها سرعة.. ميغاهرتز 100تعنى تساوي والتي الخاألمامي FSBالناقل
قاسم. نضال م 13
DDR-SDRAM للذواكر البيانات حزمة عرض ضعف الذواكر من النوع لهذا البيانات حزمة عرض
نوع منSDR(single data rate) SDRAM
لذاكرة المنطقي التطور بين. SDRAMوهو المنقولة المعلومة حجم لزيادةتحول لكي األمامي الناقل تردد مضاعفة تقنية اختراع تم فانه والذاكرة، المعالج
من األمامي الناقل تردد ومن 200إلى 100سرعة 266إلى 133ميغاهرتزالمسمى. أتى هنا من التقنية. Double Data Rate DRAMميغاهرتز هذه
المعلومات تقل باإلمكان فبات المعلومة، نقل مستوى تحسين في كثيرا ساعدتإلى تصل بسرعات والذاكرة المعالج بالثانية 2100بين .ميغابايت
نقل و المرتفع الساعة دورة من األول النصف في البيانات نقل يتم حيث. هبوطها عند الساعة دورة من الثاني النصف في البيانات
على واحد .pins 184تحوي وشق الرمزPC1600 نقل تستطيع الذاكرة هذه أن الثانية 1600يبين في ميغابايت
نقل PC2100بينما تستطيع الذاكرة أن .2100تعنى الثانية في ميغابايت
قاسم. نضال م 15
DDR2-SDRAM للذواكر .DDR SDRAMتطور منها سرعة وأكثرDDR2 سرعة بمعدل البيانات نقل 4تنقل عمليات
. الواحدة الساعة بدورة للبيانات بمقدار طاقة v 1.8تستخدم 240تستخدم pins. للتثبيت واحدة فتحة و * = للذاكرة البيانات نقل سرعة البيانات تدفق معدل
بالبايت الذاكرة عرض :مثالDDR2-400(400) البيانات نقل سرعة هي= البيانات تدفق MHz * 8 byte (64 bits)= 3200 400معدل
MBps
قاسم. نضال م 18
DDR3-SDRAM
نوع من للذواكر DDR2 SDRAMتطور نوع من الذواكر أداء لمضاعفة DDR2صممت من أقل طاقة v 1.5بمقدار DDR2تستخدم نوع من الذواكر من بمرتين DDR2اسرع على .pins 240تحوي للتثبيت واحدة وفتحة الساعة 8تنفذ دورة خالل للبيانات نقل عمليات
الواحدة.
قاسم. نضال م 21
مالحظات : الذاكرة تسمية من نوعين لديناPCx-y
و yحيث للذاكرة البيانات تدفق معدل اإلصدار xهي على تدلبال أجل PCإما DDRالخاص أجل PC2أو DDRمن منDDR2 أوPC3 أجل .DDR3من
DDRx-yو yحيث البيانات نقل سرعة بال xهي الخاص اإلصدار هو
DDR. * = الذاكرة سرعة البيانات تدفق 8byte(64bits)معدل
ال 8حيث ذواكر جميع عرض هي DDRبايت
قاسم. نضال م 24
أمثلة نوع من ذاكرة البيانات PC3-6400لدينا تدفق معدل ماهو
األمامي للناقل الفعلي التردد ماهو و الذاكرة وماهو FSBلهذهالبيانات حزمة : Bandwidthعرض الذاكرة لهذه
أنها النوع PC3بما من الرقم DDR3فهي فإن نعلم وكماالبيانات 6400 تدفق معدل على يدل
البيانات نقل MHz 800 =64000/8سرعة ذكرنا كما من byte 8حيث الذواكر في البيانات عرض هي
DDRنوع فهي الفعلية األمامي الناقل سرعة عدد 8حيث 800/8أما هي
للذاكرة بالنسبة األمامي الناقل سرعة DDR3مضاعفات
قاسم. نضال م 25
RDRAM(Rambus Dynamic RAM)
بشركة خاصة Rambusتقنية حتى لسرعة MHz 800تصل نوع من بشرائح Rambus In-line Memoryوهي RIMMتأتي
Module184-pin و الشخصية الحواسب أجل pin SO-RIMM-160من
. المحمولة الحواسب أجل من الذواكر بهذه الخاصة التوسعة شقوق تكون slotsجميع أن يجب
من شرائح وضع يتم كافية شرائح وجود عدم حال وفي مملوئة.C-RIMMنوع الفراغ لمأل
تقنية الذواكر هذه تركيب Dual channelتدعم يتم حيث.RIMMشريحتي مضاعف أداء على للحصول
قاسم. نضال م 26
Single-sided & Double-sided
وحيدة بأنها الذاكرة لشريحة بالنظر فيزيائيا التمييز اليمكنالوجه single-sidedالوجه ثنائية .Double-sideأو
الوجه متوضعة: Single-sidedوحيدة ذاكرة شرائح تملك. فقط سطحيها أحد على
الوجه متوضعة: Double-sidedثنائية ذاكرة شرائح تملك. سطحيها كال على
. الوجه وحيدة هي الذواكر معظم التعامل التستطيع األم اللوحات بعض أن الوجه ثنائية مشكلة
. نهائيا معها
قاسم. نضال م 27
Single-Channel vs Dual-Channel
Single-Channel : البيانات مسار عرض يكون حيثالذاكرة بمنافذ الشرائح bits 64المتصل لجميع ومشترك
واحدة لشريحة سوى النفاذ الذاكرة لمتحكم اليمكن حيث. الواحدة بالمرة
Dual-Channel :الخاص البيانات مسار عرض مضاعفة يتمليصبح الذاكرة bits 128بالذواكر لمتحكم يمكن حيث
نوع من ذاكرة لشريحتي ويتم DIMMالنفاذ الواحدة بالمرةشريحتي سعة DDRتركيب على للحصول شرائح أربعة أو
مضاعفة.
قاسم. نضال م 28
Single-Channel vs Dual-Channel
: الشكل حيث تقنية من قنوات شكل تختلفDual Channel قنوات شكل Singleعن
Channel قصيرة مسافة أو فاصل بوجودقناة كل لون اختالف عن فضال القناتين بين
, قنوات شكل تكون حين في األخرى عنSingle Channel او فاصل من خالية
,) ذات ) وتكون متجاورة القنوات بين مسافة. فقط واحد لون
قاسم. نضال م 29
Dual Channel تقنية تفعيل :Dual Channelشروط
يجب , أداء اعلي على والحصول كامل بشكل التقنية هذه عمل ضمان الجلالشروط : هذه توفى إن
مثل• السعة بنفس الذاكرة من قطعتين وضع بحجم يجب أو 256شريحتين512.
سرعة• يكون إن ذاكرتي ايجب استخدام مثل متساوية .DDR 400لقطعتينأحادية • القطعتين كال في الشرائح تكون إن ثنائية (single-sided ) يجب أو
من, (double-sided )الجوانب واحدة جهة في تقع أما الشرائح إن بمعنىالذاكرة . من الجهتين كلتا في أو القطعة
تماما• , متشابهة القطعتين تكون إن يجب حقيقي أداء اعلي على للحصولالتعارض عدم لضمان أيضا الشركة نفس ومن المميزات .في
الشريحتين • وضع حال وفي نفسه اللون من بمنافذ الشريحتين وضع يجببتقنية فسيعملون مختلفين لونين Single Channelمن
قاسم. نضال م 30
في الموجودة المعطيات سالمةالذاكرة
(Data Integrity)
المعطيات سالمة من للتأكد طريقتين هناكالذاكرة : في
ECC(Error Code Correction)Parity
قاسم. نضال م 33
parity المعطيات أن من للتأكد تستخدم تقنية هي
خالل للتلف تتعرض لم الذاكرة في الموجودةهذه وقرائة الذاكرة في المعلومات كتابة بين الزمن
. منها البيانات كل إلى واحد بت إضافة سالمة 8تتم من للتأكد بت
البيانات.. للبيانات تصحيح الطريقة هذه تأمن ال يحذف و للذاكرة البيانات كتابة عند البت هذا يضاف
. سالمتها من والتأكد البيانات قراءة عندقاسم. نضال م 34
Even Parity
ال عدد كان التاسعة 1إذا الخانة في نضع 0زوجي
ال عدد كان التاسعة 1إذا الخانة في نضع 1فردي
ال عد يتم البيانات قراءة الثمانية 1عند الخانات فيعدم حال وفي التاسعة الخانة مع ومقارنتها
إصدار يتم و البيانات في خطأ هناك يكون التطابق. التشغيل نظام من خطأ رسالة
قاسم. نضال م 35
Odd Parity
ال عدد كان التاسعة 1إذا الخانة في نضع 1 زوجي
ال عدد كان التاسعة 1إذا الخانة في نضع 0فردي
ال عد يتم البيانات قراءة الثمانية 1عند الخانات فيعدم حال وفي التاسعة الخانة مع ومقارنتها
إصدار يتم و البيانات في خطأ هناك يكون التطابق. التشغيل نظام من خطأ رسالة
قاسم. نضال م 36
ال Parityمشاكل
بأكثر األخطاء إكتشاف اليمكنها أنها مشكلتها. واحد بت في فقط بت من
إظهار و إكتشافه فقط الخطأ إصالح اليمكنهاخطأ وجود من التأكد حال في خطأ رسالة
. البيانات في
قاسم. نضال م 37
ECC(Error Correction Code)
بتات عدة أو واحد بت في األخطاء إكتشاف يمكنها خوارزمية. وجدت حال في األخطاء تصحيح بإمكانها أنه كما
تدعم التي الذاكرة في الخوارزمية هذه من ECCتنفذ وتتأكدالنفاذ يتم مرة كل في صحيحة الذاكرة في المخزنة البتات أن
. الذاكرة في بها إلعادة المعالج من الطلب يتم صحيحة البيانات تكن لم إذا
. أخرى مرة البيانات إرسال ب التقنية هذه تدعم التي الذواكر التدعمها ECCتدعى والتي
.non-ECCب التي الذواكر من أبطأ التقنية هذه تستخدم التي الذواكر
. أكثر موثوقة ولكنها التستخدمها
قاسم. نضال م 40
Latency ( cl) الكهربائية للإلشارات مختلفة بمعدالت الذاكرة تستجيب
سطر على الحصول الذاكرة متحكم شريحة تطلب عندماتستجيب أن قبل بسيط تأخير فسيحدث الذاكرة من معين
إرسال من الذاكرة تنتهي أن بعد الطلب لهذا الذاكرةتتمكن آن قبل آخر بسيط تأخير سيحدث المطلوب السطر
يسمى للذاكرة آخر طلب إرسال من الذاكرة متحكم شريحةالتأخير بالرمز Latencyهذا بجانب CLأو الرقم يشير
قبل الذاكرة تستغرقها التي الساعة دورات عدد إلى الرمزالذاكرة كانت كلما صغيرا كان وكلما لألوامر تستجيب أن
مثال باإلستجابة أن CL2أسرع قبل ساعة دورتي تأخذو .CL3تستجيب وهكذا دورات ثالث تأخذ
قاسم. نضال م 41
SIMM(Single in-line memory module)
. القديمة الذواكر أنواع بتغليف تستخدم عن مستقلة ليست الوجهين على الموجودة اإلتصال نقاط
اسمها . جاء هنا ومن بعضها مع متصلة بل بعضهاأشكال : بعدة تأتي
72-pins بعرض بيانات bits 32تستخدمبعرض ذاكرة لتشكيل ذاكرة شريحتي تركيب bits 64يتم
30-pins بعرض بيانات 8bitsتستخدمبعرض ذاكرة لتشكيل ذاكرة شرائح ثمان تركيب bits 64يتم
قاسم. نضال م 43
DIMM(Dual in-line memory module)
. األيام هذه إستخداما األكثرDIMM ال من مجموعتين هناك أن شريحة pinsتشير جانبي على
. البعض بعضها عن مستقلة الذاكرة نوع من بالذاكرة البيانات تركيب DIMM 64 bitsعرض يمكن لذلك
بعرض بيانات ناقل ملئ أجل من سليم بشكل وستعمل واحدة شريحة64 bits.
DIMMs نوع من الذواكر لتغليف ,SDRAM : SDRتستخدمDDR,DDR2,DDR3
المصطلحDual الشريحة جانبي على تتوضع االتصال نقاط أن يعنيتسميتها . جاءت هنا ومن بعضها عن مستقل بشكل وتعمل
: ذواكر بينها DDR, DDR2, DDR3, SDRمالحظة فيما متوافقة غيراآلخر بدل نوع أي تركيب اليمكن أي
قاسم. نضال م 45
SDR (DIMM)dual in-line Memory
Module
قاسم. نضال م 46
على الذاكرة هذه كل pins 84تحوي علىيشكلون و الذاكرة شريحة أوجه من وجه
pins 168بمجموعهم . تثبيت فتحتي على وتحتوي
RIMM(Rambus In-line Memory Module)
شركة التقنية هذه بإنتاج قامت التي للشركة نسبة األسم بهذا سميتRambus
تقنية من أبطئ و الثمن .DIMMغالية الحالية بعرض بيانات مسار تستخدم التي على 16الشرائح تحوي pins 184بت
بعرض كذاكرة تعمل لكي شرائح أربع bits 64تركب بعرض بيانات مسار تستخدم التي على 32الشرائح تحوي pins 232بت
بعرض كذاكرة تعمل لكي الذاكرة من شريحتين .bits 64تركب بين تتراوح 512MBحتى 64MBحجومها شرائح تركيب عند التقنية هذه منافذ RIMMفي جميع تكون أن يجب
بشريحة Slotsالذاكرة ملئها عدم حال وفي توضع RIMMمملوءةلضمان C-RIMM( Continuity RIMM)شريحة الفارغة األماكن في
الدارة . إغالق
قاسم. نضال م 47
SODIMM( Small Outline DIMM)
من مصغر شكل عن عبارة DIMMوهي الحجم الصغيرة األجهزة أو الحواسب في تستخدم
األجهزة أو الطابعات أو المحمول الحاسب مثل. الراوتر مثل الشبكية
SO-DIMM 72,100,144,200,204تملك pins72,100 pins بعرض ذواكر bits-32تدعم144,200,204 بعرض ذواكر bits-64تدعم أنواع عدة منها SDR-DDR-DDR2-DDR3ويوجد
قاسم. نضال م 50
MicroDIMM
الذاكرة أشكال RAMأصغر ب الذاكرة %50أصغر SODIMMمن. الصغيرة المحمولة للحواسب مصممة على وبعرض pins 172أو pins 144تحوي
bits 64بيانات
قاسم. نضال م 52
Memory Bank & Memory Slots
Memroy slot :شريحة به توضع الذي الفيزيائي المكان وهو. الرئيسية الذاكرة
Memroy Bank :تركيبها يجب التي الذاكرة شرائح عدد وهولعرض مساوي بيانات بعرض ذاكرة على نحصل أن أجل من
للمعالج الخارجي البيانات .external data busمسرى البيانات مسرى عرض حيث بنتيوم معالج لدينا كان إذا -64فمثال
bits شريحتي إلى نوع SIMMنحتاج بعرض pins 72منهاتين bits- 32 بيانات وتشكل البيانات مسرى لملئ
واحد Bankالشريحتين شريحة تركيب يمكن بيانات SDRAMأو DDRبينما -64بعرض
bits لتشكيلBank
قاسم. نضال م 54
ROM (Read Only Memory)ROM
من . مشتق المسمى الذاكرة أنواع ابسط هيRead Only Memory . هنا فقط للقراءة ذاكرة أي
هناك وتبقى الذاكرة شريحة على تكتب المعلوماتجديدة معلومات أي إضافة يمكن وال تغيير بدونهو. الذاكرة من النوع لهذا استخدام اشهر عليها
. يمكن ال هنا األم للوحة البيوس برنامج لحفظالموجودة المعلومات من أي يغير أن للمستخدم
. احتياجها بعدم هي الذاكرة هذه ميزة الذاكرة في. بالمعلومة لالحتفاظ كهربائية طاقة ألي
قاسم. نضال م 55
ROM (Read Only Memory)(1 )PROM وتعنىProgrammable ROM برمجتها يمكن الذاكرة من قطعة وهى
. . تبديلها أو مسحها يمكن ال عليها المعلومات تكتب أن بعد فقط واحدة مرة(2 )EPROMErasable PROM المعلومات مسح يمكن انه إال السابقة نفس وهى
. هذه بنفسجية الفوق األشعة باستخدام وذلك الذاكرة بهذه الموجودةمن معينة لفترة الذاكرة على موجود خاص مجس إلى توجيهها يتم األشعة
الذاكرة برمجة إعادة يمكن وبالتالي المعلومات كل لمسح يؤدى مما الوقت. أخرى بمعلومات
(3 )EEPROMElectrically Erasable PROM .في اآلن تستخدم التي هي الذاكرة هذه
البيوس برنامج لحفظ الحديثة األم اللوحات الذاكرة .اغلب من النوع هذابرامج باستخدام برمجتها إعادة و عليها الموجودة المعلومات مسح يمكن
كلمة. رأيت إذا فهذا Flash BIOSخاصة األم، اللوحة مواصفات ضمن من. الذاكرة من النوع هذا تستخدم أنها يعنى
قاسم. نضال م 57