QA-ES III · (esu) 的性能并保存可传输至计算机(pc) 的测试记 ... 测试包括自动功率分布测量、波峰因数测量、射频 (rf) 漏电测量、cqm(触点性能监测器)测试。
测试与传感技术( 2 )
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测试与传感技术(测试与传感技术( 22 ))
孙裕晶孙裕晶2012.10.222012.10.22
被测量 信号调理传感器 信号处理 显示记录
激励装置
传感器原理与应用 性质
测试系统
测试系统应用实例应变片电测技术 振动的测量 过称量检测 虚拟仪器与集成检测技术
测试系统结构 常用传感器原理与应用 信号的变换与处理
回 顾回 顾测试信号分析方法测试系统特性分析
第第 22 章 常用传感器原理与应章 常用传感器原理与应用 用
分 类• 用途:位移传感器、压力传感器、温度传感器、…
• 工作原理:电阻应变式、电感式、电容式、压电式、…
• 被测量的转换特征:结构型和物性型
• 能量传递方式:能量控制型传感器和能量转换型传感器
主要内容主要内容• 电位器式式传感器 • 电阻应变式传感器 • 电感式传感器 • 电容式传感器 • 压电式传感器 • 磁敏传感器 • 光电式传感器 • 集成传感器
6.1 6.1 电阻应变式传感器电阻应变式传感器
• 原理:利用电阻应变片将应变转换为 电阻变化
• 功能:测量应变、力、扭矩、位移、加速度等
• 特点:灵敏度高、测量精确、动态响应快、技术成熟
电阻应变片 金属电阻应变片半导体应变片
一、电阻应变片式传感器一、电阻应变片式传感器• 结构
1- 敏感栅 2- 基片 3- 覆盖层 4- 引线l—— 应变片的基长, b—— 基宽
• 材料 直径为 0.025mm 左右的康铜 (wCu 为 57 %、 wNi 为 43
% ) 或镍铬合金丝 (wNi 为 80 %、 wCr 为 20 % ) 阻值系列: 60Ω 、 120Ω 、 350Ω 、 600Ω 、 1000Ω ,以 120Ω 为最常用。
电阻应变片式传感器工作原理电阻应变片式传感器工作原理• 电阻应变效应 当金属丝在外力作用下产生机械变形时,
其电阻值发生变化。
L
dL
r
dr
A
LR
d
A
LdA
A
LdL
AdR
2微分
电阻相对变化 d
A
dA
L
dL
R
dR
d
r
2dr
L
dL
R
dR整理
2rA
纵向应变
rdr2dA
d
)21(R
dR
L
Ld
610
电阻应变片式传感器工作原理电阻应变片式传感器工作原理
d
)21(R
dR
/d
)21(R/dR
K 应变系数或灵敏度
KR
dR
常数
21R/dR
dL/L
R/dRK
金属电阻丝的灵敏度一般在 1.7 ~ 3.6 左右。
金属电阻应变系数
应变片产品应变片产品
二、半导体应变片 二、半导体应变片 • 压阻效应 半导体单晶材料在沿某一
方向受到外力作用时,电阻率会发生相应变化的现象称为压阻效应。
1- 基片 2- 半导体 3- 导线 4- 接线片 5- 引出线
d
)21(R
dR
Ed
R
dR
(1+2μ)ε 很小
ER/dR
K
灵敏度 优点:灵敏度高,比金属应变片要高 50 ~ 70 倍, P 型硅的灵敏度可达 175 。 还有横向效应和机械滞后小、体积小等特点。
• 类型 体型半导体应变片 薄膜型半导体应变片
扩散型半导体应变片
λ 压阻系数
半导体应变片半导体应变片
• 电阻值温度稳定性差 因附加变形产生的电阻变化大• 灵敏系数温度稳定性差• 受拉应变和压应变时的 K 不一致 • 输出量较大时,非线性严重 600-1000με 时非线性开始明显; 1000με 以上时非线性
较大。• 半导体应变片灵敏度系数离散度大 3%-5%
局限性
应变片的主要参数和工作特性 应变片的主要参数和工作特性 • 应变片尺寸
• 阻值
• 灵敏度系数K
丝式: 3-5mm 箔式: 0.2-0.5mm最小尺寸:选片原则: 试件测量部位大小; 应变梯度;
动态测试中 擅长应不大于振动波长的 201
101 ~
tionvibrsound fv a/
特定条件:单向应力;轴线应力;材料一定, μ 不变
应变片的主要参数和工作特性 应变片的主要参数和工作特性
• 零点飘移
• 热输出
对已安装的应变片,在环境温度恒定,但无机械应变条件下,应变片指示应变随时间的变化。
安装在线膨胀系数试件上,试件可以自由膨胀并不受外力作用,缓慢升(或降)温的均匀温度场内,温度变化引起的应变片指示应变。
• 蠕变
• 机械滞后
• 应变极限• 横向效应系数• 绝缘电阻• 疲劳寿命• 最大工作电流
应变片的主要参数和工作特性应变片的主要参数和工作特性 标准:应变片承受应变为 1000με 时,经一小时应变片指示应变的变化量。
对已安装的应变片,在环境温度恒定,加载和减载过程中同一载荷下应变片指示应变量大差值。
应变片及其附属元件应变片及其附属元件
• 位移传感器 电阻应变片式传感器应用电阻应变片式传感器应用
悬臂梁式位移传感器 应变片式位移传感器1- 测量头 2-悬臂梁 3-弹簧 4- 外壳 5- 测量杆 6- 调整螺母 7-
应变片
电阻应变片式传感器应用电阻应变片式传感器应用
• 直接把应变片贴在试件上 机器人
适用于电子汽车衡、轨道衡和测力系统 安装方便适用于电子吊秤配料秤.机改电等悬挂称重系统
电阻应变片式传感器应用电阻应变片式传感器应用
三、电位器式位移测量传感器 三、电位器式位移测量传感器
线绕电位器的阶梯输出特性 光电式电位器结构图1- 光电导体 2- 基体 3- 电阻薄膜 4-窄光束 5-导电带
第第 11次实验:应变片的粘贴工艺次实验:应变片的粘贴工艺• 表面清理• 划线• 应变片粘贴• 粘接层固化• 粘贴质量检验 测量通断 应变片和实践通断 引线和试件间的绝缘电阻• 安装连接线 连接端子、连接线• 检查 • 应变片防护
直流电阻电桥万用表兆欧表
502胶无水乙醇
如何评价应变片粘贴工艺如何评价应变片粘贴工艺• 对粘接剂要求 强度 固化过程变形小 固化后不吸潮 绝缘阻值高 蠕变和滞后小 工艺性 能长期储存• 粘贴质量要求 粘贴牢固 胶层薄而均匀 绝缘性好 蠕变小
A great lesson of life is don’t like to do what you likebut like to do what you have to do.
电感式传感器 电感式传感器 • 自感式• 差动变压器式• 电涡流式
一、自感式传感器
m
2
R
NL
00m A
2
A
lR
自感式传感器结构原理a) 变气隙式 b) 变面积式 c)螺旋管
式1-铁心 2- 线圈 3-衔铁
2
ANL 00
2
磁阻
线圈自感量
二、差动变压器式传感器 二、差动变压器式传感器
差动变压器示意图1- 一次绕组 2 、 3- 二次绕组 4-衔
铁
a) 变气隙型 b) 变面积型 c)螺管型
优点:不存在机械过载问题,因为铁心完全能与变压器的其他部件分开; 对高温、低温和温度变化也不敏感; 能提供比较高的输出,常常用于中间无需放大的场合; 可反复使用,价格合理。
差动变压器式位移传感器的应用 差动变压器式位移传感器的应用
• 灵敏度: 0.1 ~ 5V/mm 或 100mA/mm • 螺管型差动变压器线性范围: ±2μm ~ ±500mm ,线性可
达 0.1 %~ 0.5 %。
三、电涡流式传感器 三、电涡流式传感器
将金属导体置于变化着的磁场中,导体内就会产生感应电流,这种电流的流线在导体内自行闭合,像水中的漩涡一样,故称为电涡流或涡流。
δ—— 位移、振动; ρ 或 μ—— 材质鉴别或探伤
电涡流式传感器应用电涡流式传感器应用
• 反射式电涡流式位移传感器
b) 差动式
a) 单线圈式
变间隙型 变面积型 结构简单、体积小、抗干扰能力强、不受介质污染等影响、可进行非接触测量、灵敏度高等特点;适合高速旋转或振动位移的测量,除测量位移外,还可用于测量厚度尺寸、物体表面粗糙度、无损探伤等。可测位移量程: 0 ~ 80mm 。
电涡流式传感器应用电涡流式传感器应用
• 透射式电涡流式位移传感器
fl<f2<f3
L0— 发射线圈
L2— 接收线圈
被测金属板
4.3 4.3 电容式传感器 电容式传感器
• ε
• A
• δ
A
C
极距变化型 量程范围在 0.01μm 到数百 μm 。
a) 直线位移型 b) 角位移
面积变化型电容传感器
主要参数
介电常数 120 1085.8
极板覆盖面积极板距离
2
1A
d
dCK
电容式传感器应用电容式传感器应用
)r/R(ln
l2C 3
液位测量示意图
差动电容传感器
变面积型电容位移传感器的结构图1 、 3- 开槽弹簧 2-活动电极
5 、 6-固定电极 7- 调节螺母 8- 测杆4- 测力弹簧
线位移: 0.01μm ~0.1mm
灵敏度高,
实现非接触测量
4.4 4.4 压电式传感器压电式传感器• 压电效应
某些电介质物体,在沿一定方向对其施加压力或拉力而使之变形时,它们的表面上会产生电荷,当将外力去掉时,它们又重新回到不带电的状态,这种观象就称为“压电效应”。
压电单晶压电陶瓷
新型压电材料
石英晶体z-z: 光轴 y-y: 电轴x-x: 机械轴
压电常数大、灵敏度高、价格低廉
柔软、不易破碎、面积大 阵列传感器机器人触觉传感器
逆压电效应(电致伸缩效应)
有机压电薄膜
压电半导体 硫化锌 (ZnS) 、氧化锌 (ZnO) 、硫化钙 (CaS) 等
• 压电材料
压电式传感器等效电路压电式传感器等效电路• 压电晶片相当于一只平行极板介质电容器
a) 压电晶体 b) 并联 c)串联 d) 等效电路
A
Ca
• 压电元件可以等效为一个具有一定电容的电荷源
a0 C
qU
4.5 4.5 磁敏传感器 磁敏传感器
• 霍尔元件• 磁敏电阻• 磁敏管 霍尔效应 将导电体薄片置于磁场 B 中,如果在 a 、 b端通以电流 I ,则在c 、 d端就会出现电位差,这一现象称为霍尔效应。电位差称为霍尔电势。 霍尔效应原理图
b
霍尔电势 IBsinKU HH
霍尔元件可以用来测量磁场强度、位移、力、角度等。
KH——霍尔常数; B—— 磁感应强度;α—— 电流与磁场方向的夹角。
一、基本元件
二、磁栅式位移测量系统 二、磁栅式位移测量系统 • 磁栅
磁栅是一种测量位移的数字传感器,它是在非磁性体的平整表面上镀一层磁性薄膜,并用录制磁头沿长度方向按一定的节距 λ 录上磁性刻度线而构成的,因此又把磁栅称为磁尺。
磁栅主要用于大型机床和精密机床的位置或位移量的检测元件。
单面型直线磁栅同轴型直线磁栅旋转型磁栅
磁栅式位移传感器的结构示意图1- 输出绕组 2- 铁心 3- 激励绕组 4- 磁头 5-磁尺
最高工作速度为 12m/min系统的精度可达 0.0lmm/m最小指示值为 0.001mm使用范围为 0 ~ 40 ℃
• 感应同步器 (略)
4.6 4.6 光电式传感器 光电式传感器 基本概念• 光电效应
外光电效应 在光的照射下,金属中的自由电子吸收光能而逸出金属表面的现象称为外光电效应。
内光电效应半导体材料受光的照射后,其电导率发生变化的现象称为光导效应,而受光后产生电势的现象称为光生伏特效应。二者统称为内光电效应。
光电管 光电倍增管
基于光导效应的光电器件有光敏电阻,基于光生伏特效应的有光电池、光敏晶体管等。
光电管
光电池
光敏晶体管
二、固体图像传感器二、固体图像传感器• 电荷耦合器件 (Charge Coupled Device , CCD)
CCD 基本单元的结构
具有光生电荷、积蓄和转移电荷的功能。
金属一氧化物一半导体结构元 (MOS)
读出移位寄存器的结构原理
• 读出移位寄存器
遮光层 每个像素由三个 (也有二个、四个的 ) 电极组成一个耦合单元
结构形式结构形式• 线阵结构
• 面阵CCD
CCDCCD 应用举例应用举例• 尺寸自动检测
• 缺陷检测工件尺寸测量系统
光学系统放大率: 1:M L=(Nd±2d)M L—— 工件尺寸; N—— 覆盖的光敏单元数; d—— 相邻光敏元中心距
离。
最大误差: ±2d (图像末端两个光敏单元)。
验钞机结构原理图 两列信号比较
4.7 4.7 光纤位移测量系统 光纤位移测量系统 • 元件型
• 反射型
反射型光纤位移传感器工作原理1- 光纤接受端头 2- 光纤发送接受端头 3- 光纤发送端头 4-反射镜面 5- 电源
微弯光纤传感器 位移分辨力为 0.01μm
光纤生物传感器 光纤生物传感器
①轻、细长、小,光纤探针可应用于生物体内研究;②抗电磁干扰强,在强电磁干扰、高温高压、易燃易爆和强放射性等恶
劣环境中应用,便于遥测;③应用范围广,成本低,且操作方便;④应用于多波长和时间分辨测量技术,改进分析结果的重现性。
4.8 4.8 轴角编码器 轴角编码器
• 绝对式编码器
• 增量式编码器
轴角编码器又称码盘,是测量轴角位置和位移的一种数字式传感器。
敏感元件:光电式的、磁电式的或电刷接触式。 数控机床、机器人位置控制、机床进给系统控制、角度测量、通信和自动化控制
• 增量编码器(脉冲盘式)
增量码道与辨向码道
Radar II Ground Speed SensorRadar II Ground Speed Sensor
Velocity Range0.53 to 107km/hr(0.33 to 67MPH)
4.9 4.9 智能传感器 智能传感器 • 向微型化发展;• 应用新机理(物理现象、化学反应、生物效应);
• 使用新型材料;• 向微功耗及无源化发展;• 采用新加工技术 (如化学微腐技术、微机械加工技术 ) ;
• 高可靠性、宽温度范围发展。
以智能传感器技术为检测头的呼吸医疗监视仪 , 能研究各种情感和呼吸之间的联系,并且用来真实纪录一个人的呼吸状况及其变化 .
呼吸医疗监视仪