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VLSIテストにおける 回路温度均一化テストパターン生成法

奈良先端科学技術大学院大学 情報科学研究科

井上美智子

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2概要

研究背景

VLSIテストにおける熱制御手法

従来技術とその問題点

新技術の特徴

想定される用途・業界

企業への期待

本技術に関する知的財産権

産学連携の経歴

問い合わせ先

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3技術分野

VLSIのテストパターン生成法

LSIのテスト

性能評価、信頼性、コストに関わる大事な問題

VLSIVLSIVLSIVLSI

VLSIVLSIVLSIVLSI

設計 製造 正常 出荷

VLSIVLSI

VLSIVLSIVLSIVLSI

VLSI 製造テスト

VLSIVLSI不良

VLSIVLSI

フィールドテスト

VLSIVLSI

組込回路を使ったテスト

テストパターン生成 テスト実行 テスト実行

本手法 本手法が適用される箇所

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4研究背景

VLSI テクノロジートレンド

プロセス微細化→高速化、省コスト

低電力化

信頼性の観点から低電力化は不十分

電力密度、電界強度の増加による信頼性低下

高品質・高精度テストの要求

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5VLSIテストの課題

過大な消費電力によるテスト結果の誤判定

消費電力は大きく、より発熱する

回路中の場所、時間によって

消費電力がばらつく

温度がばらつく

回路の性能は温度依存

高精度なテストには回路温度の制御が不可欠

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6テスト精度と温度ばらつき

回路温度が遅延テストの精度に大きく影響

チップ内の空間的・時間的温度差50℃以上

温度差30℃で遅延が20%増加

ばらつきにより、温度を考慮した補正は不可能

チップ上の温度分布

120℃

70℃

Source: Bota et al., D&T of Computers, 2006.

50

60

70

80

90

100

110

120

1 201 401 601 801 100150 100 150 200 (ms)50

70

90

110

(℃) 時間 vs 温度

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

-60 -30 0 30 60 90 120

tpLH

[ns]

温度 [℃]

±0% +20% +40% +50% +100%

トランジスタの遅延と温度

トランジスタの種類(Vthの基準値からの増加率)

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7関連研究(1)

低消費電力テスト低消費電力指向ATPGX-Fillingテストパターンオーダリング

低消費電力指向DFT

低発熱テスト

テストスケジューリング

テストパターンオーダリング

高検出率法

低電力法

16分割した各ブロックの

消費電力と温度

温度

電力

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8関連研究(2)

消費電力均一化テストS. Bahukudumbi and K. Chakrabarty, “Power Management for Wafer-Level Test During Burn-In,” IEEE ATS (2008).テスト実行時の回路全体の消費電力を均一化

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9提案技術

回路温度均一化テストパターン生成法

テストパタンの印加による回路温度の変動を 抑えることでテストの精度を向上

回路を複数のブロックに分割し、 ブロック毎の温度を、空間的・時間的に考慮

時間(ms)

16ブロックの温度変移(℃) 時間(ms)

16ブロックの温度変移(℃)

低電力テスト 提案法

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10関連研究との違い

提案技術

回路温度均一化テストパターン生成法

ブロック毎の温度を、空間的・時間的に均一化

温度均一化のために、電力ばらつきも考慮

低消費電力・低発熱テスト

消費電力・発熱の低減する手法

テスト実行時の回路全体の消費電力均一化

空間的な電力ばらつきは考慮なし

温度ばらつきは考慮なし

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11提案技術の紹介

スキャン設計を用いたテスト手法

スキャン設計

提案手法のアイディア

ドントケアビットの利用

テストパターンリオーダリング

評価

特長

一般的な設計フローに導入可能

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12スキャン設計

もっとも利用されているテスト容易化設計法複数のFFがシフトレジスタとして機能

外部から直接FFを制御・観測

FF(記憶素子)

組合せ回路

外部入力

外部出力

スキャン設計適用前

組合せ回路

外部入力

外部出力

スキャン設計適用後

SE0SI0 SO0

SE1SI1 SO1

FF FF

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13提案手法:アイディア1

テストパターン中のドントケアビットを利用

ドントケアビット: テスト品質には影響しないが発熱には影響する

0 0AB

C

DE

Z

Z=0にするには、

A=0とすれば十分B~Eの値はドントケア

ドントケアビット率:ITC99 benchmark circuitsb12: 79%, b14: 91%, b15: 95%, b17 93%

ドントケアビット率:ITC99 benchmark circuitsb12: 79%, b14: 91%, b15: 95%, b17 93%

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14提案法:アイディア2

温度

消費電力、直前の温度、周囲の温度に依存

温度均一化1. ドントケアビットの特定:各パターンごとに空間的に消費電

力均一化

2. テストパターンリオーダリング:パターンを並び替えて、時 間的に温度を均一化

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評価(回路

ITC99b17, 16ブロック分割)

低電力テスト 空間的均一化後

提案法(許容温度差3℃)

16ブロックの温度変移(℃)

16ブロックの温度変移(℃)

16ブロックの温度変移(℃)

16ブロックの温度変移(℃)

時間(ms) 時間(ms)

時間(ms) 時間(ms)

提案法(許容温度差1℃)

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16評価(他手法に対する削減率)

提案法(許容温度差1℃)の分散値削減率

空間的均一化後

低電力テスト手法1(min-fill)低電力テスト手法2(0-fill)低電力テスト手法3(1-fill)

空間的均一化後

低電力テスト手法1(min-fill)低電力テスト手法2(0-fill)低電力テスト手法3(1-fill)

%

%

空間的温度分散

時間的温度分散

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17提案手法:特徴

一般的な設計フローに導入可能

RTL 記述

論理設計レイアウト設計

テスト容易化設計(スキャン設計)

論理設計レイアウト設計

テスト容易化設計(スキャン設計)

ゲートレベル記述

テスト生成(市販ツール)

テスト生成(市販ツール)

ドントケア付きテストパターン

論理シミュレーション

論理シミュレーション

電力プロファイル

温度プロファイル

電力シミュレーション

電力シミュレーション

信号値変化プロファイル

熱シミュレーション

熱シミュレーション

レイアウトフロアプラン

提案法提案法

空間的消費電力

均一化

空間的消費電力

均一化

時間的温度均一化

時間的温度均一化

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18提案手法のまとめ

VLSIの高精度な遅延テストのための テストパターン生成法

スキャン設計されたVLSIに適用可能

テスト時の回路温度を空間的・時間的に均一化

一般的な設計フローに導入可能

(応用技術)テスト時の回路温度を制御する テストパターン生成技術

*均一化法のパラメータを変えることで可能

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19想定される用途

種々のテストの精度を向上

製造テスト

良品・不良品を判別する技術

性能評価個々のVLSIの性能(動作周波数)の評価

プロセスの評価

フィールドテスト

劣化予測・障害回避

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20想定される業界

システム設計者

高品質なテストを要求するシステムの設計者高信頼化システム(医療、車載etc.)ハイエンドシステム(高性能サーバ)

VLSI設計者

高信頼化VLSIの提供

高精度なプロセス評価

EDAベンダー

テスト生成ツールのオプションとしての採用

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21企業への期待

新技術の試行

導入コストは不要

一般的なスキャン設計回路に適用可能

一般的な設計フローに導入可能

手法の改良への協力

実デザインのデータの提供

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22提案技術に関する知的財産権

発明の名称:

半導体集積回路のテストパターン生成方法、プログ ラム、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体

出願番号特願2010-007003国際出願 PCT/JP2011/000059台湾出願 100101509, 米国出願

13/550,008

出願人:奈良先端大、九工大

発明者:井上美智子、米田友和、佐藤康夫

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23産学連携の経歴

1997 - 2000 STARCとの共同研究

2003 - 2005 STARCとの共同研究

2006 - 2008 STARCとの共同研究

2008 - 2013 JST CREST 受託研究

2011 - 日立製作所との共同研究

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24お問い合わせ先

奈良先端科学技術大学院大学(NAIST) 産官学連携推進本部

コーディネーター

特任教授

樫原潤三

TEL 0743-72-5191

FAX

0743-72-5194e-mail

[email protected]