반도체 (비중확대/Initiate) Enterprise SSD에 거는 기대 -...

Initiation Report ┃ 2018.4.30

반도체 (비중확대/Initiate)

Enterprise SSD에 거는 기대

김영건

02-3774-15831583

[email protected]

반도체


C O N T E N T S

Summary 3

Enterprise SSD에 거는 기대 3

I. 메모리 수요 지속 성장의 이유 4

Enterprise SSD 수요 성장 가속화 기대 4

II. 2018 메모리 수급 전망 17

1. DRAM 수급 전망 17

2. NAND 수급 전망 26

III. 2018년 투자전략 34

전방 산업: 인터넷 사업자(ISP)의 데이터센터 증설 지속 34

후방 산업: 장비업체 하반기 가이던스 소극적 34

IV. Global Peers 35

Top Pick 39

SK하이닉스 (000660) 40

부록: 용어 사전 46

반도체


Summary


데이터의 증가와 더불어 데이터의 성질이 변하고 있다. SNS 사용량의 증가로 사진, 동영상 등 비정

형 데이터의 양이 급격하게 증가하고 있다. 비정형 데이터의 경우 정형 데이터에 비해 용량이 크고

저장과 검색이 어려운 특성이 있다. Facebook의 경우 전체 게시물 중 50%이상이 동영상이다.

Youtube는 4K를 넘어 8K UHD 영상 서비스를 시작했다. 8K 영상 1분의 용량은 약 4GB다.

클라우드 시장도 활성화 되고 있다. Amazon의 클라우드 서비스 AWS는 2017년 4분기에만 51억

달러의 매출, 13억달러의 영업이익을 벌어들였다. 클라우드 시장 규모는 현재 1,940억 달러로 추

정된다. 특히 서버와 스토리지 등 데이터센터 자원 만을 빌려 쓰는 IaaS(Infra structure as a Service)

의 예상 성장률은 31.4%에 이른다

초대형 인터넷사업자 외에도 일반 기업체들이 인공지능(AI)과 딥러닝(Deep learning)을 비즈니스에 적

용하는 사례가 증가하고 있다. 정유, 제조업, 통신 시설 등 각 시설에서 발생한 데이터를 수집해 실

시간으로 분석해 현장에서 의사결정을 내린다. 인공지능을 적용한 사업의 시장 규모는 2018년 70%

성장한 1조1,750억달러에 이를 것으로 전망한다.

데이터의 양과 질이 변하고 클라우드와 딥러닝이 활성화 되는 상황에서 기존에는 문제 되지 않던

DRAM-보조기억장치간 병목 현상이 문제가 되기 시작한다. 결국 SSD 만으로 구성된 올플래시 스토리

지의 선호도가 높아졌다. 올플래시 스토리지(All flash storage)의 시장규모는 2021년 까지 연평균

19.7%로 성장하여 113억달러 규모에 이를 전망이다. 향후 올플래시 스토리지를 중심으로

Enterprise SSD 시장이 성장 할 것으로 기대한다.

메모리 수급 상황

DRAM의 경우 미세공정 전환의 어려움이 지속되고 있다. 업체들의 공급량 증가는 한계에 도달했다.

연말 기준으로 125K/월 웨이퍼 Capa 증설이 진행될 예정이지만 공정은 1Xnm 위주가 될 것이

다. 수요의 경우, 서버용은 전년대비 39.7% 증가할 것으로 예상한다. 고성능 서버 중심의 DRAM 탑재

증가가 예상된다.

NAND 업체들의 공급량은 3D NAND 64단/72단 비중이 커지면서 급격히 증가할 전망이다. 수요의

경우, 주목할 만한 부분은 앞서 언급한 Enterprise SSD 시장의 확대가 기대된다. NAND 전체의

ASP는 17% 하락할 것으로 예상한다. 3D NAND, TLC를 통한 공급 증가 요인들이 있어 평균 가

격 하락율이 DRAM에 비해 크다. 다만, NAND의 경우 대체재의 성격상 가격이 낮아지면 스마트폰 탑

재량 증가와 SSD 교체 수요가 가속화 될 가능성이 있다.

Top pick: SK하이닉스

2018년 매출액은 41.6조원(YoY +38%), 영업이익은 21.9조원(YoY +64%)으로 예상한다. 데이터

센터 서버향 호황이 지속됨에 따라 DRAM이 금년도 매출액과 이익 성장을 견인할 것으로 전망한다.

이익의 수준을 한 단계 높이는 계기는 NAND가 마련할 것으로 예상한다.

궤도에 오른 DRAM과 계절성이 사라진 NAND, 리레이팅의 가장 큰 요건 두가지가 충족되었다.

Micron의 18F P/B 1.4배 대비 20% 저평가 받을 이유를 찾기 어렵다. 동사는 OP 21.9조, ROE

40%가 예상 되는 18F P/B 1.2배 업체다. 12개월 Forward BPS 84,612원에 P/B 1.4배를 적용

하여 목표주가 120,000원으로 커버리지 개시한다.

반도체


I. 메모리 수요 지속 성장의 이유

Enterprise SSD 수요 성장 가속화 기대

1) 주기억장치(DRAM)의 급격한 성장

서버를 포함한 모든 컴퓨터는 기본적으로 세가지 요소로 구성되어 있다. CPU(중앙처리장치),

DRAM(주기억장치) 그리고 HDD(Hard disk drive; 보조기억장치)다. 데이터가 상시 저장된 공간

은 HDD다. CPU는 HDD로부터 데이터를 전송 받아 연산을 한다.

HDD는 CPU가 연산을 하기 위한 데이터를 제시간에 공급할 수 없다. CPU의 연산속도는 HDD의

데이터 전송 속도에 비해 매우 빠르기 때문이다. 그래서 DRAM이 필요하다. HDD의 전송속도는

수백MB/s인데 비해 DRAM의 전송속도는 수GB/s가 넘는다. DRAM은 HDD로부터 데이터를 불러

내어 미리 저장하고, CPU가 연산을 할 수 있도록 빠르게 전송한다.

4차 산업혁명 시대로 진입하면서 서버의 CPU가 연산해야 하는 데이터가 폭발적으로 증가했다. 연

평균 36% 증가해 2021년에는 1,327Exabytes에 이를 것으로 예상한다. CPU의 가동률을 올리는

효과적인 방법은 DRAM 용량을 늘리는 것이다. 제한된 공급상황과 맞물려 서버 DRAM이 최근 전

례 없는 호황을 누리고 있는 이유다.

그림 1. PC 시스템 기본 구조

자료: 미래에셋대우 리서치센터

그림 2. 인터넷 데이터량 추이 및 전망 그림 3. DRAM 시장 규모 및 추이

자료: Cisco CGI 2018, 미래에셋대우 리서치센터 자료: 미래에셋대우 리서치센터

중앙처리장치

CPU

주기억장치

DRAM

보조기억장치

HDDMB/sGB/s

-40

0

40

80

120

0

6

12

18

24

1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17

(%)(US$bn)

매출액 (R)

YoY (R)

286 397

547 721

985

1,327

0

400

800

1,200

1,600

2016 2017F 2018F 2019F 2020F 2021F

(Exabytes)

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2) 데이터의 변화

i) 비정형 데이터의 증가: Facebook/Youtube

비정형 데이터란, 형식이 정해지지 않아 데이터베이스에 일괄적으로 정리되지 않는 데이터를 의미

한다. 사진, 영상이 대표적인 예다. SNS 사용량의 증가로 비정형 데이터의 양이 급격하게 증가하고

있다. 비정형 데이터의 경우 정형 데이터에 비해 용량이 크고 저장과 검색이 어려운 특성이 있다.

Facebook의 경우 과거 사진 위주의 게시물에서 점차 동영상 게시물이 주를 이루고 있다. 전체 게시물

중 50%이상이 동영상이다. Facebook Live의 경우는 게시물의 댓글 수가 일반 게시물의 10배에

달할 정도로 사용 빈도가 높다. 광고도 동영상으로 게시되기 시작했다. 이미 Youtube와 경쟁 관계

다. 360도 영상에 대한 서비스가 시작되었고 그 비중도 점차 증가할 전망이다. VR영상 서비스도

시작될 예정이다. VR/360도 영상은 일반 영상에 비해 용량이 두 배 이상 크다.

Youtube는 4K를 넘어 8K UHD 영상 서비스를 시작했다. 8K 영상 1분의 용량은 약 4GB다. 용량이

큰 원본의 영상이 모바일 유저에게는 인코딩을 거쳐 시청자의 기기에 맞는 화질로 조정된 파일로

재생된다. 원본영상은 추가적인 정보 생산을 위해 보관한다. 대용량의 영상 파일을 인코딩하거나 누

적된 영상으로부터 정보를 추출할 때 스토리지의 성능이 중요하다.

그림 4. Big data 크기 및 비중 추이 그림 5. Facebook Live

주: Big data는 용량의 크기 10GB 이상, 초당 전송속도 10GB 이상의 data를 의미


자료: 언론자료, 미래에셋대우 리서치센터

그림 6. Facebook VR 시연 그림 7. Youtube 8K 영상

자료: 언론자료, 미래에셋대우 리서치센터 자료: 언론자료, 미래에셋대우 리서치센터

286 397

547 721

985

1,327

51 81 124 179 272 403

17.820.4

22.724.8

27.6

30.4

0

10

20

30

40

0

400

800

1,200

1,600

2016 2017F 2018F 2019F 2020F 2021F

(%)(Exabytes)

Total data(L)

Big data(L)

Big data의 비중(R)

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ii ) 클라우드 시장 활성화: Amazon/Microsoft/Google

클라우드 시장도 활성화 되고 있다. Amazon의 클라우드 서비스 AWS는 2017년 4분기에만 51억

달러의 매출, 13억달러의 영업이익을 벌어들였다. Microsoft와 Google도 각각 클라우드 서비스를

제공하고 있다. 클라우드 시장 규모는 현재 1,940억 달러로 추정된다. 향후 연평균 21.9%로 성장

해 2021년 2,760억 달러에 이를 전망이다.

서버와 스토리지 등 데이터센터 자원 만을 빌려 쓰는 IaaS(Infra structure as a Service)의 예상 성장률

은 31.4%에 이른다. Netflix, Uber, 쿠팡 등 수많은 서비스 업체가 자체 서버와 스토리지가 아닌

Amazon AWS를 통해 서버, 스토리지, 네트워크를 사용한다. 이들은 서버 유지와 데이터 저장의

영역은 고스란히 AWS에 의존하고 본연의 서비스 개발에만 집중할 수 있다. 중국의 Alibaba도

100만대의 서버를 동원한 클라우드를 이용해 전자상거래를 지원할 정도로 클라우드에 의존한다.

과거에는 클라우드 서비스 구축에 네트워크 환경이 중요했다. 물리적 거리가 국가간을 넘어가게

될 경우 데이터 전송 속도가 체감적으로 느려지기 때문이다. 로컬 통신사들이 클라우드 서비스를

주도했다. 이를 극복하기 위해 Amazon, Microsoft 등의 인터넷 서비스 업체들은 세계 각국에 데

이터 센터를 설립했다. 물리적 한계를 극복한 클라우드 서비스는 더 이상 네트워크 품질이 중심이

아니다. 스토리지 영역에서의 서비스 품질 경쟁력이 중요하다.

그림 8. 3대 클라우드 업체 데이터센터 구축 현황

자료: Atomia, 미래에셋대우 리서치센터

그림 9. 클라우드 시장 규모 추이 및 전망 그림 10. AWS 매출액, 영업이익 추이

자료: IDC, 미래에셋대우 리서치센터 자료: AWS, 미래에셋대우 리서치센터

24.9 33.6 43.7 55.5 69.523.3

30.2 38.6

48.0

72.887.4

103.3

120.6

139.1

159.3

0

80

160

240

320

2016 2017 2018F 2019F 2020F 2021F

(US$bn)

SaaS

PaaS

IssS

276.8

3,536

5,113

926 1,354 26.2

26.5

26

26.2

26.4

26.6

26.8

0

1,500

3,000

4,500

6,000

4Q16 4Q17

(%)(US$mn)

매출액 (L)

영업이익 (L)

영업이익률 (R)

반도체


인터넷 장비업체 Cisco에 의하면, 2017년 말 기준으로 전세계 24개 초대형 인터넷 사업자들에 의

해 386개의 초대형 데이터센터가 운영되고 있다. 초대형 인터넷 사업자란, 연 매출액 80억달러 이

상이 전자상거래/전자결제로부터 발생하거나(Amazon, Alibaba, eBay 外), 40억달러 이상을 인터

넷 검색/SNS 서비스를 통해 벌어들이는(Facebook, Yahoo, Apple 外) 등의 기준에 부합하는 업

체들이다. 소위 데이터센터가 곧 매출액 창출의 원천인 기업들이다.

초대형 데이터센터의 수는 연평균 13%로 증가하여 2020년 570개에 달할 전망이다. 초대형 데이터센

터에 속한 서버의 대수는 현재 가동중인 전체 서버의 48%의 비중을 차지할 것으로 예상된다. 전

체 데이터의 양도 연평균 36%씩 증가하여 2021년 1,327EB(Exabytes)에 이를 것으로 전망한다.

그림 11. 초대형 데이터센터 수

자료: Cisco CGI 2018, 미래에셋대우 리서치센터

iii) 기업체들의 비즈니스 인공지능 활용 사례 증가: Enterprise 시장

초대형 인터넷사업자 외에도 일반 기업체들이 인공지능(AI)과 딥러닝(Deep learning)을 비즈니스에 적

용하는 사례가 증가하고 있다. 정유, 제조업, 통신 시설 등 각 시설에서 발생한 데이터를 수집해 실

시간으로 분석해 현장에서 의사결정을 내린다. 클라우드로 전송하지 않고, 머신러닝을 통해 로컬에

서 직접 처리하는 경우다. 인공지능을 적용한 사업의 시장 규모는 2018년 70% 성장한 1조1,750억달

러에 이를 것으로 전망한다. 로컬 서버망에서 인공지능을 구현하는 경우에도 스토리지가 중요하다.

클라우드로의 전송 시간 절감이 필요할 정도로 실시간 대응이 요구되기 때문이다.

그림 12. AI 기반 스마트 공장 개념도 그림 13. AI 기반 사업 시장 규모 전망

자료: KMAC, 미래에셋대우 리서치센터 자료: Gartner, 미래에셋대우 리서치센터

0

20

40

60

80

0

1,200

2,400

3,600

4,800

2017 2018F 2019F 2020F 2021F 2022F

(%)(US$bn)

시장규모 (L) YoY (R)

338386

448509

57027

32

38

44

48

0

15

30

45

60

0

150

300

450

600

2016 2017F 2018F 2019F 2020F

(%)(개)

초대형 데이터센터 수(L)

전체 Server 대비 비중(R)

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3) 스토리지의 변화는 이제 시작

스토리지(Storage)는 데이터의 저장을 목적으로 하는 장치다. 서버 내의 보조기억장치는 목적에

맞게 HDD 또는 SSD를 사용했다. 반면, 대규모 데이터를 저장해야 하는 스토리지는 주로 HDD를 사

용해 왔다. SSD로 대용량을 구현하기에는 가격이 비싸기 때문이다. 2016년 10배 이르던 현재

SSD와 HDD의 단위용량당 가격차이는 현재 3배 수준이다.

그러나, 4차산업 시대에 이르면서 스토리지 자원 배분 상황이 변하고 있다. 점차 데이터의 크기가

커지고 복잡해지고 있다. 앞서 언급했듯이 인터넷 비즈니스의 발전으로 사진, 동영상과 같이 수치

화 되지 않는 비정형 데이터가 급증했다. 기업체들이 빅데이터를 기반으로 인공지능을 활용한 비

즈니스를 진행 중이다. 비정형 데이터와 빅데이터는 HDD에서 DRAM으로 전송하는 시간도 오래

걸린다. 기존에는 문제 되지 않던 DRAM-보조기억장치간 병목 현상이 문제가 되기 시작한다.

스토리지 인터페이스의 개선

DRAM-보조기억장치간의 속도 향상을 위한 기술이 지속적으로 개발되었다. 먼저, 인터페이스

(Interface, 연결방식)의 발전이 지속되었다. SATA는 하드디스크 전용 인터페이스다. 1세대인

SATA1의 데이터 전송속도는 1.5Gbit/s 였다. 이후 SATA2를 거쳐 6.0Gbit/s의 전송속도가 가능

한 SATA3까지 발전 했다.

이후 인텔의 주도하에 보다 빠른 규격인 PCIe(PCI Express)가 개발되었다. 이미 사용되고 있던

메인보드의 PCI 슬롯을 SSD에 연결할 수 있도록 만든 규격이다. SATA3의 데이터 전송 속도가

500MB/s 수준인데 비해 PCIe는 1,000MB/s를 초과하는 속도를 낸다.

SATA와 PCIe는 일종의 데이터 이동 도로와 같다고 생각하면 쉽다. PCIe에서 일종의 신호체계라

고 할 수 있는 프로토콜이 나뉘어 진다. AHCI와 NVMe다. 둘다 PCIe 슬롯을 사용하지만, AHCI

의 경우 회전하는 디스크인 HDD에 최적화된 체계다. 반면, NVMe(Non-Volatile Memory

Express)는 이름에서도 알 수 있듯이 SSD에 맞게 설계된 체계다.

그림 14. SATA와 NVMe 비교

자료: 삼성전자

그림 15. NVMe 프로토콜이 적용된 삼성전자 SSD

자료: 삼성전자

반도체


올플래시 스토리지의 부상

SSD 스토리지 초기에는 AHCI 프로토콜로 HDD와 SSD를 혼합한 하이브리드를 사용했다. 그러

나, HDD에 적합하게 구성된 구조에서 SSD의 성능이 최적으로 발휘되기는 어려웠다. 결국 SSD

만으로 구성된 올플래시 스토리지의 선호도가 높아졌다. 다만, 스토리지의 변화가 단독으로 일어난

것은 아니고 주메모리의 발전, 데이터구조의 변경과 그 궤를 같이하며 발전했다.

올플래시 스토리지(All flash storage)의 시장규모는 2021년 까지 연평균 19.7%로 성장하여 113

억달러 규모에 이를 전망이다. 반면, HDD를 포함한 스토리지의 경우 연평균 17.1% 감소할 것으

로 예상한다. 향후 올플래시 스토리지를 중심으로 Enterprise SSD 시장이 성장 할 것으로 기대한

다. 올플래시 스토리지 시장 2위 업체인 NetApp(1위는 Dell EMC, 비상장)의 영업이익률은 꾸준

히 상승해 FY4Q18에 20.4%를 기록할 전망이다.

올플래시 스토리지의 가장 큰 장점은 속도가 빠르다는 것이다. 연산을 처리하는 능력인 IOPS(Input,

Output operations per second) 측면에서는 HDD보다 60 ~ 90% 적은 시간이 소모된다. 즉, 20

만 IOPS 시스템을 구축하기 위해서 HDD가 1,000개 필요한 반면 SSD는 10개면 충분하다. 수량

의 감소는 곧 공간의 감소로 이어진다. 최대 30%의 공간을 절약할 수 있다. 반응 속도인 Latency

측면에서도 7ms인 HDD의 1/10에 못미치는 0.5ms에 불과하다.

그림 16. NetApp 매출액, 영업이익 추이 및 전망 그림 17. NetApp 시가총액 추이

자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터 자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터

그림 18. 올플래시 스토리지(SSD Array) 시장 규모 및 전망

자료: Gartner, 미래에셋대우 리서치센터

0

6

12

18

24

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

FY1Q14 FY1Q15 FY1Q16 FY1Q17 FY1Q18

(%)(US$bn)

매출액 (L) 영업이익 (L) 영업이익률 (R)

0

5

10

15

20

16.01 16.07 17.01 17.07 18.01

(US$bn)

1.3 2.7 4.6 6.3 7.8 9.4 10.4 11.3 5.7

11.9

19.5

32.0

40.6

49.8

57.8

64.3

0

20

40

60

80

0

8

16

24

32

2014 2015 2016 2017 2018F 2019F 2020F 2021F

(%)(US$bn)

Hybrid & HDD (R) SSD Array (R) SSD Array 비중 (L)

반도체


또한, 전력 소모의 측면에서도 HDD대비 30% 미만으로 소모한다. 서버나 데이터센터는 24시간 가동

되기 때문에 시스템을 유지하기 위해서는 상당한 에너지 비용이 발생한다. 실제로 전세계 데이터

센터가 소모하는 전력은 30GW(글로벌 전력 소비의 1.5%)다. 30개 원자력 발전소에서 생산하는

에너지 규모다. 올플래시 스토리지 적용을 통한 전력비 절감은 날로 거대해 지고 있는 초대형 데이

터센터에는 필수적인 요소다.

그림 19. HDD와 SSD의 IOPS 비교

자료: 업계자료 종합, 미래에셋대우 리서치센터 / 주: 각 규격당 최상위 성능으로 비교

그림 20. 올플래시의 장점: 낮은 Latency

자료: Dell EMC

그림 21. 데이터센터의 전력 소모량

자료: Green House Data

150 20,000

290,000

SATA3 HDD SATA3 SSD PCIe3.0 SSD

(IOPS)

반도체


4) Enterprise SSD 시장 경쟁 조건

NAND 제조사가 SSD에서 경쟁력을 이어가기 위해서는 두 가지 조건이 필요하다. 첫번째는

NAND 원가 경쟁력이다. HDD에 비해 SDD의 가장 큰 약점은 가격이다. 단위 용량당 가격을 낮

추기 위해 고단수 3D NAND와 TLC/QLC의 양산이 필수적이다. 두번째는 컨트롤러 기술력이다.

NAND의 집적도 향상은 제품 가격에 영향을 미칠 뿐, 결국 SSD의 속도와 안정성을 결정하는 것

은 컨트롤러의 성능이다.

NAND 원가 경쟁력 확보 1) 3D NAND

NAND의 집적도를 높이고 단위 용량당 원가(Cost/GB)를 낮추는 첫번째 기술은 3D NAND이다.

선폭 미세화 공정을 통한 Die size(Wafer에서 생성되는 Chip의 크기) 축소가 한계에 이르면서 메모리

셀의 수직 적층을 시도한 것이다. 비유하자면 2D NAND가 일반 좌석버스라면 3D NAND는 좌석의

수를 수직으로 증가시킨 2층 버스라고 할 수 있다. 버스는 2층이 한계지만, 3D NAND는 96단을

앞두고 있다.

3D NAND에 가장 앞서 있는 업체는 삼성전자다. 3D NAND 기술이 경쟁사 대비 1년 이상 앞서

있는 것으로 판단된다. 삼성전자는 2016년 하반기부터 화성 16라인을 시작으로 64단 3D NAND

TLC를 양산 중이다. 이르면 올해 말 양산을 목표로 96단 3D NAND를 개발중인 것으로 판단된다.

SK하이닉스의 경우 48단 이후 72단 양산에 돌입했다.

그림 22. 3D NAND 구조 묘사

주: 실제로 접는 것은 아님

자료: 언론자료, 미래에셋대우 리서치센터

그림 23. 2D NAND와 3D NAND 원가 비교 그림 24. 업체별 3D NAND 전환 비중(Bit 기준)

자료: 미래에셋대우 리서치센터 자료: 미래에셋대우 리서치센터

0

25

50

75

100

2017 2018 2017 2018 2017 2018 2017 2018

삼성전자 Toshiba Micron SK하이닉스

(%)

2D 1Xnm 2D 1Ynm 3D 24단 3D 32단 3D 48단 3D 72단 3D 9X단

(제조원가)

2D NAND 3D NAND

선폭 미세화의 한계로

갈수록 원가 우위 전망

반도체


NAND 원가 경쟁력 확보 2) TLC

단위 용량당 원가를 낮추는 두번째 기술은 TLC다. 반도체 선폭 미세화의 난이도가 올라가면서 공정

의 변화 없이 컨트롤러 기술을 이용해 데이터 집적도를 높이는 방식이다. 메모리 셀은 전압의

On/Off에 따라 0과 1의 데이터를 저장한다. 0과 1을 통해 두개의 정보(0, 1)을 표현 할 수 있는

데, 이를 1bit(비트; 21)라고 한다. 1셀에 1bit를 저장할 수 있으면 SLC(Single Level Cell)다.

컨트롤러를 활용하여 메모리 셀에 부과되는 전압을 미세하게 조절 할 수 있으면. 1개의 셀에 1개

이상의 bit를 저장할 수 있다. 마치 컵에 물을 채우거나(1) 비우는(0) 수준에서, 물을 채우거나(11),

2/3만 채우거나(10), 1/3만 채우거나(01), 비우는(00) 수준으로 발전하면 같은 컵과 물을 가지고

4가지 정보를 표현할 수 있다. 이 표현 방식이 2bit이고 메모리 1셀에 2bit를 저장할 수 있으면

MLC(Multi Level Cell)다.

마찬가지로 좀 더 미세한 조절을 통해 3bit로 8(23)개, 4bit로 16(24)개의 정보를 표현할 수 있으면

각각 TLC(Triple Level Cell)와 QLC(Quadruple Level Cell)다. 다만, 메모리 셀을 많이 나눌수록

데이터의 저장이 복잡해지고 오류 가능성이 높아진다. 오류를 바로잡는 ECC(Error Correction

Code)의 난이도도 어려워지고 읽기/쓰기 속도가 감소한다. 데이터 저장위치 할당과 오류를 방지하

는 컨트롤러의 역할이 중요한 이유이다. 가장 큰 장점은 단위 용량당 원가를 낮출 수 있다는 점이다.

현재 삼성전자를 비롯해 도시바, SK하이닉스, Intel, Micron 등이 TLC 기반 3D NAND SSD를 양

산 중이다. 신뢰도 기준이 높은 기업용 SSD(Enterprise SSD)에는 삼성전자 및 도시바가 이미

TLC 3D NAND를 적용 중이며, SK하이닉스는 72단 TLC의 고객 승인 절차를 진행 중이다. QLC

는 개발 중이며 빠르면 올 하반기 선두권 업체의 양산 물량이 나올 것으로 기대한다.

그림 25. SLC, MLC, TLC 개념 모식도


그림 26. 3D NAND MLC, TLC, QLC 비중 추이 그림 27. NAND 업체별 TLC 비중 추이


0

25

50

75

100

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18F 2Q18F 3Q18F 4Q18F

(%) QLC TLC MLC

0

20

40

60

80

삼성전자 Toshiba SK하이닉스 Micron Intel

(%)1Q17 2Q17 3Q17 4Q17

반도체


SSD의 핵심 컨트롤러(Controller) 투자 지속

일시적 저장장치인 DRAM과 달리 SSD(NAND)는 영구적으로 데이터를 저장해야 하는 만큼 안정

성과 신뢰도가 중요하다. Cost/GB를 낮추거나 빠른 데이터 입출력을 위해서도 컨트롤러의 기술이

전제되어야 한다. 컨트롤러는 비메모리 설계 기술과 S/W 기술이 접목되어야 한다. 컨트롤러 기술

의 내재화를 위해 국내외 업체들이 과거부터 M&A등 기술 확보에 주력해왔다.

애플은 2011년 이스라엘의 어노비트(Anobit)를 인수했다. 마이크론도 2011년 스토리지제네틱스

(Storage Genetics), 2015년 타이달 시스템스(Tidal Systems)를 인수했다. 애플은 컨트롤러 기술

을 확보한 관계로 SK하이닉스로부터 NAND flash cell만 구매 후 자체 컨트롤러를 탑재한 모듈을

아이폰에 탑재한다. 도시바도 2013년 SSD S/W와 컨트롤러를 개발하는 OCZ를 4,600만달러에

인수했다.

컨트롤러는 자체 제작하거나 전문 업체의 제품을 범용으로 사용한다. SSD 업계 1위인 삼성전자는 일

찍이 자체적으로 개발한 컨트롤러를 사용하고 있다. 2000년대 초반부터 개발을 시작하여 해당 분

야의 인력만 1,000명 이상인 것으로 알려져 있다. ARM 계열 AP 엑시노스(Exynos)의 설계 및 생

산 경험은 컨트롤러 설계와 무관하지 않은 것으로 사료된다. Z-SSD등 하이엔드 컨트롤러를 적용

한 제품도 이미 생산하고 있는 상황이다. 자체 컨트롤러를 사용할 경우 펌웨어 최적화에 유리하다.

그림 28. 삼성전자 SSD 구조 그림 29. . NVMe와 SATA 인터페이스 속도 비교

자료: 삼성전자 자료: 삼성전자

그림 30. 삼성전자 SSD 컨트롤러 구조 그림 31. 삼성전자 SSD 및 컨트롤러

자료: 삼성전자 자료: ifixit, 미래에셋대우 리서치센터

반도체


인텔과 도시바처럼 컨트롤러 전문 설계업체인 마벨테크놀로지와 공동 개발한 컨트롤러를 자사의

SSD에만 사용하는 경우도 있다. 이외의 업체는 마벨 또는 실리콘모션이 생산하는 범용 컨트롤러를

사용하는 것으로 추정된다.

표 1. SSD 관련 M&A 및 투자 사례

시기 인수회사 피인수(투자)회사 피인수회사 주력 분야

2011. 12 애플 어노비트 SSD 컨트롤러 설계

2012. 02 샌디스크 플래시소프트 SSD 소프트웨어

2012. 06 SK하이닉스 LAMD SSD 컨트롤러 설계

2012. 11 인텔 네벡스버추얼테크 SSD 소프트웨어

2012. 12 삼성전자 엔벨로 SSD 소프트웨어

2013. 05 PMC IDT SSD 컨트롤러 설계

2013. 08 SK하이닉스 이노스터 SSD 컨트롤러 설계

2013. 12 씨게이트 LSI SSD 컨트롤러 설계

2013. 12 도시바 OCZ SSD 소프트웨어/컨트롤러

2014. 06 SK하이닉스 소프텍 SSD 소프트웨어

2017. 11 SK하이닉스 FADU SSD 컨트롤러 설계


그림 32. 마벨(Marvell) 시가총액 추이

자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터

그림 33. 도시바-마벨 SSD 컨트롤러 그림 34. 마벨 실적 추이

자료: 언론자료 자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터

0

4

8

12

16

16.01 16.05 16.09 17.01 17.05 17.09 18.01

(US$bn)

-15

0

15

30

45

-2

0

2

3

5

2013 2014 2015 2016 2017 2018F 2019F 2020F

(%)(US$bn)

매출액 (L) 영업이익 (L) 영업이익률 (R)

반도체


SK하이닉스는 상대적으로 고성능 컨트롤러가 필요한 상황이다. 과거 컨트롤러 기술의 부재로 인해

NAND flash에서는 10%의 점유율에도 불구하고 SSD에서 6%에 불과한 점유율을 보이고 있다.

애플향 모바일용 NAND에 대한 의존도가 높아 계절성도 뚜렷한 상황이다.

2011년 12월 애플이 SK하이닉스의 Flash 메모리 컨트롤러 협력사인 Anobit를 인수했다. 이후

SK하이닉스는 컨트롤러 기술 확보를 위해 2012년 6월 미국의 SSD 컨트롤러 제조사인 LAMD,

2013년 8월 대만의 이노스터 컨트롤러사업부, 2014년 6월 벨라루스의 소프텍 등을 인수했다.

최근에는 국내의 SSD 컨트롤러 개발 업체인 FADU社에 180억원을 투자했다. FADU가 개발한 컨

트롤러는 SSD에 특화된 프로토콜인 NVMe 기반이다. Enterprise SSD를 타겟팅 한 제품이다.

Intel의 test에서 경쟁사 대비 빠르고 안정적인 성능을 증명했다. Enterprise SSD에 대한 컨트롤

러 기술이 필요한 SK하이닉스의 입장에서는 의미 있는 투자이다.

글로벌 SSD 업체들은 안정적인 컨트롤러 공급 채널을 보유하길 원한다. 참고로, 인텔을 제외한 도

시바, 마이크론 등 대부분 NAND 업체는 독자적인 NVMe 컨트롤러 기술을 보유하지 못한 것으로

추정된다.

그림 35. FADU社의 SSD Controller(Annapruna)의 성능 개선 구조

자료: FADU, 미래에셋대우 리서치센터

그림 36. FADU 및 주요 업체 SSD IOPS/Watt 테스트 결과

자료: FADU, 미래에셋대우 리서치센터

119K

71K

36K 35K

57K

FADU

Bravo

Intel DC

P4600

Intel DC

P4501삼성전자

PM1725a

삼성전자

PM963

38K

11K

4K7K

5K

FADU

Bravo

Intel DC

P4600

Intel DC

P4501삼성전자

PM1725a

삼성전자

PM963

IOPS/Watt in random read (U.2) IOPS/Watt in random write (U.2)

반도체


Enterprise SSD의 마지막 관문: Qualification

SSD는 DRAM과 다르게 데이터를 저장하기 때문에 신뢰도 문제가 중요하다. 품질 테스트 기간이

길게는 1년 가까이 걸리는 이유다. 대신 테스트를 통과하게 되면 많은 물량을 채용할 수 있고 장기

적인 공급이 가능하다는 측면이 있다. 현재 북미 지역뿐만 아니라 중화권 지역으로의 데이터센터

확대가 기대된다. 삼성전자 및 SK하이닉스의 64단/72단 3D NAND를 채용한 SSD의 품질 테스

트가 진행 중인 것으로 추정된다.

Enterprise SSD 시장은 연평균 7% 수준으로 성장하여 2018년 14.2억달러에 이를 전망이다.

NAND flash 전체 성장은 13%에 이를 것으로 예상한다. 하반기 NAND flash 가격은 소폭 하락

할 전망이지만, 이는 오히려 Enterprise 고객들로 하여금 SSD를 채용할 수 있는 진입 장벽을 낮

추는 결과로 작용할 가능성이 크다.

그림 37. Enterprise SSD 품질 테스트 타임라인

자료: IBM, 미래에셋대우 리서치센터

그림 38. SSD 시장 전망

자료: IHS, 미래에셋대우 리서치센터

Month 1 Month 2 Month 3 Month 4 Month 5 Month 7 Month 8 Month 9 Month 10 Month 11 Month 12Month 6

FTC

4-6 weeks

RDT

6 weeks

ITC / SBT

12 - 16 weeks

LNF

8 weeks before SBT Exit

API

4-6 weeks before STC

STR

4 weeks

IRV

Above 4 weeks

STC

16 weeks

GA

2 weeks after STC exit

RDT - Reliability Demonstration Test - Performed at Supplier facility

FTC - Fucntional Test Cycle - Typically performed on Power Systems H/W at Supplier facility

ITC - Integration Test Cycle - Performed by Power Systems Qualification Team

SBT - System Based Testing - Performed by Power Systems Qualification Team

STR - System Test Reasiness - Owned & Performed by System Test Group

STC - System Test Cycle - Owned & Performed by System Test Group

IRV - Integration Reliability Verification - Owned & Performed by Power Systems Qualification Team

11.048 12.791 12.993 13.346 13.011

13.37714.162 14.984 16.333 17.559

0

10

20

30

40

2017 2018F 2019F 2020F 2021F

(US$bn)

Enterprise SSD Customer SSD

반도체


II. 2018 메모리 수급 전망

1. DRAM 수급 전망

2018 DRAM 시장 규모는 82.6억 달러로 전년 대비 14.5% 성장할 것으로 예상한다. 올해

DRAM bit growth는 20%, ASP(Average selling price)는 5.4% 하락할 것으로 가정했다.

DRAM 업체들의 공급량 증가는 한계에 도달했다. 연말 기준으로 125K/월 웨이퍼 Capa 증설이 진

행될 예정이지만 공정은 1Xnm 위주가 될 것이다. 일부 업체가 1Ynm로 미세화를 진행하더라도

생산성 증가는 20% 초반 수준에 그칠 전망이다. 이전 세대의 공정전환 효율에 비하면 낮다.

수요의 경우, 서버용은 전년대비 39.7% 증가할 것으로 예상한다. 고성능 서버 중심의 DRAM 탑

재 증가가 예상된다. 서버용 DRAM의 증가는 그 동안 시장 디스카운트 요인이었던 계절성을 완화

하는 요소다.

과거 DRAM 가격은 완만한 수요 증가와 급격한 공급 변화로 인해 등락을 거듭해 왔다. 앞으로는

수요 증가와 비해 완만한 공급 변화로 과거 반복되어 왔던 가격하락 압력은 약해질 것으로 전망한다.

그림 39. 글로벌 DRAM 수급 추이 및 전망


그림 40. DRAM 시장규모 및 성장률 그림 41. 분기별 DRAM 영업이익 추이 및 전망


자료: Gartner, DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터

-120

-60

0

60

120

-5

0

5

10

15

01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17

DRAM 영업이익 (L)

OP margin (R)

(십억달러)

전례 없는 호황

사이클 지속

(%)

-10

-5

0

5

10

0

10

20

30

40

1Q09 1Q10 1Q11 1Q12 1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18F

공급 (L) 수요 (L) 공급과잉률 (R)

(1Gb eq, 십억개) (%)

-40

0

40

80

120

0

25

50

75

100

2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018F

(%)(US$bn)

시장규모 (L)

YoY (R)

반도체


1) DRAM 공급

2018년 DRAM 공급의 증감 여부는 공정 미세화에 달렸다. 삼성전자는 1Ynm 공정 전환에, SK하

이닉스와 마이크론은 1Xnm 공정 전환에 고전하고 있는 상황이다. 업체들의 일부 웨이퍼 Capa 증

설 투자가 지속될 예정이지만 투자 대비 bit growth는 과거에 미치지 못할 예정이다. 참고로,

DRAM 3사의 2018년 bit growth 가이던스는 모두 20%수준이다.

삼성전자는 11라인의 CIS전환에 따른 Capa 감소를 보완하기 위해 16라인(2D NAND)의 DRAM

전환을 진행 중이다. 삼성전자 DRAM 공급의 핵심은 평택 P1이다. 초기 계획과 달리 2층 동편 라

인 100K/월 전체를 DRAM 생산에 투입할 가능성이 커졌다. 가장 큰 원인은 1Ynm 전환의 지연

이다. 공정 미세화 지연 속에 늘어나는 수요를 대응하기 위해서는 증설이 불가피 했을 것이다.

올해 가동이 예상되는 P1의 Capa는 최대 60K/월 수준이 될 것으로 예상한다. 올해 말부터 내년

연중 지속적인 Capa 증가가 일어날 것으로 예상한다. 공정 전환의 어려움은 장비 입고에도 영향을

미친다. 최신 Fab임에도 불구하고 1Xnm 공정으로 가동이 시작 될 것으로 예상한다.

SK하이닉스도 1Xnm 공정 전환에 어려움을 겪으면서 DRAM Fab 운용 전략의 수정이 필요했다.

M14 2층은 NAND 생산 라인으로 계획 되었으나 DRAM으로 변경되었다. 내년 Wuxi 확장 Fab

이 완공될 때 까지는 M14 2층 가동과 1Xnm 전환에 의존해야 하는 상황이다.

내년에 M15과 Wuxi 신공장의 가동이 시작되더라도 웨이퍼 capa 증가 이상의 DRAM bit

growth를 기록하기는 어려울 것으로 예상한다. 1Ynm로의 공정 전환은 1Xnm보다 많은 기간이

소요될 것이기 때문이다.

Micron은 소폭의 라인증설과 1Xnm 전환에 집중할 것으로 예상한다. 히로시마 엘피다 팹에서의

+20K 수준의 웨이퍼 Capa 증설이 진행될 예정이다. 기존 공정이 상대적으로 뒤처진 만큼(2Xnm

대 비중 18%) 꾸준한 보완 투자를 통해 웨이퍼 Capa를 유지할 것으로 예상한다.

표 2. DRAM 업체별 공정 전환 로드맵

업체 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18F 2Q18F 3Q18F 4Q18F

삼성전자 2Znm 1Xnm 1Ynm

SK하이닉스 2Ynm 2Znm 1Xnm

Micron 2Znm 1Xnm


그림 42. DRAM 업체별 웨이퍼 투입량 전망 그림 43. DRAM 공정 비중 변화


자료: DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터

0

25

50

75

100

1Q14 4Q14 3Q15 2Q16 1Q17 4Q17 3Q18F

(%) 5Xnm 4Xnm 3Xnm 2Xnm 1Xnm

0

500

1,000

1,500

2,000

삼성전자 SK Hynix Micron 기타

2016 2017 2018F

(12"기준, 천장/월)

반도체


삼성전자: +65K/월

[11라인: -25K/월]

노후화된 DRAM라인을 CIS(CMOS Image Sensor)라인으로 전환 중이다. 노후된 메모리 라인의

비메모리 전환은 꾸준히 행해져 왔다. CIS의 수익성이 높아 수익성 극대화에도 도움이 된다. 라인

을 각각 11-A와 11-B로 나누어 순차적인 전환을 진행 중이다. 11-A는 전환 후반부인 것으로 추

정된다. 나머지 11-B는 올 하반기 내로 전환 완료 예정이다.

11라인은 그동안 2znm 위주로 생산했다. 라인 전환 작업에 따라 연말까지 감소하는 DRAM 웨이

퍼 capa는 25K/월 수준일 것으로 예상한다.

CIS는 DRAM과 동일한 CMOS 공정을 기반으로 하기 때문에 대부분의 장비를 재사용 할 수 있

다. 일부 메탈층 증착과 식각(Etching) 장비. CMP(Chemical Mechnical Polishing) 및 TSV

(Through Silicon Via) 장비가 추가적으로 도입될 것으로 예상한다.

전환 이후 생산될 CIS의 웨이퍼 Capa는 DRAM 라인의 절반 수준인 20~30K가 될 것으로 예상한

다. DRAM 보다 금속 증착 공정이 많기 때문이다. 향후 추가적인 메모리 CIS전환이 일어날 경우

웨이퍼 Capa의 추가적인 감소가 예상되는 부분이다.

[13라인: Capa 유지]

11라인과 함께 삼성전자 DRAM 라인 중 가장 연식이 오래된 라인이다. 2znm 이후 미세공정 적

용(Tech migration)이 이뤄지지 않고 있는 것으로 예상한다. 현재 생산능력은 100K/월 수준이다.

11라인과 마찬가지로 CIS 라인으로 전환될 것으로 알려져 있다. 이르면 올 하반기부터 2년간에

걸쳐 진행할 것으로 예상한다.

[15라인: +5K/월]

월 생산능력이 가장 크고(185K/월), 공정 미세화가 가장 많이 진행된(1Xnm) 삼성전자의 실질적인

DRAM 마더팹(Mother Fab)이다. 1Q17 이후 2Znm 1Xnm 공정 미세화가 진행되었다. Bit 출

하량 기준으로 현재의 1Xnm 전환율은 80% 수준인 것으로 추정된다.

공정전환이 진행되면 단위 시간당 출하되는 웨이퍼의 수가 줄어든다. 웨이퍼가 거쳐야 하는 스텝

(Step)수가 많아지기 때문이다. 이를 공정 미세화에 의한 ‘자연감소’라고 한다. 1세대 전환시 약

5~10% 정도의 Capa 감소가 일어날 것으로 추정된다.

자연감소를 극복하고 동일한 양의 웨이퍼 Capa를 유지하기 위해서는 그만큼의 추가적인 라인 투

자가 일어나야 한다. 만약, 2Znm 1Xnm 공정 전환 및 보완 투자까지 완료될 경우 bit growth

는 20~25% 수준일 것으로 추정된다.

15라인은 하반기부터 1Xnm 1Ynm 공정 미세화가 진행 될 예정이다. 이에 응하는 보완 투자가

진행되어 Capa는 +5K/월 정도에서 유지될 것으로 예상한다.

[16라인: +25K/월]

11라인의 CIS 전환에 따른 Capa 손실을 막고자 NAND 전용라인인 16라인의 일부를 DRAM 생

산라인으로 변경 중이다. 기존 라인이 2D NAND이기 때문에 가능한 결정이다. NAND의 bit loss

를 최소화 할 수 있기 때문이다. 2D NAND라인 50K/월로부터 DRAM으로 전환되는 웨이퍼

Capa는 25K/월로 추정된다. 상반기 중으로 1Xnm 공정 생산 위주로 진행될 것으로 예상한다.

반도체



원래 본 라인은 System LSI 사업인 애플향 AP 생산을 위해 착공되었다. 하지만, 애플이 AP 주문

을 중단하면서 예상보다 1년 늦은 2014년 말 완공되었다. 1차적으로 일부공간에 DRAM 라인을

셋팅하고 50K/월 규모로 생산을 시작했다.

2017년 DRAM 호조로 연간 40K/월 규모의 추가 투자를 진행했다. 현재 Capa는 90K/월로 추정

된다. 연내 추가적인 Capa 증설은 없을 것으로 판단되고, 하반기부터는 1Xnm 1Ynm 공정전

환이 진행될 것으로 예상한다.

17라인의 공간 일부를 사용하던 16-2 3D NAND 생산라인이 P1(평택, 1층)으로 이전함에 따라,

잔여 공간은 EUV라인이 구축될 것으로 예상된다. LSI 비메모리 생산에 활용될 가능성이 크다.

[P1(평택, 2층 서편): +30K/월]

평택 P1 Fab 2층은 1층의 2배 규모다. 1층의 절반은 지원 시설로 사용하고 있기 때문이다. 1층은

100% 3D NAND 생산이 진행 중이다. 2층은 총 200K/월의 생산 시설에 대해 전략적 자원 배분

이 이뤄지고 있는 상황이다. 2층 서편의 경우 DRAM과 3D NAND가 각각 30K/월, 70K/월 규모

로 배정될 것으로 예상한다. 신규 라인임에도 불구하고 초기 1Ynm 공정의 수율 확보가 어려움에

따라 1Xnm 라인이 가동될 것으로 예상된다.

[P1(평택, 2층 동편): +30K/월]

2층 동편의 경우 대부분 DRAM 위주의 생산라인이 구성될 것으로 추정된다. 가용한 공간은

100K/월 규모다. 연중 30K/월 수준에 대한 투자가 진행 될 것으로 예상한다.

표 3. 삼성전자 Line별 DRAM 웨이퍼 Capa (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Line 11-A 15 10 10 10 10 5 0 0

Line 11-B 25 25 20 15 15 10 5 0

Line 13 100 100 100 100 100 100 100 100

Line 15 170 170 170 180 185 185 185 185

Line 16 2D NAND Line 10 25

Line 17 50 60 70 90 90 90 90 90

P1 2층(서) 5 20 30

P1 2층(동) 5 20 30

Total 360 365 370 395 400 400 430 460


표 4. 삼성전자 Line별 공정 미세화 전망

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Line 13

2ynm 35% 21% 8%

2znm 65% 79% 92% 100% 100% 100% 100% 100%

1xnm

Line 17

2znm 83% 68% 48% 31% 17% 8% 4% 0%

1xnm 17% 32% 52% 69% 83% 90% 93% 96%

1ynm 1% 3% 4%

P1

2znm 5% 4% 3% 0%

1xnm 23% 41% 68% 96%

1ynm 1% 2% 4%

Total

2znm 65% 53% 42% 36% 35% 35% 33% 28%

1xnm 16% 30% 45% 55% 59% 61% 61% 60%

1ynm 3% 10%

자료: IHS Markit, 미래에셋대우 리서치센터

반도체


SK하이닉스: +50K/월

[M10: Capa 유지]

현재 생산 가능 Capa는 80K/월로 추정된다. 20nm대(2Ynm ~ 2Znm) 공정으로 생산 중이다.

2015년 말 M14 완공 이후 약 40K/월에 해당하는 장비를 M14으로 이전했다. 남은 Capa에 대한

추가적인 공정 미세화 투자는 제한될 것으로 판단된다. 기존의 Fab이 그랬듯이 향후 파운드리로

활용할 가능성도 존재한다. 일부 비메모리(고화소 CIS) 생산은 진행하고 있다.

[M14: +30K/월]

2015년말 완공 이후 지속적인 투자와 미세공정 전환을 진행한 SK하이닉스의 대표 DRAM 생산

라인이다. 2개층 중에 1층은 DRAM 생산에 투입하고 있다. 2층은 NAND 생산라인으로 계획되었

으나 일부를 DRAM 라인으로 변경하여 생산 중이다.

올해 중에 약 30K/월 규모의 Capa가 추가될 것으로 예상한다. DRAM 수요가 증가하는 가운데

2Znm 1Xnm 공정 전환이 지연되면서 추가적인 투자가 필요했다. 현재 생산 가능 Capa는

95K/월로 추정된다.

[Wuxi(C2): +20K/월]

1Xnm 공정 전환이 지연되면서 bit growth 목표를 달성하기 위해서는 기존 라인에 대한 일부 투

자가 필요할 것으로 판단한다. 우시 공장의 1Xnm bit 기준 전환율은 20%를 밑도는 것으로 추정

한다. +20K/월 Capa 증설, 연말 1Xnm 전환율 80%를 가정시 Wuxi fab의 bit growth는 10%

중반수준이 될 것으로 예상한다.

[Wuxi(C3): 건설 중]

현재 가동중인 Wuxi C2라인 옆에 건설중인 Fab이다. 내년 상반기중 완공될 예정이다. DRAM

전용 생산 라인으로 셋팅될 경우 최대 생산 가능 Capa는 약 120~130K/월 수준으로 추정된다.

표 5. SK하이닉스 Line별 DRAM 웨이퍼 Capa 및 공정 미세화 전망 (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

M10 90 85 85 80 80 80 80 80

M14 60 65 70 95 95 110 120 125

Wuxi(C2) 115 120 120 120 130 135 140 140

Wuxi(C3) 건설중(120 ~ 130K/월 규모)

Total 265 270 275 295 305 325 340 345


표 6. SK하이닉스 공정 미세화 전망

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Total

2ynm 33% 31% 29% 27% 27% 28% 24% 21%

2znm 67% 69% 71% 73% 71% 60% 54% 51%

1xnm 0% 0% 0% 0% 3% 12% 22% 29%


반도체


Micron: +10K/월

[Fab6(Manasas): Capa 유지]

Manasas Fab은 2001년 도시바의 미국 생산라인인 Dominion Fab을 인수한 것이다. DRAM의

경우 90%이상이 30nm대 공정으로 생산되는 legacy제품이다. 생산 Capa는 25K/월이다. 주로

R&D용으로 이용되는 것으로 추정된다.

[Fab11(Inotera): -10K/월]

이노테라는 2003년 대만의 난야(Nanya)와 독일 키몬다(Qimonda)가 파운드리 생산을 위해 설립

한 JV이다. 2008년 키몬다가 파산하면서 마이크론이 이노테라의 지분을 인수했다. 2016년에 나머

지 지분도 인수해 현재는 100% 마이크론의 생산시설이다.

팹은 Inotera1, Inotera2 두 개의 라인이 있고 각각 유사한 Capa인 것으로 추정된다. 2017년 7월

2라인에서 질소 유출사고가 발생한 바 있다. 60K 규모의 웨이퍼가 오염되었고, 해당 물량은 애플

iPhone8용 3GB LPDDR4 DRAM 였다.

현재 생산 Capa는 130K/월이다. 지난해 말부터 2Znm 1Xnm 공정 전환을 시도했으며 현재

약 20% 정도의 전환이 이뤄진 것으로 예상한다. 연말 내에 50% 수준까지 공정 전환이 이뤄질 예

정이다. 추가적인 라인 투자가 집행되지 않을 시 5~10% 수준의 Capa 자연감소가 있을 것이다.

[Fab15(Elpida): +20K/월]

2012년 일본의 엘피다(Elpida)가 파산하면서 마이크론에 인수된 Fab이다. 현재 Capa는 105K/

월, 2Znm 1Xnm 공정 전환율은 50% 전후로 추정된다. 공정 전환과 동시에 라인 투자가 진행

되어 연말 Capa는 연초 대비 15% 증가한 120K/월로 추정된다.

[Fab16(Rexchip): Capa 유지]

엘피다가 대만의 파워칩(Powerchip)과의 합작으로 보유했던 Fab이다. 엘피다 파산 시에 파워칩이

마이크론에 지분을 매각했다. 현재 Capa는 90K/월이다. 1Xnm로의 공정전환이 원활하지 않았으

나 올해 말에는 전환 완료될 것으로 예상한다. 보완 투자도 지속되어 전체 Wafer capa는 일정할

것으로 추정된다.

표 7. Micron Line별 DRAM 웨이퍼 Capa (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Fab6(Manasas) 25 25 25 25 25 25 25 25

Fab11(Inotera) 113 122 116 130 130 130 125 120

Fab15(Elpida) 100 100 100 100 105 110 115 120

Fab16(Rexchip) 92 92 90 90 90 90 90 90

Total 330 339 331 345 350 355 355 355


표 8. Micron Line별 공정 미세화 전망

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Fab15(Elpida)

2ynm 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0%

2znm 82% 86% 70% 63% 54% 43% 24% 12%

1xnm 3% 6% 26% 31% 43% 54% 75% 88%

Total

2xnm 40% 35% 23% 22% 18% 11% 5%

2ynm

2znm 52% 54% 42% 38% 32% 26% 14% 7%

1xnm 2% 5% 30% 35% 46% 59% 76% 87%


반도체


2) DRAM 수요

2018년 글로벌 DRAM 수요 증가율은 21%로 예상한다. 서버 DRAM의 경우 39.7%로 높은 성

장률을 보일 것으로 전망한다. 특히 인공지능, 머신러닝과 관계가 깊은 High-end 서버 DRAM의 경

우 52.4%의 성장이 기대된다.

서버 DRAM은 일반 PC에 비해 10% 이상 많은 DRAM 유닛을 필요로 한다. 최근에는 단위 CPU

당 탑재 가능한 DRAM 모듈의 개수도 증가하는 추세이다. Intel의 6세대 서버용 CPU인 Skylake는

5세대 Broadwell 대비 50% 증가한 6 channel의 DRAM slot을 허용한다. DRAM slot 모두 채우

는 것이 필수사항은 아니다. 다만, 모두 사용할 경우 CPU 개수를 늘리는 것보다 효율적으로 최대

성능을 이끌어 낼 수 있다.

모바일 DRAM의 경우 성장은 정체되었으나 아직도 DRAM 수요에서 가장 많은 부분(32.8% 예상)을

차지하고 있다. 올해 모바일 DRAM의 최대 변수는 iPhone 차기 시리즈의 DRAM 탑재 용량 증가

다. LCD 1개 모델의 경우 3GB, OLED 2개 모델의 경우 4GB DRAM 탑재가 예상된다. 전 모델 대

비 평균 30% 증가한 수치다.

그림 44. DRAM 어플리케이션 비중 추이 및 전망 그림 45. DRAM 수요 추이 및 전망


그림 46. 서버 DRAM 탑재량 및 증가율 추이 그림 47. iPhone 시리즈 DRAM 탑재 추이 및 전망

자료: 미래에셋대우 리서치센터 자료: GSMArena, 미래에셋대우 리서치센터

-30

0

30

60

90

0

250

500

750

1,000

1Q16 3Q16 1Q17 3Q17 1Q18F 3Q18F

(%)(GBmn)

서버 DRAM 탑재량 (L)

서버 전체 탑재량 YoY (R)

고성능 서버 탑재량 YoY (R)

33 35 37 40 36 36 37 35 32 32 34 34

18 17 16 15 17 20 21 21 23 23 23 22

0

25

50

75

100

1Q16 3Q16 1Q17 3Q17 1Q18F 3Q18F

(%) 서버 PC Mobile Phone Others

0

12

24

36

48

0

10

20

30

40

1Q15 4Q15 3Q16 2Q17 1Q18F 4Q18F

(%)(십억개, 1Gb) Tablet PC 가전기타 PCPC 주변장치 서버Mobile Phone YoY (R)

3GB 예상

4GB 예상

0 1 2 3 4 5

iPhone 3G

iPhone 3GS

iPhone 4/4S

iPhone 5/5S

iPhone 6/6 plus

iPhone 6S

iPhone 7

iPhone 8/8+

iPhone X

iPhone next(LCD)

iPhone next(OLED)

(GB)

반도체


그림 48. 서버 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률 그림 49. 고성능 서버 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률


그림 50. 스마트폰 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률 그림 51. 테블릿PC 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률


그림 52. PC 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률 그림 53. TV 출하량, DRAM 컨텐츠 및 Bit 성장률


32.6 33.8

45.6 39.7

37.3

-20

0

20

40

60

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률

대당 탑재용량 성장률

Bit growth

-4.7

22.1 22.7

52.4

25.5

-25

0

25

50

75

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률


Bit growth

10.4 2.2

-0.5 2.1 3.2

64.9

49.8

19.3 11.1

17.9

-30

0

30

60

90

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률


Bit growth

26.1

18.1 15.9

24.0 22.1

-20

0

20

40

60

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률


Bit growth

18.2

0.6 5.5

2.9 3.0

-20

0

20

40

60

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률


Bit growth

-10.7

0.8

5.6 4.5

10.4

-20

-10

0

10

20

2015 2016 2017 2018F 2019F

(%)

출하량 성장률


Bit growth

반도체


3) DRAM 가격

DRAM은 제조업체간 성능의 차이가 크지 않다. 오로지 정해진 사양 내에서 가격을 통해서만 경쟁

한다. 과거부터 공정 미세화을 통한 DRAM 가격 인하는 지속되어 왔다. 원가 경쟁력이 없는 후발

업체들은 시장에서 자취를 감췄다.

공교롭게도 가격경쟁 끝에 도래한 과점상태에서 IT 산업의 구조 변화가 찾아왔다. 인공지능/머신러

닝 등의 시장이 열린 것이다. GPU/CPU/Memory 등의 성능이 좋아져 이론뿐이던 기술을 실현할

수 있게 된 요인이 주요하다. 기술의 실현으로 수요가 급증했다. 이미 가격 경쟁이 끝난 과점상태에

서 서버 DRAM 수요가 증가하면서 가격이 상승했다. 향후 충분한 수요 속에 공급의 조절이 결국 가격

을 결정할 것이다.

과거에 비해 추가적인 공급량 증대도 제한적이다. 공정 난이도가 올라갔기 때문이다. 내년 이후 증

설이 많은 것은 향후의 Capa 부족 상황을 대비하는 측면도 있다. 수요의 증가는 가속화 될 것이기

때문이다. 연내 Capa 증설이 DRAM 가격의 하락을 일으킨다는 시장의 우려가 있지만, 125K/월 수준

의 증설로는 공정 미세화를 보완하는 수준에서 크게 벗어나지 않는다.

그림 54. 주요(mainstream) DRAM 제품 고정 가격 추이


그림 55. DDR4 4Gb 512Mx8 2133MHz 가격 전망 그림 56. Bit 출하량, 가격 및 시장 성장률 전망

자료: DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터 자료: 미래에셋대우 리서치센터

0

3

5

8

10

05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18

(달러)

DDR2 512Mb 533MHz

DDR2 512Mb 667MHz

DDR2 1Gb 800MHz

DDR3 1Gb 1333MHz

DDR3 2Gb 1333MHz

DDR3 4Gb 1600MHz

DDR4 8Gb 2133MHz

DDR4 4Gb 2133MHz

-50

0

50

100

150

2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018F

(%)

Bit growth

ASP 변동률

매출 성장률

0

15

30

45

60

0

2

4

6

8

16.04 16.12 17.08 18.04 18.12

(%)(US$)

Spread(R)

Spot price(L)

Contract price(L)

반도체


2. NAND 수급 전망

2018년 NAND 시장 규모는 61억 달러으로 전년 대비 13% 성장할 것으로 예상한다. 올해

NAND bit growth는 44.5%로 가정한다. NAND 업체들의 공급량은 3D NAND 64단/72단 비중이

커지면서 급격히 증가할 전망이다.

수요의 경우, 주목할 만한 부분은 앞서 언급한 Enterprise SSD 시장의 확대다. 대당 용량이 크고

한번 채용하면 HDD로 회귀하기 어렵기 때문에 꾸준한 성장세를 이룰 수 있다. 선두업체들의 품질

테스트가 마무리 단계인 것으로 판단된다. 향후 3D 전환에 따른 Bit growth를 감당할 수 있을 것으

로 예상한다.

NAND 2D 고정 가격은 작년 상반기 이후부터 하락하지 않고 유지되고 있다. 3D NAND Capa 및

DRAM으로 전환하면서 상대적인 공급 부족이 일어난 것으로 판단한다. NAND 전체의 ASP는

17% 하락할 것으로 예상한다. 3D NAND, TLC를 통한 공급 증가 요인들이 있어 평균 가격 하락

율이 DRAM에 비해 크다. 다만, NAND의 경우 대체재의 성격상 가격이 낮아지면 스마트폰 탑재량 증

가와 SSD 교체 수요가 가속화 될 가능성이 있다.

그림 57. 글로벌 NAND 수급 추이 및 전망


그림 58. SSD 업체 시장 점유율 그림 59. NAND 생산업체 시장 점유율

자료: Gartner, 미래에셋대우 리서치센터 자료: DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터

-15

-10

-5

0

5

0

20

40

60

80

1Q09 1Q10 1Q11 1Q12 1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18F

공급 (L) 수요 (L) 공급과잉률 (R)

(8Gb eq, 십억개) (%)

0

10

20

30

40

1Q14 1Q15 1Q16 1Q17

(%) Samsung Toshiba WDC(SanDisk)

Micron SK Hynix Intel

37.8

11.611.2

2.8

삼성전자

Intel

Western Digital

Toshiba

Micron

Kingston

SK hynix

Sandisk

Others

반도체


1) NAND 공급

2018년 글로벌 NAND 공급 증가율은 44.5%로 예상한다. 웨이퍼 투입량은 전년 대비 0.7% 감

소, 웨이퍼당 bit는 45.5% 증가할 전망이다. DRAM Capa 부족으로 일부 2D NAND 라인을

DRAM 생산으로 전환하거나, 3D NAND로 전환하는 과정에서 웨이퍼 Capa 감소가 있을 예정이

지만 고단수 NAND 전환으로 전체 bit는 증가할 전망이다. 이미 주요 업체가 64단/72단으로 전환

중이다. 올해 연말을 기준으로 64단/72단 이상의 3D NAND 비중은 67%를 초과할 예정이다.

삼성전자의 경우 DRAM과 3D NAND 사이에서 최적의 투자를 저울질 할 수 있는 상황이다. 업황

에 따라 선택의 종류가 많아 유리하다. 평택 P1을 중심으로 3D NAND Capa 확대를 진행하면서

일부 2D NAND 라인을 DRAM, 3D NAND로 전환할 예정이다.

작년 말 대비 연간 웨이퍼 증가량은 20K/월 수준으로 예상한다. 상반기내로 64단의 비중이 50%

를 넘을 것으로 예상하며 연중 96단 양산이 진행될 예정이다.

Toshiba는 실질적으로는 웨이퍼 출하량의 변화가 없다. 작년 하반기중 Fab5의 랜섬웨어 공격으로

인해 일시적 Capa 감소가 100K에 달하는 것으로 알려졌다. 생산 정상화 과정에서 작년 대비 웨이

퍼 Capa 증대가 일어나는 것으로 보일 수 있다.

총 Capa 200K/월에 달하는 Fab4(Flash Alliance)를 중심으로는 3D NAND로의 대규모 전환이

진행될 예정이다. 올해 중으로 64단 3D NAND의 bit 기준 비중은 70%를 초과할 전망이다.

SK하이닉스는 3D NAND 전용라인으로 계획된 M14(2층)의 정상 가동과 M12의 72단 비중 증가

로 bit growth 47%에 도달할 예정이다.

Micron과 Intel은 NAND flash 사업에서 12년 간의 협력을 끝내고 각자 계획을 진행한다.

Micron의 경우에는 싱가폴 생산라인을 중심으로 3D NAND 생산에 집중할 것으로 예상한다. 내년

을 목표로 싱가폴 추가팹을 건설중이다. Intel은 자체 3D NAND 생산 라인으로 구축했던 대련

(Dailian) Fab의 증설과 64단 전환작업을 진행할 것으로 예상된다.

표 9. 업체별 3D NAND 공정 전환 로드맵

업체 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18F 2Q18F 3Q18F 4Q18F

삼성전자 48단 64단 96단

Toshiba 2D 48단 64단 96단

SK하이닉스 2D 48단 72단

Micron/Intel 32단 64단 96단


그림 60. NAND 업체별 웨이퍼 투입량 전망 그림 61. NAND 공정 비중 변화

자료: 미래에셋대우 리서치센터 자료: IHS, 미래에셋대우 리서치센터

0

2,000

4,000

6,000

8,000

Samsung Toshiba Micron/Intel SK Hynix

2016 2017 2018F

(12"기준, 천장/월)

1 3 11

27 39

49 58

0

25

50

75

100

1Q16 3Q16 1Q17 3Q17 1Q18F 3Q18F

(%) 96단 64/72단 48단 32단 2D

반도체


삼성전자: +20K/월


삼성전자 NAND 생산라인 중 가장 오래된 라인이다. 2D NAND 위주로 생산중인 것으로 추정된

다. 노후라인을 3D NAND로 교체 하기에는 투자 효율성이 떨어지기 때문이다. 월 생산 가능

Capa는 120K/월이 유지될 것으로 예상한다.


기존 2D NAND 생산 가능 Capa인 165K/월에서 약 50K/월은 DRAM 생산 라인으로 변경 중이

다. 나머지 115K/월은 3D NAND로 전환 중이다. 웨이퍼 Capa는 유지될 것으로 예상한다.

[16-2라인: -40K/월]

17라인의 일부를 할당해 40K/월 규모로 3D NAND를 생산해왔다. 3D NAND 생산라인은 올해

평택 P1라인 1층으로 이전 중이다. 남은 공간에는 EUV 생산시설을 갖출 것으로 알려져 있으나

그 용도는 미정이다. DRAM과 System LSI의 생산 가능성이 공존한다.

[Xian: -20K/월]

120K 규모의 3D NAND Fab으로 건립되었다. 48단에서 64단으로 변경 중에 있으며 연말까지 전

환이 완료될 것으로 예상한다. 단수 변경에 따른 일부 Capa loss가 예상된다. 올해 중으로 2차 라

인에 대한 투자가 실행 될 예정이며 3D NAND 100K 규모가 될 것으로 추정된다.

[P1(평택, 1층): +50K/월]

1층의 경우 작년 말을 기준으로 투자 마무리 단계인 것으로 추정된다. 현재 3D NAND를 70K/월

생산 중이다. 동시에 화성 16-2라인의 3D NAND 생산시설을 이전 중이다. 총 40K/월을 이전 받

아 연말까지 100K/월을 확보할 예정이다. 현재 대부분 64단과 96단을 양산 중이다. 연내로 96단

의 비중이 커질 것으로 예상한다.

[P1(평택, 2층 서편): +30K/월]

2층 서편의 경우 100K/월의 Capa 중에서 30K는 DRAM, 70K는 NAND으로 생산할 계획이다.

DRAM 라인은 셋팅 중이다. NAND의 경우 연내에는 30K/월 수준의 라인이 우선 가동될 것으로

예상한다. 잔여 공간의 40K/월은 내년부터 진행 될 가능성이 크다.

표 10. 삼성전자 Line별 NAND 웨이퍼 Capa (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Line 12 120 120 120 120 120 120 120 120

Line 16 165 165 165 115 115 115 115 115

Line 16-2 5 10 20 40 30 10

Xian 120 120 120 120 110 110 100 100

P1 1층 10 50 90 90 100 100

P1 2층(서) 10 30

Total 410 415 435 445 465 445 445 465


표 11. 삼성전자 NAND Line별 공정 미세화 전망

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

1ynm 6% 3% 1% 1% 1%

1znm 34% 28% 22% 18% 15% 13% 11% 9%

3D 32단 8% 4% 2% 1% 1%

3D 48단 49% 55% 47% 41% 38% 28% 23% 15%

3D 64단 3% 10% 27% 40% 45% 58% 61% 61%

3D 96단 2% 5% 15%


반도체


Toshiba: +40K/월

[Fab2(Flash Vision): Capa 유지]

기존의 2D NAND 라인을 폐쇄 후 3D NAND 생산 라인으로 리모델링 한 Fab이다. 리모델링 이

후 현재 Capa는 140K/월로 추정된다. 64단을 위주로 생산하고 있다. 연내 추가적인 웨이퍼

Capa 확대 계획은 없을 것으로 예상한다.

[Fab3(Flash Partner): -10K/월]

대부분 2D NAND 생산라인이다. 작년부터 일부 라인을 3D NAND로 전환 중인 것으로 추정된다.

64단 위주로 생산하고 있으며 올해 중 bit 출하량 기준 50%를 초과할 예정이다. 3D 전환에 따른

Capa 자연 감소가 있을 것으로 예상한다.

[Fab4(Flash Alliance): Capa 유지]

Fab3와 마찬가지로 작년부터 2D NAND 라인을 3D NAND 생산 라인으로 전환 중이다. Fab3은

일부 라인이 전환된 것에 반해 Fab4의 경우에는 대량의 전환이 이뤄질 것으로 예상한다. 올해 중

3D 64단 3D NAND 비중은 bit 출하량 기준 70%를 초과할 예정이다. 200K/월의 생산능력 유지

를 위해 추가적인 라인투자와 보완 투자가 병행 될 것으로 예상한다.

[Fab5: 기존시설 대비 -45K/월, 작년 말 대비 +50K/월]

Fab 5는 105K/월 규모의 라인이지만 2017년 하반기 급격히 생산성 감소가 일어났다. 랜섬웨어

공격에 의한 생산 중단 영향 때문이다. 일시적으로 약 95K 가량의 웨이퍼가 처분된 것으로 추정된

다. 현재 정상화와 더불어 3D NAND로 전환이 이뤄진 것으로 예상된다. 전환과 동시에 보완 투자

는 진행되지 않았으며 3D 전환 이전의 기존 Capa 대비 40K/월이 감소했다.

표 12. Toshiba Line별 NAND 웨이퍼 Capa (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Yokkaichi Fab2

(Flash Vision) 40 55 100 140 140 140 140 140

Yokkaichi Fab3

(Flash Partner) 135 130 130 130 130 130 125 120

Yokkaichi Fab4

(Flash Alliance) 200 200 200 200 200 200 200 200

Yokkaichi Fab5 105 95 50 10 20 30 45 60

Total 480 480 480 480 490 500 510 520


표 13. Toshiba NAND Line별 공정 미세화 전망

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

1xnm 5% 3% 2% 1% 1% 1% 1%

1ynm 71% 62% 47% 37% 30% 23% 18% 12%

3D 48단 19% 18% 10% 4% 1% 1% 0%

3D 64단 5% 18% 41% 58% 67% 73% 76% 71%

3D 96단 1% 2% 6% 16%


반도체


SK하이닉스: +60K/월

[M11: Capa 유지]

청주에 위치한 M11과 M12는 동일 건물을 사용하고 있으며 M11이 하층부다. 현재 Capa는

130K/월이다. 생산라인은 2D 에서 3D로 전환 중이며 3D 비중은 연말까지 bit 기준 45%에 이를

것으로 추정된다.

[M12: +20K/월]

2016년 상반기 공식적으로 2D NAND 라인의 3D 전환 작업이 이뤄진 바 있다. 이후 단수 증가

투자와 추가적인 3D 전환이 이뤄진 것으로 추정된다. 연말까지 72단의 생산이 50%을 초과할 것

으로 예상한다. 지속적인 보완 투자로 웨이퍼 Capa는 유지될 것으로 예상한다.

[M14(2층): +40K/월]

초기 투자시에 3D NAND 전용 라인으로 계획 되었다. 이후 DRAM 업황 호조로 인한 공급 부족

으로 일부 DRAM 라인으로 변경 투자 되었다. 2017년 말까지 초기 NAND 생산 장비 입고가 완

료된 것으로 추정된다. 올해에도 일부 장비투자를 지속하여 연말 70K/월 수준에 도달 할 것으로

예상한다. 48단 위주로 생산되고 있으나 72단의 비중이 늘어날 것으로 예상한다.

표 14. SK하이닉스 Line별 NAND 웨이퍼 Capa 및 공정 미세화 전망 (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

M11 130 130 130 130 130 130 130 130

M12 100 90 85 80 100 100 100 100

M14 2층 - - 20 30 40 50 60 70

M15 건설중


Micron/Intel

[Fab6(Manasas)]

현재 40K/월 생산되고 있지만 대부분 2D NAND 이다. 주로 R&D Fab으로 활용된다.

[Fab7/10(Singapore)]

Micron과 Intel의 Joint venture 싱가폴 법인인 IMFS이 설립한 생산 라인이다. 최근 Intel은 지분

을 철수 했다. 대부분 3D NAND를 생산하는 것으로 추정된다. 현재 생산 Capa는 Fab7과 Fab10

을 합하여 135K/월 이며 연중 유지될 것으로 예상한다.

[Daian Fab]

Intel이 3D NAND 생산을 위해 독자적으로 중국에 설립한 Fab이다. 현재 생산능력은 50K/일 수

준이며 Capa 증설과 동시에 64단 전환작업이 이뤄질 것으로 예상한다.

표 15. Micron/Intel Line별 NAND 웨이퍼 Capa 및 공정 미세화 전망 (천장/월)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18E 2Q18F 3Q18F 4Q18F

Fab6(Manassas) 40 40 40 40 40 40 40 40

Fab7/10(Singapore)

IMFS (JV w/ Intel) 135 140 150 135 135 135 135 135

DaLian 20 30 35 40 45 50 70 80


반도체


2) NAND 수요

2018년 NAND 수요는 bit 기준으로 36.1% 증가할 것으로 예상한다. 앞서 서술했듯이

Enterprise SSD를 중심으로 한 SSD의 확장이 NAND 수요 증가를 견인할 것이다. NAND 어플리

케이션 중 유일하게 향후 2년간 50% 이상의 고성장을 기록할 전망이다. NAND 가격 하락으로

Customer SSD의 출하량 증가도 예상한다.

스마트폰의 출하량은 작년 대비 2.1% 증가에 그치겠지만, 그로 인해 평균 탑재 용량은 50GB로 20%

늘어날 것으로 전망한다. 하반기는 아이폰 신모델이 출시 예정이다. 전작인 iPhone X 출시 전 논의

에 그쳤던 512GB NAND의 탑재여부에 관심을 가질 만 하다. 일부 스마트폰의 경우 가격이 비싸

진 DRAM의 탑재량을 동결하거나 축소함과 동시에 NAND 용량을 늘리는 전략을 취할 것으로 예

상된다.

장기적으로는 UFS 수요의 증가가 기대된다. UFS는 NAND와 LPDDR DRAM, 컨트롤러를 모듈

화한 모바일 전용 메모리 모듈이다. eMCP와 유사하지만 속도의 측면에서 최대 6배이상 빠르다.

그 동안 용량의 측면에서만 논의되었던 모바일 NAND가 속도까지 고려하기 시작했다는 점에서 의미가

있다.

그림 62. NAND 수요 추이 및 전망 그림 63. NAND 어플리케이션 水曜 증가율 추이 및 전망


그림 64. Storage 용량 64G 이상 스마트폰 수량 추이 그림 65. 모바일 Storage 출하량 전망

자료: 미래에셋대우 리서치센터 자료: Gartner, 미래에셋대우 리서치센터

0

20

40

60

80

0

20

40

60

80

1Q15 4Q15 3Q16 2Q17 1Q18F 4Q18F

(%)(십억개, 8Gb)기타 USB메모리카드 SSD테블릿PC 스마트폰YoY (R)

-30

0

30

60

90

스마트폰 테블릿PC SSD 메모리카드 USB

(%)2015 2016 2017 2018F 2019F

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17

(%)(백만대)

출하량 (L) YoY (R)

70.5 130.7 173.2 260.6433.9

0

600

1,200

1,800

2,400

2016 2017 2018F 2019F 2020F 2021F

(백만개)

uMCP eMCP eMMC UFS

반도체


UFS의 경우 현재 수량기준으로 1.3억개 수준에 그치지만 향후 연평균 53%로 성장하여 2021년

4.3억개 수준에 이를 것으로 전망한다. DRAM과 NAND를 함께 모듈화 하는 UFS의 경우

DRAM, NAND, 컨트롤러 모든 분야에 강점이 있는 업체에 특히 유리하다.

그림 66. eMMC, UFS 구조


그림 67. eMCP, uMCP 구조


반도체


3) NAND 가격

지난 10년(2008~2017년) 동안 NAND 출하량(bit growth)은 연평균 50.5% 증가했다. 반면 같은

기간 동안 가격은 연평균 22.3% 하락해 전체 NAND 시장 규모는 연평균 17.9% 성장했다.

NAND 가격은 DRAM에 비해 강한 하락 압력을 받는다. 그 이유는 첫째, DRAM 보다 단순한 구조

로 인해 공정 미세화가 빠르게 진행되었고 3D 적층이 가능해 단위 용량당 가격을 크게 낮출 수 있

다. 둘째, HDD등 대체제가 있다. 반면, DRAM은 대체재가 없다. 셋째, 과점화 된 DRAM에 비해

경쟁자가 많다. 대신에, 가격 하락이 일정부분 지속되면 수요가 촉발된다.

최근 지속적인 Capex 투입에 따른 공급 과잉 우려와 중국 경쟁자 진입이 언급 되면서도 NAND

가격은 견조하게 나타난다. 2D NAND와 3D NAND 각각의 이유는 각각 찾아볼 수 있다. 2D

NAND의 경우, 기존 시설들의 3D 전환으로 인한 공급 부족으로 가격이 유지 되는 것으로 추정된다.

3D NAND의 경우에는 늘어나는 공급물량에도 불구하고 SSD향 수요 증가로 수급 상황을 유지하

는 것으로 예상된다.

이러한 수급 상황에서 2D NAND의 경우 제한된 공급이 이뤄지고 있지만, 수요 부진시 가격 하락

이 진행될 것으로 예상한다. 반면, 3D NAND의 경우에는 가격이 하락이 수요 증가를 유도 하면서 매

출액 성장세를 유지할 것으로 예상한다.

그림 68. 주요(mainstream) NAND 제품 공정 가격 추이


그림 69. 64Gb 8Gx8 MLC 가격 흐름 그림 70. 출하량(Bit), 가격 및 시장 성장률 전망


-20

0

20

40

60

0

2

4

6

8

14.01 14.11 15.09 16.07 17.05 18.03

(%)(US$)

Spread(R)

Spot price(L)

Contract price(L)

0

4

8

12

16

06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18

(US$)

2Gb SLC 256Mx8

4Gb MLC 512Mx8

8Gb MLC 1Gx8

16Gb MLC 2Gx8

32Gb MLC 4Gx8

64Gb MLC 8Gx8 128Gb MLC 16Gx8

-100

0

100

200

300

2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018F

(%)

Bit growth

ASP 변동률

매출 성장률

반도체


III. 2018년 투자전략

전방 산업: 인터넷 사업자(ISP)의 데이터센터 증설 지속

전방산업의 투자는 증가하고 있다. 선두권 인터넷 사업자들의 실적 컨퍼런스 콜에서 전년대비 증

가한 Capex 투자 계획을 밝히고 있다. Google는 1분기 Capex가 77억달러임을 공개했다. 전년

동기대비 190% 증가한 금액이다. Facebook의 1분기 Capex도 28억달러로 전년동기대비 120%

증가한 금액임을 발표 했다. 이처럼 전방 산업의 투자는 지속되고 있다.

DRAM의 수요 성장률은 21%로 예상한다. 서버 중에서도 특히 인공지능, 머신러닝과 관계가 깊은

High-end 서버향 DRAM 수요가 클 것으로 예상한다. NAND의 경우에도 36%의 높은 수요 증가

가 예상된다. 데이터센터를 포함한 Enterprise향 SSD 수요가 7% 성장할 전망이다.

후방 산업: 장비업체 하반기 가이던스 소극적

투자가 지속되는 전방산업과 달리 메모리 업체의 Capex 집행은 신중하게 이뤄지고 있는 것으로

판단된다. 노광기 제조사인 ASML의 경우 2018년 EUV 예상 출하 대수를 22개에서 20개로

10% 하향 조정 했다. 메모리 부문 신규 수주의 경우에도 전 분기대비 47% 감소한 10.5억달러임

을 밝혔다. Lam research의 경우에도 하반기의 투자규모가 상반기에 미치지 못할 가능성을 언급

했다.

메모리 업체들의 추가적인 웨이퍼 Capa의 증설은 작년 말을 기준으로 DRAM +125K/월, NAND

+160K/월 규모로 제한적이다. 업계 가이던스 평균인 DRAM bit growth +20%, NAND bit

growth +40%를 달성하기 위해서는 DRAM 공정 미세화 NAND 고단수 비중확대가 이뤄져야 한

다. 또한 이에 따르는 웨이퍼 자연감소에 대한 보완 투자가 지속적으로 이뤄질 것으로 예상한다.

따라서, 현재 투자심리 대비 수급이 양호할 것으로 판단되는 메모리업체, 보완투자에 소요될 반도

체 소재/장비업체 순으로 투자 대상을 제안한다.

그림 71. 국내 메모리 제조사 주가 추이 그림 72. 국내 반도체 장비/소재 업체 주가 추이

자료: Quantiwise, 미래에셋대우 리서치센터 자료: Quantiwise, 미래에셋대우 리서치센터

50

100

150

200

250

16.12 17.3 17.6 17.9 17.12 18.3

삼성전자

SK하이닉스

50

100

150

200

250

16.12 17.3 17.6 17.9 17.12 18.3

SK머티리얼즈

솔브레인

원익IPS

테스

한솔케미칼

유진테크

반도체


IV. Global Peers

1) 글로벌 메모리 반도체 업체

표 16. 글로벌 메모리 업체 실적 관련 지표 (십억원,%)

회사명 주가상승률

시가총액 매출액 영업이익 영업이익률 순이익

-1M -3M 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

SK하이닉스 8.5 15.7 63,409 40,152 41,357 43,317 20,009 18,474 18,048 49.8 44.7 41.7 14,841 13,960 13,730

삼성전자 8.1 3.5 334,704 259,128 268,889 276,338 63,056 62,895 66,709 24.3 23.4 24.1 47,751 47,698 50,583

Micron -8.9 9.8 58,879 31,487 32,637 32,087 15,196 15,062 13,690 48.3 46.1 42.7 13,387 12,916 13,665

Intel 1.2 5.5 262,517 72,170 74,323 77,805 22,436 23,644 25,971 31.1 31.8 33.4 18,667 18,932 19,718

WDC -12.3 -7.5 25,712 22,181 23,007 23,509 5,805 5,455 5,041 26.2 23.7 21.4 648 2,773 2,573

Nanya 0.9 18.1 10,106 3,169 3,484 3,508 1,436 1,464 1,210 45.3 42.0 34.5 1,349 1,483 1,524

메모리 평균 -0.4 7.5 37.5 35.3 33.0


표 17. 글로벌 메모리 업체 주가 관련 지표 (배, %)

회사명 ROE PER PBR EV/EBITDA

18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

SK하이닉스 36.6 26.0 20.8 4.2 4.5 4.5 1.3 1.0 0.9 2.2 2.3 2.2

삼성전자 20.9 18.1 17.0 7.4 7.2 6.8 1.4 1.3 1.1 3.0 3.0 2.8

Micron 52.6 29.2 17.2 4.3 4.7 5.6 1.8 1.3 1.1 3.0 3.1 3.6

Intel 15.5 22.0 20.4 13.9 13.2 12.3 3.2 2.8 2.5 9.1 8.4 8.1

WDC 37.6 29.8 22.7 5.6 6.0 6.3 2.0 1.7 1.5 3.9 4.5 5.3

Nanya 25.8 24.0 19.1 7.5 6.8 6.8 1.8 1.6 1.4 4.7 4.5 4.9

메모리 평균 31.5 24.8 19.5 7.2 7.0 7.1 1.9 1.6 1.4 4.3 4.3 4.5


그림 73. 글로벌 메모리 업체 PBR-ROE 비교 그림 74. 글로벌 메모리 업체 EV/EBITDA-EBITDA Growth 비교


SK하이닉스

삼성전자 Micron

WDCNanya

0.0

0.6

1.2

1.8

2.4

15 20 25 30 35

(ROE, %)

(PBR, 배)

SK하이닉스

삼성전자Micron

Intel

WDC Nanya

0.0

3.0

6.0

9.0

12.0

-15 -10 -5 0 5 10

(EBITDA growth, %)

(EV/EBITDA, x)

반도체


2) 글로벌 비메모리 반도체 업체

표 18. 글로벌 비메모리 업체 실적 관련 지표 (십억원,%)



-1M -3M 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

실리콘웍스 2.8 -27.1 636 781 914 950 60 85 71 7.6 9.3 7.5 54 75 66

Intel 1.2 5.5 262,517 72,170 74,323 77,805 22,436 23,644 25,971 31.1 31.8 33.4 18,667 18,932 19,718

Qualcomm -7.8 -24.1 80,956 23,914 25,375 26,424 5,563 6,774 7,690 23.3 26.7 29.1 -4,393 4,739 4,568

Texas Instrument -1.3 -9.0 107,666 17,239 17,977 18,865 7,253 7,602 8,189 42.1 42.3 43.4 5,842 6,425 6,837

Broadcom -1.2 -5.2 102,150 22,797 24,098 25,271 10,979 11,887 12,565 48.2 49.3 49.7 9,212 5,163 7,447

Mediatek 2.6 10.2 19,408 9,197 10,298 11,545 765 1,140 1,410 8.3 11.1 12.2 928 1,199 1,395

NVIDIA -2.3 -8.3 146,781 13,270 15,210 18,245 5,328 6,111 7,842 40.2 40.2 43.0 4,219 4,852 5,465

AMD 10.5 -16.6 11,503 7,230 7,657 7,607 724 890 1,163 10.0 11.6 15.3 408 572 693

비메모리 평균 0.6 -9.3 26.3 27.8 29.2


표 19. 글로벌 비메모리 업체 주가 관련 지표 (배, %)


18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

실리콘웍스 12.6 15.7 12.6 11.8 8.5 9.6 1.4 1.3 1.2 5.5 4.0 4.8

Intel 15.5 22.0 20.4 13.9 13.2 12.3 3.2 2.8 2.5 9.1 8.4 8.1

Qualcomm 28.8 19.9 20.2 15.7 14.3 13.2 3.2 3.2 3.3 13.2 7.0 4.6

Texas Instrument 50.5 53.5 53.4 18.6 17.0 16.1 9.3 8.8 8.2 13.3 12.7 11.7

Broadcom 34.8 25.7 27.7 11.7 11.1 10.4 3.6 3.3 3.0 10.3 9.1 8.7

Mediatek 9.6 11.8 12.8 21.3 16.7 14.2 2.0 1.9 1.7 15.2 10.8 9.2

NVIDIA 43.8 34.9 28.8 33.0 28.2 23.9 12.3 9.2 7.0 26.6 23.1 20.2

AMD 53.1 39.5 31.8 25.3 19.6 18.8 11.1 7.2 5.2 13.4 11.1 -

비메모리 평균 31.1 27.9 26.0 18.9 16.1 14.8 5.8 4.7 4.0 13.3 10.8 9.6


그림 75. 글로벌 비메모리 업체 PBR-ROE 비교 그림 76. 글로벌 비메모리 업체 EV/EBITDA-EBITDA Growth 비교


실리콘웍스

Qualcomm Broadcom

TI

IntelMediatek

NVIDIA

AMD

0.0

3.0

6.0

9.0

12.0

0 20 40 60

(ROE, %)

(PBR, 배)

실리콘웍스

IntelQualcomm

TI

Broadcom

Mediatek

NVIDIA

AMD

0.0

6.0

12.0

18.0

24.0

0 20 40 60 80 100

(EBITDA growth, %)

(EV/EBITDA, x)

반도체


3) 글로벌 반도체 장비업체

표 20. 글로벌 반도체장비 업체 실적 관련 지표 (십억원,%)



-1M -3M 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

원익IPS 6.1 0.6 1,438 744 850 916 153 176 192 20.5 20.7 21.0 120 137 148

에스에프에이 -7.6 -21.0 1,154 1,774 1,938 1,948 202 224 221 11.4 11.6 11.4 154 174 175

한미반도체 -1.8 -11.7 693 258 299 - 70 84 - 27.2 28.0 - 56 65 -

유진테크 3.2 -16.8 442 219 257 283 53 64 71 24.3 25.1 25.1 46 55 62

ASML -0.6 -3.0 88,903 13,631 14,837 16,093 3,770 4,409 5,342 27.7 29.7 33.2 3,179 3,819 4,730

AMAT -11.2 -10.7 55,452 18,942 20,000 20,981 5,608 5,993 6,385 29.6 30.0 30.4 3,638 4,728 4,902

TEL -6.7 -10.3 34,875 15,827 16,609 17,303 2,690 2,900 3,079 17.0 17.5 17.8 1,463 2,247 2,352

Lam research -7.8 -4.4 32,819 11,932 12,842 13,543 3,571 3,863 4,147 29.9 30.1 30.6 2,374 3,024 3,350

KLA-Tencor -6.3 -8.9 17,016 4,272 4,610 4,808 1,643 1,820 1,951 38.5 39.5 40.6 847 1,436 1,544

Screen holdings -4.3 -8.7 4,482 3,374 3,697 3,834 422 510 533 12.5 13.8 13.9 280 346 372

Daifuku -5.0 -21.7 7,291 4,106 4,669 4,906 392 477 512 9.5 10.2 10.4 276 340 363

Ulvac 0.0 -23.2 2,847 2,524 2,667 2,686 362 399 416 14.4 15.0 15.5 304 316 329

비메모리 평균 -3.5 -11.7 21.9 22.6 22.7


표 21. 글로벌 반도체 장비업체 주가 관련 지표 (배, %)


18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F 18F 19F 20F

원익IPS 31.5 25.8 22.4 11.9 10.5 9.7 3.4 2.6 2.1 8.0 7.0 6.4

에스에프에이 19.0 18.8 17.2 7.5 6.6 6.6 1.3 1.2 1.1 3.6 3.4 3.5

한미반도체 26.4 24.8 - 12.5 10.7 - 2.5 2.0 - 8.4 7.1 -

유진테크 18.3 18.7 17.7 9.5 7.9 7.1 1.6 1.4 1.2 6.1 5.1 4.7

ASML 22.3 24.0 29.0 27.8 23.0 18.1 5.8 5.2 4.7 20.9 18.2 15.0

AMAT 43.2 43.3 43.1 11.0 10.7 9.6 5.7 4.9 4.2 8.9 8.3 8.1

TEL 18.1 20.0 20.3 16.7 15.4 14.1 3.3 2.9 2.6 11.3 10.6 9.9

Lam research 35.5 29.8 14.7 10.7 10.7 10.0 4.3 3.7 2.8 7.6 7.2 6.8

KLA-Tencor 70.2 65.7 48.6 13.1 11.8 11.4 10.0 6.4 4.6 9.7 8.7 8.3

Screen holdings 18.2 19.8 18.2 15.1 12.2 11.4 2.5 2.1 1.8 8.7 7.2 6.8

Daifuku 17.7 18.5 17.5 26.3 21.6 20.1 4.2 3.7 3.3 16.0 13.0 12.2

Ulvac 26.5 22.2 19.0 9.5 9.2 8.8 2.2 1.8 1.5 6.1 5.6 5.4

비메모리 평균 28.9 27.6 24.3 14.3 12.5 11.5 3.9 3.2 2.7 9.6 8.4 7.9


그림 77. 글로벌 반도체 장비업체 PBR-ROE 비교 그림 78. 글로벌 반도체 장비업체 EV/EBITDA-EBITDA Growth 비교


원익IPS

에스에프에이

한미반도체

유진테크

ASMLAMAT

TEL

Lam

research

Screen

holdings

Daifuku

Ulvac

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10 20 30 40 50

(ROE, %)

(PBR, 배)

원익IPS

에스에프에이

한미반도체

유진테크

AMAT

TEL

Lam

research

KLA-Tencor

Screen

holdings

Ulvac

0.0

3.0

6.0

9.0

12.0

0 5 10 15 20 25

(EBITDA growth, %)

(EV/EBITDA, x)

반도체


그림 79. 글로벌 메모리 업체 상대주가 추이 (I) 그림 80. 글로벌 메모리 업체 상대주가 추이 (II)

자료: Datastream, 미래에셋대우 리서치센터 자료: Datastream, 미래에셋대우 리서치센터

그림 81. 글로벌 비메모리 업체 상대주가 추이 (I) 그림 82. 글로벌 비메모리 업체 상대주가 추이 (II)


그림 83. 글로벌 반도체 장비업체 상대주가 추이 (I) 그림 84. 글로벌 반도체 장비업체 상대주가 추이 (II)


70

100

130

160

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

SK하이닉스 삼성전자 Micron

(-3M=100)

(18.01.27)

60

85

110

135

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

Intel WDC Nanya

(-3M=100)

(18.01.27)

40

70

100

130

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

실리콘웍스 Intel Qualcomm Broadcom

(-3M=100)

(18.01.27)

60

85

110

135

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

Mediatek NVIDIA AMD

(-3M=100)

(18.01.27)

70

90

110

130

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

원익IPS 에스에프에이

한미반도체 유진테크(-3M=100)

(18.01.27)

60

80

100

120

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

ASML AMAT

TEL Lam research

(-3M=100)

(18.01.27)

반도체


Top Pick

SK하이닉스 (000660/매수) 리레이팅 요건 충족

투자포인트 1. Enterprise SSD 성장으로 NAND 이익 안정성 확보

투자포인트 2. 서버 DRAM 업황 지속으로 성장성 견인

목표주가 120,000원으로 커버리지 개시

반도체


40 Mirae Asset Daewoo Research

목표주가 120,000원으로 커버리지 개시

2018년 매출액은 41.6조원(YoY +38%), 영업이익은 21.9조원(YoY +64%)으로 예상한다. 데

이터센터 서버향 호황이 지속됨에 따라 DRAM이 금년도 매출액과 이익 성장을 견인할 것으로

전망한다. 이익의 수준을 한 단계 높이는 계기는 NAND가 마련할 것으로 예상한다.

궤도에 오른 DRAM과 계절성이 사라진 NAND, 리레이팅의 가장 큰 요건 두가지가 충족되었다.

지정학적 할인 요인은 ‘새로운 시작’을 맞이했다. Micron의 18F P/B 1.4배 대비 20% 저평가

받을 이유를 찾기 어렵다. 동사는 OP 21.9조, ROE 40%가 예상 되는 18F P/B 1.2배 업체다.


올해의 NAND 매출액은 8.8조원(YoY +33%), 영업이익은 1.9조원(YoY +25%)를 기록할 전망이

다. ASP는 10% 하락할 것으로 예상한다. 업계의 64단/72단 3D NAND의 생산 비중이 늘어

나면서 수급이 완화될 가능성이 높다. 연간 Bit growth는 +47%로 예상한다.

대체재가 존재하는 SSD의 경우, 상대적으로 업체들의 가격 민감도가 높다. 완화된 수급으로

ASP가 낮아짐에 따라 Enterprise SSD 고객사의 수요를 촉진할 수 있을 것으로 기대한다. 때

마침 제품 인증도 성공적으로 진행 중이다.

동사의 NAND 사업부문은 과거 비수기 실적이 적자까지 하락하는 계절성을 보여 왔다. 특정 스마

트폰에 대한 의존도가 높았기 때문이다. Enterprise향 매출이 증가할 경우, 연중 안정적인 매출액

을 확보 할 수 있다. 이익의 수준도 한 단계 높아진다.


올해의 DRAM 영업이익은 19.9조원(YoY +62%)를 기록할 것으로 예상한다. 공급은 여전히 부족

하다. 동종업체 전반적으로 미세화 공정에 어려움을 겪고 있다. 업체들은 일부 증설과 동시에

NAND Capa를 DRAM용으로 전환하는 등 출하량 성장을 시도하고 있다. 그럼에도 불구하고,

클린룸 장비 도입 스케줄을 고려하면 20% Bit growth는 불투명하다.

타이트한 수급으로 인해 가격이 고가로 유지되는 상황에서도 수요는 견조하다. 글로벌 인터넷

기업에게 DRAM 구매는 비용이 아니다. 투자다. 초대형 데이터센터의 구축이 지속되고 있다. 일

례로 Facebook의 1Q18 Capex는 28억달러로 전년 동기대비 121% 증가했다. 2018년 예상

Capex는 150억달러임을 밝혔다. 전년 대비 120% 증가한 규모다.

SK하이닉스 (000660)

리레이팅 요건 충족

반도체

투자의견(신규) 매수

목표주가(12M,신규) 120,000원

현재주가(18/04/27) 87,100원

상승여력 38%

영업이익(18F,십억원) 21,883

Consensus 영업이익(18F,십억원) 19,929

EPS 성장률(18F,%) 60.2

MKT EPS 성장률(18F,%) 15.7

P/E(18F,x) 3.7

MKT P/E(18F,x) 9.5

KOSPI 2,492.40

시가총액(십억원) 63,409

발행주식수(백만주) 728

유동주식비율(%) 76.9

외국인 보유비중(%) 49.9

베타(12M) 일간수익률 1.32

52주 최저가(원) 53,600

52주 최고가(원) 90,700

주가상승률(%) 1개월 6개월 12개월

절대주가 7.0 11.1 62.5

상대주가 5.3 11.3 44.1

결산기 (12월) 12/14 12/15 12/16 12/17 12/18F 12/19F

매출액 (십억원) 17,126 18,798 17,198 30,109 41,574 42,815

영업이익 (십억원) 5,109 5,336 3,277 13,721 21,883 21,283

영업이익률 (%) 29.8 28.4 19.1 45.6 52.6 49.7

순이익 (십억원) 4,195 4,322 2,954 10,642 17,052 16,633

EPS (원) 5,842 5,937 4,057 14,617 23,422 22,848

ROE (%) 27.0 21.9 13.0 36.8 40.5 28.6

P/E (배) 8.2 5.2 11.0 5.2 3.7 3.8

P/B (배) 1.9 1.0 1.3 1.6 1.2 0.9

배당수익률 (%) 0.6 1.6 1.3 1.3 1.7 2.3

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익

자료: SK하이닉스, 미래에셋대우 리서치센터

[반도체]

김영건

02-3774-1583

[email protected]

90

110

130

150

170

190

17.4 17.8 17.12 18.4

SK하이닉스 KOSPI

반도체


Mirae Asset Daewoo Research 41


올해의 NAND 매출액은 8.8조원(YoY +33%), 영업이익은 1.9조원(YoY +25%)를 기록할 전망이

다. ASP는 10% 하락할 것으로 예상한다. 업계의 64단/72단 3D NAND 생산 비중이 늘어나면서

수급이 완화될 것으로 예상되기 때문이다. 올해 말까지 업계의 64단 이상 전환 비중은 약 77% 수

준으로 예상한다. 연간 Bit growth는 +47%로 예상한다.

대체재가 존재하는 SSD의 경우, 상대적으로 업체들의 가격 민감도가 높다. 완화된 수급으로 ASP

가 낮아짐에 따라 Enterprise SSD 고객사의 수요를 촉진할 수 있을 것으로 기대한다. 때마침 고

객사의 제품 인증도 성공적으로 진행 중이다. 하반기부터 실적에 반영될 가능성이 크다.

동사의 NAND 사업부문은 과거에 스마트폰 업황에 따라 분기 영업적자 ~ 이익 3,000억원 사이를

등락했다. 특정 스마트폰에 대한 의존도가 높았기 때문이다. 또한, 추가적인 가공을 하지 않은

NAND cell 만을 납품하는 방식이라 마진율도 높지 않았다.

SSD의 경우에는 컨트롤러 등 추가적인 부품을 탑재 및 패키징을 거쳐야 하기 때문에 NAND cell

에 비해 마진이 높다. Enterprise향 매출이 증가할 경우, 연중 안정적인 매출액을 확보 할 수 있다.

한 단계 높아진 이익을 기대할 수 있다.

그림 85. NAND 공정 전환 비중 그림 86. SK하이닉스 NAND 출하량 및 Bit growth

자료: IHS. 미래에셋대우 리서치센터 자료: 미래에셋대우 리서치센터

그림 87. SK하이닉스 NAND 매출액 및 영업이익률 그림 88. SSD향 NAND 수요 및 증가율

자료: SK하이닉스, 미래에셋대우 리서치센터 자료: 미래에셋대우 리서치센터

-20

0

20

40

60

-300

0

300

600

900

1Q11 1Q13 1Q15 1Q17 1Q19F

(%)(십억원)

NAND 매출액 (L)

NAND 영업이익률 (R)

0

25

50

75

100

1Q17 3Q17 1Q18 3Q18F

(%)

96단

64/72단

48단

32/36단

24단

2D NAND

0

20

40

60

80

0

10

20

30

40

1Q17 3Q17 1Q18F 3Q18F

(%)(십억GB)

SSD향 NAND 용량 수요 (L)

YoY (R)

-20

0

20

40

60

0

1,500

3,000

4,500

6,000

1Q15 1Q16 1Q17 1Q18P

Shipment (L) Bit growth (R)

(16Gb, mn units) (%)

반도체




올해의 DRAM 영업이익은 19.9조원(YoY +62%)를 기록할 것으로 예상한다. 동종업체 전반적으

로 1xnm/1ynm 공정 전환에 어려움을 겪고 있다. 업체들은 일부 증설과 동시에 NAND Capa를

DRAM용으로 전환하는 등 출하량 성장을 시도하고 있다. 그럼에도 불구하고, 클린룸 장비 도입

스케줄을 고려하면 20% Bit growth를 달성하기 어려운 상황이다.

타이트한 수급으로 인해 가격이 고가로 유지되는 상황에서도 수요는 견조하다. 글로벌 인터넷 기업

들은 DRAM 구매를 비용 측면에서 접근하지 않는다. 더 많은 수익을 얻기 위한 시설투자의 측면

으로 바라보는 것이 바람직하다. 대표적인 서버 구매 고객인 Facebook은 1분기 실적 설명회에서

2018년 예상 Capex는 150억달러임을 밝혔다. 전년 대비 120% 증가한 규모다.

Valuation

서버 호황이 지속됨에 따라 DRAM이 매출액과 이익 성장을 견인할 것으로 전망한다. 이익의 수준

을 한 단계 높이는 계기는 Enterprise SSD가 마련할 것으로 기대한다. 리레이팅의 주된 요건 두

가지가 충족되었다. Micron의 18F P/B 1.4배 대비 20% 저평가 받을 이유를 찾기 어렵다. 목표주

가는 120,000원을 제시한다. 12개월 Forward BPS 84,612원에 P/B 1.4배를 적용 했다.

그림 89. DRAM 공정 전환 비중 그림 90. Facebook capex 추이

자료: 미래에셋대우 리서치센터 자료: Bloomberg, Facebook, 미래에셋대우 리서치센터

그림 91. SK하이닉스 P/B band 그림 92. SK하이닉스 P/E band


0

40,000

80,000

120,000

160,000

12 13 14 15 16 17 18

(원)

2.9x

4.0x

6.0x

9.0x11.0x

0

40,000

80,000

120,000

160,000

12 13 14 15 16 17 18

(원)

0.7x

1.1x

1.4x

1.7x2.0x

0

25

50

75

100

1Q17 3Q17 1Q18F 3Q18F 1Q19F 3Q19F

(%)

1ynm

1xnm

2znm

2ynm

0

40

80

120

160

0

4

8

12

16

2009 2011 2013 2015 2017

(%)(US$bn)

반도체



표 22. SK하이닉스 실적 추이 및 전망 (십억원)

1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18P 2Q18F 3Q18F 4Q18F 2016 2017 2018F 2019F

매출액 6,290 6,692 8,100 9,028 8,720 10,422 11,012 11,421 17,198 30,109 41,574 43,574

DRAM 4,667 5,113 6,269 6,951 6,889 8,433 8,639 8,590 12,416 23,000 32,551 33,527

NAND 1,522 1,486 1,669 1,986 1,657 1,989 2,373 2,831 4,381 6,662 8,849 10,047

매출비중 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%

DRAM 74% 76% 77% 77% 79% 81% 78% 75% 72% 76% 78% 77%

NAND 24% 22% 21% 22% 19% 19% 22% 25% 25% 22% 21% 23%

영업이익 2,468 3,051 3,737 4,466 4,367 5,608 5,895 6,011 3,277 13,721 21,882 21,557

DRAM 2,189 2,730 3,379 3,959 3,927 5,268 5,391 5,307 3,301 12,258 19,892 19,408

NAND 268 325 344 545 305 341 504 705 -147 1,482 1,855 2,148

영업이익률 39.2% 45.6% 46.1% 49.5% 50.1% 53.8% 53.5% 52.6% 19.1% 45.6% 52.6% 49.5%

DRAM 46.9% 53.4% 53.9% 57.0% 57.0% 62.5% 62.4% 61.8% 26.6% 53.3% 61.1% 57.9%

NAND 17.6% 21.9% 20.6% 27.4% 18.4% 17.1% 21.3% 24.9% -3.4% 22.2% 21.0% 21.4%

당기순이익 1,899 2,469 3,056 3,220 3,199 5,608 5,895 6,011 2,961 10,642 20,714 21,557

순이익률 30.2% 36.9% 37.7% 35.7% 36.7% 53.8% 53.5% 52.6% 17.2% 35.3% 49.8% 49.5%

EBITDA 3,633 4,265 5,046 5,804 5,802 7,132 7,472 7,639 7,733 18,748 28,045 28,793

EBITDA 마진 57.8% 63.7% 62.3% 64.3% 66.5% 68.4% 67.9% 66.9% 45.0% 62.3% 67.5% 66.1%

% QoQ

매출액 17% 6% 21% 11% -3% 20% 6% 4%

DRAM 20% 10% 23% 11% -1% 22% 2% -1%

NAND 12% -2% 12% 19% -17% 20% 19% 19%

영업이익 61% 24% 23% 19% -2% 28% 5% 2%

DRAM 60% 25% 24% 17% -1% 34% 2% -2%

NAND 105% 21% 6% 58% -44% 12% 48% 40%

당기순이익 37% 16% 1% 7% 1% 7% -1% -2%

EBITDA 33% 14% 1% 6% 0% 10% 0% -1%

% YoY

매출액 72% 70% 91% 68% 39% 56% 36% 27% -9% 75% 38% 5%

DRAM 68% 82% 113% 79% 48% 65% 38% 24% -12% 85% 42% 3%

NAND 95% 43% 39% 46% 9% 34% 42% 43% 4% 52% 33% 14%

영업이익 339% 574% 415% 191% 77% 84% 58% 35% -39% 319% 59% -1%

DRAM 214% 390% 399% 189% 79% 93% 60% 34% -35% 271% 62% -2%

NAND 흑전 흑전 14,211% 317% 14% 5% 47% 29% 적전 흑전 25% 16%

당기순이익 155% 297% 170% 73% 28% 18% 16% 6% -33% 139% 15% -6%

EBITDA 87% 170% 134% 61% 22% 17% 16% 8% -26% 100% 15% -5%


표 23. SK하이닉스 실적 추정 주요 가정

DRAM (1Gb eq) 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18P 2Q18F 3Q18F 4Q18F 2016 2017 2018F 2019F

출하량 (백만개) 5,886 6,065 7,095 7,308 6,943 7,984 8,224 8,306 21,033 26,353 31,457 36,177

Bit growth -5% 3% 17% 3% -5% 15% 3% 1% 25% 25% 19% 15%

ASP (달러) 0.7 0.8 0.8 0.9 1.0 1.0 1.0 0.9 0.6 0.9 1.0 0.9

% QoQ 24% 9% 5% 9% 9% 2% -1% -2% -30% 48% 19% -10%

Cost (달러) 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4

% QoQ 4% -7% 4% 0% 4% -7% 0% 0% -19% -7% -1% -3%

NAND (16Gb eq) 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 1Q18P 2Q18F 3Q18F 4Q18F 2016 2017 2018F 2019F

출하량 (백만개) 2,295 2,118 2,453 2,845 2,561 3,073 3,841 4,802 8,475 9,710 14,277 18,753

Bit growth -3% -8% 16% 16% -10% 20% 25% 25% 45% 15% 47% 31%

ASP (달러) 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.5 0.5 0.7 0.6 0.5

% QoQ 15% 8% -3% 4% -1% -3% -5% -5% -28% 33% -10% -14%

Cost (달러) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4

% QoQ 5% 0% -1% -6% 4% 2% -9% -9% -23% -1% -7% -15%

원/달러 환율 1,153 1,130 1,132 1,105 1,073 1,080 1,085 1,090 1,161 1,130 1,082 1,090


반도체



표 24. 글로벌 메모리 업체 실적 지표 (%, 십억원)



-1M -3M 2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F

삼성전자 8.1 3.5 334,704 259,128 268,889 276,338 63,056 62,895 66,709 24.3 23.4 24.1 47,751 47,698 50,583

SK하이닉스 8.5 15.7 63,409 40,152 41,357 43,317 20,009 18,474 18,048 49.8 44.7 41.7 14,841 13,960 13,730

Micron -8.9 9.8 58,879 31,487 32,637 32,087 15,196 15,062 13,690 48.3 46.1 42.7 13,387 12,916 13,665

WDC -12.3 -7.5 25,712 22,181 23,007 23,509 5,805 5,455 5,041 26.2 23.7 21.4 648 2,773 2,573

반도체 평균 -1.2 5.4 37.2 34.5 32.5


표 25. 글로벌 메모리 업체 주가 관련 지표 (배, %)

ROE PER PBR EV/EBITDA

2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F 2017F 2018F 2019F

삼성전자 20.9 18.1 17.0 7.4 7.2 6.8 1.4 1.3 1.1 3.0 3.0 2.8

SK하이닉스 36.6 26.0 20.8 4.2 4.5 4.5 1.3 1.0 0.9 2.2 2.3 2.2

Micron 52.6 29.2 17.2 4.3 4.7 5.6 1.8 1.3 1.1 3.0 3.1 3.6

Toshiba 37.6 29.8 22.7 5.6 6.0 6.3 2.0 1.7 1.5 3.9 4.5 5.3

반도체 평균 36.9 25.8 19.4 5.4 5.6 5.8 1.6 1.3 1.1 3.0 3.2 3.5


그림 93. 글로벌 메모리 업체 PBR-ROE 그래프 그림 94. 글로벌 메모리 업체 EV/EBITDA-EBITDA growth 그래프



그림 95. 글로벌 메모리 업체 상대 주가 추이

자료: Datastream, 미래에셋대우 리서치센터

SK하이닉스

삼성전자 Micron

WDCNanya

0.0

0.6

1.2

1.8

2.4

15 20 25 30 35

(ROE, %)

(PBR, 배)

SK하이닉스

삼성전자Micron

Intel

WDC Nanya

0.0

3.0

6.0

9.0

12.0

-15 -10 -5 0 5 10

(EBITDA growth, %)

(EV/EBITDA, x)

80

95

110

125

140

17.10 17.11 17.12 18.1 18.2 18.3 18.4

삼성전자

SK하이닉스

Micron

Intel

WDC

Nanya

(-3M=100)

반도체



SK하이닉스 (000660)

예상 포괄손익계산서 (요약) 예상 재무상태표 (요약)

(십억원) 12/16 12/17 12/18F 12/19F (십억원) 12/16 12/17 12/18F 12/19F

매출액 17,198 30,109 41,574 42,815 유동자산 9,839 17,310 29,289 39,488

매출원가 10,787 12,702 15,191 13,990 현금 및 현금성자산 614 2,950 11,121 22,436

매출총이익 6,411 17,407 26,383 28,825 매출채권 및 기타채권 3,263 5,564 7,038 6,607

판매비와관리비 3,134 3,686 4,501 7,542 재고자산 2,026 2,640 3,340 3,135

조정영업이익 3,277 13,721 21,883 21,283 기타유동자산 3,936 6,156 7,790 7,310

영업이익 3,277 13,721 21,883 21,283 비유동자산 22,377 28,108 34,720 39,511

비영업손익 -61 -281 -311 -224 관계기업투자등 131 360 455 427

금융손익 -86 -70 12 134 유형자산 18,777 24,063 30,987 36,118

관계기업등 투자손익 23 12 16 18 무형자산 1,916 2,247 1,825 1,517

세전계속사업손익 3,216 13,440 21,572 21,059 자산총계 32,216 45,418 64,009 79,000

계속사업법인세비용 256 2,797 4,527 4,433 유동부채 4,161 8,116 10,063 9,493

계속사업이익 2,960 10,642 17,045 16,627 매입채무 및 기타채무 2,303 3,483 4,406 4,136

중단사업이익 0 0 0 0 단기금융부채 705 774 774 774

당기순이익 2,960 10,642 17,045 16,627 기타유동부채 1,153 3,859 4,883 4,583

지배주주 2,954 10,642 17,052 16,633 비유동부채 4,032 3,481 3,504 3,497

비지배주주 7 1 -7 -6 장기금융부채 3,631 3,397 3,397 3,397

총포괄이익 2,989 10,220 17,045 16,627 기타비유동부채 401 84 107 100

지배주주 2,983 10,221 17,058 16,639 부채총계 8,192 11,598 13,566 12,990

비지배주주 7 -1 -13 -12 지배주주지분 24,017 33,815 50,443 66,017

EBITDA 7,733 18,748 28,397 28,892 자본금 3,658 3,658 3,658 3,658

FCF -407 5,562 10,155 11,868 자본잉여금 4,144 4,144 4,144 4,144

EBITDA 마진율 (%) 45.0 62.3 68.3 67.5 이익잉여금 17,067 27,287 43,915 59,489

영업이익률 (%) 19.1 45.6 52.6 49.7 비지배주주지분 7 6 -1 -7

지배주주귀속 순이익률 (%) 17.2 35.3 41.0 38.8 자본총계 24,024 33,821 50,442 66,010

예상 현금흐름표 (요약) 예상 주당가치 및 valuation (요약)

(십억원) 12/16 12/17 12/18F 12/19F 12/16 12/17 12/18F 12/19F

영업활동으로 인한 현금흐름 5,549 14,691 23,172 24,301 P/E (x) 11.0 5.2 3.7 3.8

당기순이익 2,960 10,642 17,045 16,627 P/CF (x) 4.1 3.0 2.3 2.2

비현금수익비용가감 4,985 7,921 10,934 11,811 P/B (x) 1.3 1.6 1.2 0.9

유형자산감가상각비 4,134 4,619 6,092 7,302 EV/EBITDA (x) 4.2 2.7 1.7 1.3

무형자산상각비 323 407 422 307 EPS (원) 4,057 14,617 23,422 22,848

기타 528 2,895 4,420 4,202 CFPS (원) 10,915 25,499 38,433 39,062

영업활동으로인한자산및부채의변동 -1,459 -3,190 -352 103 BPS (원) 34,051 47,510 70,350 91,743

매출채권 및 기타채권의 감소(증가) -471 -2,964 -1,472 431 DPS (원) 600 1,000 1,500 2,000

재고자산 감소(증가) -111 -635 -700 205 배당성향 (%) 14.3 6.6 6.2 8.5

매입채무 및 기타채무의 증가(감소) -232 515 201 -59 배당수익률 (%) 1.3 1.3 1.7 2.3

법인세납부 -876 -619 -4,527 -4,433 매출액증가율 (%) -8.5 75.1 38.1 3.0

투자활동으로 인한 현금흐름 -6,230 -11,919 -14,517 -11,993 EBITDA증가율 (%) -16.8 142.4 51.5 1.7

유형자산처분(취득) -5,794 -8,883 -13,016 -12,433 조정영업이익증가율 (%) -38.6 318.7 59.5 -2.7

무형자산감소(증가) -529 -782 0 0 EPS증가율 (%) -31.7 260.3 60.2 -2.5

장단기금융자산의 감소(증가) 78 -1,983 -1,501 440 매출채권 회전율 (회) 5.8 6.8 6.6 6.3

기타투자활동 15 -271 0 0 재고자산 회전율 (회) 8.7 12.9 13.9 13.2

재무활동으로 인한 현금흐름 117 -352 -424 -1,059 매입채무 회전율 (회) 14.5 17.5 17.7 15.0

장단기금융부채의 증가(감소) 517 -165 0 0 ROA (%) 9.6 27.4 31.2 23.3

자본의 증가(감소) 0 0 0 0 ROE (%) 13.0 36.8 40.5 28.6

배당금의 지급 -353 -424 -424 -1,059 ROIC (%) 13.7 41.7 54.0 44.4

기타재무활동 -47 237 0 0 부채비율 (%) 34.1 34.3 26.9 19.7

현금의 증가 -562 2,336 8,171 11,314 유동비율 (%) 236.5 213.3 291.1 416.0

기초현금 1,176 614 2,950 11,121 순차입금/자기자본 (%) 0.8 -13.0 -27.8 -37.8

기말현금 614 2,950 11,121 22,436 조정영업이익/금융비용 (x) 27.3 110.7 201.4 195.9

자료: SK하이닉스, 미래에셋대우 리서치센터

반도체



부록: 용어 사전

[반도체 제품 관련 용어]

DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 임의접근기억장치(Random Access Memory)의

한 종류이기 때문에 정보를 읽고 쓰는 것이 가능하나 전원이 공급되고 있는 동안이라도 일정기간

내에 주기적으로 정보를 다시 써넣지 않으면(refresh) 기억된 내용이 사라지는 메모리이다. 그러

나, memory cell(기억소자) 당 가격이 싸고 집적도를 높일 수 있기 때문에 대용량 메모리로 널리

이용되고 있다. 하나의 기억소자는 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성되어 있는데, 예를

들어 16Mb DRAM은 손톱만한 칩속에 트랜지스터와 캐패시터가 각각 1,600만개씩 내장된 고집

적 첨단 메모리 제품으로 신문지 128 페이지 분량의 정보를 저장할 수 있다.

모바일 DRAM (Mobile DRAM) : 모바일 D램은 컴퓨터에 사용되는 D램(Dynamic RAM)과 같이,

모바일 기기에 특화되어 장착되는 D램이다. 주기억장치인 D램은 전원을 끄면 데이터가 소멸되는

휘발성 기억소자로, 보조기억장치보다 읽고 쓰는 속도가 매우 빠르다. 이동성이 강조되는 휴대용

디지털 기기에 적합한 고성능, 저 소비전력 D램으로 'LPDDR(Low Power Double Data Rate) D

램'이라고 한다.

플래시 메모리 (Flash Memory) : 전원이 꺼지면 기억된 정보를 모두 잃어버리는 메모리 반도체인

D램, S램과 달리 플래시 메모리는 데이터를 보존하는 비 휘발성 메모리의 일종이다. 플래시 메모

리는 전기적인 방법으로 정보를 자유롭게 입출력 할 수 있으며, 전력소모가 적고 고속프로그래밍이

가능하다. 전원이 꺼지더라도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 정보의 입출력이 자유

로운 램(RAM)의 장점을 동시에 지닌 특성 때문에 디지털 카메라, MP3, 휴대전화, USB 드라이브

등 휴대형 기기에서 대용량 정보 저장 용도로 사용된다.

낸드 플래시 (NAND Flash) : 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서 데이터를 계속 저장

할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장, 삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면

적에 많은 셀을 만들 수 있도록 되어 있어 대용량이 가능하다. 디지털카메라, 휴대용 저장장치, 컴

퓨터 등에 폭넓게 쓰인다. 향후 컴퓨터의 하드 디스크 드라이버(HDD)를 대체할 수 있는 제품으로

기대된다.

3차원 V 낸드 (3D Vertical NAND) : 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회

로를 쌓아 올려 집적도를 높인 플래시메모리 기술이다. 기존 2차원 평면구조의 메모리 공정이 10

나노급에 달해 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 현상이 심화되는 등 한계를 보이자 이를 극

복하기 위한 대안으로 개발되었다.

TLC & MLC & SLC (Triple Level Cell & Multi Level Cell & Single Level Cell) : Flash 메모리의 경

우 웨이퍼당 칩 생산량을 증가시킬 수 있는 방법으로 미세회로 공정 외에 하나의 메모리 셀에 여

러 개의 데이터를 저장하는 MBPC(Multi Bit Per Cell) 기술이 있다. 셀 당 데이터를 하나만 저장

한 칩을 SLC(Single Level Cell), 두 개를 저장한 칩을 MLC(Multi Level Cell), 세 개를 저장한 칩

을(Triple level cell)이라고 한다. .

eMMC (embedded Multi Media Card) : 멀티미디어 카드 인터페이스를 가진 컨트롤러와 NAND

Flash가 결합된 제품으로 주로 스마트폰, 태블릿PC 등의 모바일 제품의 데이터 저장을 위해 사용

된다. 휴대용이 아닌 내장형이기 때문에 embedded란 단어를 사용한다.

노어 플래시 메모리 (NOR Flash Memory) : 플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따

라 직렬로 연결된 낸드 플래시와 병렬로 연결된 노어 플래시로 구분된다. 낸드 플래시는 용량을 늘

반도체



기 쉽고 쓰기 속도가 빠른 반면 노어 플래시는 읽기 속도가 빠른 장점을 갖고 있다.

RAM (Random Access Memory) : 기억된 정보를 읽어내기도 하고(read) 다른 정보를 쓸 수도 있

는(write) 메모리로서, 전력 공급이 차단되면 데이터가 소실되는 휘발성(volatile) 메모리다. 컴퓨터

의 주기억장치, 응용프로그램의 일시적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다. RAM

에는 일반적으로 동적(dynamic) RAM인 DRAM과 정적(static) RAM인 SRAM이 있다.

ROM (Read Only Memory) : 기억된 정보를 단지 읽어낼 수만 있는 메모리로서, 전력 공급과 무관

하게 데이터가 보존되는 비휘발성(non-volatile) 메모리이다. 컴퓨터의 OS(운영체제), 각종 전자

기기의 고정된 프로그램 등을 저장하는데 사용된다.

SRAM (Static Random Access Memory) : 전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남

아 있는 메모리로서 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 캐패시터로 구성된다. DRAM에

비해 집적도가 1/4정도이지만, 소비전력이 적고 처리속도가 빠르기 때문에 컴퓨터의 캐쉬(cache),

전자오락기 등에 많이 사용된다.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) : 전기적으로(electrically), 지울 수 있고

(erasable), 프로그램 할 수 있는(programmable) 메모리이다.

Mask ROM (Mask Read Only Memory) : 제조공정시 고객이 원하는 정보를 저장함으로써 모니터

등 OA(Office Automation, 사무 자동화) 기기의 문자정보 저장용과 전자게임기의

S/W(Software) 저장용, 전자악기, 전자사전 등으로 널리 이용되고 있다. 특히, 한글 및 한자를 많

이 사용하는 동양문화권 OA에 폭넓게 사용되고 있다.

CMOS 이미지센서 (CMOS Image Sensor, CIS) : 상보형 금속산화 반도체(CMOS,

Complementary Metal Oxide Semiconductor) 구조를 가진 저전력 촬상 소자.이미지센서는 피

사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변환해주는 장치이다. 빛 에너지를 전기적 에너지로 변환해

영상으로 만드는데, 카메라의 필름과 같은 역할을 한다.

시스템 반도체 (System Semiconductor) : 정보를 저장하는 메모리 반도체와 달리 시스템 반도체는

디지털화된 전기적 정보(Data)를 연산하거나 처리(제어, 변환, 가공 등)하는 반도체이다. 시스템 반

도체는 마이크로컴포넌츠(Microcomponents), 아날로그 IC(Analog IC), 로직 IC(Logic IC), 광학

반도체(Optical Semiconductor) 등으로 구분된다.

CPU (Central Processing Unit) : PC 및 노트북의 주 연산 장치이다.

AP (Application Processor) : 스마트 폰 등의 이동통신 단말기에서 각종 응용프로그램(애플리케이

션) 구동과 그래픽 처리를 담당하는 등 핵심 시스템반도체로 PC의 중앙처리장치(CPU)에 해당된

다. CPU와 달리 그래픽처리장치(GPU), 통신칩, 센서, 디스플레이, 멀티미디어 등 여러 기능을 하

나로 합친 SoC(System on chip)로 만들어진다.

ASIC (Application Specific IC) : 고객의 주문에 의해 설계된 특정회로를 반도체 IC로 응용 설계하

여 주문자에게 독점 공급하는 user 전용 규격의 주문형 IC이다. 신속하고 다양한 설계능력을 필요

로 하는 제품으로서, 다품종 소량생산체제에 맞는 유망 사업분야이다.

ASSP (Application Specific Standard Product) : 반도체를 간단하게 분류하면 표준형 반도체

(ASSP)와 주문형 반도체(ASIC)로 나눌 수 있는데, 주문형 반도체는 특정한 제품을 위해 사용되는

제품으로 반도체 생산 업체가 특정 주문에 맞춰 생산하는 제품이다. 반면 표준형 반도체는 규격이

정해져 있어 일정 요건만 갖추면 어떤 전자제품에도 사용할 수 있는 제품이다.

Die : 전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 아주 작은 얇고 네모난 반도체 조각이다. 수동소

자, 능동소자 또는 집적회로가 만들어진 반도체 칩을 말한다.

반도체



메모리 모듈 (Memory Module) : 개별 메모리칩을 유사한 특성을 갖고 있는 제품으로 구분하여, 하

나의 PCB(Printed Circuit Board) 위에 여러 개의 칩을 고밀도 성장하여 메모리용량을 확장시킨

제품이다. 사용자들이 별도로 구입하여 PC에 쉽게 설치할 수 있도록 만들었다.

DIMM (Dual Inline Memory Module) : PCB 양면의 핀이 전기적으로 분리되어 있으며 각각이

CPU와 데이터를 주고 받는다. DIMM은 한 면이 84핀으로 양쪽 168핀이며, 64bit 데이터 폭을 가

진다. 펜티엄 CPU와 SDRAM이 등장한 이후 일반적으로 사용되고 있는 메모리모듈이다.

SIMM (Single Inline Memory Module) : 8bit 대역폭을 가진 30핀과 32bit 대역폭을 지원하는 70

핀 모듈이 있다. 각 핀은 기판 양쪽으로 접속할 수 있도록 되어 있으나 앞면과 뒷면 핀은 전기적으

로 같은 신호를 보낸다. 486 CPU까지 주로 사용된 메모리 Module이다.

SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) : 주로 노트북에 사용되는 소형 메모리모듈

이다.

RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) : 서버, 워크스테이션용으로 사용되는 메모리모

듈이다.

PCB (인쇄 회로 기판, Printed Circuit Board) : 집적 회로, 저항기 또는 스위치 등의 전기적 부품들

이 납땜되는 얇은 판이다. 대부분의 컴퓨터에 사용되는 회로는 이 인쇄 회로 기판에 설치된다.

IC (Integrated Circuit) : 트랜지스터나 다이오드 등 개개의 반도체를 하나씩 따로따로 사용하지 않

고 수많은 전자 회로가 서로 연결되어 하나의 특정한 기능을 지니게 한 집적회로이다.

LCD Driver IC (Liquid Crystal Display Integrated Circuit) : 액정을 이용한 평면디스플레이장치(액정

panel)를 구동 또는 제어하기 위해 필수적인 IC로서, 소형 패널용 문자형 IC와 대형 패널용 문자

형 그래픽 IC로 구분된다.

HDD (하드디스크 드라이브, Hard Disk Drive) : 자성체를 입힌 원판형 알루미늄 기판을 회전시키면

서 자료를 저장하고 읽어 내도록 한 보조기억 장치이다. 디스크가 레코드판처럼 겹쳐져 있는 것으

로, 디스크 위에는 트랙이라고 하는 동심원이 그려져 있다. 이 동심원 안에 데이터를 전자적으로

기록하게 된다. 헤드는 트랙에 정보를 기록하거나 읽어 내는 역할을 한다.

SSD (Solid State Drive) : 하드 디스크 드라이브(HDD)와 비슷하게 동작하면서도 기계적 장치인

HDD와는 달리 반도체(NAND Flash)를 이용하여 정보를 저장한다. 임의접근을 하여 탐색시간 없

이 고속으로 데이터를 입·출력할 수 있으면서도 기계적 지연이나 실패율이 적다. 외부의 충격으로

데이터가 손상되지 않으며, 발열 및 전력소모가 적고, 소형, 경량화할 수 있는 장점이 있다.

Bit & Byte : 메모리 반도체 기억용량의 단위로 사용되며 256Mb은 2억 5,600만개의 bit 데이터를

저장할 수 있는 용량이다. 1Byte는 8bit의 용량과 같은데, 대략적인 저장용량을 살펴보면 10MB

에는 책 1권, 1분 분량의 오디오 CD 정보를 저장할 수 있다. 1GB(1025MB)에는 백과사전, 2시간

분량의 오디오 CD, 15분 분량의 디지털 TV 컨텐츠 정보를 저장할 수 있다. 참고로 최근 주요 스

마트폰의 메모리 용량은 16GB이다.

MHz (Megahertz) : 흔히 DRAM의 종류 중 ‘DDR3 1Gb 1333MHz’의 이름을 가지고 있는

DRAM이 있는데 여기서 1Gb은 용량을, 1333MHz는 속도를 나타낸다. 숫자가 클수록 속도가 빠

르다. 통상 DDR의 경우 같은 공정에서 생산하더라도 제품별로 속도의 차이가 발생하게 되며,

DRAM 업체들은 생산된 DRAM의 속도를 측정하여 구분해서 판매한다.

반도체



[반도체 전(前)공정 관련 용어]

웨이퍼 (Wafer) : 반도체 물질로 만든 얇은 판, 일반적으로 단결정 실리콘으로 원기둥 모양의 잉곳

(ingot)을 만든 후, 얇게 잘라 원판 모양의 웨이퍼를 만들어 메모리 반도체 등의 회로를 집적한다.

전공정 (Front-End Process) : 웨이퍼를 가공하여 반도체 회로를 형성하고 집적하는 과정을 전공정

이라고 한다. 산화막 형성, 증착, 세정, PR코팅, 노광, 이온주입, 현상, 식각 등의 과정이 있으며,

반도체 소자에 따라 이러한 과정을 수회에서 수십회 반복한다.

마스크 (Mask) : 웨이퍼 위에 만들어질 회로패턴의 모양을 각 층(layer) 별로 유리판 위에 그려 놓

은 것으로 사진 공정시 stepper(반도체 제작용 카메라)의 사진 건판으로 사용된다.

산화막 형성 (Oxidation) : 고온에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면과 화학반응 시켜, 얇고 균일한 실

리콘 산화막을 형성시키는 과정이다.

증착 (Deposition) : 진공 상태에서 금속이나 화합물 따위를 가열·증발시켜 그 증기를 물체 표면에

얇은 막으로 입히는 일을 증착이라고 한다.

CVD (화학기상증착, Chemical Vapor Deposition) : 웨이퍼 위의 보호막을 만들 때 사용되는 공정이

나 설비를 지칭한다. 반응실(chamber) 내에 반응가스를 주입하고 열 플라즈마(plasma) 등의 에너

지를 부여하여 화학반응에 의해 고체 생성물을 웨이퍼 위에 형성시키는 방법이다.

LPCVD (Low Pressure CVD) : 저압(0.2~0.7mm Tott)의 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학

반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.

PECVD (Plasma Enhanced CVD) : 강한 저압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응 물질을 활성화

시켜 기체상으로 증착시키는 방밥이다. Plasma에 의해 증착될 물질들이 에너지를 얻어 낮은 온도

에서 증착이 가능하다.

ALD (Atomic Layer Deposition) : 화학적으로 달라붙는 단원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착

기술. 웨이퍼 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세 층간

(layer-by-layer) 증착이 가능하고, 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있다.

APCVD (Atmospheric Pressure CVD) : 상압의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반

응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.

PVD (물리기상증착, Physical Vapor Deposition) : 웨이퍼 위에 생성하고자 하는 막을 물리적인 방법

으로 증착시키는 방법이다.

스퍼터링 (Sputtering) : PVD 방식의 하나로 원하는 박막을 증착하는 방법 중 CVD와 함께 가장 널

리 쓰이는 방식으로 물리적인 방법을 통해 입자를 발사시켜 박막을 도포하는 방식이다.

PR (감광액, Photoresist) : 웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노

출된 PR은 어떤 지역을 에치(etch)하도록 PR 패턴을 현상 공정에서 남긴다. PR코팅은 감광액을

웨이퍼에 입히는 과정을 말한다.

노광 (Exposure) : PR 코팅된 웨이퍼에 stepper를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통

과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼위에 회로패턴을 사진 찍는 공정을 노광이라고 한다.

이온주입 (Ion Implantation) : 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 gas 입자 형태로 가속하

여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어주는 공정이다.

현상 (Development) : 노광된 웨이퍼를 약품 등의 처리를 하여 굳어지지 않은 PR 부분을 제거하

여 형상이 나타나게 하는 과정이다.

식각 (Etching) : PR이 제거된 원하지 않는 부분을 제거하는 과정이다. 액체를 사용하는 습식 식각

(wet etching)과 플라즈마를 사용하는 건식 식각(dry etching)이 있다. Etch 공정은 회로를 구성

반도체



하는 막질에 따라 ‘Oxide Etch’, ‘Poly Etch’, ‘Metal Etch’, ‘PR Ashing’으로 나눌 수 있다.

건식 식각 (Dry Etching) : 반응가스를 진공 챔버에 주입시킨 후 power를 인가해 plasma를 형성시

켜서 이를 식각하고자 하는 막과 화학적 또는 물리적으로 반응시켜 막을 제거하는 공정이다.

습식 식각 (Wet Etching) : 화학용액을 이용해 식각하고자 하는 막과 화학반응을 일으켜 막을 제거

하는 공정이다.

CMP (화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing) : 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정을 말

한다.반도체 미세회로를 쌓아 올릴 때 높은 부분과 낮은 부분의 편차가 발생하는데, 다음 공정을

위해서 평탄화 시키는 것이 중요하다.

핀펫 (FinFET) : Fin(물고기의 지느러미) Field Effect Transistor의 약자. 2차원 평면 소자구조의 크

기를 줄이는 데 있어서 한계로 알려진 단채널 효과를 줄이고 동작전류의 크기를 증가시키기 위해

물고기 지느러미처럼 수직으로 형성된 얇은 채널을 2개 이상의 게이트로 제어시킴으로써 채널에

대한 게이트의 영향력을 확대시킨 3차원 소자구조를 뜻한다

Fab (Fabrication) : 웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 마스크를 사용하여 특

정부분을 선택적으로 깎아내는 작업을 되풀이함으로써 전자회로를 구성해 나가는 전과정이다. 또

한, 일반적으로 반도체를 만드는 공장을 Fab이라고한다.

종합 반도체 업체 (IDM) : 반도체 업체는 칩 설계부터 완제품 생산 및 판매까지 모든 분야를 자체

운영하는 '종합 반도체 업체(IDM)', 반도체 제조과정만 전담하는 '파운드리 업체(Foundry)', 그리고

설계 기술만을 가진 '반도체 설계 업체(Fabless)'로 구분된다. 종합 반도체 업체는 반도체 생산설비

만을 갖추고 있는 파운드리 업체와 반도체 설계만을 전문으로 하는 팹리스 업체와는 달리 설계 기

술과 생산 설비를 모두 보유한 대규모의 반도체 업체이다.

파운드리 (Foundry) : 파운드리 업체는 제품 설계를 외부에서 넘겨받아 반도체를 생산하는 위탁 업

체이다. 즉 반도체 생산설비를 갖추고 있지만 직접 설계하여 제품을 만드는 것이 아니라, 위탁하는

업체의 제품을 대신 생산해 이익을 얻는 것이다.

팹리스 (Fabless) : 반도체 제조 공정 중 하드웨어 소자의 설계와 판매만을 전문으로 하는 회사로,

종합반도체기업(IDM)과 달리 반도체 생산설비를 갖추고 있지 않다.

수율 (Yield) : 불량률의 반대라고 할 수 있다. 투입한 양(input) 대비 제조되어 나온 양(output)의

비율이다. 반도체 산업은 이 수율을 높이기 위한 경쟁이라고 해도 과언이 아니다.

반도체



[반도체 후(後)공정 관련 용어]

후공정 (Back-End Process) : 전공정 과정이 끝난 가공된 웨이퍼를 잘라 각각의 칩을 테스트, 패키

징 등을 거쳐 완성품으로 만드는 과정을 후 공정이라고 한다.

다이싱 (Dicing) : 가공된 웨이퍼 상에 형성된 chip을 diamond blade 등을 사용해 자르는 과정이

다.

프로브 테스트 (Probe Test) : 패키징에 앞서 Fab 공정이 완료된 wafer 내의 각 chip의 전기적인

동작 상태를 점검하여 chip의 양(good)과 불량(failure)을 선별하기 위한 검사이다.

패키징 (Packaging) : 잘라진 웨이퍼 조각(chip)들을 전기적 신호 연결을 위해 기판(substrate)에

부착하고 칩을 외부로부터 보호하기 위해 수지 등으로 감싸는 과정이다. Wire bonding, bumping

등의 방식이 있다.

패키지 테스트 (Package Test) : 패키징 공정이 완료된 후 칩이 정상적으로 작동하는지 확인하는 과

정이다. 패키지 테스트는 완제품 형태에서 진행되는데, 검사 장비에 칩을 넣고 다양한 조건에서 특

성을 측정해 불량 유무를 구별한다.

와이어 본딩 (Wire Bonding) : 잘라진 웨이퍼 조각과 기판을 금선(金線) 등을 이용하여 전기적으로

연결하는 방식이다.

범핑 (Bumping) : 잘린 웨이퍼 조각에 돌기형태의 bump를 형성하여 기판에 직접 연결하는 방식이

다.

몰딩 (Molding) : 칩과 연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정이다.

칩 스태킹 (Chip Stacking) : 일부 높은 용량의 모듈에서는 칩이 모두 PCB에 일치되도록 하기 위해

서 칩들을 다른 칩 위에 쌓는다.

MCP (Multi Chip Package) : 박판의 기판위에 얇은 칩을 여러개 수직적층하여 기존의 CSP 실장

기술을 접목하여 메모리의 용량과 성능을 증가시키고, 면적 효율을 극대화 시킨 구조이다. MCP(다

중 칩 패키지)는 과거 개별 반도체를 평면적으로 여러 개 장착하는 것과 달리, 모두 위로 쌓아 올

림으로써 칩의 탑재 공간을 줄이는 것이다. 이처럼 MCP는 좁은 공간에 많은 기능을 넣을 수 있기

때문에 스마트폰, 태블릿PC 등 휴대용 기기에 꼭 필요하다.

CSP (Chip Scale Package) : 칩 크기와 동일하거나 약간 큰 반도체를 총칭한다. 보드에 칩을 연결

할 때 핀을 사용하지 않는다. 주로 핸드셋, 노트북 등에 사용되며, 급속하게 보급되고 있는 초박형·

경량·초소형 반도체이다.

플립칩 (Flip Chip) : 칩 pad 위에 bump 등을 형성하고 이를 이용해 기판에 칩을 바로 접합한 칩이

다.

조립 (Assembly) : 패키징된 칩을 메인보드에 실장하는 과정으로 leadframe, BGA 방식이 있다.

리드 프레임 (Lead frame) : 보통 구리로 만들어진 구조물로서, 조립 공정시 칩이 이 위에 놓여지게

되며 가는 금선(金線)으로 칩과 연결되어 IC칩이 외부와 전기신호를 주고 받게 된다.

BGA (Ball Grid Array) : 패키징된 칩을 격자 방식으로 배열된 금속 ball을 이용하여 실장 하는 방식

이다. 공간 활용률이 높고 신호 손실이 적다는 장점이 있다.

TSV (Through Silicon Via) : 반도체 chip에 칩을 수직 관통하는 via hole을 형성하여 chip 적층 시

chip간의 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식이다. 이는 wire bonding을 사용한 기존 chip

간 적층 기술과 달리 추가적인 공간을 요구하지 않아 더 작은 제품으로 구현이 가능해진다.

반도체



투자의견 및 목표주가 변동추이

제시일자 투자의견 목표주가(원) 괴리율(%)

제시일자 투자의견 목표주가(원) 괴리율(%)

평균주가대비 최고(최저)주가대비 평균주가대비 최고(최저)주가대비

SK하이닉스(000660) 2017.03.01 Trading Buy 54,000 -8.06 -2.96

2018.04.28 매수 120,000 - - 2017.01.26 매수 65,000 -21.81 -16.00

2017.12.31 분석 대상 제외 - - 2017.01.01 매수 60,000 -17.91 -13.83

2017.10.26 매수 110,000 -26.92 -21.09 2016.09.30 분석 대상 제외 - -

2017.09.13 매수 100,000 -17.25 -10.90 2016.07.27 매수 39,000 -6.37 5.64

2017.06.21 Trading Buy 75,000 -9.25 -0.40 2016.04.26 매수 36,000 -18.10 -8.19

2017.04.26 Trading Buy 62,000 -8.19 3.23

* 괴리율 산정: 수정주가 적용, 목표주가 대상시점은 1년이며 목표주가를 변경하는 경우 해당 조사분석자료의 공표일 전일까지 기간을 대상으로 함

투자의견 분류 및 적용기준

기업 산업

매수 : 향후 12개월 기준 절대수익률 20% 이상의 초과수익 예상 비중확대 : 향후 12개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 대비 높거나 상승

Trading Buy : 향후 12개월 기준 절대수익률 10% 이상의 초과수익 예상 중립 : 향후 12개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 수준

중립 : 향후 12개월 기준 절대수익률 -10~10% 이내의 등락이 예상 비중축소 : 향후 12개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 대비 낮거나 악화

비중축소 : 향후 12개월 절대수익률 -10% 이상의 주가하락이 예상

매수(▲), Trading Buy(■), 중립(●), 비중축소(◆), 주가(─), 목표주가(▬), Not covered(■)

투자의견 비율

매수(매수) Trading Buy(매수) 중립(중립) 비중축소(매도)

74.13% 15.92% 9.95% 0.00%

* 2018년 3월 31일 기준으로 최근 1년간 금융투자상품에 대하여 공표한 최근일 투자등급의 비율

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(원) SK하이닉스

반도체 (비중확대/Initiate) Enterprise SSD에 거는 기대 -...

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