4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio...

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材料物理科学専攻 細野 秀雄 1. 今年度のおもな成果概要 1C12A7 エレクトライドの高温メルトが金属的伝導性を示すことを見出した。この発見 によって 1600℃という高温で液体アンモニア中と同様に、安定な溶媒和電子が高濃度 に存在することを、明らかになった。(サイエンス誌掲載) 2LaCo2B2 という層状構造をもつ化合物がバルク超伝導を示すことを見出した。この発見 Fe,Co,Ni という代表的強磁性金属の 122 型化合物で超伝導体が全て実現したことに なる。(Physical Review Letters 掲載) 3鉄ニクタイド超伝導体で高い臨界電流密度を保つための粒界臨界角を、エピ膜を双晶基 板上に形成するアプローチで決定した。その大きさは銅系高温超伝導体 YBCO の場合 の約2倍であり、線材応用に極めて有利な粒界特性を持つことが明らかになった。 Nature Communications 掲載) 4SnO を活性層に用いることで、酸化物半導体で初めて C-MOS TFT を実現した。 Advanced Materials 掲載) 5全く新しいコンセプトの透明酸化物導電体を実現した。すなわち、SrGeO3 高圧相が TCO 特性を示すことを発見し、そのオリジンを「超縮退」というコンセプトで説明し た。(Nature Cominucations 掲載) 2. 論文掲載(レフェリー付) 1) Xiaofeng Liu, Satoru Matsuishi, Satoru Fujitsu, and Hideo Hosono: Spin-glass-like behavior of CaNi 1x Mn x Ge; Phys. Rev. B, 84, 214439-1 - 6, (2011). 2) Gihun Ryu, Sung Wng Kim, Satoru Matsuishi, Hitoshi Kawaji, and Hideo Hosono: Superconductivity in Nb 4 MSi (M=Ni, Co, and Fe) with a quasi-two-dimensional Nb network; Phys. Rev. B 84, 224518-1 - 6, (2011). 3) Kosuke Matsuzaki, Hironori Takagi, Hideo Hosono, and Tomofumi Susaki: Structural study of polar MgO(111) epitaxial thin films grown on SrTiO 3 (111); Phys. Rev. B, 84, 235448-1 - 6, (2011). 4) S. Kitagawa, H. Ikeda, Y. Nakai, T. Hattori, K. Ishida, Y. Kamihara, M. Hirano, and H. Hosono: Metamagnetic Behavior and Kondo Breakdown in Heavy-Fermion CeFePO; Phys. Rev. Lett., 107, 277002-1 - 5, (2011). 5) S. K. Mishra, R. Mittal, S. L. Chaplot, S. V. Ovsyannikov, D. M. Trots, L. Dubrovinsky, Y. Su, Th. Brueckel, S. Matsuishi, H. Hosono, and G. Garbarino: Pressure dependence of the low-temperature crystal structure and phase transition behavior of CaFeAsF and SrFeAsF: A synchrotron x-ray diffraction study; Phys. Rev. B, 84, 224513-1 - 12, (2011). 6) Hiroshi Mizoguchi,Toshio Kamiya,Hideo Hosono: Superconducting compounds with

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材料物理科学専攻 細野 秀雄 1. 今年度のおもな成果概要 1) C12A7 エレクトライドの高温メルトが金属的伝導性を示すことを見出した。この発見

によって 1600℃という高温で液体アンモニア中と同様に、安定な溶媒和電子が高濃度

に存在することを、明らかになった。(サイエンス誌掲載) 2) LaCo2B2という層状構造をもつ化合物がバルク超伝導を示すことを見出した。この発見

で Fe,Co,Ni という代表的強磁性金属の 122 型化合物で超伝導体が全て実現したことに

なる。(Physical Review Letters 掲載) 3) 鉄ニクタイド超伝導体で高い臨界電流密度を保つための粒界臨界角を、エピ膜を双晶基

板上に形成するアプローチで決定した。その大きさは銅系高温超伝導体 YBCO の場合

の約2倍であり、線材応用に極めて有利な粒界特性を持つことが明らかになった。

(Nature Communications 掲載) 4) SnO を活性層に用いることで、酸化物半導体で初めて C-MOS TFT を実現した。

(Advanced Materials 掲載) 5) 全く新しいコンセプトの透明酸化物導電体を実現した。すなわち、SrGeO3 高圧相が

TCO 特性を示すことを発見し、そのオリジンを「超縮退」というコンセプトで説明し

た。(Nature Cominucations 掲載) 2. 論文掲載(レフェリー付)

1) Xiaofeng Liu, Satoru Matsuishi, Satoru Fujitsu, and Hideo Hosono: Spin-glass-like

behavior of CaNi1−xMnxGe; Phys. Rev. B, 84, 214439-1 - 6, (2011).

2) Gihun Ryu, Sung Wng Kim, Satoru Matsuishi, Hitoshi Kawaji, and Hideo Hosono:

Superconductivity in Nb4MSi (M=Ni, Co, and Fe) with a quasi-two-dimensional Nb

network; Phys. Rev. B 84, 224518-1 - 6, (2011).

3) Kosuke Matsuzaki, Hironori Takagi, Hideo Hosono, and Tomofumi Susaki: Structural

study of polar MgO(111) epitaxial thin films grown on SrTiO3(111); Phys. Rev. B, 84,

235448-1 - 6, (2011).

4) S. Kitagawa, H. Ikeda, Y. Nakai, T. Hattori, K. Ishida, Y. Kamihara, M. Hirano, and H.

Hosono: Metamagnetic Behavior and Kondo Breakdown in Heavy-Fermion CeFePO; Phys.

Rev. Lett., 107, 277002-1 - 5, (2011).

5) S. K. Mishra, R. Mittal, S. L. Chaplot, S. V. Ovsyannikov, D. M. Trots, L. Dubrovinsky, Y.

Su, Th. Brueckel, S. Matsuishi, H. Hosono, and G. Garbarino: Pressure dependence of the

low-temperature crystal structure and phase transition behavior of CaFeAsF and SrFeAsF:

A synchrotron x-ray diffraction study; Phys. Rev. B, 84, 224513-1 - 12, (2011).

6) Hiroshi Mizoguchi,Toshio Kamiya,Hideo Hosono: Superconducting compounds with

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metallic square net; Sol. Stat. Comm., (2011).

7) Tomofumi Susaki, Asahi Makishima, and Hideo Hosono: Work function engineering via

LaAlO3/SrTiO3 polar interfaces; Phys. Rev. B, 84, 115456, (2011).

8) Linards Skuja, Koichi Kajihara, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Visible to

vacuum-UV range optical absorption of oxygen dangling bonds in amorphous SiO2; Phys.

Rev. B, 84, 205206, (2011).

9) Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Hideo

Hosono:Photovoltaic properties of n-type amorphous In–Ga–Zn–O and p-type single

crystal Si heterojunction solar cells: Effects of Ga content; Thin Solid Films, (2011).

10) Satoru Watanabe, Toshinari Watanabe, Kazuhiro Ito, Naomichi Miyakawa, Setsuro Ito,

Hideo Hosono, and Shigeo Mikoshiba: Secondary electron emission and glow discharge

properties of 12CaO·7Al2O3 electride for fluorescent lamp applications; Sci. Technol. Adv.

Mater., 12, 034410, (2011).

11) S. Mohan, T. Taen, H. Yagyuda, Y. Nakajima, T. Tamegai, T. Katase, H. Hiramatsu, and H.

Hosono: Characterization of epitaxial Co-doped BaFe2As2 thin films; Physica C, 471,

1181-1184, (2011).

12) D. Nakamura, T. Akiike, H. Takahashi, F. Nabeshima, Y. Imai, A. Maeda, T. Katase, H.

Hiramatsu, H. Hosono, S. Komiya, and I. Tsukada: Terahertz conductivity measurement of

FeSe0.5Te0.5 and Co-doped BaFe2As2 thin films; Physica C, 471, 634-638, (2011).

13) K. Abe, N. Kaji, H. Kumomi, K. Nomura, T.Kamiya, M. Hirano, H. Hosono: Simple

Analytical Model of On Operation of Amorphous In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors;

IEEEE Trans. Electron Dev., 58, 3463-3471, (2011).

14) D.H. Lee, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono: Diffusion-Limited a-IGZO/Pt Schottky

Junction Fabricated at 200oC on a Flexible Substrate; IEEE Electron Device Letters, 32,

1695-1697, (2011).

15) Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, and

Hideo Hosono: Effects of excess oxygen on operation characteristics of amorphous

In-Ga-Zn-O thin-film transistors; Appl. Phys. Lett., 99, 093507-1 - 3, (2011).

16) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O

thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects; Appl. Phys. Lett., 99,

053505-1 - 3, (2011).

17) Hiroshi Mizoguchi, Toshio Kamiya, Satoru Matsuishi, Hideo Hosono: A germanate

transparent conductive oxide; Nature Comm., 2, 470-1 - 5, (2011).

18) Sho Kumada, Kosuke Matsuzaki, Hideo Hosono, and Tomofumi Susaki: Tuning of Surface

Roughness and Lattice Constant in MgO(111)/Al2O3(0001) Grown by Laser Energy

Controlled Pulsed Laser Deposition; Jpn. J. Appl. Phys., 50, 085503-1 - 5, (2011).

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19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi,

Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric Properties of P-type BaSnO3 Ceramics

Doped with Cobalt; Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy, 58,

149-154, (2011).

20) Takayoshi Katase, Yoshihiro Ishimaru, Akira Tsukamoto, Hidenori Hiramatsu, Toshio

Kamiya, Keiichi Tanabe, and Hideo Hosono: Advantageous grain boundaries in iron

pnictide superconductors; Nat. Commun., 2, 409-1 - 409-6, (2011).

21) Tao Chen, Meng-Yue Wu, Ryoichi Ishihara, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo

Hosono, C. I. M. Beenakker: Solid-phase epitaxial growth of (111)-oriented Si film on

InGaO3(ZnO)5 buffer layer; J Mater Sci: Mater Electron, 22, 920-923, (2011).

22) Taku Hanna, Yoshinori Muraba, Satoru Matsuishi, Naoki Igawa, Katsuaki Kodama,

Shin-ichi Shamoto, and Hideo Hosono: Hydrogen in layered iron arsenides: Indirect

electron doping to induce superconductivity; Phys. Rev. B, 84, 024521-1-7, (2011).

23) Sung Wng Kim, Terumasa Shimoyama, and Hideo Hosono: Solvated Electrons in

High-Temperature Melts and Glasses of the Room-Temperature Stable Electride

[Ca24Al28O64]4+・4e-; Science, 333, 71-74, (2011).

24) Kenji Nomura, Toshio Kamiya , and Hideo Hosono: Ambipolar Oxide Thin-Film

Transistor; Adv. Mater., 23, 3431-3434, (2011).

25) Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Vladimir Matias, Chris Sheehan, Yoshihiro

Ishimaru, Toshio Kamiya, Keiichi Tanabe, and Hideo Hosono: Biaxially textured

cobalt-doped BaFe2As2 films with high critical current density over 1 MA/cm2 on

MgO-buffered metal-tape flexible substrates; Appl. Phys. Lett., 98, 242510-1 - 3, (2011).

26) Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Electronic Structure and Photovoltaic Properties of n-Type Amorphous In-Ga-Zn-O and

p-Type Single Crystal Si Heterojunctions; Electrochemical and Solid-State Letters, 14,

H346-349, (2011).

27) K. Kodama, S. Wakimoto, N. Igawa, S. Shamoto, H. Mizoguchi, and H. Hosono: Crystal

and magnetic structures of the superconductor CeNi0.8Bi2; Phys. Rev. B, 83, 214512,

(2011).

28) Jun-Hyuk Park, Seong Jun Kang, Seok-In Na, Hyun Hwi Lee, Sung-Wng Kim, H. Hosono,

and Han-Ki Kim: Indium-free, acid-resistant anatase Nb-doped TiO2 electrodes activated

by rapid-thermal annealing for cost-effective organic photovoltaics; Solar Energy

Materials & Solar Cells, 95, 2178-2185, (2011).

29) Peter V. Sushko, Alexander L. Shluger, Yoshitake Toda, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono: Models of stoichiometric and oxygen-deficient surfaces of subnanoporous

12CaO・7Al2O3; Proc. R. Soc. A, 467, 2066-2083, (2011).

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30) Hiroshi Mizoguchi, Toshiaki Kuroda, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: LaCo2B2: A

Co-Based Layered Superconductor with a ThCr2Si2-Type Structure; Phys. Rev. Lett., 106,

237001, (2011).

31) T. Nakano, S. Tsutsumi, N. Fujiwara, S. Matsuishi, and H. Hosono: Homogeneous

coexistence of superconducting and spin-density-wave states in CaFe1-xCoxAsF as seen

via nuclear magnetic resonance; PHYSICAL REVIEW B, 83, 180508(R), (2011).

32) Hiroki Takahashi, Hiroyuki Takahashi, Takahiro Tomita, Hironari Okada, Yoshikazu

Mizuguchi, Yoshihiko Takano, Satoru Matsuishi, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

High-Pressure Studies for Iron-Based Superconductors; Japanese Journal of Applied

Physics, 50, 05FD01, (2011).

33) Fuji Funabiki, Satoru Matsuishi, and Hideo Hosono: Ligand Field Modification around

Cu2+ Ions in Sodium Borate Glass by Codoping; J. Phys. Chem. A, 115, 5081-5088, (2011).

34) Koichi Kajihara, Masahiro Hirano, Linards Skuja, and Hideo Hosono: Frenkel defect

process in amorphous silica; Proc. of SPIE, 8077, 80770R-1-12, (2011).

35) Terutoshi Sakakura, Kiyoaki Tanaka, Yasuyuki Takenaka, Satoru Matsuishi, Hideo

Hosono and Shunji Kishimoto: Determination of the local structure of a cage with an

oxygen ion in Ca12Al14O33; Acta Cryst., B67, 193-204, (2011).

36) Dirk Johrendt, Hideo Hosono, Rolf-Dieter Hoffmann, and Rainer Pottgen: Structural

Chemistry of superconducting pnictides and pnictide oxides with layered structures; Z.

Kristallogr., 226, 435-446, (2011).

37) Linards Skuja, Koichi Kajihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Crucial dependence of

excimer laser toughness of “wet”silica on excess oxygen; J. Non-Cryst. Sol., 357,

1875-1878, (2011).

38) Koichi Kajihara, Masahiro Hirano, Linards Skuja, Hideo Hosono: Oxygen-excess

amorphous SiO2 with 18O-labeled interstitial oxygen molecules ; J. Non-Cryst. Sol., 357,

1842-1845, (2011).

39) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Eiji Ikenaga, Hiroshi Yanagi, Keisuke Kobayashi, and

Hideo Hosono: Depth analysis of subgap electronic states in amorphous oxide

semiconductor, a-In-Ga-Zn-O, studied by hard x-ay photoelectron spectroscopy ;

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109, 073726, (2011).

40) N. Fujiwara,T. Nakano, H. Okada, H. Takahashi,Y. Kamihara, M. Hirano, H. Hosono:

NMR Study Under Pressure on the La1111 Pnictides,LaFeAsO1-xFx; J Supercond Nov

Magn, 24, 1145-1148, (2011).

41) R. Mittal, M. Zbiri, S. Rols, Y. Su, Y. Xiao, S. L. Chaplot, H. Schober, M. Johnson, T.

Chatterji, S. Matsuishi, H. Hosono, and T. Brueckel: Phonon Dynamics in Parent and

Superconducting FeAs Compounds; CHINESE JOURNAL OF PHYSICS, 49, 403-413,

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(2011).

42) Toda, Y. Kubota, H. Hiramaya, H. Hosono: Surface of Room-Temperature-Stable Electride

[Ca24Al28O64]4+(e ー)4: Preparation and Its Characterization by Atomic-Resolution Scanning

Tunneling Microscope; ACS NANO, 5, 1907-1914, (2011).

43) H. Mizoguchi and H. Hosono: La2Sb, a layered superconductor with metal-metal bonds;

CHEMICAL COMMUNICATIONS, 47, 3778-3780, (2011).

44) T.Susaki , A.Makishima , H.Hosono: Tunable work function in MgO/Nb:SrTiO3 surfaces

studied by Kelvin probe technique; PHYSICAL REVIEW B, 83, 115435-45, (2011).

45) Hiroshi Mizoguchi and Hideo Hosono ; A Metal-Insulator Transition in R2O2Bi with an

Unusual Bi2- Square Net (R = Rare Earth or Y),; J. Amer. Chem. Soc., 133, 2394-2397,

(2011).

46) Hiroshi TAKAHASHI, Yoichi KAMIHARA, Hiroaki KOGUCHI, Toshiyuki ATOU, Hideo

HOSONO,Ikufumi KATAYAMA, Jun TAKEDA,Masahiro KITAJIMA, and Kazutaka G

NAKAMURA: Coherent Optical Phonons in the Iron Oxypnictide SmFeAsO1-xFx (x =

0.075); Journal of the Physical Society of Japan, 80, 013707, (2011).

47) Hiroshi Mizoguchi, Satoru Matsuishi, Masahiro Hirano, Makoto Tachibana, Eiji

Takayama-Muromachi,Hitoshi Kawaji, and Hideo Hosono: Coexistence of Light and

Heavy Carriers Associated with Superconductivity and Antiferromagnetism in CeNi0.8Bi2

with a Bi Square Net; Phys. Rev. Lett., 106, 057002, (2011).

48) R. Mittal,S. K. Mishra, S. L. Chaplot, S. V. Ovsyannikov, E. Greenberg, D. M. Trots, L.

Dubrovinsky, Y. Su,Th. Brueckel, S. Matsuishi, H. Hosono,and G. Garbarino: Ambient-

and low-temperature synchrotron x-ray diffraction study of BaFe2As2 and CaFe2As2 at

high pressures up to 56 GPa; PHYSICAL REVIEW B, 83, 054503-1 - 11, (2011).

49) Koichi Kajihara, Taisuke Miura, Hayato Kamioka, Masahiro Hirano, Linards Skuja, and

Hideo Hosono: Exchange between interstitial oxygen molecules and network oxygen atoms

in amorphous SiO2 studied by 18O isotope labeling and infrared photoluminescence

spectroscopy; PHYSICAL REVIEW B, 83, 064202, (2011).

50) Lijie Shao, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Operation Characteristics

of Thin-Film Transistors Using Very Thin Amorphous In-Ga-Zn-O Channels;

Electrochemical and Solid-State Letters, 14, H197-H200, (2011).

51) B. Maiorov, T. Katase, S. A. Baily, H. Hiramatsu, T. G. Holesinger, H. Hosono, and L.

Civale: Liquid vortex phase and strong c-axis pinning in low anisotropy BaCoxFe2-xAs2

pnictide films; Supercond. Sci. Technol., 24, 055007, (2011).

52) Hideo Hosono, Yoichi Ogo, Hiroshi Yanagi, and Toshio Kamiya: Bipolar Conduction in

SnO Thin Films; Electrochemical and Solid-State Letters, 14, H13-16, (2011).

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3. 専門書等発行

1) Hideo Hosono: Fe-Pnictides and -Chalcogenides; 100years of Superconductivity (ed.by H.

Rogalla and P. H. Kes, Taylor & Francis, ISBN: 1439849463), (2011).

2) 細野秀雄: 私と世界と世界の私; 好きなことにバカになるー材料科学の魅力と醍醐味ー(水

曜社), 86-101, (2011).

3) 神谷利夫: 計算機セラミックス設計(安定構造、電子構造、物性); セラミックス機能化ハンド

ブック (株式会社エヌ・ティー・エス、2011/1/21 初版第一刷発行), 12-27, (2011)

4) 細野秀雄: セラミックス機能設計; セラミックス機能化ハンドブック (株式会社エヌ・ティー・エ

ス、2011/1/21 初版第一刷発行), 3-11, (2011).

4. 国際・国内会議 招待講演 1) 神谷利夫、野村研二、細野秀雄: 酸化物半導体の特徴とデバイス応用; 新化学技術推進協

会(JACI)講演会 (2011/12/20, 東京都千代田区 三番町 KS ビル JACI 会議室), (2011). 2) K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono: Bias Stability for a-In-Ga-Zn-O-TFTs: Origin of Threshold

Voltage Instability and the Role of Thermal Annealing and Passivation; The 18th International

Display Workshop (IDW'11) (Nagoya Congress Center, 2011/12/7-9), AMD4-1, (2011). 3) 神谷利夫: アモルファス酸化物半導体の作製、特性、信頼性、今後の課題; 情報機構セミナ

ー, (2011). 4) Hideo Hosono: Ubiquitous Element Strategy for Innovative Materials; Japan-EU Workshop for

Sustainable Society (Nov. 21-22, Tokyo), (2011). 5) 細野秀雄: ユビキタス元素戦略による新材料創成; (独)日本学術振興会 光電相互変換第

125 委員会主催「レアメタル資源の現状と将来動向ならびに代替材料の 開発に関するシン

ポジウム」(11/17-11/18, 明治大学駿河台キャンパス), (2011). 6) 細野秀雄: 鉄系高温超伝導物質の発見と進展; (社)日本鉄鋼協会 第63回白石記念講座

(11/25, 東京), (2011). 7) 細野秀雄: 元素戦略と機能性材料開発; 平成 23 年度産官学フォーラム講演会 in 東京

(11/19, 東京), (2011). 8) 細野秀雄: 現代の錬金術が創る未来材料; 第1回CSJ化学フェスタ、公開講座:未来社会に

向けたイノベーション(11/14, 早稲田大), (2011). 9) Hideo Hosono: New Frontiers opened from electro-active function cultivation in transparent

oxides; Qualcomm-UCSD seminar (November 25, San Diego, USA), (2011) 10) Hideo Hosono: Metallic Cement Constituent 12CaO・7Al2O3: e– power of nanoporous

structure; International Symposium on Clusters and Nanostructures (Nov. 7-10, Richmond,

Virginia, USA), (2011). 11) Hideo Hosono: Discovery of Iron-based Superconductor: interplay between new

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superconductor and new functional materials; 1st International Symposium on Frontier of

Superconductivity Research: Exploration of Novel Superconductors (November 4-7, Beijing,

China), (2011). 12) 神谷利夫、野村研二、細野秀雄: フレキシブル応用に向けた酸化物TFT材料:現状と課

題; 応用電子物性分科会研究例会 ここまで来た薄膜トランジスタ ?フレキシブル電子デバ

イス応用へ向けて? (2011/11/9 首都大学東京サテライトキャンパス , 千代田区外神田

1-18-13 秋葉原ダイビル 12F), (2011). 13) Toshio Kamiya: Characterization and fundamental properties of amorphous oxide

semiconductors: Atomic structure, electronic structure, and defect levels; International

Workshop on Flexible & Printable Electronics (IWFPE) (2011/11/16-18, Muju, Korea), (2011). 14) Toshio Kamiya, Kenji Nomura and Hideo Hosono: Defects and impurities in amorphous

oxide semiconductors probed by photoresponse spectroscopy; International Workshop on

Flexible & Printable Electronics (IWFPE) (2011/11/16-18, Muju, Korea), (2011). 15) T. Katase, H. Hiramatsu, Y. Ishimaru, A. Tsukamoto, T. Kamiya, K. Tanabe, and H.

Hosono: Bicrystal Grain Boundary Junctions of Iron Pnictide Superconductor, Co-Doped

BaFe2As2; The 15th Japan-US Workshop on Advanced Superconductors (October 27-29,

Osaka), 2A-6, (2011). 16) 神谷利夫: 次世代ディスプレイや iPad3 は「ガラス半導体」で動く; 世界をリード・世界に

羽ばたく東工大が誇る若手研究者たち (2011/10/1, 大岡山), (2011). 17) 神谷利夫 : 酸化物半導体の基礎物性とデバイス応用 ; JFCA イブニングセミナー

(2011/10/3, 浜松町), (2011). 18) Hideo Hosono, Yoshitaka Toda, and Sung-Wng Kim: Unique properties of surface and

molten/glassy state of RT-stable electride 12CaO・7Al2O3:e-; 18th International Workshop on

Oxide Electronics (WOE18, Napa Valley, California, September 26 – 28), O2-1, (2011). 19) 平松秀典: 鉄系超伝導体の臨界電流密度とジョセフソン接合; 第12回 四セラミックス

研究機関(東工大-名工大-JFCC-NIMS)合同講演会((財)ファインセラミックスセンター,

9/26), (2011). 20) Toshio Kamiya: Application of Transparent Amorphous Oxides, In-Ga-Zn-O; タッチパネ

ル技術の発展と市場分析 (National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan,

2011/1/18), (2011). 21) Toshio Kamiya: Application of Transparent Amorphous Oxides, In-Ga-Zn-O; タッチパネ

ル技術の発展動向検討会 (新竹市, Si-Soft Buisiness Center, 2011/1/17), (2011). 22) Toshio Kamiya and Hideo Hosono: Optoelectronic devices utilizing natural nanostructures

of oxide semiconductors; Int. Conf. Mater. for Adv. Technologies (26 June - 1 July, Singapore),

A5.2-1, (2011). 23) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, and Hideo Hosono: Carrier transport specific to ionic

Page 8: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

semiconductors; THE EIGHTEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX

FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES -TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS-

JULY 11-13, 2011, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan), S1-1, (2011). 24) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Katsumi Abe, and Hideo Hosono: Device Physics of

Amorphous In-Ga-Zn-O; 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline

Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26, Nara, Japan), 3B2-3, (2011). 25) Toshio Kamiya, Kenji Nomura and Hideo Hosono: Carrier transport, defects and

impurities in amorphous oxide semiconductor; NIMS-UR1 Workshop (2011/5/15-17, Rennes

Unviersity 1, Rennes, France), (2011). 26) 細野秀雄: 新材料の研究の醍醐味:超電導を中心に; JST 未来の科学者養成講座 第

2 回全国受講生研究発表会(東京, 9/17), (2011). 27) 細野秀雄: アモルファス酸化物半導体とそのTFT応用:15年間の歩み; 日本SID サマ

ーセミナー(浜松, 9/15), (2011). 28) Hideo Hosono: Materials Design Concept for Novel Transparent Conductive Oxides;

International Conference on Transparent Conductive Films (5 Oct. Taipei), (2011). 29) 平松秀典, 細野秀雄: 鉄系高温超伝導:物質と薄膜; 第 7 回 固体イオニクスセミナー

(富山県氷見市, 9/4-9/6), (2011). 30) 細野秀雄: 透明酸化物の機能探索から拓けた新領域(アモルファス酸化物半導体、エ

レクトライド、鉄系超伝導); (社)未踏科学技術協会 飯綱・サイエンスサマー道場(8/17-8/19,

長野), (2011). 31) 細野秀雄: 第 11 回応用物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演: 透明酸化物の特

徴と機能開拓; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャン

パス), 29p-C-1, (2011). 32) 細野秀雄: 酸化物新材料の電子デバイスと放射光利用; 第 72 回応用物理学会学術講

演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 29p-ZH-2, (2011). 33) Hideo Hosono: Bulk and Epitaxial Thin Films of Iron Pnictide Superconductors and

Relevant New Superconductors; International Conference on Novel SuperConductivity in

Taiwan 2011 (ICNSCT 2011), Tainan, Taiwan, August 4–9, (2011). 34) 神谷 利夫: 毒性元素が導く新機能開発: なぜ鉄系超電導は砒化物になったのか; 学

振第 069 委員会 第 65 回研究会 (名古屋大学東山キャンパス、2011/7/27), (2011). 35) H. Hosono: Iron-based Superconductors: from discovery to recent advances; Santander

Summer School on Superconductivity 100 year (July 14-15, Santander,Spain), (2011). 36) 細野秀雄: 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS); JOEM Workshop'11(東京、7/7),

(2011). 37) H. Hosono: TAOS and TAOS-TFT as a backplane of FPDs; 15th International Conference

and physics of semiconductors and applications (Jeju, Korea, 6th July), (2011).

Page 9: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

38) 細野秀雄: 新材料研究の課題:元素戦略; 第254回 科学技術懇談会(6月28日東京),

(2011). 39) Hideo HOSONO: Exploring New Superconductors and Other Supermaterials; Angewandte

50Years Symposium (Tokyo, June 20), (2011). 40) Hidenori Hiramatsu and Hideo Hosono: Heteroepitaxial film growth of layered

compounds and opto-electronic properties: From Cu-based wide gap p-type semiconductors to

Fe-based superconductors; International Discussion Meeting on Thermoelectrics and Related

Functional Materials (Aalto University, Helsinki, Finland, June 14–17, 2011), (2011). 41) H. Hosono: New Frontier Opened Through Function Cultivation in Transparent Oxides;

Technical Seminor, AUO ,Sinchu,Taiwan, April 18, (2011). 42) H. Hosono: Recent Advances in TAOS TFTs for FPD Applications; International Display

Manufacturing Conference, Taipei 4/18-4/21, (2011). 43) H. Hosono: Recent Progress in Iron-based Superconductors and Related Materials; IOP

Seminar, Academia Sinica, Taipei, April 18, (2011). 44) Takayoshi Katase, Yoshihiro Ishimaru, Akira Tsukamoto, Hidenori Hiramatsu, Toshio

Kamiya , Keiichi Tanabe, and Hideo Hosono: Robust grain boundary nature in iron pnictide

superconductors; 2011 MRS Spring Meeting, April 25-29, San Francisco, California, USA,

VV7.6, (2011). 45) Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Keiichi Tanabe, and Hideo Hosono: Critical

currents and grain boundaries in iron pnictide epitaxial films; The 2011 Villa Conference on

Iron Pnictide Superconductors (VCIPS 2011), Nevada, USA, Apr. 21 – 25, (2011). 46) 細野秀雄: 新超電導物質と関連機能の探索; ファーストサイエンスフォーラム (大崎、3

月 26 日), (2011). 47) Hideo HOSONO: Transparent Amorphous Oxide TFT: how and why differs from a-Si:H;

China Display 2011 (Shanhai, March 17), (2011). 48) 材料研究の醍醐味: 細野秀雄; 高校生のための超電導公開講座 (科学技術未来館,

2011/3/5), (2011). 49) Hideo Hosono: Iron-based superconductors and relevant materials:progress and

opportunity; APS March Meeting 2011, March 21–25, Dallas, Texas, USA, Q3.00003, (2011). 50) 平松秀典: 鉄ニクタイド薄膜の超伝導特性; 酸化物特異構造の形成と機能創発 ワー

クショップ (東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 2011/1/25-26), (2011). 51) Hideo Hosono: C12A7 electride : bulk and surface properties; International Workshop on

Novel Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of

Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan, I-2-01, (2011). 52) 細野秀雄: 希少金属を用いない透明酸化物半導体; 第 38 回 ニューセラミックスセミナ

ー (大阪, 2 月 25 日), (2011).

Page 10: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

53) 細野秀雄: 研究の面白さ; 川越東中学校 創立 50 周年記念講演 (川越, 2 月 18 日),

(2011). 54) Hideo Hosono: New Frontiers Opened by ERATO Transparent Electro-Active Materials

Project; International Evaluation on JST Basic Research Funding Program (Tokyo, Feb. 17),

(2011). 55) 細野秀雄: 酸化物半導体の研究の現状と将来展望; 光協会第 5 回多次元技術融合光

プロセス研究会 (東京, 2 月 17 日), (2011). 56) 細野秀雄: 元素戦略の目指すもの: 希少元素危機は飛躍の好機; 第 15 回川崎科学技

術サロン (川崎, 2月7日), (2011). 57) 細野秀雄: 鉄系超伝導体の発見と進展; JST SORST シンポジウム (1 月 19 日, 東京),

(2011). 58) 神谷利夫: 新しい電子機能酸化物の設計・開発とデバイス応用; 精密工学会 超精密

加工専門委員会第61回委員会「グリーンテクノロジー?環境とナノテクの融合?」, (2011).

基調講演

1) 細野秀雄: 薄膜電子材料の最近の進展:高性能酸化物半導体と鉄系超伝導エピ膜; 第 52

回真空に関する連合講演会(11/17-11/19, 学習院創立百周年記念会館, 東京), 16Ap-1,

(2011).

2) Hideo Hosono: Materials Frontier Opened from Function Cultivation in Transparent Oxide

Utilizing Built-in Nanostructure; The 28th Japan-Korea International Seminor on Ceramics

(Nov. 23-26, Okayama, Japan), (2011).

3) Hideo Hosono: Thin Film Fabrication and Device Application of Supermaterials: Transparent

Semiconductor, Electride and Iron-based Superconductor; 15th International Conference on

Thin Films (ICTF-15, Nov 8-11, Kyoto, Japan), (2011).

4) Hideo Hosono: Conversion of Cement Material to Transparent Metals and Superconductors -

Power of Nanostructure; 30th International Congress on Applications of Lasers &

Electro-Optics (Oct. 23-27, Orlando, FL, US), OP2, (2011).

5) Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Recent progress in oxide semiconductor materials and

devices; 第 24 回プラズマ材料科学シンポジウム (Plenary) (大阪大学胃腸会館、

2011/7/19~20), (2011).

6) Hideo Hosono: Iron Pnictide Superconductors and Relevant New Superconductors;

International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES 2011, 29th

Aug.-3rd Sep, Cambridge, UK), (2011).

7) Hideo Hosono: Frontiers opened through the research function cultivation in transparent

oxides; 20th International Materials Research Congress (August 14-18, Cancun, Mexico),

(2011).

Page 11: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

8) H. Hosono: Recent Advances in Iron-based Superconductors and Relevant New

Superconductors; 8th International Conference on Stripes and High Tc Superconductivity

STRIPES 2011 (Sapienza University of Rome, Italy 10 July -16 July), (2011).

9) 細野秀雄: 混合アニオン系新超伝導物質 (基調講演); 日本セラミックス協会第 24回秋季

シンポジウム (札幌, 9/8), (2011).

10) Hideo HOSONO: Recent Advances in Iron Pnictide Superconductors (Plenary Lecture);

2nd International Workshop on Green Energy Materials and Application (Wollongang,

Australia, March 29), (2011).

11) Hideo HOSONO: New Frontier Opened through Cultivation of Transparent

Oxides(Plenary Talk); 7th International Workshop on Transparent Oxides for Electronics and

Optics (TOEO-7) (Waseda, Tokyo, March 14), (2011).

口頭発表(学会発表)

1) K. Yamada, K. Nomura, S. Takeda, H. Hosono: Novel Approach for Preventing Atmosphere

Effects on Vth Stability of a-In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor by Glass Sealing; e 18th

International Display Workshop (IDW'11) (Nagoya Congress Center, 2011/12/7-9),

AMD6-5L, (2011).

2) Daiki Ojima, Tetsuya Chiba, Kazunari Shima, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, and

Katsuro Hayashi: Low Temperature Processes for Oxide Thin Films Using Novel Ceramic

Atomic Oxygen Source; 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15, Nov 8-11,

Kyoto, Japan), O-S6-07, (2011).

3) D.H. Lee, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono,: Photoresponse of Amorphous In-Ga-Zn-O / Pt

Schottky Junction; The American Vacuum Society Symposium (2011/10/30-11/4, Nashville,

US), TC+EM+NS-ThA3, (2011).

4) K. Ide, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono: Why Optimum Oxygen Pressure Range Exists for

Fabricating Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor and How it Should be Optimized;

The American Vacuum Society Symposium (2011/10/30-11/4, Nashville, US),

TC+EM+NS-ThA9, (2011).

5) T. Kamiya, Y. Kikuchi, K. Ide, K. Nomura, H. Hosono: Effects of Low-Temperature

Annealing and Deep Traps in Operation Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film

Transistors; The American Vacuum Society Symposium (2011/10/30-11/4, Nashville, US),

TC+EM+NS-ThA10, (2011).

6) Satoru Matsuishi, Taku Hanna, Yoshinori Muraba, and Hideo Hosono: Hydride ion in 1111

type CaFeAsF1-xHx: template of anion vacancy to induce superconductivity;

Superconductivity Centennial Conference 2011 (EUCAS-ISEC-ICMC 2011) (18 – 23

September, Hague, Netherlands), 4-MC-P49, (2011).

Page 12: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

7) Gihun Ryu, SungWng Kim, Satoru Matsuishi, and Hideo Hosono: Superconductivity in the

ternary silicide Nb4NiSi with CuAl2-type structure; Superconductivity Centennial Conference

2011 (EUCAS-ISEC-ICMC 2011) (18 – 23 September, Hague, Netherlands), 4-MC-P46,

(2011).

8) Gihun Ryu, Satoru Matsuishi, SungWng Kim, and Hideo Hosono: Electrical and magnetic

properties in ZrCuSiAs type Mn-based pnictides; Superconductivity Centennial Conference

2011 (EUCAS-ISEC-ICMC 2011) (18 – 23 September, Hague, Netherlands), 4-MB-O3,

(2011).

9) Taku Hanna, Yoshinori Muraba, Satoru Matsuishi, and Hideo Hosono: Electron overdoping

through hydrogen-for-oxygen substitution in 1111 type layered iron arsenides;

Superconductivity Centennial Conference 2011 (EUCAS-ISEC-ICMC 2011) (18 – 23

September, Hague, Netherlands), 4-MB-O2, (2011).

10) Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Chris Sheehan, Vladimir Matias, Yoshihiro

Ishimaru, Akira Tsukamoto, Toshio Kamiya, KeiichiTanabe, and Hideo Hosono: Grain

boundary transport properties and high Jc films on metal substrates of BaFe2As2:Co;

Superconductivity Centennial Conference 2011 (EUCAS-ISEC-ICMC 2011) (18 – 23

September, Hague, Netherlands), 2-MB-O7, (2011).

11) L. Shao, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono,: Optimization of p-Type Oxide Thin-Film

Transistors Using Cu2O Channels; THE EIGHTEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON

ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES -TFT TECHNOLOGIES AND

FPD MATERIALS- JULY 11-13, 2011, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan),

P-16, (2011).

12) K. Abe, A. Sato, K. Takahashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono:

Operation Model with Carrier-Density Dependent Mobility for Amorphous In-Ga-Zn-O

Thin-Film Transistors; 7th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for

Electronics and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo, Japan),

14p-P065, (2011).

13) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Visible-light blind, stable

a-In-Ga-Zn-O thin-film transistors; 7th International Symposium on Transparent Oxide Thin

Films for Electronics and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo,

Japan), 16p-O004, (2011).

14) Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya and Hideo Hosono:

Oversaturated oxygen and operation characteristics of a-In-Ga-Zn-O TFTs; 7th International

Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-7) (April

14-15, 2011, Waseda University, Tokyo, Japan), 14p-O003, (2011).

15) Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya and Hideo Hosono: Structural Relaxation and

Page 13: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

Glass Transition in Amorphous Oxide Semiconductor, a-In-Ga-Zn-O; 24th International

Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26,

Nara, Japan), 1B2-1, (2011).

16) Kenji Nomura, Yutomo Kikuchi, Keisuke Ide, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Roles

of Excess Hydrogen and Oxygen in Amorphous IGZO; 24th International Conference on

Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26, Nara, Japan),

2B2-1, (2011).

17) S. Kitagawa, Y. Nakai, K. Ishida, H. Ikeda, Y. Kamihara, M. Hirano, and H. Hosono:

Metamagnetic Behavior in 2D Heavy Fermion Compound CeFePO Revealed by 31P-NMR;

International Conference on Strongly Correlated Electron System 2011 (August 29,

Cambridge, UK), (2011).

18) Y. Imai, D. Nakamura, F. Nabeshima, T. Katase, H. Hiramatsu, M. Hanawa, I. Tsukada, H.

Hosono, and A. Maeda: THz conductivity measurements of Ba(Fe1-xCox)2As2 and FeSe1-xTex

films; 26th International Conference on Low Temperature Physics (LT26) (Aug 10-17,

Beijing, China), 12P-B057, (2011).

19) T. Tohei, T. Mizoguchi, H. Hiramatsu, H. Hosono, and Y. Ikuhara: Interface and defect

structures in epitaxial thin films of LaCuOSe and related compounds by HAADF-STEM

observations; Microscopy & Microanalysis 2011 Meeting (7-11th, August, Nashville,

Tennessee, USA), 83826, (2011).

20) Hideo Hosono and Sung Wng Kim: Electride Glass: Amorphous Semiconductor based on

Interstitial Electrons; 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline

Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26, Nara, Japan), 1B1-2, (2011).

21) Fuji Funabiki, Satoru Matsuishi, and Hideo Hosono: Elucidation of Codoping Effect in

Cu2+-Containing Sodium Borate Glass; 24th International Conference on Amorphous and

Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26, Nara, Japan), 1B2-5, (2011).

22) Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Growh of Highly-Oriented, High Mobility Cu2O for Heterojunction Amorphous-IGZO/Cu2O

Solar Cell; 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline

Semiconductors (ICANS24) (2011/8/22-26, Nara, Japan), 4C2-4, (2011).

23) Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Chris Sheehan, Vladimir Matias, Yoshihiro

Ishimaru, Toshio Kamiya, Keiichi Tanabe, and Hideo Hosono: Iron Pnictide Films on Metal

Tape Substrates with High Critical Current Density; International Conference on Novel

SuperConductivity in Taiwan 2011 (ICNSCT 2011), Tainan, Taiwan, August 4–9, A-05,

(2011).

24) Hiroshi Mizoguchi, Toshiaki Kuroda, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Superconducting Compounds with Square Net; International Conference on Novel

Page 14: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

SuperConductivity in Taiwan 2011 (ICNSCT 2011), Tainan, Taiwan, August 4–9, O-10,

(2011).

25) Y. Imai, F. Nabeshima, D. Nakamura, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono, and A. Maeda:

THZ Conductivity of Ba(Fe1-XCoX)2As2 Thin Films; International Conference on Novel

SuperConductivity in Taiwan 2011 (ICNSCT 2011), Tainan, Taiwan, August 4–9, I-08,

(2011).

26) T. Hanna, Y. Muraba, S. Matsuishi, and H. Hosono: Electron Overdoping through

Hydrogen-for-Oxygen Substitution in 1111 Type Layered Iron Arsenides; International

Conference on Novel SuperConductivity in Taiwan 2011 (ICNSCT 2011), Tainan, Taiwan,

August 4–9, I-18, (2011).

27) Toshio Kamiya, Kenji Nomura and Hideo Hosono: Peculiar electrical properties and local

structures in amorphous oxide semiconductor, a-In-Ga-Zn-O; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for

Advanced Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and

Integration (AMDI2) (June 22-24, Yokohama, JAPAN), (2011).

28) Hiroshi Yanagi, Risa Yoshihara, Nobuhito Takagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Electronic Structures of p-type Cu2O and Delafossite-Type Oxides Studied by Photoelectron

Spectroscopy; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf.

Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN,

24aHsO04, (2011).

29) T. Kamiya, H. Mizoguchi, S. Matsuishi, and H. Hosono: Electronic structures and

high-pressure phase stability of SrGeO3; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics

(STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June

22-24, Yokohama, JAPAN, 24aHsO03, (2011).

30) H. Hiramatsu, T. Katase, Y. Ishimaru, A. Tsukamoto, T. Kamiya, K. Tanabe, and H.

Hosono: Critical Current Density across Bicrystal Grain Boundary in Fe-based

Superconductor Cobalt-Doped BaFe2As2; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics

(STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June

22-24, Yokohama, JAPAN, 24aHsO01, (2011).

31) Tadahiro Fujihashi, Yoshitake Toda, Hideo Hosono, and Tomofumi Susaki: MgO(111)

Surface Characterized by CO2 Adsorption; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced

Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration

(AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 23pP123, (2011).

32) Tomofumi Susaki, Tadahiro Fujihashi, Asahi Makishima, Hideo Hosono, Akiko Nagai,

and Kimihiro Yamashita: Functionalities of Controlled MgO Surfaces; 5th Int. Conf. Sci.

Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development

and Integration (AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 23pP117, (2011).

Page 15: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

33) Kosuke Matsuzaki, Hideo Hosono, and Tomofumi Susaki: Microstructures of Polar MgO

(111) Epitaxial Films; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) - 2nd Int.

Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June 22-24, Yokohama,

JAPAN, 23pHeO05, (2011).

34) Yudai Tomota, Sung Wng Kim, and Hideo Hosono: C12A7 Electride Glass: Evidence for

interstitial electrons in glass; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) -

2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June 22-24,

Yokohama, JAPAN, 23pHeO03, (2011).

35) Jiang Li, Bin Yin, Toshio Fuchigami, Shinsuke Inagi, Hideo Hosono, and Setsuro Ito: A

new application of 12CaO•7Al2O3 electride as an electrode in electrochemical reaction; 5th

Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials

Development and Integration (AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 23aHeO09, (2011).

36) Tomofumi Susaki, Asahi Makishima, and Hideo Hosono: Work Function Control in

LaAlO3/SrTiO3 Studied by Kelvin Probe Technique; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced

Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration

(AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 23aHeO08, (2011).

37) Tetsuya Tohei, Teruyasu Mizoguchi, Hidenori Hiramatsu, Yoichi Kamihara, Hideo

Hosono, and Yuichi Ikuhara: Atomic scale observation of fluorine dopants in LaFeAsO1-xFx

superconductor by STEM-EELS spectrum imaging; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced

Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration

(AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 22pP057, (2011).

38) T. Kamiya, H. Hiramatsu, and H. Hosono: Off-Stoichiometry Phase Stability in

Mixed-Anion Layered Compounds, LnTMAX; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced

Ceramics (STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration

(AMDI2) June 22-24, Yokohama, JAPAN, 22pP041, (2011).

39) Nobuhito Takagi, Hiroshi Yanagi, Sung-Wng Kim, and Hideo Hosono: Band Diagram of

Bipolar Oxide Semiconductor: CuInO2; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics

(STAC5) - 2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June

22-24, Yokohama, JAPAN, 22pP039, (2011).

40) Daiki Ojima, Kazunari Shima, Tetsuya Chiba, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, and

Katsuro Hayashi: Downsized Ceramic Atomic Oxygen Generator and Its Application to

Fabrication of TiO2:N Films; 5th Int. Conf. Sci. Technol. for Advanced Ceramics (STAC5) -

2nd Int. Conf. Advanced Materials Development and Integration (AMDI2) June 22-24,

Yokohama, JAPAN, 22pP007, (2011).

41) N. Miyakawa, T.Watanabe, S.Watanabe, K.Ito, S. Ito, H.Hosono, and S.Mikoshiba: A Use

of Electrically Conductive Oxide Ceramic (12CaO・7Al2O3 Electride) Electrode having Low

Page 16: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

Work Function and Low Sputtering Yield for Fluorescent Lamps; SID Display Week, Los

Angels, May 18, (2011).

42) H. Hosono, K .Nomura, and T. Kamiya: A Bipolar Oxide TFT (Late News Paper); 49th

SID Display Week, Los Angels, May 17th, (2011).

43) B. Maiorov, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono, and L. Civale: Angular dependence of

the critical current and vortex phase diagram in Co-doped BaFe2As2 films with strong

pinning; APS March Meeting 2011, March 21–25, Dallas, Texas, USA, J26.00005, (2011).

44) Yoichi Kamihara, Yasuhiro Kobayashi, Shinji Kitao, Yoshitaka Yoda, Makoto Seto, and

Hideo Hosono: Magnetism of SmFeAsO1-xFx; APS March Meeting 2011, March 21–25,

Dallas, Texas, USA, D26.00012, (2011).

45) D. Nakamura, F. Nabeshima, Y. Imai, A. Maeda, T. Katase, H. Hiramatsu, and H. Hosono:

Doping dependence of Ba(Fe1-xCox)2As2 thin films by the THz conductivity measurement;

APS March Meeting 2011, March 21–25, Dallas, Texas, USA, L26.00012, (2011).

46) Dong Hee Lee, Kenji Nomura, Toshio Kamiya and Hideo Hosono: Amorphous

In-Ga-Zn-O-based Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors by Schottky contact made

of bottom Pt electrode; 7th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for

Electronics and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo, Japan),

15p-P132, (2011).

47) Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Photovoltaic properties of n-type a-In-Ga-Zn-O / p-type c-Si heterojunction solar cells; 7th

International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics

(TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo, Japan), 14p-P060, (2011).

48) Hiromichi Ohta, Yukio Sato, Takeharu Kato, SungWng Kim(5), Kenji Nomura, Yuichi

Ikuhara and Hideo Hosono: Field-Induced Water Electrolysis Switches SrTiO3 from an

Insulator to a 2D-Metal exhibiting Gigantic Thermopower; 7th International Symposium on

Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011,

Waseda University, Tokyo, Japan), 16p-O006, (2011).

49) Y. Toda, Hiroyuki Hirayama, Masahiro Hirano, and H. Hosono: Surface of stable electride

[Ca24Al28O64]4+(e-)4; International Workshop on Novel Superconductors and Super Materials

2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of Emerging Science and Innovation

(Miraikan), Tokyo, Japan, P-072, (2011).

50) S. Kitagawa, Y. Nakai, T. Iye, K. Ishida, Y. Kamihara, M. Hirano, H. Hosono, C. Wang, G.

Cao, and Z. Xu: NMR Studies on Iron-Pnictide Superconductors with “1111” structure:

LaFeAs(OF) and LaFe(AsP)O; International Workshop on Novel Superconductors and Super

Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of Emerging Science and Innovation

(Miraikan), Tokyo, Japan, P-028, (2011).

Page 17: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

51) K. Ishida, Y. Nakai, S. Kitagawa, T. Iye, Y. Kamihara, M. Hirano, H. Hosono, S. Kasahara,

T. Shibauchi, Y. Matsuda, and T. Terashima: NMR Studies on Iron-Pnictide

Superconductors: LaFeAs(OF) and BaFe2(AsP)2; International Workshop on Novel

Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of

Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan, P-022, (2011).

52) Satoru Matsuishi, Taku Hanna, Yoshinori Muraba, Naoki Igawa, Katsuaki Kodama,

Shin-ichi Shamoto, and Hideo Hosono: Anion substitution in blocking layer of 1111 type iron

arsenide superconductors; International Workshop on Novel Superconductors and Super

Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of Emerging Science and Innovation

(Miraikan), Tokyo, Japan, O-3-04, (2011).

53) N. Fujiwara, T. Nakano, S. Tsutsumi, S. Matsuishi, and H. Hosono: Homogeneous

coexistence of AF and SC states in the 1111 series studied by NMR; International Workshop

on Novel Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National

Museum of Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan, O-2-09, (2011).

54) Hiroshi Mizoguchi, Satoru Matsuishi, Toshiaki Kuroda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano,

Makoto Tachibana, Eiji Takayama-Muromachi, Hitoshi Kawaji, and Hideo Hosono:

Superconducting compounds with square net; International Workshop on Novel

Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of

Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan, O-2-03, (2011).

55) Sung-wng Kim and Hideo Hosono: Solvated electrons in high temperature melts and

glasses of the 12CaO・7Al2O3 electride; International Workshop on Novel Superconductors

and Super Materials 2011 (NS22011), March 6-8, National Museum of Emerging Science and

Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan, O-2-01, (2011).

56) A. Maeda, D. Nakamura, F. Nabeshima, Y. Imai, T. Katase, H. Hiramatsu, and H. Hosono:

THz conductivity of underdoped and optimally-doped Ba(Fe1-xCox)2As2 thin films;

International Workshop on Novel Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011),

March 6-8, National Museum of Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan,

O-1-05, (2011).

57) H. Hiramatsu, T. Katase, T. Kamiya, H. Hosono, Y. Ishimaru, A. Tsukamoto, and K.

Tanabe: High Critical Angle of Strong Link – Weak Link Transition in Co-Doped BaFe2As2;

International Workshop on Novel Superconductors and Super Materials 2011 (NS22011),

March 6-8, National Museum of Emerging Science and Innovation (Miraikan), Tokyo, Japan,

O-1-03, (2011).

58) 井手啓介,菊地優友,神谷利夫,野村研二,木村 睦,細野秀雄: アモルファス酸化物

半導体 a-In-Ga-Zn-O 中の過剰酸素関連欠陥と TFT 特性; 第 72 回応用物理学会学術講

演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 1a-N-10, (2011).

Page 18: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

59) 野村研二、神谷利夫、細野秀雄: アモルファス酸化物半導体 a-In-Ga-Zn-O 中の酸素お

よび水素拡散; 薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会 (2011/11/4-5、アヴァンティ響都、

京都), 4O04, (2011).

60) 安部 勝美、高橋 健治、佐藤 歩 、雲見 日出也、野村 研二 、神谷 利夫 、細野

秀雄: アモルファス In-Ga-Zn-O デュアルゲート TFT の動作モデルと電気的特性; 薄膜材

料デバイス研究会第8回研究集会 (2011/11/4-5、アヴァンティ響都、京都), 4P41, (2011).

61) 水野拓, Shijian Zheng, 加藤丈晴, 幾原雄一, 安部勝美, 雲見日出也, 野村研二, 細

野秀雄, 太田裕道: 酸化物半導体 SrTiO3 に電界誘起された二次元電子ガスの巨大熱電

能変調; 薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会 (2011/11/4-5、アヴァンティ響都、京都),

4O02, (2011).

62) 藤平哲也, 溝口照康, 幾原雄一, 平松秀典, 細野秀雄: LaCuOSe:Mg/MgO 薄膜微構

造の原子レベル STEM 観察; 日本金属学会 2011 年秋期講演(第 149 回)大会(11/7-11/9,

沖縄), S1・26, (2011).

63) 太田裕道, 水野 拓, Shijian Zheng, 加藤丈晴, 幾原雄一, 安部勝美, 雲見日出也, 野

村研二, 細野秀雄: ナノ孔に閉じ込められた水を利用した二次元電子ガス生成と巨大熱電

能変調; 日本金属学会 2011 年秋期講演(第 149 回)大会(11/7-11/9, 沖縄), S1・3, (2011).

64) 今井良宗,鍋島冬樹,中村大輔,片瀬貴義,平松秀典,細野秀雄,前田京剛: テラヘル

ツ伝導度からみた Ba(Fe1-xCox)2As2 の準粒子ダイナミクス; 日本物理学会 2011 年秋季大

会(富山大学, 9/21-9/24), 24aGL-12, (2011).

65) 北川俊作,中井祐介,服部泰祐,池田達哉,石田憲二,神原陽一,平野正浩,細野秀

雄: 擬二次元重い電子系物質CeFePOの新奇なメタ磁性の発見; 日本物理学会2011年秋

季大会(富山大学, 9/21-9/24), 23pGC-3, (2011).

66) 高畑惣一,大熊健資,富田崇弘,高橋博樹,村場善行,松石聡,金聖雄,細野秀雄: 電

子ドープ系 Sr1-xLaxFe2As2 の圧力効果 II; 日本物理学会 2011 年秋季大会(富山大学,

9/21-9/24), 22pPSA-29, (2011).

67) 金一圭,富田崇弘,高橋博樹,松石聡,細野秀雄,藤原直樹: CaFe1-xCoxAsF の圧力効

果; 日本物理学会 2011 年秋季大会(富山大学, 9/21-9/24), 22pPSA-23, (2011).

68) 添田英人,金一圭,高橋博樹,富田崇弘,松石聡,半那拓,村場善行,細野秀雄:

SmFeAsO1-xHx の圧力効果; 日本物理学会 2011 年秋季大会(富山大学, 9/21-9/24),

22pPSA-22, (2011).

69) 江畑政哉,大熊健資,富田崇弘,高橋博樹,松石聡,半那拓,村場善行,細野秀雄: 水

素を含む CaFeAsH の圧力誘起超伝導; 日本物理学会 2011 年秋季大会(富山大学,

9/21-9/24), 22pPSA-21, (2011).

70) 堤俊二,藤原直樹,松石聡,細野秀雄 : Co 置換型鉄系超伝導体 Ca1111 系

CaFe1-xCoxAsF (x=0, 0.06, 0.12, 0.2)の 75As 核 NMR; 日本物理学会 2011 年秋季大会(富

山大学, 9/21-9/24), 22pGM-6, (2011).

Page 19: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

71) 黒田稔顕,溝口 拓,神谷利夫,細野秀雄: ThCr2Si2 型構造を有する Co 基層状化合

物 LaCo2B2 の超伝導; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白

川キャンパス), 1a-ZS-7, (2011)

72) 片瀬貴義: 論文奨励賞受賞記念講演: High Critical Current Density 4MA/cm2 in

Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La,Sr)(Al,Ta)O3 Substrates without Buffer

Layers; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス),

31a-ZT-12, (2011).

73) 野村研二,神谷利夫,細野秀雄: 多結晶 SnO チャネルを用いた両極性トランジスタ; 第

72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 1a-N-1,

(2011).

74) 野村研二,神谷利夫,細野秀雄: アモルファス酸化物半導体 In-Ga-Zn-O中の過剰水素

の役割; 第 72回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス),

1a-N-11, (2011).

75) 神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄: ガラスの視点からみたアモルファス酸化物半導体

In-Ga-Zn-O; 第 49 回セラミックス基礎科学討論会 (2011/1/11~12、岡山コンベンションセン

ター), 1C12, (2011).

76) 梶原浩一,Linards Skuja,細野秀雄: 60Coγ線照射による高純度 α-石英における真性欠

陥形成; 第 72回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス),

31a-ZH-10, (2011).

77) 平松秀典,片瀬貴義,ヴラディミル マティアス,クリス シーハン,石丸喜康,神谷利夫,

田辺圭一,細野秀雄: 金属テープ基板上への高臨界電流密度Co添加BaFe2As2薄膜の作

製; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス),

31a-ZT-11, (2011).

78) 吉住年弘,小林洋治,陰山 洋,細野秀雄,林 克郎: 12CaO・7Al2O3 結晶包接電子及

び水素化物イオンの識別同時定量法; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2,

山形大学 小白川キャンパス), 2p-ZQ-5, (2011).

79) 太田裕道,水野 拓,Shijian Zheng,加藤丈晴,幾原雄一,安部勝美,雲見日出也,野

村研二,細野秀雄: 電界誘起二次元電子ガスの巨大熱電能変調; 第 72 回応用物理学会

学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 30a-F-7, (2011).

80) 藤橋忠弘,戸田喜丈,細野秀雄,須崎友文: MgO(111)および MgO(100)表面の CO2吸

着特性; 第 72回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス),

30p-P14-2, (2011).

81) 尾島大樹,嶋 一成,千葉哲也,平松秀典,細野秀雄,林 克郎: セラミック型原子状酸

素源の小型化と N 添加 TiO2 薄膜作成への応用; 第 72 回応用物理学会学術講演会

(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 31p-D-4, (2011).

82) 須崎友文,牧島 旭,細野秀雄: LaAlO3/SrTiO3(100)界面による仕事関数制御; 第 72

Page 20: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパス), 30p-ZK-6,

(2011).

83) 蜂谷宣人,松崎功佑,細野秀雄,須崎友文: Au/NiO(111)/Nb:SrTiO3(111) 接合の電流

電圧特性; 第 72 回応用物理学会学術講演会(2011/8/29-9/2, 山形大学 小白川キャンパ

ス), 30p-ZK-5, (2011).

84) 神谷利夫、古林信人、細野秀雄、川原田洋: アモルファス酸化物半導体短チャネル

TFT の作製; 第1回6大学6研究所連携プロジェクト公開討論会「特異構造金属・無機融合

高機能材料開発 共同研究プロジェクトの始動」(キャンパスイノベーションセンター, 東京,

2011/3/10), P2-09, (2011).

85) 神谷利夫 : 層状混合アニオン化合物の 相および欠陥の安定性と電子構造; 特定領

域研究「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第7回領域会議 (大

阪大学大学院理学研究科 豊中キャンパス, 2011/1/6-8), 6-4, (2011).

86) 伊達諒, 松石聡, 金聖雄, 神谷利夫, 細野秀雄: ペロブスカイト類似型酸化物層を有す

る層状マンガン砒化物の合成と電気・磁気・光学特性評価; 第 49 回セラミックス基礎科学

討論会 (2011/1/11~12、岡山コンベンションセンター), 1F06, (2011).

87) 古林信人, 野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄: 短チャネル α-In-Ga-Zn-O TFT の作製と

評価; 第 49 回セラミックス基礎科学討論会 (2011/1/11~12、岡山コンベンションセンター),

1D23, (2011).

88) 杉山陽香, 眞岩宏司, 藤津悟, 細野秀雄: 電子ビーム蒸着法で作成した酸化イットリウ

ム薄膜の蛍光特性; 第 49 回セラミックス基礎科学討論会 (2011/1/11~12、岡山コンベンシ

ョンセンター), 2E17, (2011).

89) 柳基勲, 松石聡, 金聖雄, 神谷利夫, 細野秀雄: ZrCuAsSi 型層状マンガンニクタイド

の元素置換と電子・磁気特性評価; 第 49 回セラミックス基礎化学討論会 (2011/1/11~12、

岡山コンベンションセンター), 2D04, (2011).

5. 特許出願

1) 特許内容:同時両極性電界効果型トランジスタ及びその製造方法

出願番号:特願 2011-044517(11/03/01)

2) 特許内容:水素化合イオンを含有するペロブスカイト型酸化物とその製造方法

出願番号:特願 2011-151738(11/07/08)

3) 特許内容:電気伝導性を有する C12A7 系酸化物融液又はガラス材料およびそれらの

製造方法

出願番号:特願 2011-179866(11/08/19)

4) 特許内容:表示装置とその製造方法

出願番号:特願 2011-240461(11/11/01)

Page 21: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

ライセンス

1) 特許内容:耐紫外線ガラス

登録番号:特許第 4799726 号(11/08/12)

2) 特許内容:基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置

登録番号:特許第 4755770 号(11/06/03)

3) 特許内容:アモルファス酸化物薄膜トランジスタ

登録番号:台湾特許 336134(11/01/11)

4) 特許内容:アモルファス酸化物薄膜トランジスタ

登録番号:韓国特許 10-1019337(11/02/24)

5) 特許内容:熱電変換材料及び熱電変換材料の製造方法

登録番号:特許第 4762911 号(11/06/17)

6) 特許内容:電界効果型トランジスタ

登録番号:米国特許 7,868,326(11/01/11)

7) 特許内容:電界効果型トランジスタ

登録番号:豪州特許 2005302964(11/02/17)

8) 特許内容:電界効果型トランジスタ

登録番号:中国特許 ZL200580038272.X(11/03/16)

9) 特許内容:非晶質酸化物を利用した半導体デバイス

登録番号:米国特許 7,863,611B2(11/01/04)

10) 特許内容:発光装置

登録番号米国特許 7,872,259(11/01/18)

11) 特許内容:発光装置

登録番号インド特許 42740111/04/05)

12) 特許内容:酸化触媒及びイオン伝導体並びにその製造方法

登録番号:特許第 4806251 号(11/08/19)

13) 特許内容:電子放出素子およびその製造方法

登録番号:特許第 4734532 号(11/5/13)

14) 特許内容:オキシアパタイト構造を利用した光触媒及びその製造方法

登録番号:特許第 4766685 号(11/06/24)

15) 特許内容:金属電気伝導性 12CaO・7Al2O3 化合物とその製法

登録番号:特許第 4833221 号(11/09/30)

16) 特許内容:金属電気伝導性 12CaO・7Al2O3 化合物とその製法

登録番号:米国特許 7,892,458(11/02/22)

17) 特許内容:酸素分子の検出及び定量装置及び方法試料中の酸素分子の検出及び

定量方法

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登録番号:特許第 4767755 号(11/06/24)

18) 特許内容:ホール注入電極と該電極を用いた有機 EL 素子

登録番号:特許第 4842289 号(11/10/14)

6. 受賞

1) 野村研二、神谷利夫、細野秀雄: 酸化物半導体薄膜トランジスタ; 平成 22 年度 手島精一

記念研究賞(発明賞)(Tejima Research Award (Invention)) (2011/2/23, Tokyo Tech), (2011).

2) Dong Hee Lee, Kenji Nomura, Toshio Kamiya and Hideo Hosono: Amorphous

In-Ga-Zn-O-based Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors by Schottky contact made of

bottom Pt electrode; Gold Poster Award, 7th International Symposium on Transparent Oxide

Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo,

Japan), 15p-P132, (2011).

3) 片瀬 貴義: 第 33 回(2011 年度)応用物理学会論文奨励賞(掲載号:Appl. Phys. Express 3

(2010) 063101), (2011).

4) H. Hosono: Jan Rajchaman Prize; For his invention and development of high-performance

transparent thin-film amorphous oxide semiconductors with large electron mobility, especially

InGaZnOx, for use in active-matrix-addressed displays. Society for Information Display, May

16, (2011).

5) Hideo Hosono: Ionic Amorphous Oxide Semiconductors:Materials Design, Carrier Transport,

and Device Application, Vol.352,pp.851-858(2006).; Journal of Non-Crystalline

Solids(2006-2010) Most-Cited Article Award, (2011).

6) 石橋章司, 寺倉清之, 細野秀雄: A Possible Ground State and Its Electronic Structure of a

Mother Material (LaOFeAs) of New Superconductors; 第 16回日本物理学会論文賞, (2011).

7) Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Photovoltaic properties of n-type a-In-Ga-Zn-O / p-type c-Si heterojunction solar cells; Silver

Poster Award, 7th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics

and Optics (TOEO-7) (April 14-15, 2011, Waseda University, Tokyo, Japan), 14p-P060,

(2011).

8) 細野秀雄: 新機能酸化物の創製に関する先駆的研究; 第 11 回応用物理学会 業績賞(研

究業績) (2011/3/24), (2011).

9) 細野秀雄: 透明半導体、金属の創出; 第 45 回朝日賞 (2011/1/27), (2011).

Page 23: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

7. 国際的共同研究

ラトビア大学: Linards Skuja

ロンドン大学: Alexander L. Shluger

ロスアラモス研究所

8. 新聞報道等掲載

日本化学会 化学分野の研究成果発信

13 日からフェスタ 11 月 9 日 日刊工業新聞

先端技術

2011 年度 技術トレンド調査(第 3 回)

最先端行く研究者活躍

10 月 21 日 日経産業新聞

ノーベル賞 科学力測る“バロメータ”

2年連続受賞へ 期待膨らむ日本の科

学者

物理学賞 細野・大野氏、政府が強力

な支援

9 月 30 日 日刊工業新聞

化学産 業変化の胎動

大学が育む産業の芽

薄型ディスプレー素材 大画面も高精

細維持

9 月 30 日 日経産業新聞

技術で作る未来(上)

社会を変える日本の研究 革新力、産

業に成果生かせ

9 月 27 日 日経産業新聞

超電導物質 新しい鉄系発見 岡山大

臨界温度向上に期待 9 月 26 日 日経産業新聞

東工大 ゲルマニウム酸化物を使用

透明な電子伝導体開発 9 月 20 日 日刊工業新聞

東京工業大学 ゲルマニウム系酸化物

で 透明電子伝導体を開発 9 月 20 日 電波新聞

Page 24: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

東名電子半導体 重金属使わず作製

ゲルマニウム系酸化物利用 高圧合成

法を採用

9 月 15 日 化学工業日報

電極材 ガラスとの相性よく

東工大 液晶画面用を開発 9 月 15 日 日経産業新聞

A germanate transparent conductive oxide 9 月 14 日 Nature Communications

高速・高画質で映像表示 8 月 29 日 日経産業新聞

注目の論文 7 月 6 日

Science and Technology of

Advanced Materials日本語

日本鉄鋼協会 11月25日 超伝導

テーマに「白石記念講座」 8 月 22 日 鉄鋼新聞

社説=実行力問われる新科技計画 8 月 13 日 日本経済新聞

鉄系超電導材 強力磁石作りやすく

東工大と ISTEC 電流測定で確認 8 月 4 日 日経産業新聞

東工大など 鉄系超伝導体 送電線応

用に光

銅系しのぐ臨界電流密度

8 月 3 日 日刊工業新聞

鉄系超伝導体 優れた結晶粒界特性

東工大・ISTEC 高性能薄膜を試作 8 月 3 日 化学工業日報

Advantageous grain boundaries in iron

pnictide superconductors 8 月 3 日 Nature Communications

有機 EL テレビ開発 日本勢の出遅れ

必至

LG 電子など 韓国勢先行

7 月 23 日 日経新聞

Page 25: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

国産の新型半導体技術

サムスンに先行供与 科学機構 7 月 21 日 日経新聞

日本発の高解像画面技術

サムスンが使用契約 7 月 21 日 朝日新聞

東工大の発明 サムスンに売れた

次世代液晶のカギ 新半導体の特許使

用権

7 月 21 日 読売新聞

サムスンと特許ライセンス契約

科技振興機構など開発 7 月 21 日 毎日新聞

JST、新型半導体の特許

サムスンに先行供与 3D液晶高機能

7 月 21 日 日経産業新聞

科学技術振興機構

東工大の次世代薄膜素子 サムスンに

特許供与

7 月 21 日 日刊工業新聞

TFT関連特許

JST、サムスン電子とライセンス契

約締結

大型液晶ディスプレーなど応用期待

7 月 21 日 化学工業日報

科学技術振興機構

ディスプレー技術 サムスン電子に供

与へ

7 月 21 日 朝日新聞(大阪)

コバルト化合物の超伝導体 7 月 6 日 日刊工業新聞

セメントから半導体ガラス

東工大 低エネルギーで電子放出 有

機 EL・太陽電池に利用も

7 月 7 日 日経産業新聞

C12A7 高温溶融で金属的伝導体 急

冷して半導体ガラスに

高濃度の電子が存在

7 月 1 日 化学工業日報

高温で溶けた絶縁体 電子溶かして導

体に

液体金属・ガラス半導体に道

7 月 1 日 日刊工業新聞

Page 26: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

7 月 1 日 サイエンス

理工系人材を育てる 東工大の知と技

(3)

研究者が知財を教育 新材料発掘で成

果連発

6 月 29 日 日刊工業新聞

コバルトでも超伝導材料 東工大発見

磁性元素含有3つ目 6 月 10 日 日経産業新聞

電気を流すセメント開発 6 月 8 日 熊本日日新聞

ICタグ生産コスト1/10

日立、半導体を低温作製 携帯端末、

電池不要に

3 月 2 日 日経産業新聞

元素戦略で合同シンポ

4日、三田で開催 3 月 2 日 日刊工業新聞

超電導材料 鉄系従来理論で説明

分子研などデータ確認 室温実現の可

能性も

3 月 1 日 日経産業新聞

超伝導100年 若者に研究の楽しさ

伝えよう 2 月 25 日 日刊工業新聞

元素戦略 資源の制約に知恵で挑む 2 月 10 日 朝日新聞

超電導材 反磁性層と積層に 東工大

発見 ビスマス・希土類で 2 月 3 日 日経産業新聞

反磁性と超電導が共存 東工大、超電

導体を発見 2 月 3 日 日刊工業新聞

超電導の新材料 東工大教授ら開発

超高速演算素子に道 2 月 2 日 日本経済新聞

Page 27: 4 SnO C-MOS TFT を実現した。 · 2012-04-02 · 19) Masahiro Yasukawa, Yukihiro Hamada, Toshio Kono, Kazushige Ueda, Hiroshi Yanagi, Sung Wng Kim and Hideo Hosono: Thermoelectric

細野秀雄教授 シンポジウム「世界を魅せる

日本の課題解決型基礎研究

~JST 目利き制度とその可能性」講演か

(2010 年 12 月 6 日、科学技術振興機構

主催)

1 月 26 日 ハイラ

イト Science Portal

トップ研究者と対話 フォーラム参加

高校生ら募集 1 月 25 日 毎日新聞

研究論文伸び率 日本最下位 1 月 23 日 読売新聞

情熱と不屈の軌跡 4賞 受賞者スピー

朝日賞「画期的物質 もっと見つける」

東工大 細野秀雄教授

1 月 28 日 朝日新聞

朝日賞は池澤さんら 1 月 11 日 東京新聞

朝日賞 3氏一団体に 1 月 1 日 朝日新聞

朝日賞 3氏一団体に 1 月 1 日 毎日新聞

「面白い」から新発見

超伝導引っ張る「昆虫系」 1 月 1 日 日本経済新聞