2014年 量子デバイス工学研究室紹介

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Front Oxide Buried Oxide Density of Electrons confined in Top Si Layer Gate Source Drain Si Substrate Top Si Layer Front Oxide Buried Oxide Density of Electrons confined in Top Si Layer Gate Source Drain Si Substrate Top Si Layer 量子デバイス工学研究室 教員 花尻達郎) 次世代を担うエレクトロニクスには何が必要か? 花尻 中島(准教授) 東(PD研究員) 山田(D3) 吉原(D1) 趙(D1) 西澤・内田・清水・安藤(M1)

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東洋大学 理工学部 電気電子情報工学科 量子デバイス工学研究室の紹介スライド

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Page 1: 2014年 量子デバイス工学研究室紹介

Front

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Laye

rFront

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Laye

r

量子デバイス工学研究室  

(教員 花尻達郎)

次世代を担うエレクトロニクスには何が必要か?

花尻 中島(准教授) 東(PD研究員) 山田(D3) 吉原(D1) 趙(D1)

西澤・内田・清水・安藤(M1)

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この辛口の本にも 詳しく紹介 されています。

卒業式の日に。α棟玄関前にて。

●文部科学省21世紀COEプログラム拠点

●文部科学省ナノネット支援拠点 トップレベルの証

研究の世界での“箱根駅伝”

■ バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター  (α棟、β棟(新棟))

●どこで?? 2

■ 機電実験棟2階

β棟。(食堂の横)

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●何をしている研究室?? 3

●エレクトロニクスを軸足に、ナノからバイオまで

バイオ ナノ

実験

シミュレーション

Buried Oxide (BOX)

Si substrate

Gate Oxide

Poly-Si electrode

Al electrode

Buried Oxide (BOX)

Si substrate

Gate Oxide

Poly-Si electrode

Al electrode

4nm

Si表面の原子像 CNT

ナノSi超薄膜のTr.の断面写真

DNA

CNTとDNAとの複合体

C60

マイクロ流路デバイス

たとえば・・・

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●たとえば 何ができるの? (例1)

Front

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Layer

Front

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Layer ナノメーター級の

超薄膜シリコン層

埋込み酸化膜

シリコン基板

ゲート酸化膜

多結晶シリコン電極

アルミニウム電極 つくる

トランジスター断⾯面の電⼦子顕微鏡写真

はかる

設計する

トランジスター内の電⼦子のふるまいをシミュレーション

Front

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Layer

Front

Oxide

Buried

Oxide

Density of Electrons confined in Top Si Layer

GateSource

Drain

Si Substrate

Top Si Layer ナノメーター級の

超薄膜シリコン層

埋込み酸化膜

シリコン基板

ゲート酸化膜

多結晶シリコン電極

アルミニウム電極

埋込み酸化膜

シリコン基板

ゲート酸化膜

多結晶シリコン電極

アルミニウム電極 つくるつくる

トランジスター断⾯面の電⼦子顕微鏡写真

はかるはかる

設計する設計する

トランジスター内の電⼦子のふるまいをシミュレーション

 最先端のトランジスターを、  ・考え(設計)、・シミュレーションで動作を確かめ、  ・必要があればシミュレーターも作り、  ・実際にクリーンルームで試作し、・特性を評価する・・・

これらを全て、自分たちの手で行なっています。

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●1枚のチップが  大型装置と同じ性能!

●たとえば 何ができるの? (例2)

高橋直寛氏 (当時、M1) のアイデア

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ほんの一例です。 ● 先輩たちの活躍ぶり(1) 6

非対称トンネル障壁を用いた 単電子トランジスタ

SOQ(Silicon  On  Quartz)基板上のMOSFET

佐々木健次氏(当時、M1) ベストペーパーアワード受賞 (薄膜デバイス研究会)

松本善哉氏の名前入りで 海外のエレクトロニクスの 教科書に成果が引用

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梶原健ニくん(現、新日本無線) 山崎太一くん(現、凸版印刷) 佐々木健次くん

(現、NECエレクトロニクス)

東利晃くん(現、PD研究員) 佐藤仁勇くん(現、凸版印刷)

宮沢健司くん(現、新日本無線) 宮澤吉康くん(博士課程修了)

ICMAT2005 ICMAT2005 ICMAT2005

ICMAT2007 ICMAT2007

ICMAT2007 ICMAT2007

大学院生の 殆どが 最低1回は 海外で発表!

就職先も、「論より証拠。」です。

● 先輩たちの活躍ぶり(2)

ICMAT2011

尾形和平くん (現、ベリフィケーション)

ICMAT2011

宮澤元くん (現、ベリフィケーション)

ICMAT2009

高橋直寛くん(現、日本光電工)

ICMAT2009

沼田慎吉くん(現、専門学校教諭)

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  と、まあ こんな感じで  やってます。

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● 大切なのはAgeではない。Experience!

● その格好な場所の第一候補が、“研究室”

● 世界トップレベルは当たり前。     それを、スタッフ(教職員、若手研究者)と     学生との2人3脚でやっています。     先輩たちの活躍ぶりが何よりの証拠。

▲ ホンモノのExperienceをどれだけ体験してきたか?

“研究室”は、“道場”である。 それぞれ自分の夢を持って、 お互いに励まし合い教えあう場所。

▲ ホンモノに触れる。 ▲ 仲間を持つ。 ▲ 一度は、自分の手を動かしてトライしてみる。

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よのなか、 いろいろな研究室があります。 研究室以外にも、いい“道場”はたくさんあります。

これから、どんどん、いろいろな経験を積んで、 いい人生を送って下さい。

よかったら、

一緒に“汗”を流してみませんか???

●さいごに・・・

ご清聴ありがとうございました。

見学、大歓迎。 (事前にメールで予約、がおすすめです。)

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中島 (准教授)