中国创造‧上海量产

超世界水平 PECVD

吉富新能源公司核心竞争力

战略客户 : 通用光伏能源 ( 烟台 )

Silicon Valley R&D center

Shanghai mini line /Equipment mfg

吉富 日本 欧洲 美国

太阳能电池尺寸 (m) 1.1x1.4 1.1x1.4 1.1x1.3 2.4x2.8

光电转换效率 (%) 9.5 9.5 9.5 9.5

单位峰瓦售价 ($/Wp) 1x 2x 2x 1.5x

传输 single-H dual-V batch cluster

腔体温度（℃） 400 220 240 240

沉积速率 aSi/uSi (A/sec) 5/7 2/4 3/6 5/5

光衰退 (%) 10 20 15 15

稼动率 (%) 90 80 80 80

吉富设备与其它主要竞争对手的比较

Jifu New Product Development

Jifu PECVD Flexible Solution enables Common Platform Equipment Design

with Multiple Product Range

• a-Si

• Micro-Crystalline • Nano-Crystalline • Double Junction

‧ Multiple Junction

JiFu Equipment Confidential

PVD Laser

Proprietary Panels

硅薄膜的效率上限 32%

equation Lab cell Limit Value

Jsc Min {Jtop , Jbottom} 23/2 = 11.5[mA/cm2]

20[mA/cm2]

Voc Vtop + Vbottom 0.9 + 0.5= 1.4 Volt

1.4 + 0.6= 2.1 V

FF Average {FFtop, FFbottom} Aver {65%,75%} = 70%

76%

η 11.5 % 32 %

Basics of Jsc, Voc, FF

Eff ~ Jsc x Voc x FF

Jsc = short circuit current

Voc = open circuit voltage

FF = Filled Factor

Power = Jsc x Voc

硅薄膜和多晶硅比较

• 多发电（弱光和高温）

• 成本便宜

Thin Film yields better under High Temp & Diffuse Light Key Thin Film Benefit: Higher kWhr Yield

Comparison with CompetitorsJifu Japan Europe Korea

size (meter) 1.1x1.4 1.1x1.4 1.1x1.3 1.1x1.4

CE (%) 9.5 9.5 9.5 9.5

Price 1x 2x 2x 1.5x

transfer single-H dual-V batch cluster

Temp (deg c) 400 220 240 240

aSi/uSi (A/sec)

5/7 2/4 3/6 5/5

LID (%) 10 20 15 20

uptime (%) 90 80 80 80

问题：为何要买薄膜？答：薄膜比晶硅便宜大概 30% 以上 , 且成本下降空间更大

晶硅电池的硅材料价格波动很大

硅薄膜和其他薄膜比较

• 锑化铬 : 铬有毒

• 铜铟镓锡 : 合格率需提高

硅薄膜的挑战

• 降低设备成本 : 吉富

• 提高转换效率 : 吉富