Post on 21-Mar-2016
description
INF3400 Del 3,4,5-8 RepetisjonStatisk digital CMOS
CMOS inverter og DC karakteristikkCMOS inverter:
pMOS transistor:
nMOS transistor:
utDD
dpspsdp
innDD
gpspsgp
VV
VVVVV
VVV
AV Lineær MetningVgsn < Vtn Vgsn > Vtn Vgsn > Vtn
Vinn < Vtn Vinn > Vtn Vinn > Vtn
Vdsn < Vgsn - Vtn Vdsn > Vgsn - Vtn
Vut < Vinn - Vtn Vut > Vinn - Vtn
AV Lineær MetningVsgp < |Vtp| Vsgp > |Vtp| Vsgp >|Vtp|
Vinn > VDD+Vtp Vinn < VDD+Vtp Vinn < VDD+Vtp
Vsdp < Vdsat Vsdp > Vdsat
Vsdp < Vsgp - |Vtp|
Vsdp > Vsgp - |Vtp|
-Vut < Vtp - Vinn -Vut > Vtp - Vinn
Vut > Vinn - Vtp Vut < Vinn - Vtp
Inverter transisjon:
I områdene B, C og D er begge transistorene PÅ, slik at det går en strøm mellom spenningsforsyningene.
Transistorstørrelser
tgsdsgstgsds
tgsgsdsds
tgsds
gsds
VVVVVVI
VVVVVVVI
VI
,V metning PÅ,
V0 ,Vlineær PÅ, 2
V AV 0
t2
dst
t
LWCox
Støymargin
IHOHH
OLILL
VVNMVVNM
Høyeste inngang tolkes som 0.
Høyeste utgang defineres som 0.
Laveste inngang tolkes som 1.
Laveste utgang defineres som 1.
RC forsinkelsesmodeller
Seriekobling av transistorer:
n
i ieffektiv k
RR1
Parallellkobling av transistorer:
2R
RRReffektiv
Eksempel NAND3:
Transisjon fra 0 til 1:
R
RReffektiv
2
2
Transisjon fra 1 til 0:
R
RReffektiv
31
31
31
RC modell
Elmore forsinkelsesmodellNAND3
N
i
i
jjipd RCt
1 1
NANDN:
Forsinkelsesmodell:
RC
RRRCRRCRCt pd
12333
933
33
3
RC
RRRCRRCRCt pd
10333
733
33
3
RCt pd 13
RCht pd 513
Parasittisk tidsforsinkelse:
Vi kaller diffusjonskapasitanser for parasittiske kapasitanser som bidrar til parasittisk tidsforsinkelse.
Eksterne kapasitanser er definert som gatekapasitans for porter som skal drives.
Eksempel NAND3 som skal drive h tilsvarende porter:
Enkel RC modell: Elmore:Parasittisk tidsforsinkelse:
RCt pd 13Tidsforsinkelse (h=4):
RCht pd 510
Parasittisk tidsforsinkelse:RCt pd 10
Tidsforsinkelse (h=4):
h=4:
RCt pd 33 RCt pd 30
Elektrisk effort
Vi kaller forholdet mellom ekstern last (kapasitans) og inngangslast for elektrisk effort. Dette forholdet kalles fanout og skrives som Ch.
Logisk effort
Vi kaller forholdet mellom en ports inngangskapasitans og inngangskapasitansen til en inverter som leverer samme utgangsstrøm for logisk effort g.
Lineær forsinkelsesmodell
Normalisert tidsforsinkelse:
pfd
Effort tidsforsinkelse
Parasittisk tidsforsinkelse
ghf
in
ut
CCh
Elektrisk effort h:
Logisk effortVi kaller forholdet mellom en ports inngangskapasitans og inngangskapasitansen til en inverter som leverer samme utgangsstrøm for logisk effort g.
INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS
Parasittisk tidsforsinkelseVi definerer parasittisk tidsforsinkelse som tidsforsinkelse i en port uten ekstern last.
Port 1 2 3 4 nInverter 1
NAND 2 3 4 n
NOR 2 3 4 n
Tristate 2 4 3 6 2n
Antall innnganger
N- inngangs NAND port:
RCnn
nRnCnRC
RCt
i
jj
n
ii
i
jj
n
iipd
25
31
1
1
11
I realiteten øker parasittisk tidsforsinkelse kvadratisk med antall innganger.
Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter
i
igG
Logisk effort i kjede:
inngang
ekstern
CCH
Elektrisk effort i kjede:
kjedePÅ
kjedeAVkjedePÅ
CCC
b
Forgreiningseffort:
i
ibB
Forgreiningseffort i kjede:
361821
590
15151511
GBHFKjedeeffort:
ii
F
pf
PDD
Kjedeforsinkelse:
Kjedeforsinkelse vil ha en minimumsverdi når alle portene har lik effort forsinkelse f.
N
ii
i
F
hgff
1
'
Dvs.:
PNFD N 1
minimum
Minimum tidsforsinkelse:
inngang
ekstern
CCh
ghf
Transistorstørrelser:
'fgC
C ieksterninngang
i
i
Som gir:
Eksempel:
27100
35
35
34
i
igG
Logisk effort i kjede:
845
inngang
ekstern
CCH
Elektrisk effort i kjede:
6
2
yyy
xxx
bBi
i
Forgreinings effort i kjede:
1258456
27100
GBHFKjedens effort:
51253
1'
f
Optimal porteffort:7
232
PParasittisk tidsforsinkelse:
22753
'
PfNDMinimum kjedeforsinkelse:
155
3545
'
fgCy ekstern
Starter ved utgangen og finner transistorstørrelser:
105
351515
x
Beregner x:
Bubble pushing
BABA
BABA
CDABF Eksempel:
CDABF Eksempel:
Vi antar at:
520
100
H
Logisk effort:
916
34
34
G
Parasittisk tidsforsinkelse:
422
P
Kjedens effort:
9
519
16
GBHF
Optimal porteffort:
392
1'
f
443
34100
'2
fgCy NANDekstern
Vi beregner y:
203
3444
44'
2
fgx NAND
Vi beregner x:
Løsning:
Tidsforsinkelse:
102232
1
PNFD N
Porter med skew
Introduksjon til effektforbruk
Effektforbruk:
DDDD VtitP )()(
Effektforbruk over en tidsperiode T:
dtVtiE DD
T
DD 0
)(
Gjennomsnittelig effektforbruk over en tidsperioden:
dtVtiT
TEP
DD
T
DD
avg
0
)(1
Statisk effektforbruk:
1. AV strøm.2. Tunnellering.3. Pn-overganger.4. Lekkasje i transistorer som overstyres.
Dynamisk effektforbruk:
1. Opp- og utladning av kapasitanser.2. Kortslutningsstrøm.
Statisk effektforbruk
AV strøm:
t
DD
t
t
UV
nUV
dsstatisk eeII 10
Statisk effektforbruk:
DDstatiskstatisk VIP
Dynamisk effektforbruk
Inverter med last:
Gjennomsnittelig dynamisk effektforbruk:
T
DDDD
T
DDDDdynamisk
dttiTV
dtVtiT
P
0
0
)(
)(1
SWDD
DDSWDD
dynamisk
fCV
CVTfTVP
2
Tar hensyn til aktivitet:
SWDDdynamisk fCVP 2
Over tidsperioden T:
Pseudo nMOS NORLogisk effort:
34
31
32
34
21
pp
nu
WW
Wg
94
31
343
34
213
pn
nd
WW
Wg
Parasittisk tidsforsinkelse:
3
1010
34
34
323
internopptrekk
RC
CR
CRPu
9
103
1034
34
32
internnedtrekk
RC
CR
CRPd
Ganged CMOS
132
322
34
32
2
pp
npu WW
WWg
26
2322
2
34
34
32
32
internopptrekk
RC
RC
CR
CRRRR
CRP
p
pp
pp
u
Kaskode spenning svitsj logikk
NAND port