Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 147
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
BAB VII
ANALISA DC PADA TRANSISTOR
Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu Basis B, kolektor C dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p. Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh arus. Gambar skematik dari transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini.
E C E C
B B
n np p n p
NPN PNP
Gambar 1, Model fisis dan simbul transistor NPN dan PNP
Notasi
VBE = VB - VE VCE = VC - VE VCB = VC - VB IB : arus sinyal DC (signal besar) di basis. ib : arus sinyal AC (signal kecil) di basis.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 148
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Untuk BJT Emiter jauh lebih banyak di doped (diberi pengotoran) dibandingkan dengan Basis. Selanjutnya ketebalan antara emiter dengan kolektor merupakan faktor yang penting ⇒ Untuk ketebalan d yang kecil dipakai terutama untuk operasi pada frekuensi tinggi (misalnya untuk switch frekuensi tinggi).
Ada dua faktor yang menyebabkan jumlah perpindahan pembawa muatan yang melewati basis ke kolektor lebih sedikit dibandingkan dengan jumlah perpindahan pembawa muatan dari emiter ke basis ( IB < IE) :
1. Terminal Basis pada transistor tipe npn, yaitu tipe-p (sedikit di doped ) akibatnya perpindahan hole dari basis ke emiter sama seperti pada hubungan p-n dalam bias maju (forward bias).
2. Beberapa elektron yang melewati basis akan rekombinasi dengan hole sebelum mencapai pengaruh beda potensial antara Basis-Collector
Kedua hal ini yang menyebabkan arus IB kecil dibadingkan dengan IC, dan dapat dinyatakan sebagai:
IC = hFE IB
dengan hFE = β = penguatan arus DC pada konfigurasi CE (common emitter), nilainya selalu >1.
Sedangkan bila ada arus bocor, maka:
IC = hFE IB + ICEO
dengan ICEO : arus yang mengalir dari kolektor ke emiter pada saat terminal basis open (yaitu pada saat IB = 0).
Sebaliknya arus kolektor dapat juga dinyatakan sebagai:
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 149
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
iC = α iE + ICBO
dan dari KCL
iB = iE - iC = iE - (α iE + ICBO) = (1-α) iE - ICBO
Sehingga
iE = 1/α (iC - ICBO)
Didapat
iB = iE - iC = 1/α (iC - ICBO) - iC
Akhirnya diperoleh :
1 1CBO CBOB C c
I Ii i iαα α β α−
= − = −
dengan β = hFE
α = hFB
Hubungan ICEO dengan ICBO
Dari 1c B CEO B CEO FE B CEOi i I i I h i Iαβ
α= + = + = +
−
Sehingga β iB = iC - ICEO
Sebelumnya β iB = iC - (β/α) ICBO
Jadi ICEO = (β+1) ICBO ingat 1αβα
=−
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 150
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
NOTASI VAK vAK vak vAK = VAK + vak VAK besaran DC (quiescent) vak besaran AC vAK besaran sesaat total Vak besaran rms dari besaran AC Vakm besaran amplitudo dari besaran AC Contoh : vAK = 6 + 4 sin 2000 π t VAK = 6 volt, vak = 4 sin 2000 π t volt, Vakm = 4 volt,
Vak = 2√2 volt
Pembiasan pada transistor ditunjukkan pada gambar berikut
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 151
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
IC IC
VCC VCC
VBBIE IE
IB
VBB
IB
NPN PNP
Karakteristik Transistor
Karakteristik Input ( IB vs. VBE pada VCE konstan) Dengan membuat VCE konstan dapat di plot IB vs. VBE seperti ditunjukkan pada gambar berikut : (sama seperti dioda p-n)
VCE
VBE
IB
VBE
I B(m
A)
VCE=20V
VCE=10VVCE=1V
0,7 V
Karena sebagian besar pembawa muatan akan melewati/menyebrangi junction B-E ke kolektor, sehingga arus basis menjadi jauh lebih kecil dibandingkan dengan sebuah dioda p-n dengan faktor hFE. Dengan mengubah VCE efeknya tidak banyak berubah, yaitu dengan
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 152
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
penambahan VCE arus IB berkurang. Arus BI akan mengalir jika 0,7VBEV > , seperti ditunjukkan pada kurva karakteristik input di atas.
Karakteristik output (IC vs. VCE dengan IB konstan)
IE =IC + IB
BEie
B
vhi
Δ=
Δ
CEsat
Cfe
B V
ihi
Δ=Δ
CFE
B
IhI
=
Pada saat IB = 0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICEO (pada umumnya diabaikan), sedangkan pada saat IB ≠ 0 (misalnya 20 μA untuk VCE kecil ( < < 0,2 volt), pembawa muatan di basis tidak efisien dan transistor dikatakan dalam keadaan Saturasi dengan IB > I
hC
FE. Pada
saat VCE diperbesar IC pun membesar hingga melewati level tegangan VCE saturasi (0,2 ~ 1 volt) hingga transistor bekerja dalam daerah aktif, dengan IB = I
hC
FE. Pada saat ini IC relatif konstan terhadap variasi
tegangan VCE.
VCC
VCEVCE Sat
IC (mA)
IB = 0??AIB = 20 ?A
IB = 40 mA
IB= 60 ?A
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 153
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Ada beberapa hal yang perlu diperhatikan : 1. Pada daerah aktif IC hampir independen terhadap VCE. IC hanya
bergantung pada IB Penguatan arus.
2. Penambahan IC relatif kecil terhadap VCE. Dengan penambahan VCE akan memperlebar lapisan B-C dan hal ini akan mengurangi lebar efektif dari basis dan selanjutnya akan menamba efisiensi dari penarikan (perpindahan) elektron ke kolektor.
3. Diatas tegangan VCE tertentu (pada gambar berupa garis putus-putus) akan ada penambahan IC yang sangat besar karena hubungan B-C mendapat bias mundur breakdown dan akan menyebabkan transistor rusak.
4. Nilai VCE tidak bertambah secara signifikan dengan penambahan IB.
Perhatikan rangkaian berikut ini, diketahui penguatan arus untuk transistor 2N4424 adalah βdc = 350.
Dengan mengambil pendekatan II (anggap VBE = 0,7 V), maka arus yang mengalir pada basis adalah: (lihat loop basis – emitter, sumber tegangang dan RB)
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 154
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
10V 0,7V 28,2μA330k
BB BEB
B
V VIR− −
= = =Ω
Sehingga 9,87mAC dc BI Iβ= × =
Tegangan 10V 9,87mA 470 5,36VCE CC C CV V I R= − = − × Ω =
Daerah operasi dari transistor
1. Dareah aktif Basis - Emiter : mendapat bias maju Basis – Kolektor : mendapat bias mundur Pada npn arus Ib positif dan Vce > Vbe.
2. Daerah cut-off Kedua junction mendapat bias mundur Untuk npn arus Ib ≤ 0 (tak ada arus menuju basis atau arus meninggalkan basis)
3. Daerah saturasi Kedua junction mendapat bias maju Untuk npn arus Ib positif dan Vce ≤ Vbe
TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR
Transistor dapat dianalogikan sebagai saklar push-botton, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 155
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
IB
VCC
VY Gaya
VCC
VY
IC IC
1k? 1k?
5 volt 5 volt
RCRC
(a) (b)
Gambar 1, Analogi transistor sebagai saklar push button.
Agar saklar push-button dapat difungsikan diperlukan gaya yang bergantung dengan konstanta pegas yang terdapat di dalam saklar tsb, sedangkan pada transistor diperlukan arus tertentu pada basis agar dapat menghidupakan saklar transistor.
Dari Gambar 1a terlihat bahwa :
y CC C C CC B CV V I R V I Rβ= − = −
Jika IB = 0, maka diperoleh Vy = VCC. Sebaliknya jika IB = 0,25 mA (untuk β = 20, RC = 1 kΩ dan VCC = 5 V), diperoleh Vy = 0 volt. Artinya jika pada transistor diberi arus, maka tegangan di kolekor VC = 0 volt. Hal ini menunjukkan bahwa transistor bertindak sebagai saklar.
Namun jika IB = 0,1 mA, diperoleh Vy = 3 volt. Hal ini berarti bahwa tidak sepenuhnya ON atau OFF, seperti saklar konvensional dengan kontak yang jelek.
Dari rangkaian Gambar 1a dapat disimpulkan bahwa tegangan (Vy)min = 0 volt dan (Vy)max = 5 volt, artinya (IC)max = 5 mA.
Sebaliknya jika IC = 1 mA, maka Vy = 4 volt. Kondisi ini transistor dalam keadaan saturasi (pada saklar ditekan dengan keras). Umumnya dalam rangkaian logika transistor dirancang bekerja dalam daerah cut-
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 156
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
off dan daerah saturasi. Pada rangkaian saklar push-button tegangan Vy = 0 volt pada saat saklar ditekan, sedangkan pada rangkaian saklar transistor, tegangan Vy = 0,1 - 0,2 volt, tegangan ini dikenal sebagai tegangan saturasi.
Dalam prakteknya kontrol arus IB biasanya dihasilkan dari sumber tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini, berikut kurva V-I input dan kurva V-I outputnya.
IB
VCC
VY
IC
1k ?
5 volt
RC
Vin
2k?
1 2 3 VBE
IB
1
2
3
2,4
garis beban 2k? untuk Vi= 2,4 volt
0,2
garis beban 2k? untuk Vi= 0,2 volt
IC (mA)
VCE
00,1
0,20,4
0,6
0,8
1,0
1,2
ff
daerah aktif
Garis beban RC=1k?
5
5
Gambar 2, Rangkaian transistor saklar dengan kurva V-I nya.
Pada saat Vin = 2,4 volt, maka arus yang mengalir pada terminal basis adalah:
2,4 volt 1,7 volt 0,85 mA2 k 2 kB
VI γ−
= = =Ω Ω
dan
( )max20 0,85 mA=17 mA B CIβ = × > ,
dengan demikian transistor dalam keadaan saturasi dan saklar dalam keadaan ON.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 157
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Sebaliknya jika Vi = 0,2 volt, tegangan ini kurang dari tegangan threshold Vγ , sehingga IB = 0 mA, atau saklar transistor dalam keadaan OFF dan tegangan Vy = 5 volt.
Suatu transistor akan beroperasi dalam daerah saturasi jika CCC
C
VIR
> ,
dengan RC adalah hambatan di kolektor dan VCC adalah tegangan supply. Cara lainnya adalah dengan mengukur VCE ≤ 0,2 volt, atau VCE < VBE.
Untuk merancang agar transistor beroperasi dalam daerah saturasi
dilakukan dengan membuat 10 CCC
C
VIR
> × .
PEMODELAN TRANSISTOR
Model 1: Transistor sebagai penguat arus Sifat sifat untuk transistor tipe NPN adalah sbb: (untuk PNP ubah polaritasnya)
1. Kolektor harus lebih positif dari emiter BE dibias maju.
2. Hubungan basis-emiter dan basis-kolektor seolah-olah seperti dioda.
3. Setiap transistor memiliki nilai maksimum IC, IB dan VCE. Nilai-nilai ini tidak boleh dilebihi, termasuk IC VCE (disipasi daya), suhu opersasi, VBE dll.
4. IC = hFE IB = β IB.
Konfigurasi pengoperasian transistor 1. Common Base (Basis Bersama) 2. Common Emitter (Emiter Bersama)
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 158
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
3. Common Collector (Kolektor Bersama) Karakteristik dari masing-masing konfigurasi diberikan berikut ini:
Konfigurasi AI AV Zin Zout AP CB hFB ~ 0,99 ~ 50 ~ 50 Ω ~ 250 kΩ ~ 50 CE hFE ~ 250 ~ 50 ~ 1 kΩ ~ 50 kΩ ~ 2500 CC hFE ~ 250 1 ~ 100 kΩ ~ 1 kΩ ~ 50
Konfigurasi Basis Bersama
Penguatan pada konfigurasi basis bersama adalah C
E
IIFBh α= = dan
berharga < 1, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Konfigurasi ini jarang dipakai, namun demikian ada beberapa keuntungannya , yaitu :
IC vs. VCB sangat flat (datar)
Untuk VCB = 0 , IC sudah konduksi
Bila ada arus bocor ICBO = ICO, maka :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 159
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
IC = hFB IE + ICBO
Sehingga :
IC = hFB (IC + IB) + ICBO
atau
CBOFBB
FB FB
IhI I1 h 1 hC = +− −
Didapat :
FBFE
FB
hh1 h
=−
1αβα
=−
ICEO = CBOCEO
FB
II1 h
=−
Jika hFB ~ 1 , maka ICEO = hFE ICBO
Konfigurasi Common Collector = Pengikut Emiter Perhatikan gambar berikut ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 160
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
VO
VI
VCC
R
Pada saat t = t1
kaki basis mendapat tegangan negatif
kolektor- basis bias mundur
emiter-basis bias mundur
akibatnya transistor beropersai dalam daerah cut-off, Jadi perlu bias.
t
V in
V o u t
0 ,7
Cara pembiasan yang dilakukan adalah dengan menggunakan rangkaian pembagi tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 161
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
RE
R2
R1
RE
R2
R1
VCC
vccvcc
vo
Gambar 2, Rangkaian Emiter bersama dan ekivalennya
Rangkaian pembiasan Kolektor Bersama tsb diubah menjadi gambar di sebelahnya, yaitu dengan seolah-olah memisahkan tegangan catu VCC menjadi dua buah. Pencatuan pada terminal Basis diubah menjadi rangkaian berikut :
dengan 2
1 2TH CC
RV VR R
=+
1 2
1 2TH
R RRR R
=+
VCC
RE
IE
IBRTH
VTH A
Gambar 3, Rangkaian ekivalen Emiter bersama
IE = IB + IC
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 162
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Pada daerah aktif : IC = hFE IB
IE = IB + hFE IB = ( 1+hFE ) IB
Rangkaian ekivalen dari loop A ditunjukkan pada gambar berikut dengan menggantikan hambatan RE dengan (hFE + 1)RE. Hal ini terjadi karena arus yang mengalir pada hambatan RE tsb adalah IE, sedangkan pada rangkaian ekivalen arus yang mengalir adalah IB.
VTH
RTH0,7
(hFE+1)RE
Gambar 4, Rangkaian ekivalen loop A dari Gambar 3
Dari loop tsb dengan memanfaatkan KVL, diperoleh :
2CC
1 2
R VR R+
= B E E
R R1 2I 0,7 I RR R1 2
+ ++
2CC
1 2
R VR R+
= B FE E
R R1 2I 0,7 (h 1)RR R1 2
+ + ++
diperoleh :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 163
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
2CC
1 2B
1 2FE E
1 2
R V 0,7R RI
R R (1 h )RR R
−+
=⎛ ⎞
+ +⎜ ⎟⎝ ⎠
IC = hFE IB
IE = (1 + hFE)IB
VBE =0,7 volt
VCE = VC - VE = VCC - IE RE
Untuk pembiasan optimal cari nilai-nilai R1, R2, RE agar VCE ≈ 1/2 VCC
Konfigurasi Emiter Bersama untuk penguat tegangan
AC
RL
VCC
vs
VBB
IB
IC
vCE = VCC - iC RL CE
vBE
vAv
Δ=Δ
ΔvBE = vs Rangkaian ekivalen (BJT yang disederhanakan) adalah :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 164
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
AC
AChie
ICIB
sb
ie
VIh
=
so ce c L fe b L fe L
ie
VV =V =I R =h I R h Rh
=
Jadi o fe Lv
s ie
V h RAV h
= = −
hfe sebenarnya bervariasi terhadap vCE, namun variasinya tidak terlalu besar, sebagai pendekatan bisa dianggap konstan.
Garis beban Dari persamaan vCE = VCC - iC RL menunjukkan bahwa persamaan ini adalah persamaan garis lurus antara vCE vs. IC. Untuk membuat garis beban dilakukan dengan :
membuat iC = 0, maka vCE = VCC
vCE = 0, maka iC = VR
CC
L
Misalkan data transistor seperti kurva di samping
titik A untuk vCE = 12 volt = VCC
B untuk vCE = 0 volt → iC = 3,6 mA (dari gambar)
maka RL ≈ 33 kΩ.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 165
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Ambil Q (titik kerja) kira-kira di tengah garis beban
iB = 20 μA
iC = 1,7 mA
vCE = 6,5 V
Titik C : iB = 30 μA, iC = 2,4 mA dan vCE = 4 V.
D : iB = 10 μA, iC = 0,9 mA dan vCE = 9 V.
Dari kurva karkteristik input
IBQ = 20 μA, VBEQ = 0,73 V
iB = 30 μA dan vBE = 0,74 V
iB = 10 μA dan vBE = 0,72 V
Maka CEv
BE
v 9 4 5A 250v 0,72 0,74 0,02
Δ −= = = = −Δ − −
0 1260 126
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 166
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Konfigurasi Emiter Bersama Konfigurasi emiter bersama di atas ada kekurangannya karena diperlukan dua sumber tegangan DC yag berbeda, yaitu VBB dan VCC. Konfigurasi berikut ini ada keunggulannya dalam hal hanya memerlukan satu sumber tegangan DC, seperti ditunjukkan pada gambar berikut.
R1 Rc
ReR2
Gambar 5, Konfigurasi Emiter bersama yang diperbaiki
Untuk analisa DC (pembiasan transistor), dari rangkaian tsb tegangan catu VCC seolah-olah ada dua buah VCC seperti gambar berikut dan selanjutnya diubah dengan menerapkan teorema Thevenin seperti yang juga ditunjukkan pada gambar di bawah ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 167
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Rc
RE
R1 Rc
ReR2
VCC
RTH IB
IE
21
2CC RR
RV+
VCC VCC
Gambar 6, Rangkaian ekivalen emiter bersama
Dari E B CI I I= + , maka IE = (1+hFE) IB
Di terminal basis, dapat diganti dengan rangkaian pengganti Thevenin,
dengan 2
1 2TH CC
RV VR R
=+
dan 1 2
1 2TH
R RRR R
=+
.
Sehingga persamaan pada loop input adalah:
2 1 2
1 2 1 2
0,7 (1 ) 0CC B E FE BR R RV I R h I
R R R R− − − + =
+ +
Diperoleh:
2
1 2
1 2
1 2
0,7(1 )
RR R CC
B R RR R FE E
VI
h R+
+
−=
+ +
IC = hFE IB
IE = (1+hFE) IB
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 168
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Sehingga diperoleh: 1
FEC E
FE
hI Ih
=+
artinya untuk FEh besar, misalnya
untuk FEh = 100, 0,991
FE
FE
hh
≈+
artinya E CI I≈ .
VE = IE RE
VB = 0,7 + VE
VBE = 0,7 volt = VB - VE
VCE = VC - VE
VC = VCC - IC RC
VCE = VC - VE
Contoh:
Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter bersama berikut ini dan tentukan DC operating point-nya, jika hFE = 200.
Rangkaian tsb diubah menjadi rangkaian berikut
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 169
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Diperoleh 2.2kΩ 10V 1.8V2.2kΩ 10kΩthV = =
+ th BV V= ,
dan 2.2kΩ 10kΩ 1.8kΩ2.2kΩ 10kΩthR ×
= =+
Sehingga arus basis adalah 0.7(1 )th
Bth FE E
VIR h R
−=
+ + = 5.4 μA
dan 1.08mAC FE BI h I= × =
1.08mAE CI I≈ ≈
1.08VE E EV I R= × =
10V - 1.08 mA 3.6 k = 6.11 VC CC C CV V I R= − × = × Ω
atau 5.03VCE C EV V V= − =
Dengan menggunakan simulasi berikut ini
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 170
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Diperoleh:
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 171
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Latihan 1. Hitung IB, IC, IE, VB, VE, VC dan VCE dari rangkaian berikut, diketahui hFE = 50 untuk
a. R1 = 300 kΩ b. R1 = 200 kΩ
4,7 k?R1
15 volt
vout
Catatan IC = hFE IB hanya berlaku untuk transistor dalam daerah aktif (tidak jenuh/saturasi) 2. Hitung IB, IC, IE, VB, VC, VE dan VCE untuk rangkaian di bawah ini bila dianggap transistor
memiliki hFE = 100.
2 ,2 k?1 0 0 k?
1 5 vo lt
4 7 0 ?1 8 k?
v o u t
3. Untuk rangkaian emiter follower berikut ini entukan Ic dan VCE, diketahui hFE = 200.
4 7 k?
V C C =15 V
4 ,7 k?56 k?
v out
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 172
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
4. Untuk rangkaian emiter bersama berikut ini, tentukan IC dan VCE jika hFE = 100.
vout
560??
470 ?10 k?
56 k?4,7 k?
vin
VCC= 10V
Top Related