TiC及びTiSi2電極と SiCショットキーダイオードの …...・TiC, TiSi 2 800...
Transcript of TiC及びTiSi2電極と SiCショットキーダイオードの …...・TiC, TiSi 2 800...
Tokyo Institute of Technology
Department of Electrical and Electronic Engineering
TiC及びTiSi2電極とSiCショットキーダイオードの電気特性評価
(Electrical Characteristics of SiC Schottky
Diodes with TiC and TiSi2 Electrodes)
2015年2月17日(火) 学士卒業論文発表会
1
Iwai and Kakushima Laboratory
Tomoyuki Suzuki
11_13380 鈴木智之
パワーデバイスに向けたSiCの研究背景
2
高電圧用スイッチング回路で用いる場合
・大きなバンドギャップ ➔高い絶縁破壊電界
・高い熱伝導率➔高い放熱性
⇒絶縁構造・冷却装置を縮小可能
❏SiCパワーデバイスの利点➔小型化・省電力化
フルSiCパワーモジュールの例
❏金属/SiC接合ショットキーダイオード
ユニポーラデバイス ➔高速応答・低オン抵抗
⇒高周波・低損失パワーデバイス実現に寄与
SiCによるパワーデバイスの広範な性能向上が期待されている
SiC-SBD
SiC-SBD
SiC-
MOSFET
SiC-
MOSFET
W. Wondrak, et al., IEEE Trans. Ind. Electron., 48, 2 (2001).
TOSHIBA Review, Vol.59, No.2 (2004).
金属/SiC界面反応制御の課題
・熱処理によって金属/SiC界面が不均一に反応➔電気伝導が局在化
⇒ショットキーダイオード特性が劣化
・最適な電極の調査と界面反応制御
・ショットキーダイオード特性の向上
A. Itoh and H. Matsunami, Physica
Status Solidi, 162, 390 (1997).
SiC Ti
三元化合物
(Ti5Si3Cx)
析出TiC
Ti/SiCの界面反応
M. NAKA, J.C. FENG, and J.C. SCHUSTER, Metallurgical
and Materials Transactions 28A, 1385–1390 (1997).
3
SiC Ti
❏金属Ti/SiC界面の例
独立行政法人産業技術総合研究所https://staff.aist.go.jp/shiro-hara/schottky/schottky-physics.html
熱処理(1400℃)
本研究の提案
❏提案・・・Si-C-Tiの三元系状態図に着目
TiC及びTiSi2電極は熱処理によりSiCと反応しにくい可能性がある
J.S. Park, K. Landry, J.H. Perepezko, Materials Science and Engineering A259, 279–286 (1999).
・TiSi2は反応経路外に存在
・TiCは最終的な反応形成物
4
三元化合物 + シリサイド
カーバイド
SiC
Ti
Ti5Si3Cx
❏熱処理反応経路(➔)
Si
C
SiC
Ti
TiC
TiSi Ti5Si3TiSi2
本研究の目的と本発表の内容
❏研究目的
5
❏発表内容
TiC及びTiSi2電極によるSiCとの界面反応の制御
⇒SiCショットキーダイオード特性の向上
・TiC及びTiSi2電極のSiCショットキーダイオードの製作工程
・SiCショットキーダイオード特性の測定結果
・ショットキー障壁値とn値の評価結果
SiCショットキーダイオードの製作工程
6
① n型SiC基板をSPM,HFで化学洗浄
②プラズマCVD (TEOS)で素子分離
③表面電極 (Anode)
TiとC,TiとSi を積層スパッタ堆積
参照: Ti (20 nm)
④酸化防止膜TiN (50 nm)をスパッタ堆積
⑤裏面電極 (Cathode)
Ti (20 nm), TiN (50 nm)をそれぞれスパッタ堆積
⑥熱処理(RTA) 500~1000oC,N2雰囲気,1 分間
4H-SiC (0001) Si-face Nd=1.0x1016 [cm-3]
I-V測定 (電極面積依存性なども確認)
表面電極
TiN (50 nm)
SiC Substrate
4H-SiC Epilayer (12 μm)
Ti (20 nm)
Ti, TiC, TiSi2
TiN (50 nm)
SiO2SiO2
裏面電極
ダイオード特性の熱処理温度依存性(対数表示)
7
・参照のTi/SiCダイオードでは逆方向電流の大幅な増加を確認した
◎TiC/SiCダイオードは高温熱処理においてもダイオード特性を維持できた
○TiSi2/SiCダイオードはTi/SiCと比較して逆方向電流の増加を抑制できた
電極面積 206×206 μm2❏実験結果
逆方向電流 オフ状態 オン状態
⇒界面反応の抑制を示唆
ダイオード特性の評価手法
8
❏ショックレーのダイオード方程式
❏逆方向飽和電流 (TEDモデル)
n : ダイオード特性の指標 (理想値⇒1)
ϕBn : ショットキー障壁値 [eV]
A** : 実効リチャードソン定数 [A/cm2/K2]
𝐽 = 𝐽𝑠 exp𝑞𝑉
𝑛𝑘𝑇− 1
𝐽𝑠 = 𝐴∗∗𝑇2 exp −𝜙𝐵𝑛 − ∆𝜙𝐵
𝑘𝑇/𝑞
・実効リチャードソン定数を実験的に129 A/cm2/K2と定めた
・理論曲線のフィッティングからショットキー障壁値ϕBnとn値を求めた
金属/半導体界面の鏡像効果
➔ショットキー障壁ϕBnの低下
Δ𝜙𝐵 =𝑞𝐸𝑚4𝜋𝜀
𝐸𝑚 = 2𝑞𝑁𝑑(𝜓𝑏𝑖 − 𝑉𝑎𝑝𝑝)/𝜀
伝導帯
鏡像面Δ𝜙𝐵
金属 半導体
Em : 電界強度
ショットキー障壁値とn値の熱処理温度依存性
9
❏ショットキー障壁値ϕBn
・Ti (参照)
熱処理温度とともに低下
・TiC, TiSi2
◎800℃程度まで安定
❏n値
・Ti (参照)
熱処理温度とともに増加
・TiC, TiSi2
◎広い熱処理温度範囲で
理想値1に近い値
ショットキー障壁値ϕBn
n値
熱処理温度 (℃)
500 600 700 800 900
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.20
1.05
1.00
n値
(a.u
.)ϕ
Bn
(eV
)
Ti
TiCTiSi2
Ti
TiC
TiSi2
as-depo.
❏評価結果 (SiCショットキーダイオード)
SiCとの反応制御を示唆
1.15
1.10
本発表のまとめと結論
10TiCはSiCに対して最も熱処理安定な電極である
❏結論
10
❏TiC電極及びTiSi2電極のSiCショットキーダイオード
❏特にTiC電極のSiCショットキーダイオード
○Si-C-Ti系における最終的な反応形成物➔ TiC
◎高温熱処理後のダイオード特性維持を実証
◎熱処理800℃程度まで安定したショットキー障壁値
◎広い熱処理温度範囲で理想値1に近いn値
⇒接合界面における反応制御の可能性を示唆
発表内容
11
2015年2月17日(火) 学士卒業論文発表会
1. タイトル
2. パワーデバイスに向けたSiCの研究背景
3. 金属/SiC界面反応制御の課題
4. 本研究の提案
5. 本研究の目的
6. SiCショットキーダイオードの製作工程
7. ダイオード特性の熱処理温度依存性(対数表示)
8. ダイオード特性の評価手法
9. ショットキー障壁値とn値の熱処理温度依存性
10. 本発表のまとめと結論
Backup
12
2015年2月17日(火) 学士卒業論文発表会
13. 積層工程
14. デバイス全景
15. TiC形成(XRD)
16-18. 実効リチャードソン定数
19-20. I-V特性の評価結果
21-23. Si-C-Ti系
24. TiC電極剥離
25-28. I-V特性の測定結果
29. Ti-C Phase Diagram
30. TiC SEM
31. Ti-Si Phase Diagram
32. 応用展開・今後の展望
金属電極の積層スパッタリング工程
13
SiC substrate
Epilayer (12um)
Ti (0.8nm)
TiN (50nm)
C (0.45nm)
Ti (0.8nm)
C (0.45nm)
18 sets
SiC substrate
Epilayer (12um)
Ti (0.46nm)
TiN (50nm)
Si (1.19nm)
16 sets
Ti (0.46nm)
Si (1.19nm)
22.5 nm 26.4 nm
原子数比 Ti:C=1:1 原子数比 Ti:Si=1:2
TiC TiSi2
ショットキーダイオードのデバイス断面模式図
14
酸化防止膜
素子分離
エピタキシャル結晶成長層
SiC基板
裏面電極
酸化防止膜
電極面積 206×206 μm2
4H-SiC (0001) Si-face Nd=1.0x1016 [cm-3]
TiN (50 nm)
SiC Substrate (300 μm~)
4H-SiC Epilayer (12 μm)
Ti (20 nm)
Ti (20 nm), TiC, TiSi2
TiN (50 nm)
SiO2SiO2
金属電極
Anode
Cathode
TiCの形成(XRD 500℃熱処理)
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
30 40 50 60 70 80 90
2Ѳ (deg)
Inte
nsi
ty (
Co
un
t)
(111
)(2
00)
(220
)
(311
)(222)
TiC
(d)
SiC substrate
Epilayer (12um)
Ti (0.8nm)
C (0.45nm)
Ti (0.8nm)
C (0.45nm)
18 sets22.5 nm
積層構造で堆積したTiとCは,500oCの熱処理において,
TiCを形成することがXRDにより確認されている
K.Tuokedaerhan Apl 103 111908(2013)
実効リチャードソン定数A**の導出
16
❏逆方向飽和電流 (熱電子放出-拡散TED)
𝐽𝑠 = 𝐴∗∗𝑇2 exp −𝑞(𝜙𝐵𝑛 − ∆𝜙𝐵)
𝑘𝑇
ln(𝐽𝑠𝑇2) = ln(𝐴∗∗) −
𝑞(𝜙𝐵𝑛 − ∆𝜙𝐵)
𝑘𝑇
温度の関数としてアレニウスプロット
・傾きからショットキー障壁値ϕBn-ΔϕB
・切片から実効リチャードソン定数A**
❏TiC/SiCショットキー障壁値
ϕBn-ΔϕB=0.956 [eV] @-1 V
❏実効リチャードソン定数実験値
A**=129 [A/cm2/K2] @-1 V
ln(J
/T2)
(A/c
m2/K
2)
1000/T (K-1)
2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0
-23
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-30
TiC/SiC 500℃ 1min in N2
-20 mV
-1 V
大きな逆バイアスでは J≒Jsに近似できる
4H-SiCの理論値 A*=146 [A/cm2/K2]A. Itoh, T. Kimoto and H. Matsunami, IEEE Electron
Device Letters 16, 281 (1995).
𝐽 = 𝐽𝑠{exp𝑞𝑉
𝑛𝑘𝑇− 1}
【TEモデル】
実効リチャードソン定数A**導出例 (参考文献)
17
❏Activation-Energy Method
❏実効リチャードソン定数 (本研究)
A**=129 [A/cm2/K2] @-1 V
ln(J
/T2)
(A/c
m2/K
2)
1000/T (K-1)
2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0
-23
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-30
TiC/SiC 500℃ 1min in N2
-20 mV
-1 V
TiC/4H-SiC ショットキーダイオード
A Ferhat Hamida, et. al, Semiconductor Science
and Technology, Vol. 23, 045005 (2008).
❏実効リチャードソン定数 (参考文献)
A**=129.95 [A/cm2/K2]
W/4H-SiC ショットキーダイオード
ショットキーダイオードの温度特性とn値
18
・測定温度を上げると逆方向漏れ電流が増加
・電流-電圧特性が理論モデルで再現できる理想特性(n=1)に近い値を得た
※実効リチャードソン定数を実験値129 A/cm2/K2 としてフィッティング
測定温度(℃) n値
60 1.09
80 1.08
100 1.08
120 1.13
TiC/SiC 500℃ 1min in N2
Curr
ent
density (
A/c
m2)
Anode voltage (V)
10-9
10-7
10-6
10-5
10-4
10-8
-1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2
60℃
80℃
100℃
120℃
ϕBn=0.995 [eV]
TiC/SiC
熱処理温度 500℃ 1分 N2雰囲気
ショットキー障壁値とn値の熱処理温度依存性
19
❏ショットキー障壁値ϕBn
・Ti (参照)
熱処理温度とともに低下
・TiC, TiSi2
800℃程度まで安定
❏n値
・Ti (参照)
熱処理温度とともに増加
・TiC, TiSi2
広い熱処理温度範囲で
理想値1.0に近い値
ショットキー障壁値ϕBn
n値
熱処理温度 (℃)
500 600 700 800 900 1000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
n値
(a.u
.)ϕ
Bn
(eV
)
Ti
TiC
TiSi2
Ti
TiC
TiSi2
as-depo.
❏評価結果 (SiCショットキーダイオード)
SiCとの反応制御を示唆
I-V特性の電極面積依存性と周辺電流
20
TiN
SiC substrate
Epilayer
Ti, TiC, TiSi2SiO2SiO2
Curr
ent (A
)
Ti
TiC
TiSi2
Ti よりTiC 電極,TiSi2 電極は周辺電流
の増加を抑えられている傾向が見られた
⇒電極による反応が少ないと考えられる
2x10-11
0
4x10-11
8x10-11
6x10-11
1x10-10
0 2x10-5 4x10-5 6x10-5 8x10-5 1x10-4
800℃ 1min in N2 @-1.0 V
Electrode area (cm2)
電極面積を0に近づけると
「周辺電流」が観測できる
金属電極 周辺電流 (A)
Ti 6.2x10-12
TiC 5.6x10-13
TiSi2 2.4x10-12
電極面積 50×50 μm2,100×100 μm2,206×206 μm2 800℃ 1min in N2 @-1.0 V
電極表面
金属/SiC界面制御における課題と本研究の目的
・熱処理により金属/SiCの界面が反応
❏金属/SiC界面制御の課題
❏金属/SiC界面の制御
❏考案・・・Si-C-Tiの三元系状態図に着目
❏ショットキーダイオード特性の向上
目的:TiC及びTiSi2電極のSiCショットキーダイオード特性の評価
A. Itoh and H. Matsunami, Physica Status Solidi, 162, 390 (1997).
SiC Ti
三元化合物
(Ti5Si3Cx)析出TiC
M. NAKA, J.C. FENG, and J.C. SCHUSTER, Metallurgical
and Materials Transactions 28A, 1385–1390 (1997).
J.S. Park, K. Landry, J.H. Perepezko, Materials Science and Engineering A259, 279–286 (1999).
・Ti/SiC界面に三元化合物を生成
・最終的にはTiCが析出
・TiC及びTiSi2電極は熱処理によりSiCと反応しにくい可能性がある
21
熱処理によるTi/SiC界面反応の経路と考察
22
高温熱処理によるTiとSiCの界面反応では,SiCが分解・拡散しTiと反応相を形成する
TiとSiCは界面に不安定なτ相(Ti-SiC化合物)とシリサイドを形成し,続いてカーバイドが
Ti側に析出する
考察: あらかじめTiCを形成しておけばτ相に移行すること無く,熱処理安定性を保てる
TiC
TiSi2Ti
J.S. Park, K. Landry, J.H. Perepezko, Materials
Science and Engineering A259, 279–286 (1999).
M. NAKA, J.C. FENG, and J.C. SCHUSTER, Metallurgical and
Materials Transactions 28A, 1385–1390 (1997).
SiCパワーデバイス最新技術, サイエンス&テクノロジー, pp.169-172.
SiC
熱処理によるTi/SiC界面反応の経路
23
・高温熱処理によるTiとSiCの界面反応では,SiCが分解・拡散しTiと反応相を形成する
・TiとSiCは界面にτ相(Ti5Si3Cx)とシリサイドを形成し,続いてカーバイドがTi側に析出する
M. NAKA, J.C. FENG, and J.C. SCHUSTER, Metallurgical and
Materials Transactions 28A, 1385–1390 (1997).
SiCパワーデバイス最新技術, サイエンス&テクノロジー, pp.169-172.
TiCの電極剥離(1050℃熱処理後のTiN/TiC/SiC)
24
金属/SiC接合界面は高温熱処理により
グラファイト層が形成し,多層膜剥離が
発生すると言われている
剥離
SiC
C (Graphite)
TiC
Epilayer
S.Tanimoto, et al., Phys.Status Solidi, A 206, No.10, pp.2417-2430 (2009).
ダイオード特性の熱処理温度依存性(常用対数)
2525
※実効リチャードソン定数を実験値129 A/cm2/K2 としてフィッティング
Φ b 27 500 600 700 750 800 850 900 950 1000 1050 ℃TiN/Ti 0.942 1.180 1.166 0.971 0.925 0.839 0.768 0.648 0.628 0.756 0.745 eVTiN/TiC 0.842 0.977 0.966 0.916 0.919 0.891 0.922 1.072 1.160 1.273 1.449 eVTiN/TiSi2 0.783 0.938 0.925 0.875 0.869 0.829 0.790 0.760 0.722 0.696 0.880 eV
n 27 500 600 700 750 800 850 900 950 1000 1050 ℃TiN/Ti 1.02 1.06 1.10 1.02 1.03 1.05 1.07 1.14 1.32 1.26 1.34TiN/TiC 1.00 1.01 1.01 1.02 1.02 1.01 1.02 1.02 1.02 1.00 1.38TiN/TiSi2 1.13 1.04 1.03 1.02 1.02 1.03 1.03 1.02 1.03 1.07 1.13
ショットキー障壁ϕBn (eV)
n値
10-11
10-9
10-7
10-5
10-3
10-1
101
103
Curr
ent den
sity (
A/c
m2)
Anode voltage (V) Anode voltage (V) Anode voltage (V)
Ti/SiC TiC/SiC TiSi2/SiC
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
1000℃
900℃
800℃
700℃
600℃500℃
1000℃
900℃
800℃
700℃
500℃
1000℃
900℃
800℃
700℃600℃500℃600℃
電極面積 206×206 μm2
I-V特性の熱処理温度依存性(Ti/SiC)
26
10-11
10-9
10-7
10-5
10-3
10-1
101
103C
urr
ent density (
A/c
m2)
Anode voltage (V)
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Ti / SiC
1000℃
900℃
800℃
700℃
600℃
500℃
I-V特性の熱処理温度依存性(TiC/SiC)
27
10-11
10-9
10-7
10-5
10-3
10-1
101
103C
urr
ent density (
A/c
m2)
Anode voltage (V)
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
TiC / SiC
1000℃
900℃
800℃
700℃
600℃
500℃
I-V特性の熱処理温度依存性(TiSi2/SiC)
28
10-11
10-9
10-7
10-5
10-3
10-1
101
103C
urr
ent density (
A/c
m2)
Anode voltage (V)
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
TiSi2 / SiC
1000℃
900℃
800℃
700℃600℃500℃
Ti-C Phase Diagram
29
TiC
Hirokai Okamoto, Phase Diagrams for Binary Alloys (ASM) (2000).
TiCは高温で安定に存在
TiN/TiC/SiC SEM (500℃ Anneal)
30
SiC
TiC
TiN
Ti-Si Phase Diagram
31
SiTi
TiSi2
http://www.himikatus.ru/art/phase-diagr1/Si-Ti.php
Atomic percent Silicon
応用展開と今後の展望
32
・プロセス温度範囲が広い
・アレニウスモデルによる寿命時間増加
・低損失化と高速化に向けて最適なショットキー障壁値の可能性
❏応用展開 (TiC電極のSiCショットキーダイオード)
・各熱処理温度における断面TEM図や組成分析(XRDなど)
・他の電極材料とSiCのショットキーダイオードの比較・検討
❏今後の展望
𝜏 = 𝐴 exp𝐸𝑎𝑘𝑇
Backup
33
2015年2月17日(火) 学士卒業論文発表会
東京工業大学工学部
電気電子工学科