Termistores y Fotoresistencias
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Termistores Lecció n 8 © ITES-Paraninfo
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Termistores y Fotoresistencias
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Termistores
Lección 8
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NTC y PTC Símbolo eléctrico
-tº C +tº C
(a) (b)
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NTC Tecnología de fabricación
SEMICONDUCTOR
TERMISTOR DE CRISTAL EN FORMA DE GOTA(‘glass bead’ o ‘epoxy bead’)
RECUBRIMIENTO DECRISTAL O EPOXY
CABLES DECONEXIÓN
(a)
SEMICONDUCTOR
METALIZACIÓNCABLES DECONEXIÓN
(b)
TERMISTOR EN FORMA DE DISCO(‘disk’)
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NTCCaracterística R-T y modelo
)T
1
T
1(B
T0
0eRR
2T
T T
B
dT
dR
R
1
Re
sis
ten
cia,
Temperatura, K
0298 334 370 406262
5000
20000
15000
10000
RTD
NTC
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NTCElemento de un circuito
dt
dTmc)TT(IVP pa
t
a
tmc
a e1P
Te1P
TT p
R
V
RT
Ta
T
T
tiempo
Temperatura
(a) (b)
)TT(IVP aTT
© IT
ES
-Par
anin
foV
T [
V]
IT [A]
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
5
10
15
NTCAcondicionamiento (divisor resistivo)
Tio RR
Rv)T(v
22T
Ti
oi T
B
RR
RRv
dT
)T(dvv)T(S
TCRTc2B
Tc2BR
RT2RP4v maxmaxi
1
T4
B
B
v)T(S 2
c
2i
C
)TT)(T(S)T(v)T(v CCcoo © ITES-Paraninfo
(a) (b)
0
50
100
262200 325 387 450T [K]
Zona linealRT
R
-tº
Vi
Vo
Vo / Vi [%]
NTCAcondicionamiento (paralelizado)
TCRTc2B
Tc2BR
4000
2000
0200 350 425275 Te
500
RT
RP
(b)
R RT
(a)
T
Tp RR
RR)T(R
2
T
T2
pp
R
R1
1R
T
B
dT
)T(dR)T(S
2
Tc
Tc2c
TTp
cp
R
R1
1R
T
B
dT
)T(dR)T(S
c
R RT
VoI
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NTCAplicaciones
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R
NTC
R bobina R
T
NTC
cobre
RESPUESTACONJUNTA
R1
CARGAACC
Posiciónalternativa
-tº
-tº RE
CT
IFIC
AD
OR
-tº
-tº
PTC característica R-T
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R25
T25 TRmín
Rmín
Ts
Rs
Tp
RP
Tmáx
Rmáx
PTC característica V-I
TaT RTTV
minass R)TT(V
minassm R/)TT(I
maxasm R)TT(V
© IT
ES
-Par
anin
fo
Rmáx
Rmín
TsT
Curva R-T ideal
0
A
I
VVsVm
B
v·i = (Ts Ta) = cte
1/Rmín
1/Rmáx
Ims
Vmáx
Ir
Tensión deruptura
A’
B’
TaTb
PTC característica V-I
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50 100 1500,01
0,02
0,03
0,04
Curva V-I
V [V]
I [
A]
25ºC
50ºC
50 100 1500,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
V [V]I
[A
]
6 mW/ºC
12 mW/ºC
v
R
A
B
Curva V-I
(a) (b)
PTC Aplicaciones
PTCV
Aislante electrícotermoconductivo
Elemento a calentar
electrodos
V PTC
+tºPTC
EQUIPO A PROTEGER
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+tº
PTC
V
RELÉ
CARGA
220V+tº PTCV
RELÉ
CARGA
220V
I I
(a) (b)
+tº
PTC
CARGA INDUCTIVA
RED
LDR
R[]
L[lux]
Ro
Lo© ITES-Paraninfo
A
d
+ -i
V
ELECTRODOS
L() INTENSIDAD DE RADIACIÓNLUMINOSA
LDR
(a) (b)
LDR símbolo eléctrico
Sustratocerámico
Contactosmetálicos Película
semiconductora
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LDRModelo
L
LRR 00L
Parámetro Valores típicos
Ro 2K-200K @ 10lux
α 0,7-1,5
Tensión máxima 100V-150V
Potencia máxima 50mW-1W
Tiempo de respuesta >10ms a varios s.
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LDRAcondicionamiento
R(L)
R Vo
V
L
L
LRR
Rv
oo
o
CLR1
1R
TR2V
4
1
L
V)L(S
2
cC
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