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  • TEMA 1.CONFIGURACIN ESTRUCTURAL

    DE LOS

    MATERIALES

  • 2

    MATERIALES METLICOS

    Materiales Metlicos: materiales que poseen propiedades y caractersticas metlicas.

    Opacidad Conductividad elctrica y trmica Ductilidad Alta densidad Temperaturas fusin elevadas Brillo metlico

    Aleaciones: Importancia industrial

    80

    152,5 2 0,5 ACERO AL CARBONO

    ACEROS ALEADOS YFUNDICIONESALUMINIO Y ALEACIONES

    COBRE Y ALEACIONES

    RESTO

  • 3

    Estructura de los metales puros

    Enlaces a travs del mar de electrones de valencia donados(1, 2, or 3 de cada atmo).

    Enlace primario en metales y aleaciones metlicas

    + + +

    + + +

    + + +

    ENLACE METLICO Tendencia al empaquetamiento

    compacto Usualmente un nico elemento

    con lo que todos los radios atmicos son idnticos

    Enlace metlico no direccional Las distancias entre los vecinos

    ms prximos tienden a ser pequeas para minimizar la energa de enlace

    Estructuras simples

    1. Enlace metlico.2. Estructura cristalina (FCC,BCC, HC).3. Vidrios metlicos

  • 4

    Redes de Bravais

  • 5

    Estructura BCC

    Cr, Fe, Mo, V, W

    Nmero tomos/celdilla = 2

    Densidad atmica= 2/a3

    Radio atmico

    ndice de coordinacin = 8

    Ra 43 =

    3

    3

    34342

    R

    R Factor de empaquetamiento =

    Direcciones compactas [111]

    Planos compactos (110)

    Red: BCCBase estructural: (0,0,0)

  • 6

    Estructura FCC

    Ag, Al, Au, Cu, Ni, Pb, Pt

    Nmero tomos/celdilla = 4

    Densidad atmica= 4/a3

    Radio atmico

    ndice de coordinacin = 12

    Factor empaquetamiento =

    Direcciones compactas [110]

    Planos compactos (111)

    Ra 42 =

    3

    3

    24344

    R

    R

    Red: FCCBase estructural: (0,0,0)

  • 7

    Densidad terica,

    = n AVc NA

    # atoms/unit cell Atomic weight (g/mol)

    Volume/unit cell (cm 3/unit cell)

    Avogadro's number (6.023 x 10 23 atoms/mol)

    Estructura = FCC: 4 atoms/celda unidad

    Peso atmico = 63.55 g/mol

    R = 0.128 nm

    Volumen de la celdilla = a3 = cm3

    real = 8.94 gr/cm3

    terica = 8.89 gr/cm3Ejemplo: Cu

    231075.4

  • 8

    Estructura HC

    Red: Hexagonal centrada en las carasBase estructural: (0,0,0) (1/3, 2/3, c/2)

    3D Proyeccin 2D Projection

    A sitios

    B sitios

    A sitios Capa inferior

    Capa intermedia

    Capa superior

    ndice de coordinacion = 12, si c/a= 1,63

    ndice de coordinacion = 6, si

    Factor de empaquetamiento atmico = 0.74

    2

    2Ra

    aR

    =

    =

    63.1ac

  • 9

    ABCABC... Secuencia de apilamiento2D Proyeccin

    A sitios

    B sitios

    C sitios

    AB

    CFCC Celda Unidad

    FCC-HC: Similitud

    FCC . ABCABCABCHC . ABABABAB..

    B B

    B

    BB

    B BC C

    CA

    C C

    C

    A

    A

    A

    A

    A

    A

  • 10

    Microestructura

    aRi 079.0=

    E (diagonal) = 273 GPa

    E (edge) = 125 GPa

    Monocristales

    Anisotropia: las propiedades varian con la direccin.

    Ejemplo: Mdulo de elasticidad (E) en BCC hierro

    Policristales

    Las propiedades pueden/no pueden variar con la direccin.

    -Si los granos estn orientados al azar: isotrpicos.

    (Epoly iron = 210 GPa)-Si los granos estan deformados son anisotrpicos.

  • 11

    Defectos de la estructura cristalina

    Vacantes tomos intersticiales Impurezas Defecto de Frenkel

    Dislocaciones

    Bordes de grano

    Defectos Puntuales

    Defectos Lineales

    Defectos Superficiales

  • 12

    VacantesVacancy

    distortion of planes

    Defectos puntuales

    Puede producirse durante la solidificacin por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales o por reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los tomos.

    Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Se dan hasta una por cada 10000 tomos.

    Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posicin con sus vecinos. Este proceso es importante en la migracin o difusin de los tomos en el estado slido, sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los tomos es mayor.

  • 13

    Defectos puntuales

    tomos intersticiales: (importantes en los procesos de difusin)

    self-interstitialdistortion

    of planes

    Defecto de Frenkel:

    Es una imperfeccin combinadaVacante + Defecto intersticial.

    Ocurre cuando un in salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacante con carga elctrica.

  • 14

    Sustitucionales: el soluto o las impurezas reemplazan a tomos originales.

    Intersticiales: los tomos de las impurezas llenan los vacos o intersticios dentro del material original.

    Defectos puntuales

    Impurezas(ej. Solucin slida

    de Cu en Ni)

    (ej. Solucin slidade C en Fe)

    Incoherentes con la matriz: Solucin slida de B en A y partculas de una nuevafase (con diferente composicin y a menudo diferente estructura).

  • 15

    Gran influencia en el comportamiento mecnico, favorecen deslizamiento en planoscristalinos, originando deformacin permanente (plstica).

    Tipos de dislocaciones:

    Dislocaciones

    Defectos lineales

    Dislocacin helicoidal Dislocacin MixtasDislocacin de borde

  • 16

    Efecto de la deformacin plstica de una probeta de Zinc (HCP):

    Antes de la deformacin

    Despues de la elongacin

    a traccin

    Defectos lineales

    Influencia de las dislocaciones en los mecanismos de deformacin:

    Las dislocaciones aumentan los planos de deslizamiento La lnea de la dislocacin se desplaza fcilmente y origina la deformacinLa lnea de la dislocacin separa la parte de material deslizado de la izquierda especto

    a la no deslizada de la derecha. El movimiento de la dislocacin requiere el desplazamiento de un semiplano de tomos

    (desde la izquierda a la derecha) sobre el otro fijo.Los enlaces a travs de los planos de deslizamiento se rompen y se forman otros nuevos

    en sucesin lo que requiere de slo un ligero rearreglo de los tomos.

  • 17

    Movimiento de las dislocaciones

    Movimiento de diferentes tipos de dislocaciones para originar idntico

    corte.

    Vista atmica del movimiento de unadislocacion de borde desde la izquierdahasta la derecha al deformar el cristal

  • 18

    Bordes de granoSon lmites entre los cristales que constituyen el material policristalino.

    Se originan el el proceso de solidificacin.A traves de ellos cambia la orientacin del cristal.

    Constituyen un impedimento al movimiento de las dislocaciones.

    Bordes De grano

    Fe-Cr alloy

    microscocopio

    Borde de grano

    Superficie atacada

    Superficie pulida

    Defectos Superficiales

  • 19

    MATERIALES CERMICOS

    Materiales inorgnicos no metlicos Materiales policristalinos o amorfos Carcter no metlico Enlace inico/covalente estabilidad T fusin Materiales duros y frgiles ( tenacidad y ductilidad) Aislantes elctricos y trmicos

    Materiales Cermicos: propiedades y caractersticas.

    Tipos de cermicos

    Dos grupos principales:Cermicos tradicionales: a partir de arcilla, slice y feldespato (porcelanas, ladrillos, vidrio, etc.)Cermicos avanzados: formados por compuestos tales como Al2O3, SiC, Si3Ni4

  • 20

    Aplicaciones:

    Sustratos de circuitos, semiconductoresDielctricos de condensadoresCermicos piezoelctricosPrismas y lentes en tecnologa lserEnerga nuclear: combustibles, pantallas absorbentesQuemadores e intercambiadores de calorElementos de motores trmicosMatrices de extrusin y herramientas de mecanizado

    Importancia industrial

    Limitaciones: debidas a su fragilidad caracterstica

    Alta sensibilidad ante defectos (poros, inclusiones) que actan como concentradores de tensionesDificultades en cuanto al diseoElevado precio

  • 21

    Tiene un % de carcter inico y un % de carcter covalenteEl % de carcter inico aumenta con la diferencia de electronegatividad

    He -

    Ne -

    Ar -

    Kr -

    Xe -

    Rn -

    Cl 3.0Br

    2.8I

    2.5At

    2.2

    Li 1.0Na 0.9K

    0.8Rb 0.8Cs 0.7Fr

    0.7

    H 2.1

    Be 1.5Mg 1.2

    Sr 1.0Ba 0.9Ra 0.9

    Ti 1.5

    Cr 1.6

    Fe 1.8

    Ni 1.8

    Zn 1.8

    As 2.0

    C 2.5Si

    1.8

    F 4.0

    Ca 1.0

    Table of Electronegativities

    CaF 2: largeSiC: smallCaF2: dif.

    SiC: dif.

    Tabla de electronegatividades

    Estructura de los cermicos

  • 22

    Cermicos inicos

    Dos factores definen la estructura y el grado de compactacin de los cermicos inicos:

    La carga elctrica de los iones: el cristal debe ser elctricamente neutroLos tamaos relativos de aniones y cationes

    Estructura estable el catin est en contacto con todos los aniones que le rodean.

    Nmero de coordinacin (NC) es el nmero de aniones ms prximos a un catin.

    NC rc/ra con el que se da el contacto

  • 23

    Estructuras de cermicos AX

    Cloruro sdico NaCl

    Red: FCC

    Base estructural:

    Cl-(0,0,0) Na+(1/2,0,0)

    a= 2R(Na+)+2R(Cl-)

    NC =6 (aniones y cationes)

    FCC para aniones

    Cationes en todos los huecos octadricos

    Otros cermicos: NaCl, MgO, MnS, LiF, FeO

  • 24

    Estructuras de cermicos AnXp

    Fluorita (CaF2)

    NC =4 (aniones), 8 (cationes)

    FCC para Ca2+

    F- en todos los huecos tetradricos

    Base estructural:

    Ca