SPI シリアル EEPROM ファミリ...

25AA010A/25LC010A 25AA320A/25LC320A25AA020A/25LC020A 25AA640A/25LC640A25AA040A/25LC040A 25AA128/25LC12825AA080A/25LC080A 25AA256/25LC25625AA080B/25LC080B 25AA512/25LC51225AA160A/25LC160A 25AA1024/25LC102425AA160B/25LC160B

SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート

特徴 :• 最大クロック速度

- 10 MHz (1 ～ 256K)- 20 MHz (512K ～ 1M)

• バイトおよびページレベルでの書き込み動作

• 低消費電力 CMOS 技術

- 標準書き込み電流 : 5 mA - 標準読み出し電流 : 10 MHz 動作時 5 mA

20 MHz 動作時 7 mA- 標準スタンバイ電流 : 1 µA

• 書き込みサイクル時間 : 最大 5 ms最大 6 ms (25XX1024)

• セルフタイムの消去および書き込みサイクル

• 消去機能 (512K ～ 1M)- ページ消去 : 最大 6 ms- セクタ消去 : 最大 15 ms- チップ消去 : 最大 15 ms

• 内蔵書き込み保護機能

- 電源オン / オフデータ保護回路

- ライトイネーブルラッチ

- 書き込み保護ピン

• ブロック / セクタ書き込み保護機能

- アレイのうち 1 つも保護しない、1/4、1/2、またはすべてを保護するから選択

• 連続読み出し

• 高い信頼性

- データ保持時間 : 200 年超- 静電気保護 : 4000V 超- データ書き換え耐久性 : 100 万回の消去 / 書き込みサイクルを超える

• 標準 8 ピンおよび 6 ピンパッケージで提供

• サポートされている温度範囲 :- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C- 自動車用 (E): -40°C ～ +125°C

ピン機能表

概要 :マイクロチップテクノロジー社は、シリアル周辺装置インターフェイス (SPI) 互換のシリアルバスアーキテクチャを採用し、1K ビットから 1M ビットまで幅広いメモリ容量の品種を取り揃えた低電圧シリアルの電気的に消去可能なPROM (EEPROM)を装備しています。バイトレベルおよびページレベルの機能を備え、さらに高メモリ容量 512K ビットおよび 1M ビット品種においては、通常フラッシュベースの製品に付属するセクタおよびチップ消去機能も装備されています。

必要なバス信号は、クロック入力 (SCK) ラインに加え、それぞれデータ入力 (SI) ラインとデータ出力(SO) ラインです。デバイスへのアクセスは、チップセレクト (CS) 入力ピンで制御されます。

デバイスへの通信は、保持ピン (HOLD) で一時停止できます。デバイスが一時停止している間、入力の信号変化は無視されますが、チップセレクトはこの限りではなく、ホストはより優先順位の高い割り込みを実行します。

この SPI 互換デバイスの全てのシリーズは、標準の 8 ピンの PDIP および SOIC パッケージ、さらに、より進歩した 8 ピンの TSSOP、MSOP、2x3 DFN、5x6 DFN パッケージおよび 6 ピンの SOT-23 パッケージで提供されます。いずれのパッケージもRoHS に準拠しており、鉛フリー ( つや消しタイプの錫メッキ ) 加工が施されています。ピン配置図 ( 縮尺は正しくありません )

名称機能

CS Chip Select ( チップセレクト )SO Serial Data Output ( シリアルデータ出力 )WP Write Protect ( 書き込み保護 )VSS グランド

SI Serial Data Input ( シリアルデータ入力）

SCK Serial Clock Input ( シリアルクロック入力 )HOLD 入力保持

VCC 電源電圧

DFN

CS

SO

WP

VSS

HOLD

SCK

SI5

6

7

8

4

3

2

1 VCC

(MF)

CSSOWPVSS

1234

8765

VCC

HOLDSCKSI

(P、SN、SM)

CSSOWPVSS

1234

8765

VCCHOLDSCKSI

PDIP/SOIC

VSS

1

2

3 4

6

5VDD

CSSO

(OT)SOT-23

SCK

SI

CSSO

WPVSS

1234

8765

VCC

HOLDSCKSI

(MC)DFN

TSSOP/MSOP(ST、MS)

©2007 Microchip Technology Inc. Preliminary DS22040A_JP - ページ 1

25AAXXXX/25LCXXXX

デバイス選択表

部品番号

メモリ容量( ビット ) 構成 VCC 範囲

最大動作速度

(MHz)

ページサイズ

( バイト )温度範囲パッケージ

25LC010A 1K 128 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 16 I、E P、MS、SN、ST、MC、OT

25AA010A 1K 128 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 16 I P、MS、SN、ST、MC、OT





25LC080A 8K 1024 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 16 I、E P、MS、SN、ST25AA080A 8K 1024 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 16 I P、MS、SN、ST25LC080B 8K 1024 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 32 I、E P、MS、SN、ST25AA080B 8K 1024 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 32 I P、MS、SN、ST25LC160A 16K 2048 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 16 I、E P、MS、SN、ST25AA160A 16K 2048 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 16 I P、MS、SN、ST25LC160B 16K 2048 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 32 I、E P、MS、SN、ST25AA160B 16K 2048 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 32 I P、MS、SN、ST25LC320A 32K 4096 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 32 I、E P、MS、SN、ST25AA320A 32K 4096 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 32 I P、MS、SN、ST25LC640A 64K 8192 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 32 I、E P、MS、SN、ST25AA640A 64K 8192 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 32 I P、MS、SN、ST25LC128 128K 16,384 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 64 I、E P、SN、SM、ST、MF25AA128 128K 16,384 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 64 I P、SN、SM、ST、MF25LC256 256K 32,768 x 8 2.5 ～ 5.5V 10 64 I、E P、SN、SM、ST、MF25AA256 256K 32,768 x 8 1.8 ～ 5.5V 10 64 I P、SN、SM、ST、MF25LC512 512K 65,536 x 8 2.5 ～ 5.5V 20 128 I、E P、SM、MF25AA512 512K 65,536 x 8 1.8 ～ 5.5V 20 128 I P、SM、MF25LC1024 1024K 131,072 x 8 2.5 ～ 5.5V 20 256 I、E P、SM、MF25AA1024 1024K 131,072 x 8 1.8 ～ 5.5V 20 256 I P、SM、MF

DS22040A_JP - ページ 2 Preliminary ©2007 Microchip Technology Inc.

25AAXXXX/25LCXXXX

1.0 電気的特性

絶対最大定格 (†)

VCC ..................................................................................................................................................................................... 6.5V

VSS を基準にしたすべての入出力 ........................................................................................................ -0.6V ～ VCC+1.0V保存温度 ........................................................................................................................................................-65°C ～ +150°Cバイアス付加時周囲温度 ............................................................................................................................-40°C ～ +125°C全ピンに対する静電気保護 ............................................................................................................................................ 4 kV

表 1-1: DC 特性

† 注意 :上記の「絶対最大定格」を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格のみを規定するものであり、この条件、あるいはこの仕様の動作条件に記載する規定値以上の他の条件でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間最大定格状態にすると、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。

注 : これは AC および DC 特性の概略です。製品仕様については、デバイスのデータシートを参照してください。

DC 特性

電気的特性 :工業用 (I): VCC = +1.8V ～ 5.5V TA = -40°C ～ +85°C自動車用 (E): VCC = +2.5V ～ 5.5V TA = -40°C ～ 125°C

パラ

メータ

番号

記号特性最小最大単位テスト条件メモリ容量

D001 VIH High レベル入力電圧 0.7 VCC VCC + 1 V すべて

D002 VIL Low レベル入力電圧 -0.3 0.3 VCC V VCC ≥ 2.7V (注 1) すべて

D003 VIL -0.3 0.2 VCC V VCC ≥ 2.7V (注 1) すべて

D004 VOL Low レベル出力電圧 — 0.4 V IOL = 2.1 mA、VCC = 4.5V すべて

D005 VOL — 0.2 V IOL = 1.0 mA、VCC = 2.5V すべて

D006 VOH High レベル出力電圧 VCC -0.5 — V IOH = -400 µA すべて

D007 ILI 入力リーク電流 — ±1 µA CS = VCC、VIN = VSS または VCC すべて

D008 ILO 出力リーク電流 — ±1 µA CS = VCC、 VOUT = VSS または VCC すべて

D009 CINT 内部容量

( すべての入出力 )— 7 pF TA = 25°C、CLK = 1.0 MHZ、VCC =

5.0V (注 1)すべて

D010 ICCRead

動作電流

— 105

mA VCC = 5.5V、FCLK = 20.0 MHz、 Vcc = 2.5V、FCLK = 10.0 MHz

512K および1M

2.50.5

62.5

mA VCC = 5.5V、FCLK = 10.0 MHz、Vcc = 2.5V、FCLK = 5.0 MHz

1K ～ 256K

D011 ICCWRITE

— 75

mA VCC = 5.5VVcc = 2.5V

512K および1M

0.160.15

53

mA VCC = 5.5VVCC = 2.5V

1K ～ 256K

D012 ICCS スタンバイ電流 — 2012

µA CS = VCC = 5.5V、125°C CS = VCC = 5.5V、85°C( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 )

512K および1M

— 51

µA CS = VCC = 5.5V、125°CCS = VCC = 5.5V、85°C( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 )

1K ～ 256K

D13 ICCSPD ディープパワーダウンモード時の電流

— 1 µA CS = VCC = 5.5V( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 )

512K および1M

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出荷されるデバイス全

数に対してテストしているものではありません。


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表 1-2: AC 特性

AC 特性電気的特性 :工業用 (I): VCC = +1.8V ～ 5.5V TA = -40°C ～ +85°C自動車用 (E): VCC = +2.5V ～ 5.5V TA = -40°C ～ 125°C

パラメータ番号

記号特性最小最大単位条件メモリ容量

1 FCLK クロック周波数 ———

20102

MHz 4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

———

1053

MHz 4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

2 TCSS CS セットアップ時間

2550250

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

3 TCSH CS ホールド時間(注 3)

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

100200250

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

4 TCSD CS ディスエーブル時間

50 — ns1K ～ 256K

5 TSU データセットアップ時間

51050

— nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

102030

— nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

6 THD データホールド時間

1020100

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

204050

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

7 TR CLK 立ち上がり時間 (注 1)

— 20 ns 512K および 1M— 100 ns 128K および 256K— 500 ns 8K および 16K— 2000 ns 1K ～ 4K、32K ～ 64K

8 TF CLK 立ち下がり時間 (注 1)

— 20 ns 512K および 1M— 100 ns 128K および 256K— 500 ns 8K および 16K— 2000 ns 1K ～ 4K、32K ～ 64K

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出荷されるデバイス全数に対してテストしているものではありません。

2: このパラメータはテストを行ったものではなく、特性評価と適性評価により確定したものです。特定のアプリケーションにおけるデータ書き換えの耐久性の概算については、マイクロチップ社のウェブサイト www.microchip.com の Total Endurance™ Model をご参照ください。

3: THI 時間が含まれます。


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9 THI クロック High時間

2550250

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

10 TLO クロック Low時間

2550250

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

11 TCLD クロック遅延時間

50 — nsすべて

12 TCLE クロックイネーブル時間

50 — nsすべて

13 TV クロック low から出力有効までの時間

— 2550

250

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

— 50100160

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

14 THO 出力ホールド時間 (注 1)

0 — ns

15 TDIS 出力ディスエーブル時間 (注 1)

— 2550

250

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

— 4080

160

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

16 THS HOLD セットアップ時間

1020100

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

204080

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

17 THH HOLD ホールド時間

1020100

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

204080

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

表 1-2: AC 特性 ( つづき )








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18 THZ HOLD low から出力 High-Z までの時間 (注 1)

1530150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

3060160

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

19 THV HOLD high から出力有効までの時間

1530150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K および 1M

3060160

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K ～ 256K

20 TREL CS high からスタンバイモードまでの時間

— 100 µs 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V512K および 1M

21 TPD CS high からディープパワーダウンまでの時間

— 100 µs 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V

512K および 1M

22 TCE チップ消去サイクル時間

— 15 ms 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V512K および 1M

23 TSE セクタ消去サイクル時間

— 15 ms 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V512K および 1M

24 TWC 内部書き込みサイクル時間

— 6 ms バイトまたはページモード、およびページ消去

512K および 1M

— 5 ms バイトまたはページモード 1K ～ 256K25 — データ書き換え

耐久性 (注 2)> 1M — E/W

サイクルページあたり 512K および 1Mバイトあたり 1K ～ 256K

表 1-2: AC 特性 ( つづき )







表 1-3: AC テスト条件

AC波形 :VLO = 0.2V —VHI = VCC ～ 0.2V (注 1)VHI = 4.0V (注 2)CL = 30 pF —タイミング測定リファレンスレベル

入力出力

0.5 VCC0.5 VCC

注 1: VCC ≤ 4.0V2: VCC > 4.0V


25AAXXXX/25LCXXXX

図 1-1: 保持 (HOLD) タイミング

図 1-2: シリアル入力タイミング

図 1-3: シリアル出力タイミング

CS

SCK

SO

SI

HOLD

1716 16

17

1918

無視 5

ハイインピーダンスn + 2 n + 1 n n - 1n

n + 2 n + 1 n n n - 1

CS

SCK

SI

SO

65

87 11

3

LSB 入力MSB 入力

ハイインピーダンス

12

モード 1,1

モード 0,0

2

4

CS

SCK

SO

109

13

MSB 出力 LSB 出力

3

15

無視SI

モード 1,1

モード 0,0

14


25AAXXXX/25LCXXXX

2.0 機能の説明

2.1 動作原理

シリアル EEPROM25 シリーズは、マイクロチップ社の PIC® マイクロコントローラを含め、現在人気のある多くのマイクロコントローラファミリのシリアル周辺装置インターフェース (SPI) ポートに直接接続できるように設計されています。また、ディスクリート I/O ラインを SPI プロトコルと整合性を持つようファームウェアで適切にプログラムして使うことで、SPI ポート内蔵型でないマイクロコントローラにも接続できます。この EEPROM ファミリは、8 ビット命令レジスタを含みます。デバイスには SI ピンからアクセスでき、データは SCK の立ち上りエッジに同期して入力されます。動作中、CS ピンは low、HOLD ピンは high 状態でなければなりません。表 2-1 は、デバイス動作中の命令バイトおよび形式を示します。すべての命令、アドレス、およびデータは、MSB から LSB の順に転送されます。データ (SI) は、CS が low になってから最初の SCKの立ち上りエッジでサンプリングされます。クロックラインをSPIバス上の他の周辺デバイスと共用している場合、ユーザーは、HOLD 入力をオンにし、

EEPROM を「保持」モードにできます。HOLD ピンを解除すると、HOLD 入力に切り換えたときの状態から動作が再開します。

ブロック図

表 2-1: 命令セット

SISO

SCKCS

HOLDWP

STATUSレジスタ

I/O 制御メモリ制御

ロジック

X

Dec

HV ジェネレータ

EEPROMアレイ

ページラッチ

Y デコーダ

センスアンプR/W 制御

ロジック

VCCVSS

命令名称命令形式説明

全デバイス向け命令

READ 0000 0011 選択したアドレスでメモリアレイからデータを読み出しを開始する

WRITE 0000 0010 選択したアドレスでメモリアレイにデータを書き込みを開始する

WREN 0000 0110 ライトイネーブルラッチを設定 ( 書き込み動作を有効にする ) WRDI 0000 0100 ライトイネーブルラッチをリセット ( 書き込み動作を無効にする ) RDSR 0000 0101 ステータスレジスタを読み出す WRSR 0000 0001 ステータスレジスタに書き込む

25XX512および 25XX1024向け追加命令

PE 0100 0010 ページ消去 - メモリアレイの 1 ページを消去

SE 1101 1000 セクタ消去 - メモリアレイの 1 セクタを消去

CE 1100 0111 チップ消去 - メモリアレイの全セクタを消去

RDID 1010 1011 ディープパワーダウンの解除および電子署名を読み出し

DPD 1011 1001 ディープパワーダウンモードにする


25AAXXXX/25LCXXXX

2.2 読み出しシーケンス

CS を low にするとデバイスが選択されます。8 ビットの READ 命令が EEPROM に転送され、次にアドレスが転送されます。正しい READ 命令とアドレスが送信されたら、選択したアドレスのメモリに保存されているデータが SO ピンにシフト出力されます。クロックパルスを送信し続ければ、次のアドレスのメモリに保存されているデータを連続して読み出せます。

データの各バイトがシフト出力されると、内部アドレスポインタは自動的に次の上位アドレスに進みます。最上位アドレスまで進むと、アドレスカウンタはアドレス 00000h に戻り、読み出しサイクルは無限に続きます。CS ピンの立ち上がりで、読み出し動作は終了します。バイト読み出しについては、図 2-1A/B/C を参照してください。

表 2-2: 読み出し / 書き込みシーケンスアドレス指定

図 2-1A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

図 2-1B: 16 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

メモリ容量

アドレスビット

最上位アドレス

ページサイズ

1K 7 007F 16 バイト

2K 8 00FF 16 バイト

4K 9 01FF 16 バイト

8K 10 03FF 16 または32 バイト *

16K 11 07FF 16 または32 バイト *

32K 12 0FFF 32 バイト

64K 12 1FFF 32 バイト

128K 14 3FFF 64 バイト

256K 15 7FFF 64 バイト

512K 16 FFFF 256 バイト

1024K 17 1FFFF 256 バイト

注 : バージョン A - 16 バイトバージョン B - 32 バイト

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111

0 1A8*0000 1 A7 A6 A5 A4 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0

データ出力ハイインピーダンス

A3 A2

下位アドレスバイト

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

命令 + アドレス MSB

* 上位アドレスビット A8 は 1K と 2K のデバイスにおいてはドントケアです。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 311

0 100000 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0

命令 16 ビットアドレス



25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-1C: 24 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

2.3 書き込みシーケンス

EEPROM にデータを書き込む前に、WREN命令を発行し、ライトイネーブルラッチを設定しなければなりません ( 図 2-4 参照 )。CS を low にし、その後適切な命令を EEPROM にクロックと同期して出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を high にし、ライトイネーブルラッチを設定します。CS を high にせず、WREN 命令を発行後すぐに書き込み動作を始めると、ライトイネーブルラッチが正しく設定されていないため、データをアレイに書き込むことができません。書き込みシーケンスには、自動セルフタイムの消去サイクルが含まれるため、ライトコマンドを発行する前にメモリのいかなる部分をも消去する必要はありません。ライトイネーブルラッチが設定されたら、ユーザーは CS を low にすることから始めて、WRITE命令を発行し、続けて書き込むアドレス、そしてデータを発行します。書き込みサイクルを実行する前に、デバイスのメモリ容量に依存して、16 バイトから 256バイトまでのサイズのデータ 1ページをデバイスに送る必要があります。このとき、全バイトが同じページになくてはいけないという制限があります。ページサイズについては、表 2-2 を参照してください。

24XX512 および 24XX1024 デバイスの場合、ページ全体を書き込むかどうかにかかわりなく、必ずページ全体を更新する必要があります。したがって、これらのデバイスのデータ書き換えの耐久性はページ単位で規定されています。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 391

0 100000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0



注 : ページ書き込み動作では、書き込むバイト数に関係なく、1 物理ページ内のバイトにしか書き込むことができません。物理的なページ境界は、ページバッファサイズ( または「ページサイズ」) の整数倍であるアドレスから、ページサイズ −1 の整数倍であるアドレスまでです。ページライトコマンドが物理的なページ境界をまたいで書き込もうとすると、ユーザーが期待するようにデータは次のページに書き込まれず、現在のページの先頭に折り返されます (以前に同位置に保存されたデータを上書きします )。したがって、アプリケーションソフトウェアはページ境界をまたがるようなページ書き込み動作をしないようにする必要があります。


25AAXXXX/25LCXXXX
実際アレイに書き込むデータ用に、n 番目のデータバイトの最下位ビット (D0) をクロックに同期して入力した後は、CS を high にする必要があります。このとき以外に CS を high にすると、書き込み動作は完了できません。バイト書き込みシーケンスおよびページ書き込みシーケンスについての詳細は、それぞれ図 2-2A/B/Cおよび図 2-3A/B/C/Dを参照してください。書き込み動作が実行中は、ステータス
レジスタを読み出し、WIP ビットおよび WEL ビットの状態を確認します (図 2-6参照 )。書き込みサイクル中、メモリアレイ位置は読み出せません。書き込みサイクルが終了したら、ライトイネーブルラッチをリセットします。

図 2-2A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス

図 2-2B: 16 ビットのアドレス指定時の書き込みシーケンス

図 2-2C: 24 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス

SI

CS

9 10 11

0 0A8*0000 1 7 6 5 4 3 2 1 0データバイト

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

命令 + アドレス MSB 下位アドレスバイト

A7 A6 A5 A4 A3 A1 A0A2

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23Twc

SOハイインピーダンス


SO

SI

CS

9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

0 000000 1 A15 A14 A13A12 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0命令 16 ビットアドレスデータバイト


SCK0 2 3 4 5 6 71 8

Twc

SO

SI

CS

9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

0 000000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0命令 24 ビットアドレスデータバイト


SCK0 2 3 4 5 6 71 8

Twc


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-3A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

図 2-3B: 16 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

SI

CS

9 10 11

0 0A8*0000 1 7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

33 34 35 38 39

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト n ( 最大 16)

SCK

24 26 27 28 29 30 3125 32

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 3

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 2

36 37

アドレスバイト

A7 A6 A5 A4 A3 A1 A0A2

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

命令


SI

CS

9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

0 000000 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0命令 16 ビットアドレスデータバイト 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

41 42 43 46 47

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト n ( 最大 16/32)

SCK32 34 35 36 37 38 3933 40

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 3

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 2

44 45


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-3C: 24 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

2.4 ライトイネーブル (WREN) およびライトディスエーブル (WRDI)

EEPROM には、ライトイネーブルラッチが含まれます。書き込み保護機能マトリックスについては、表 2-4 を参照してください。書き込み動作を内部で終了する前に、このラッチを設定しなければなりません。WREN 命令はこのラッチを設定し、WRDI 命令はこのラッチをリセットします。

以下は、ライトイネーブルラッチをリセットするときの条件のリストです。

• 電源投入時

• WRDI命令が正常に実行された

• WRSR命令が正常に実行された

• WRITE命令が正常に実行された

• WP ピンが low に設定された (1K、2K、4K ビット品種のみ )

25XX512 および 25XX1024 向け追加命令

• PE命令が正常に実行された

• SE命令が正常に実行された

• CE命令が正常に実行された

図 2-4: ライトイネーブルシーケンス (WREN)

SI

CS

9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

0 000000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0命令 24 ビットアドレスデータバイト 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

49 50 51 54 55

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト n ( 最大 256)

SCK

40 42 43 44 45 46 4741 48

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 3

7 6 5 4 3 2 1 0データバイト 2

52 53

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI

ハイインピーダンスSO

CS

0 10 0 0 0 01


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-5: ライトディスエーブルシーケンス (WRDI)

2.5 リードステータスレジスタ命令(RDSR)

リードステータスレジスタ命令 (RDSR) は、ステータスレジスタにアクセスするために使用します。ステータスレジスタは、書き込みサイクル中を含めいつでも読み出せます。ステータスレジスタのフォーマットは以下のとおりです。

表 2-3: ステータスレジスタ

書き込みインプロセス (WIP) ビットは、EEPROM が書き込み動作中でビジー状態かどうかを示します。

‘1’ に設定されていると、書き込み動作中で、‘0’ に設定されていると、書き込み動作は行われていません。本ビットは読み出し専用です。

ライトイネーブルラッチ (WEL) ビットは、ライトイネーブルラッチの状態を示し、読み出し専用です。‘1’ に設定されていると、アレイへの書き込みが可能で、‘0’ に設定されていると、アレイへの書き込みができません。このビットの状態は、ステータスレジスタの書き込み保護の設定にかかわりなく、いつでも WREN または WRDI コマンドで更新されます。これらのコマンドを図 2-4 および図 2-5に示します。

ブロック保護 (BP0 および BP1) ビットは、どのブロックが現在書き込み保護状態にあるのかを示します。これらのビットは、ユーザーが WRSR命令を発行すると設定できます。これらのビットは不揮発性で、その内容を表 2-4 に示します。RDSR のタイミングシーケンスについては、図 2-6 を参照してください。

図 2-6: リードステータスレジスタのタイミングシーケンス (RDSR)

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI


CS

0 10 0 0 0 010

7 6 5 4 3 2 1 0W/R — — — W/R W/R R RWPEN X X X BP1 BP0 WEL WIP

W/R = 書き込み可 / 読み出し可 R = 読み出しのみ

注 : WPEN ビットは、24XX010A、24XX020A、および 24XX040A デバイスにはありません。

SO

SI

CS

9 10 11 12 13 14 15

1 100000 0

7 6 5 4 2 1 0

命令

ステータスレジスタからのデータハイインピーダンス

SCK

0 2 3 4 5 6 71 8

3


25AAXXXX/25LCXXXX

2.6 ライトステータスレジスタ命令(WRSR)

ライトステータスレジスタ命令 (WRSR) は、ユーザーに表 2-3 のようなステータスレジスタの不揮発性ビットに書き込む権限を与えます。ユーザーは、ステータスレジスタの適切なビットに書き込むことで、アレイの保護レベル 4 つのうちの 1 つを選択できます。アレイは 4 つのセグメントに分割されます。ユーザーは、アレイの 4 つのセグメントのうち 1 つも保護しないか、1 つ、2 つ、または 4 つすべてを書き込み保護するかを選択できます。この区分けは、表 2-4 のように制御されます。

メモリ容量が 8K ビット以上の EEPROM の場合、書き込み保護イネーブル (WREN) ビットは不揮発性ビットで、WP ピンのイネーブルビットとして機能します。書き込み保護 (WP) ピンおよびステータスレジスタの書き込み保護イネーブル (WPEN)ビットが、プログラム可能なハードウェア書き込み保護機能を制御します。WP ピンが low で WPEN ビットがhigh のとき、ハードウェア書き込み保護が有効になります。WP ピンが high、あるいは WPEN ビットがlow のとき、ハードウェア書き込み保護が無効になります。チップでハードウェアの書き込み保護を設定している場合、ステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込みのみが無効になります。WPENビットの機能マトリックスについては、表 2-6 を参照してください。WRSR のタイミングシーケンスについては、図 2-7 を参照してください。

表 2-4: アレイの保護

表 2-5: 保護されたアレイアドレス位置

図 2-7: ライトステータスレジスタのタイミングシーケンス (WRSR)

BP1 BP0 アレイアドレスが書き込み保護されているアレイアドレスが書き込み保護されていない

0 0 なしすべて ( セクタ 0、1、2、および 3)0 1 上位 1/4 ( セクタ 3) 下位 3/4 ( セクタ 0、1、および 2)1 0 上位 1/2 ( セクタ 2 および 3) 下位 1/2 ( セクタ 0 および 1)1 1 すべて ( セクタ 0、1、2、および 3) なし

メモリ容量上位 1/4

( セクタ 3)上位 1/2

( セクタ 2 および 3) 全セクタ

1K 60h ～ 7Fh 40h ～ 7Fh 00h ～ 7Fh2K C0h ～ FFh 80h ～ FFh 00h ～ FFh4K 180h ～ 1FFh 100h ～ 1FFh 000h ～ 1FFh8K 300h ～ 3FFh 200h ～ 3FFh 000h ～ 3FFh16K 600h ～ 7FFh 400h ～ 7FFh 000h ～ 7FFh32K C00h ～ FFFh 800h ～ FFFh 000h ～ FFFh64K 1800h ～ 1FFFh 1000h ～ 1FFFh 0000h ～ 1FFFh128K 3000h ～ 3FFFh 2000h ～ 3FFFh 0000h ～ 3FFFh256K 6000h ～ 7FFFh 4000h ～ 7FFFh 0000h ～ 7FFFh512K C000h ～ FFFFh 8000h ～ FFFFh 0000h ～ FFFFh1024K 18000h ～ 1FFFFh 10000h ～ 1FFFFh 00000h ～ 1FFFFh

SO

SI

CS

9 10 11 12 13 14 15

0 100000 0 7 6 5 4 2 1 0

命令ステータスレジスタへのデータ


SCK

0 2 3 4 5 6 71 8

3


25AAXXXX/25LCXXXX

2.7 データ保護

不注意によるアレイへの書き込みを防ぐために、以下の保護機能が実装されました。

• 電源投入時にライトイネーブルラッチはリセットされます。

• ライトイネーブルラッチの設定には、ライトイネーブル命令を発行しなければなりません。

• バイト書き込み、ページ書き込み、ステータスレジスタ書き込みが終了したら、ライトイネーブルラッチはリセットされます。

• 内部書き込みサイクルを開始するには、クロックサイクルを適切な回数実行した後で、CS をhigh に設定しなければなりません。

• 内部書き込みサイクル中にアレイへアクセスしようしてもアクセスできず、プログラミングが続行されます。

2.8 電源オンの状態

シリアル EEPROM は、以下の状態で電源がオンになります。

• デバイスは、低消費電力のスタンバイモードです (CS = 1)。

• ライトイネーブルラッチはリセットされます。

• SO はハイインピーダンス状態です。

• CS を high から low レベルに移行するときは、アクティブ状態である必要があります。

表 2-6: 書き込み保護機能マトリックス

2.9 ページ消去

ページ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512Kビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM のみに実装されています。この機能は、指定したページ内部の全ビットを消去 (FFh) します。ページ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を発行しなければなりません。CS を low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を high にし、ライトイネーブルラッチを設定します。

ページ消去機能には、CS を low にし、続けて命令コード (図 2-8A/B参照 )および 2または 3アドレスバイトを指定することで移行します。ページ内で消去するアドレスは、必ず有効なアドレスでなければいけません。

アドレスの最終ビットの後で CSを highにしなければなりません。これを行わないと、ページ消去は実行されません。CS を high に設定すると、セルフタイムのページ消去サイクルが開始します。ステータスレジスタの WIP ビットを読み出すと、ページ消去サイクルがいつ完了したかを判断できます。

ページ消去機能にブロック保護ビット (BP0、BP1)で保護されているアドレスが与えられると、シーケンスは中断し、消去は発生しません。

図 2-8A: 24 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス

WEL(SR ビット 1) WPEN(SR ビット 7)* WP( ピン 3) 保護されたブロック

保護されていないブロック

ステータスレジスタ

0 X X 保護保護保護

1 0 X 保護書き込み可書き込み可

1 1 0 (low) 保護書き込み可保護

1 1 1 (high) 保護書き込み可書き込み可

X = 不定* = WPEN ビットは、24XX010A/020A/040A にはありません。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 311

0 000010 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0




25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-8B: 16 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス

2.10 セクタ消去

セクタ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512Kビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM にのみ実装されています。この機能は、指定したセクタ内部の全ビットを消去 (FFh) します。セクタ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を発行する必要があります。CS を low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を high にし、ライトイネーブルラッチを設定します。

セクタ消去機能には、CS を low にし、続けて命令コード (図 2-9A/B参照 )および 2または 3アドレスバイトを指定することで移行します。セクタ内で消去するアドレスは、必ず有効なアドレスでなければいけません。

アドレスの最終ビットの後で CSを highにしなければなりません。これを行わないと、セクタ消去は実行されません。CS を high に設定すると、セルフタイムのセクタ消去サイクルが開始します。ステータスレジスタの WIP ビットを読み出すと、セクタ消去サイクルがいつ完了したかを判断できます。

セクタ消去命令にブロック保護ビット (BP0、BP1)で保護されているアドレスが与えられると、シーケンスは中断し、消去は発生しません。

セクタのアドレス指定については、表 2-2 および表 2-3 を参照してください。

図 2-9A: 24 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 231

0 000010 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0



SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 311

0 011011 0 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0




25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-9B: 16 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス

2.11 チップ消去

チップ消去機能は、アレイの全ビットを消去 (FFh)します。チップ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を発行しなければなりません。CSを low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を high にし、ライトイネーブルラッチを設定します。チップ消去機能には、CS を low にし、続けて SI ラインに命令コード( 図 2-10 参照 ) を指定することで移行します。

命令コードの 8 番目のビットの後で CS ピンを highにしなければなりません。これを行わないと、チップ消去機能は実行されません。CS ピンを high に設定すると、セルフタイムのチップ消去機能が開始します。デバイスがチップ消去機能を実行している間にステータスレジスタのWIPビットを読み出すと、チップ消去機能がいつ完了したかを判断できます。ブロック保護ビット (BP0、BP1) のいずれも‘0’でない、つまりアレイの 1/4、1/2、またはすべてが保護されている場合、チップ消去機能は無視されます。

図 2-10: チップ消去シーケンス

2.12 ディープパワーダウンモード

ディープパワーダウンモードは、高メモリ容量の25XX512および 25XX1024シリアルEEPROMに実装され、これらのデバイスの消費電力が最も少ない状態です。ディープパワーダウンモード時は、デバイスはリードまたはライトコマンドに応答しません。したがって、ソフトェアの書き込み保護の補助機能としても使えます。

ディープパワーダウンモードには、CS を low にし、続けて SI ラインに命令コード ( 図 2-11 参照 ) を指定し、その後 CS を high にすることで移行します。

命令コードの 8 番目のビットが与えられた後で CSピンを high にしないと、ディープパワーダウンは実行されません。CS ラインを high にした後、消費電力が最小に設定されるまでに遅延時間 (TDP) があります。

ディープパワーダウンモード時に発行されたすべての命令は、電子署名リードコマンド (RDID) を除いてすべて無視されます。RDID コマンドは、ディー

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 231

0 011011 0 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0



SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI


CS

1 11 0 0 0 11


25AAXXXX/25LCXXXX
プパワーダウンモードを解除し、電子署名を SO ピンに出力し、遅延時間 (TREL) の後デバイスをスタンバイモードに戻します。
ディープパワーダウンモードは、デバイスの電源を切ると自動的に解除されます。再度デバイスの電源が投入されると、デバイスはスタンバイモードで起動します。

図 2-11: ディープパワーダウンシーケンス

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI


CS

1 00 1 1 1 10


25AAXXXX/25LCXXXX

2.13 ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し

デバイスが一度ディープパワーダウンモードになると、ディープパワーダウンの解除および電子署名のリードコマンド以外のすべての命令は無視されます。またこのコマンドは、デバイスがディープパワーダウンモードでないときにも、消去、プログラム、ライトステータスレジスタなどのコマンドが実行されていない場合には、電子署名を SO ピンに読み出すために使えます。

ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出しには、CS を low にし、続けて RDID 命令コード (図 2-12A/B参照 )を指定することで移行します。その後、25XX1024 機種では 24 ビットのダミーアドレス (A23-A0) を、25XX512 機種では 16 ビットのダミーアドレスを送信できます。ダミーアドレスの最終ビットをクロックに同期して入力したら、8ビットの電子署名がクロックに同期して SO ピンに出力されます。署名を 1 度でも読み出したら、CSを high にしてシーケンスを終了できます。その後デバイスはスタンバイモードに戻り、新しい命令が与えられるのを待ちます。電子署名が一度読み出された後に、追加のクロックサイクルが送信された場合、シーケンスが終了するまで SO ラインに署名を出力し続けます。

図 2-12A: ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し (24 ビット )

図 2-12B: ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し (16 ビット )

8 ビットの RDID コマンドの実行後でも電子署名を送信する前であれば CS を high にしても、デバイスをディープパワーダウンモードから抜け出させる

ことができます。しかし図 2-13 に示すように、デバイスがスタンバイモード (ICCS) に戻る前に遅延時間 TREL が生じます。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 391

0 110101 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0


電子署名出力ハイインピーダンス

0 1 0 1 0 0 10

製造業者 ID 0x29

TREL

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 28 30 311

0 110101 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0


電子署名出力ハイインピーダンス

0 1 0 1 0 0 10

製造業者 ID 0x29

TREL


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-13: ディープパワーダウンモードの解除

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 71

0 110101 1

命令


TREL


25AAXXXX/25LCXXXX

3.0 ピン説明

各ピンの説明を表 3-1 に示します。

表 3-1: ピン機能表

3.1 チップセレクト (CS)このピンを low レベルにすると、デバイスを選択できます。high レベルにすると、デバイスの選択を解除し、強制的にスタンバイモードに入ります。しかし、CS 入力信号にかかわりなく、すでに始まったまたは進行中のプログラミングサイクルは終了します。プログラミングサイクルの途中で CS をhigh にすると、プログラミングサイクルが完了したらすぐにデバイスはスタンバイモードになります。デバイスの選択を解除すると、SO はハイインピーダンス状態になり、複数の部品が同じ SPI バスを共用できるようになります。有効な書き込みシーケンスの後で CS を low から high に変えると、内部書き込みサイクルが開始します。電源投入後は、シーケンスを始める前に CS を low レベルにする必要があります。

3.2 シリアル出力 (SO)SO ピンは、EEPROM から転送データを出力するのに使用します。読み出しサイクル中、データはシリアルクロックの立ち下がりエッジ後このピンにシフト出力されます。

3.3 書き込み保護 (WP)WP ピンは、ハードウェア書き込み保護入力ピンです。4K ビット以下の低メモリ容量品種では、このピンを論理 low に設定すると、ライトイネーブルラッチをリセットし、プログラミング動作が禁止されます。しかし、書き込みサイクルがすでに進行中の場合、WP が low になっても書き込みサイクルを変更したり、停止したりすることはありません。書き込み保護機能マトリックスについては、表 2-4 を参照してください。

8K ビット以上のメモリ容量の品種では、WP ピンは、ステータスレジスタの WPEN ビットとともに、ステータスレジスタの不揮発性ビットの書き込みを禁止するために使用します。WP ピンが low で、WPEN が high のとき、ステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込みは無効になります。その他

のすべての動作は正常に機能します。WP ピンが論理 high に設定されると、ステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込みも含め、すべての機能が正常に動作します。WPEN ビットが設定されていて、ステータスレジスタへの書き込みシーケンス中に WP ピンが論理 low になると、ステータスレジスタへの書き込みが無効になります。内部書き込みサイクルがすでに開始している場合、WP が lowになっても進行中の書き込み動作には影響しません。

ステータスレジスタのWPENビットが lowのとき、WP ピン機能はブロックされます。こうすることで、ユーザーは WP ピンを接地して EEPROM をシステムにインストールしていても、ステータスレジスタに書き込めます。WPEN ビットを論理 high にすると、WP ピン機能は有効になります。

3.4 シリアル入力 (SI)Si ピンは、転送データをデバイスに入力するのに使用します。命令、アドレス、およびデータを受信します。データはシリアルクロックの立ち上がりエッジでラッチされます。

3.5 シリアルクロック (SCK)SCK は、マスターと EEPROM 間の通信を同期するために使用します。SI ピン上の命令、アドレス、またはデータは、クロック入力の立ち上がりエッジでラッチされ、SO ピンのデータは、クロック入力の立ち下がりエッジ後に更新されます。

3.6 保持 (HOLD)HOLD ピンは、シリアルシーケンスの最中に、シーケンス全体を再送信することなく、EEPROM への送信を一時停止するために使用します。このピンは、この機能を使わないときは常に high にしておきます。デバイスが選択され、シリアルシーケンスが進行中に、HOLD ピンを low にしてシリアルシーケンスをリセットすることなく、さらなるシリアル通信を一時停止します。SCK が low の間は、HOLD ピンを low にしなければなりません。そうしないと、次に SCK が high から low に切り換わるまで、HOLD 機能を呼び出すことができません。このシーケンスの最中は、EEPROM は選択されたままにしなければなりません。デバイスが一時停止している間、SI、SCK、および SO ピンはハイインピーダンス状態で、これらのピンの変化は無視されます。シリアル通信を再開するには、SCK ピンが lowの間に HOLD を high にします。これを行わないとシリアル通信は再開しません。HOLD ラインを lowにすると、いつでも SO ラインはトライステートになります。

名称ピン番号機能

CS 1 チップセレクト入力

SO 2 シリアルデータ出力

WP 3 書き込み保護ピン

VSS 4 グランド

SI 5 シリアルデータ入力

SCK 6 シリアルクロック入力

HOLD 7 入力保持

VCC 8 電源電圧


25AAXXXX/25LCXXXX

4.0 パッケージ情報

4.1 パッケージマーキング情報

XXXXXNNNXXXXXXXX

YYWW

8 ピン PDIP

I/P 1L725LC080A

0628

例 : 鉛フリー

3e

8 ピン PDIP パッケージマーキング ( 鉛フリー )

デバイス名ライン 1 マーキングデバイス名ライン 1 マーキング

25AA010A 25AA010A 25LC010A 25LC010A25AA020A 25AA020A 25LC020A 25LC020A25AA040A 25AA040A 25LC040A 25LC040A25AA080A 25AA080A 25LC080A 25LC080A25AA080B 25AA080B 25LC080B 25LC080B25AA160A 25AA160A 25LC160A 25LC160A25AA160B 25AA160B 25LC160B 25LC160B25AA320A 25AA320A 25LC320A 25LC320A25AA640A 25AA640A 25LC640A 25LC640A25AA128 25AA128 25LC128 25LC12825AA256 25AA256 25LC256 25LC25625AA512 25AA512 25LC512 25LC512

25AA1024 25AA1024 25LC1024 25LC1024

注 : T = 温度グレード (I、E)

記号の説明 : XX...X 部品番号または部品番号コードY 年コード ( 暦年の下位 1 桁 )YY 年コード ( 暦年の下位 2 桁 )WW 週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )

つや消しタイプの錫メッキ (Sn)加工デバイス用鉛フリーJEDEC指定マーク

注 : 鉛フリー JEDEC 指定マークを印字する場所のない小型パッケージの場合、このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。

3e

3e

注 : マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。


25AAXXXX/25LCXXXX

XXXXYYWWXXXXXXXT

NNN

8 ピン SOIC

SN 062825L080AI

1L7

例 : 鉛フリー

3e

8 ピン SOIC パッケージマーキング ( 鉛フリー )


25AA010A 25AA01AT 25LC010A 25LC01AT25AA020A 25AA02AT 25LC020A 25LC02AT25AA040A 25AA04AT 25LC040A 25LC04AT25AA080A 25A080AT 25LC080A 25L080AT25AA080B 25A080BT 25LC080B 25L080BT25AA160A 25A160AT 25LC160A 25L160AT25AA160B 25A160BT 25LC160B 25L160BT25AA320A 25AA32AT 25LC320A 25LC32AT25AA640A 25AA64AT 25LC640A 25LC64AT25AA128

(SM パッケージもあります )25AA128T 25LC128 25LC128T

25AA256(SM パッケージもあります )

25AA256T 25LC256 25LC256T

25AA512(SM パッケージもあります )

25AA512T 25LC512 25LC512T

25AA1024(SM パッケージのみです。

SN パッケージはありません )

25AA1024 25LC1024 25LC1024



つや消しタイプの錫メッキ (Sn)加工デバイス用鉛フリーJEDEC指定マーク



3e

3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8 ピン TSSOP パッケージマーキング ( 鉛フリー )


25AA010A 5A1A 25LC010A 5L1A25AA020A 5A2A 25LC020A 5L2A25AA040A 5A4A 25LC040A 5L4A25AA080A 5A8A 25LC080A 5L8A25AA080B 5A8B 25LC080B 5L8B25AA160A 5AAA 25LC160A 5LAA25AA160B 5AAB 25LC160B 5LAB25AA320A 5ABA 25LC320A 5LBA25AA640A 5ACA 25LC640A 5LCA25AA128 5AD 25LC128 5LD25AA256 5AE 25LC256 5LE


NNN

XXXXTYWW

8 ピン TSSOP

1L7

5L8AI628

例 : 鉛フリー


つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリーJEDEC 指定マーク



3e

3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8 ピン MSOP パッケージマーキング ( 鉛フリー )


25AA010A 5A1AT 25LC010A 5L1AT25AA020A 5A2AT 25LC020A 5L2AT25AA040A 5A4AT 25LC040A 5L4AT25AA080A 5A8AT 25LC080A 5L8AT25AA080B 5A8BT 25LC080B 5L8BT25AA160A 5AAAT 25LC160A 5LAAT25AA160B 5AABT 25LC160B 5LABT25AA320A 5ABAT 25LC320A 5LBAT25AA640A 5ACAT 25LC640A 5LCAT


8 ピン MSOP 例 : 鉛フリー

XXXXXXTYWWNNN

5L8AI 6281L7


つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリーJEDEC 指定マーク



3e

3e


25AAXXXX/25LCXXXX

6 ピン SOT-23 パッケージマーキング ( 鉛フリー )

デバイス名 I - 温度マーキングデバイス名 I - 温度マーキング E - 温度マーキング

25AA010A 12NN 25LC010A 15NN 16NN25AA020A 22NN 25LC020A 25NN 26NN25AA040A 32NN 25LC040A 35NN 36NN

例 : 鉛フリー6 ピン SOT-23

XXNN 32L7


つや消しタイプの錫メッキ(Sn)加工デバイス用鉛フリーJEDEC指定マーク



3e

3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8 ピン 2x3DFN パッケージマーキング ( 鉛フリー )

デバイス名 I - 温度マーキングデバイス名 I - 温度マーキング E - 温度マーキング

25AA010A 401 25LC010A 404 40525AA020A 411 25LC020A 414 41525AA040A 421 25LC040A 424 425

注 : NN = 英数字のトレース用コード

8 ピン 2x3DFN 例 : 鉛フリー

421627L7

XXXYWWNN


つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリー JEDEC 指定マーク



3e

3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Dual In-Line (P) – 300 mil Body [PDIP]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located with the hatched area.2. § Significant Characteristic.3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .010" per side.4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.

BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.

Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging

Units INCHES

Dimension Limits MIN NOM MAX

Number of Pins N 8

Pitch e .100 BSC

Top to Seating Plane A – – .210

Molded Package Thickness A2 .115 .130 .195

Base to Seating Plane A1 .015 – –

Shoulder to Shoulder Width E .290 .310 .325

Molded Package Width E1 .240 .250 .280

Overall Length D .348 .365 .400

Tip to Seating Plane L .115 .130 .150

Lead Thickness c .008 .010 .015

Upper Lead Width b1 .040 .060 .070

Lower Lead Width b .014 .018 .022

Overall Row Spacing § eB – – .430

N

E1

NOTE 1

D

1 2 3

A

A1

A2

L

b1

b

e

E

eB

c

Microchip Technology Drawing C04-018B


25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 3.90 mm Body [SOIC]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.2. § Significant Characteristic.3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.

BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.


Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 1.27 BSC

Overall Height A – – 1.75

Molded Package Thickness A2 1.25 – –

Standoff § A1 0.10 – 0.25

Overall Width E 6.00 BSC

Molded Package Width E1 3.90 BSC

Overall Length D 4.90 BSC

Chamfer (optional) h 0.25 – 0.50

Foot Length L 0.40 – 1.27

Footprint L1 1.04 REF

Foot Angle φ 0° – 8°

Lead Thickness c 0.17 – 0.25

Lead Width b 0.31 – 0.51

Mold Draft Angle Top α 5° – 15°

Mold Draft Angle Bottom β 5° – 15°

D

N

e

E

E1

NOTE 1

1 2 3

b

A

A1

A2

L

L1

c

h

h

φ

β

α



25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Small Outline (SM) – Medium, 5.28 mm Body [SOIJ]

Notes:1. SOIJ, JEITA/EIAJ Standard, formerly called SOIC.2. § Significant Characteristic.3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.25 mm per side.


Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 1.27 BSC

Overall Height A 1.77 – 2.03

Molded Package Thickness A2 1.75 – 1.98

Standoff § A1 0.05 – 0.25

Overall Width E 7.62 – 8.26

Molded Package Width E1 5.11 – 5.38

Overall Length D 5.13 – 5.33





Mold Draft Angle Top α – – 15°

Mold Draft Angle Bottom β – – 15°

φ

β

α

L

c

A2

A1

A

b

1 2

e

E

E1

N

D



25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm Body [TSSOP]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.2. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.3. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.



Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 0.65 BSC


Molded Package Thickness A2 0.80 1.00 1.05

Standoff A1 0.05 – 0.15


Molded Package Width E1 4.30 4.40 4.50

Molded Package Length D 2.90 3.00 3.10

Foot Length L 0.45 0.60 0.75





D

N

E

E1

NOTE 1

1 2

b

e

c

A

A1

A2

L1 L

φ



25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Micro Small Outline Package (MS) [MSOP]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.2. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.3. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.



Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 0.65 BSC


Molded Package Thickness A2 0.75 0.85 0.95

Standoff A1 0.00 – 0.15


Molded Package Width E1 3.00 BSC


Foot Length L 0.40 0.60 0.80





D

N

E

E1

NOTE 1

1 2

e

b

A

A1

A2c

L1 L

φ



25AAXXXX/25LCXXXX

6-Lead Plastic Small Outline Transistor (OT) [SOT-23]

Notes:1. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.127 mm per side.2. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.

BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.


Units MILLIMETERS


Number of Pins N 6

Pitch e 0.95 BSC

Outside Lead Pitch e1 1.90 BSC

Overall Height A 0.90 – 1.45

Molded Package Thickness A2 0.89 – 1.30

Standoff A1 0.00 – 0.15

Overall Width E 2.20 – 3.20

Molded Package Width E1 1.30 – 1.80

Overall Length D 2.70 – 3.10


Footprint L1 0.35 – 0.80




b

E

4N

E1

PIN 1 ID BY

LASER MARK

D

1 2 3

e

e1

A

A1

A2c

L

L1

φ



25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MC) – 2x3x0.9 mm Body [DFN]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.2. Package may have one or more exposed tie bars at ends.3. Package is saw singulated.4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.



Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 0.50 BSC

Overall Height A 0.80 0.90 1.00

Standoff A1 0.00 0.02 0.05

Contact Thickness A3 0.20 REF



Exposed Pad Length D2 1.30 – 1.75

Exposed Pad Width E2 1.50 – 1.90

Contact Width b 0.18 0.25 0.30

Contact Length L 0.30 0.40 0.50

Contact-to-Exposed Pad K 0.20 – –

D

N

E

NOTE 1

1 2

EXPOSED PAD

NOTE 1

2 1

D2

K

L

E2

N

e

b

A3 A1

A

NOTE 2

BOTTOM VIEWTOP VIEW



25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MF) – 6x5 mm Body [DFN-S]

Notes:1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.2. Package may have one or more exposed tie bars at ends.3. Package is saw singulated.4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.



Units MILLIMETERS


Number of Pins N 8

Pitch e 1.27 BSC

Overall Height A 0.80 0.85 1.00

Standoff A1 0.00 0.01 0.05

Contact Thickness A3 0.20 REF



Exposed Pad Length D2 3.90 4.00 4.10

Exposed Pad Width E2 2.20 2.30 2.40

Contact Width b 0.35 0.40 0.48

Contact Length L 0.50 0.60 0.75

Contact-to-Exposed Pad K 0.20 – –

NOTE 2

A1

A

A3

NOTE 1 1 2

E

N

D

EXPOSED PAD

NOTE 12 1

E2

L

N

e

b

K

BOTTOM VIEWTOP VIEW

D2



25AAXXXX/25LCXXXX

付録 A: 改版履歴

リビジョン A (2007 年 5 月 )本文書の初版( パッケージ図 Rev. AP)


25AAXXXX/25LCXXXX
メモ :

25AAXXXX/25LCXXXX

マイクロチップ社のウェブサイト

マイクロチップ社は、ウェブサイト (www.microchip.com) でオンラインサポートを提供しています。このウェブサイトを使うことで、お客様はファイルや情報を簡単に入手できます。お客様のお気に入りのインターネットブラウザでアクセスできます。ウェブサイトには以下の情報が掲載されています。

• 製品サポート – データシートと正誤表、アプリケーションノートとサンプルプログラム、設計リソース、ユーザーズガイドとハードウェアサポート文書、最新のソフトウェアと過去のソフトウェア

• テクニカルサポート – よくある質問 (FAQ)、テクニカルサポートリクエスト、オンラインディスカッショングループ、マイクロチップ社コンサルタントプログラムメンバの一覧

• マイクロチップ社の事業 – 製品選択および注文ガイド、マイクロチップ社の最新プレスリリース、セミナーおよびイベントの一覧、マイクロチップ各営業所、販売代理店、工場担当者の一覧

お客様変更通知サービス

マイクロチップ社のお客様通知サービスにて、常にお客様にマイクロチップ社製品の最新情報を提供させていただきます。この通知サービスを申し込んだお客様には、お客様の指定した製品ファミリまたは開発ツールに関する変更、更新、改訂、あるいは正誤表情報があるときに、常に電子メールにてお知らせいたします。

登録するには、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com にアクセスし、[Customer ChangeNotification] をクリックして、登録手順に従ってください。

お客様サポート

マイクロチップ社製品のユーザーは、以下の複数のルートでサポートを受けられます。

• 販売代理店

• 該当地域の営業所

• フィールドアプリケーションエンジニア (FAE)• テクニカルサポート

• Development Systems Information Line ( 開発システム情報を提供する電話サービス )

サポートが必要な場合、お客様は製品を購入した販売代理店またはフィールドアプリケーションエンジニア (FAE) にご連絡ください。該当地域の営業所でもお客様へのサポートを提供しています。各営業所と所在地の一覧は、本書の最終ページに記載されています。

テクニカルサポートはウェブサイト (http://support.microchip.com)を介して提供されます。

© 2007 Microchip Technology Inc. Preliminary DS22040A_JP - ページ 39

25AAXXXX/25LCXXXX

読者アンケート

マイクロチップ社では、お客様にマイクロチップ社製品を効果的にお使いいただくために、可能な限り最良の文書を提供するように努めています。文書の構成、明瞭さ、内容に関しまして、我々の文書がお客様にとりましてより良くなるためのご意見を提供していただける場合は、ファクスにて弊社のテクニカルパブリケーションマネージャ宛にご意見をお送りください。ファクス番号は 1-480-792-4150 ( 国際電話 ) です。

以下の欄に必要事項と本書に関するご意見をご記入の上、お送りください。

送信先 :テクニカルパブリケーションマネージャ

件名 : 読者アンケート

送信枚数 ________

発信元 :お名前

会社名

ご住所

市町村 / 都道府県 / 郵便番号 / 国名

電話 : (_______) _________ - _________

用途 ( 任意の項目 ):

回答を希望しますか ? はいいいえ

デバイス : 文書番号 :

質問 :

ファクス : (______) _________ - _________

DS22040A_JP25AAXXXX/25LCXXXX

1. 本書の中で最も良い記事はどれですか ?

2. 本書には、お客様がハードウェアおよびソフトウェアを開発する際に必要な情報が十分に記載されていますか ?

3. 本書の構成はわかりやすいですか ? わかりにくいと感じた場合、その理由をお書きください。

4. 本書の構成や内容を改善するには、何を追加したらよいと思われますか ?

5. 全体に影響を与えず、本書から削除してもかまわないと思われる内容があれば、お書きください。

6. 不正確な情報または誤解を与えるような情報がありますか ? もしあれば、記載ページと該当箇所をお

書きください。

7. 本書をさらにわかりやすくするには、どのような改善が必要だと思われますか ?

DS22040A_JP - ページ 40 Preliminary © 2007 Microchip Technology Inc.

25AAXXXX/25LCXXXX

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの照会は、工場もしくは巻末のセールスオフィスへお問い合わせください。

パーツ番号 X /XX

パッケージ温度範囲デバイス

例 :a) 25AA010A-I/SN: 1Kb) 25AA040A-I/MS: 4Kc) 25LC040AT-I/OT: 4Kd) 25LC1024-I/SM: 1M

デバイス : EEPROM シリーズ 25電圧 : AA = 1.8V ～ 5.5V

LC = 2.5V ～ 5.5V容量 : 010A = 1K ビット

020A = 2K ビット

040A = 4K ビット

080A = 8K ビット

080B = 8K ビット

160A = 16K ビット

160B = 16K ビット

320A = 32K ビット

640A = 64K ビット

128 = 128K ビット

256 = 256K ビット

512 = 512K ビット

1024 = 1024K ビット (1M ビット )温度範囲 : I = -40°C ～ +85°C

E = -40°C ～ +125°C

パッケージ

方法 :T = テープ＆リール

ブランク = 標準パッケージ

パッケージ : P = 8 ピンプラスチック DIP (300 mil ボディ )SN = 8 ピンプラスチック SOIC (3.90 mm ボディ )SM = 8 ピンプラスチック SOIC (5.28 mm ボディ )ST = 8 ピンプラスチック TSSOP (4.4 mm ボディ )MS = 8 ピンプラスチックマイクロスモール

アウトライン (MSOP)MC = 8 ピン 2x3 mm DFNMF = 8 ピン 6x5 mm DFNOT = 6 ピン SOT-23

パーツ番号

X

パッケージ方法

© 2007 Microchip Technology Inc. Preliminary DS22040A_JP- ページ41

マイクロチップ社デバイスのコード保護機能に関する以下の点にご留意ください。

• マイクロチップ社製品は、その該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。

• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様どおりの方法で使用した場合、マイクロチップ社製品は現在市場に流通している同種製品としては最もセキュリティの高い部類に入る製品であると考えております。

• コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在します。マイクロチップ社の確認している範囲では、このような方法のいずれにおいても、マイクロチップ社製品をマイクロチップ社データシートの動作仕様外の方法で使用する必要があります。このような行為は、知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• マイクロチップ社は、コードの保全について懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• マイクロチップ社を含むすべての半導体メーカーの中で、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証しているものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、製品のコード保護機能の改善に継続的に取り組んでいます。マイクロチップ社のコード保護機能を解除しようとする行為は、デジタルミレニアム著作権法に抵触する可能性があります。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。

本書に記載されているデバイスアプリケーションなどに関する情報は、ユーザーの便宜のためにのみ提供されているものであり、更新によって無効とされることがあります。アプリケーションと仕様の整合性を保証することは、お客様の責任において行ってください。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マイクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します。マイクロチップ社デバイスを生命維持および /または保安のアプリケーションに使用することはデバイス購入者の全責任において行うものとし、デバイス購入者は、デバイスの使用に起因するすべての損害、請求、訴訟、および出費に関してマイクロチップ社を弁護、免責し、同社に不利益が及ばないようにすることに同意するものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません。

© 2007 Microchip Technology Inc. Prelimin

商標

Microchip の名前付きロゴ、Microchip ロゴ、Accuron、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、microID、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PRO MATE、PowerSmart、rfPIC、SmartShunt は、米国およびその他の国におけるMicrochip Technology Incorporated の登録商標です。

AmpLab、FilterLab、Linear Active Thermistor、Migratable Memory、MXDEV、MXLAB、PS ロゴ、SEEVAL、SmartSensor、The Embedded Control Solutions Company は、米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、MPLINK、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、Real ICE、rfLAB、rfPICDEM、Select Mode、Smart Serial、SmartTel、Total Endurance、UNI/O、WiperLock、ZENA、は米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の商標です。

SQTP は米国における Microchip Technology Incorporatedのサービスマークです。

その他、本書に記載されている商標は、各社に帰属します。

© 2007, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

再生紙を使用しています。

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マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 )、Mountain View ( カリフォルニア州 ) の本部、設計部およびウエハ製造工場が ISO/TS-16949:2002 認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。また、マイクロチップ社の開発システムの設計および製造に関する品質システムは、ISO 9001:2000 の認証を受けています。

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北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277テクニカルサポート : http://support.microchip.comウェブアドレス : www.microchip.comアトランタDuluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455ボストンWestborough, MATel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088シカゴItasca, ILTel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075ダラスAddison, TXTel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924デトロイトFarmington Hills, MITel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260ココモKokomo, INTel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387ロサンゼルスMission Viejo, CATel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608サンタクララSanta Clara, CATel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445トロントMississauga, Ontario,CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

アジア / 太平洋アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHabour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431オーストラリア - シドニー

Tel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755中国 - 北京

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アジア / 太平洋インド - バンガロール

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