Scherübl ZoltánNanofizika Szeminárium - JC

2012. Okt 18.BME

In-assisted növesztés MBE-ben SiO2/HSQ rétegre

Zink-blende szerkezet

Sok ikersík

5 nm-es alignolási pontosságSEM szennyezés

No passziválás

O+, Ar+ plazma

Ti/Au

SEM hatása:

Longitudinális ellenállás 2 nagyságrendet csökken

Hall-ellenállás közel állandó -> nagyrészt kontakt ellenállás (~2k)

Oka: As vakanciát hozhat létre a felületen a SEM -> In többlet -> dópolja

Hall-mérés:I = 1 -5 μA@RT

H

DD

D

DH

DD

D

VB

aedI

n

enBj

V

aIj

aRL

6

~

)6/(

)6/(

2

2

2

2

2

BG hatása:Csökkenti az elektron sűrűségetMobilitás nem változik

Field effect-mérés:Kb 4-szeres n-t jósolElektronok ¼-e vezetési elektronA többi interfész/felületi állapotoban

lokalizálódik

eLaVC

n thFE 6

||

NW: d = 20-40 nm, zink-blende1 μm PMMAn = 7000/nm = const (Field-effect n) (μ = 500 cm2/Vs, le ~ 18 nm)Erősebb szórás a NW-PMMA felületen -> G csökken pozitív gate-relφ korrelál G-valα: 2x faktor, polarizáció függetlenül

Suspended NW (1 min HF marás) Li+ vagy ClO4- a NW felületre diffundál

Radiálisan szimmetrius E a NW-ben E~107 V/cm, α: 6x, τSO: 3 nagyságrendlφ korrelál G-vel itt is, lSO erősen változik

τφ: T-2/3 függés: Nyquist-folyamat (e-e kölcsönhatás)τSO: hőmérséklet függés alapján más folyamat is jelentős lehet