Equipo 5

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA

DE AMPLIFICADOR CON BJT El análisis de esta sección empleará la configuración de polarización por

medio del divisor de voltaje para el BJT, aunque los resultados se pueden

aplicar a cualquier configuración de BJT. basta encontrar la resistencia

equivalente apropiada para la combinación RC. Los capacitores Cs, CC y

CE determinarán la respuesta en baja frecuencia de la red de la figura

9.23.

Formulas Principales

Aplicando la regla del divisor de voltaje:

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

DE AMPLIFICADOR CON BJT En la región de alta frecuencia, la red RC de interés tiene la

configuración que aparece en la figu- ra 9.52. A medida que

la frecuencia se incrementa, la magnitud de la reactancia XC

se reduce, con el resultado de un efecto de cortocircuito a

través de la salida y una reducción de la ganancia. La

derivación que conduce a la frecuencia de corte de esta

configuración RC sigue líneas semejan- tes a las

encontradas para la región de baja frecuencia. La diferencia

más significativa radica en la siguiente forma general de Av:

En la figura 9.54 se incluyen las diversas capacitancias

parásitas (Cbe, Cbc, Cce) del transistor junto con las

capacitancias de alambrado introducidas durante la

construcción. El modelo equivalente de alta frecuencia

de la red de la figura 9.54 aparece en la figura 9.55.

Observe que faltan los capacitores Cs, CC y CE los

cuales se supone que se encuentran en estado de

cortocircuito en estas frecuencias. La capacitancia Ci

incluye la capacitancia de alambrado de entrada , la

capacitancia de transición Cbe y la capacitancia Miller .

La capacitancia Co incluye la capacitancia de

alambrado de salida , la capacitancia parásita Cce y la

capacitancia de efecto Miller de salida . En general, la

capacitancia Cbe es la más grande de las

capacitancias parásitas, con Cce como la más

pequeña. En realidad, la mayoría de las hojas de

especificaciones simplemente dan los niveles de Cbe y

Cbc y no incluyen Cce a menos que afecte la respuesta

de un tipo particular de transistor en un área de

aplicación específica. Al determinar el circuito

equivalente de Thévenin de las redes de entrada y

salida de la figura 9.55 obtenemos las configuraciones

de la figura 9.56. Para la red de entrada, la frecuencia

de -3 dB se define como

Formulas Principales