UNIVERSIDAD TECNICA DE COTOPAXI

UNIDAD ACADEMICA DE CIENCIA DE LA INGENIERIA Y APLICADAS

INGENIERIA ELECTROMECANICA

TEMA: P RAM

ALUMNO: JORGE TAPIA

P RAM

La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada

PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica

unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil.

Utiliza vidrio calcógeno (anfígeno) que puede configurarse en uno de

dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de

un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la

memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las

carencias de ésta.

PRAM vs. FlashPrecisamente es este tiempo de cambio el que hace a la PRAM y otras propuestas semejantes un sustituto interesante de Flash. La sensibilidad a la temperatura de la PRAM es su mayor desventaja, y podría requerir cambios en los procesos de producción de la misma.La memoria Flash funciona modulando la carga electrónica almacenada en la puerta de un transistor MOS. La puerta está diseñada para ser capaz de confinar carga eléctrica (bien en puerta flotante o en trampas de aislante).

La memoria PRAM ofrece un desempeño mucho mejor en aplicaciones en las que la escritura es importante, tanto por el menor tiempo de cambio del elemento como por el hecho de que los cambios pueden realizarse a nivel de bit sin afectar a un bloque entero de celdas. Su velocidad está miles de veces por encima de las de los discos duros convencionales. Esto la hace especialmente útil para cubrir almacenamiento no volátil que en la actualidad viene limitado por la velocidad de acceso a los datos.

Por el momento, las PRAM fabricadas almacenan un bit por celda (las Flash pueden modular la carga almacenada en una celda para almacenar varios bits, típicamente dos).

Pueden utilizarse varios elementos diferentes para seleccionar celdas en una PRAM: diodos, BJT y MOSFET entre otros. El diodo proporciona la mayor corriente de todos estos, aunque existe el problema de la inducción de corrientes parásitas en celdas colindantes, así como mayores necesidades energéticas.

El prototipo presenta un núcleo de 46,7 nm, que es mejor que cualquiera de las Flash RAM en el mercado. Aunque Flash RAM ya tiene tiempo en el mercado y una mayor capacidad (con módulos de 8 Gb saliendo al mercado), se prevé que PRAM será un verdadero competidor en este sentido ya que tiene una densidad mucho mayor y en un futuro se esperan capacidades enormes.