1

Pertemuan 21FIELD EFFECT TRANSISTOR

( FET )

Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit

Tahun : 2005

Versi : 1

2

Learning Outcomes

Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa

akan mampu :

Menjelaskan struktur, tipe dan cara kerja dari FET.

3

Outline Materi

• Struktur FET.

• Simbol dan tipe FET.

• Cara kerja FET.

4

FIELD EFFECT TRANSISTORFIELD EFFECT TRANSISTOR

p p

n

G

S

D

VDS

VGS

STRUKTUR FET

5

OPERASI FETOPERASI FET

G

n

S

D

VDS

VGS

p p

n

S

D

VDS

VGS

p pG

n

S

D

VDS

VGS

p pG

VGS = 0 VGS = -2V VGS = -4V

6

OPERASI FETOPERASI FET

G

n

S

D

VDS

VGS

p p

n

S

D

VDS

VGS

p pG

n

S

D

VDS

VGS

p pG

VDS = 1V VDS = 2V VDS = 4V

VGS = 0V VGS = 0V VGS = 0V

7

KURVA KARAKTERISTIKKURVA KARAKTERISTIK

IDSS

ID

VDS

Daerah aktif

Daerah Ohmic

VPVDS(maks)

DaerahBreakdown

VGS(off) = -4V

VGS = 0V

VGS = -1V

VGS = -2V

VGS = -3V

ID

VP = 4V

Kurva drain dengan

beberapa nilai VGS

VDS

Kurva drain dengan gate

dan source dihubung singkat

VP = - VGS(off)

8

SIMBOL DAN POLARITASSIMBOL DAN POLARITAS

D

G

S

D

G

S

kanal

kanal

D

G

S

D

G

S

ID

ID

+

_

_

+

VDS

VGS

_

+

+

_

VDS

VGS

9

KURVA TRANSKONDUKTANSIKURVA TRANSKONDUKTANSI

2

)off(GS

GSDSSD V

V1.II

VGS(off) = -4V

VGS = 0V

VGS = -1V

VGS = -2V

VGS = -3V

ID

VP = 4V

Kurva transkonduktansi dari kurva drain

VGS( V ) -4 -3 -2 -1 0

IDSS

10

NORMALISASINORMALISASI

2

)off(GS

GS

DSS

D

V

V1

I

I

ID

IDSS

1 3/4 2/4 1/4 0

1

9/16

4/16

1/16

VGS

VGS(off)

11

CONTOHCONTOH

+ VDD

VGS = - 2V

RD

Tentukan arus drain pada rangkaian disamping ini jika arus drain maksimum IDSS =

2 mA, VGS(off) = -4 volt.

mA5.0I

)25.0).(mA2(I

V4

V21.mA2I

V

V1.II

D

D

2

D

2

)off(GS

GSDSSD