NJU7089-TNJU7089-T 2.0 Ver. - 3 - 裏 (2) 裏面中央部タ電極ダぎ内部SUB...

NJU7089-T

- 1 - Ver.2.0 www.njr.co.jp

低電圧 1.8V 動作 1.2W モノラルオーディオパワーアンプ特長動作電源電圧 V+ = 1.8V to 5.5 V 消費電流 IDD1 = 3.0mA typ. (@V+ = 5V, RL = ∞, 無信号時) IDD1 = 2.5mA typ. (@V+ = 3V, RL = ∞, 無信号時) 出力電力

PO = 1.2W typ. (@V+ = 5V, RL = 8Ω, THD+N = 1%) PO = 500mW typ. (@V+ = 3.3 V, RL = 8Ω, THD+N = 1%)

シャットダウン機能サーマルシャットダウン機能ポップノイズ抑制回路過電流保護回路内蔵 CMOS 構造パッケージ

VSP8 / SSOP20-C3 / ESON8-V1 / HTSSOP24-P1 アプリケーションメータークラスタ緊急通報 (eCall) ETC ドライブレコーダー PND 電子ミラー

概要 NJU7089 は、1.2W 出力可能な低電圧動作オーディオパワ

ーアンプです。1.8V から動作が可能となっており、電池駆動で

低電圧動作が必要とされるポータブル機器やセキュリティー機

器等のアプリケーションに最適です。スタンバイ機能を搭載しており、入力信号のミュートと同時に

消費電流の低減が可能です。また、スタンバイモード切り替え

時のノイズ対策を施しています。

特性例ブロック図

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

0 1 2 3 4 5 6 7

Out

put P

ower

[W]

Supply Voltage [V]

Output Power vs. Supply VoltageRL=8Ω, THD=1%, Ta=25˚C

BIAS TSDSD

Bypass

+IN

-IN

OUTB

OUTA

V+

GND

NJU7089-T


端子配置図

(1) 裏面中央部の電極は、内部 SUB 電位である為、GND に接続して下さい。

端子番号端子名機能

1 SD シャットダウン端子

2 Bypass 基準電圧端子

3 +IN 非反転入力端子

4 −IN 反転入力端子

5 OUTA 出力端子A 6 V+ 電源電圧端子 7 GND 接地端子 8 OUTB 出力端子B

端子番号端子名機能端子番号端子名機能

1 NC 未接続 11 NC 未接続 2 NC 未接続 12 NC 未接続 3 NC 未接続 13 NC 未接続 4 SD シャットダウン端子 14 OUTA 出力端子 A 5 Bypass 基準電圧端子 15 V+ 電源電圧端子 6 +IN 非反転入力端子 16 GND 接地端子 7 −IN 反転入力端子 17 OUTB 出力端子 B 8 NC 未接続 18 NC 未接続 9 NC 未接続 19 NC 未接続 10 NC 未接続 20 NC 未接続

1 8

54 1 432

8 567

8 567

1 432VSP8 ESON8-V1

1 20

1110

SSOP20-C3

(1)

表面裏面

NJU7089-T


(2) 裏面中央部の電極は、内部 SUB 電位である為、GND に接続して下さい。

端子番号端子名機能 No. 端子番号機能

1 NC 未接続 13 NC 未接続 2 NC 未接続 14 NC 未接続 3 NC 未接続 15 NC 未接続 4 NC 未接続 16 NC 未接続 5 SD シャットダウン端子 17 OUTA 出力端子 A 6 Bypass 基準電圧端子 18 V+ 電源電圧端子 7 +IN 非反転入力端子 19 GND 接地端子 8 −IN 反転入力端子 20 OUTB 出力端子 B 9 NC 未接続 21 NC 未接続 10 NC 未接続 22 NC 未接続 11 NC 未接続 23 NC 未接続 12 NC 未接続 24 NC 未接続

製品名構成オーダーインフォメーション

製品名パッケージ RoHS Halogen- Free めっき組成マーキング製品重量

(mg) 最低発注数量

(pcs) NJU7089R-T(TE2) VSP8 Sn-2Bi 7089T 21 2000 NJU7089KV1-T(TE3) ESON8-V1 Sn-2Bi 7089T 7.2 3000 NJU7089VC3-T(TE2) SSOP20-C3 Sn-2Bi 7089T 89 2000 NJU7089VP1-T(TE2) HTSSOP24-P1 Ni/Pd/Au 7089T 83 2500

1 24

1312

124

13 12

(2)

HTSSOP24-P1

NJU7089 R - T (TE2)

品番パッケージ仕様 T1: 車載仕様

テーピング仕様

表面裏面

NJU7089-T


絶対最大定格項目記号定格単位

電源電圧 V+ 7 V 消費電力 (Ta = 25°C)

PD

2-Layer / 4-Layer

mW VSP8 SSOP20-C3 ESON8-V1 HTSSOP24-P1

570 (1) / 770 (2) 970 (1) / 1400 (2) 570 (3) / 1700 (4) 1000 (5) / 3000 (6)

出力電流 IO 600 mA 最大入力電圧 VIN −0.3V to V++0.3V (7) V ジャンクション温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −40 to 150 °C

(1) 2-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (2) 4-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による(4 層基板内箔: 74.2 mm × 74.2 mm)。 (3) 2-Layer: 基板実装時 101.5 mm × 114.5 mm × 1.6 mm (EIA/JEDEC 規格サイズ 2 層 FR-4)且つ Exposed Pad 使用。 (4) 4-Layer: 基板実装時 101.5 mm × 114.5 mm × 1.6 mm (EIA/JEDEC 規格サイズ 4 層 FR-4)且つ Exposed Pad 使用。

(4 層基板内箔: 99.5 mm × 99.5 mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用。) (5) 2-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (6) 4-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。

(4 層基板内箔: 74.2 mm × 74.2 mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用。) (7) SD, +IN, −IN, OUTA, OUTB 端子。推奨動作条件

項目記号値単位

電源電圧 V+ 1.8 to 5.5 V 動作温度 Topr −40 to 105 °C

NJU7089-T


電気的特性項目記号条件最小標準最大単位

アンプ部指定なき場合は、V+ = 5V, GV = 6dB, f = 1kHz, RL = 8Ω, アクティブモード, Ta = 25°C

消費電流 1 IDD1 無信号時, RL = ∞ - 3.0 6.0

mA 無信号時, RL = ∞, Ta = −40°C to 105°C - - 6.9

消費電流 2 IDD2 無信号, RL = ∞, VSD = 0.25V - - 2

μA 無信号, RL = ∞, VSD = 0.25V, Ta = −40°C to 105°C - - 100

出力電力 1 PO1 THD+N ≤ 1% 0.9 1.2 -

W THD+N ≤ 2%, Ta = −40°C to 105°C 0.02 - -

出力電力 2 PO2 V+ = 3.3V, THD+N ≤ 1% 375 500 -

mW V+ = 3.3V, THD+N ≤ 2%, Ta = −40°C to 105°C 130 - -

出力電力 3 PO3 V+ = 1.8V, THD+N ≤ 1% - 125 - mW 全高周波歪率 (THD+N) THD+N PO = 1W - 0.1 - % シャットダウン減衰量 ATTSD VIN = 1Vrms, シャットダウン - −135 - dB

電源電圧変動除去比 PSRR Vripple = 100mVrms - 55 -

dB Vripple = 100mVrms, Ta = −40°C to 105°C 40 - -

出力間電位差 VOD 無信号時 - - 35

mV 無信号時, Ta = −40°C to 105°C - - 35

指定なき場合は、V+ = 3V, GV = 6dB, f = 1kHz, RL = 8Ω, アクティブモード, Ta = 25°C

消費電流 1 IDD1 無信号時, RL = ∞ - 2.5 4.0

mA 無信号時, RL = ∞, Ta = −40°C to 105°C - - 5.7

消費電流 2 IDD2 無信号, RL = ∞, VSD = 0.25V - - 2.0 μA 全高周波歪率 (THD+N) THD+N V+=3.3V,PO = 400mW - 0.1 - % シャットダウン減衰量 ATTSD VIN = 500mVrms, シャットダウン - −130 - dB 電源電圧変動除去比 PSRR Vripple = 100mVrms - 55 - dB 出力間電位差 VOD 無信号時 - - 35 mV

制御部指定なき場合は、Ta = 25°C

シャットダウン OFF 電圧 VIH 1.50 - V+

V Ta = −40°C to 105°C 1.50 - V+

シャットダウン ON 電圧 VIL 0 - 0.25

V Ta = −40°C to 105°C 0 - 0.25

VSD: シャットダウン端子電圧動作制御説明

動作状況制御信号（シャットダウン端子）動作説明

シャットダウン L (= VIL) IC を待機状態にしますアクティブ H (= VIH) IC を動作状態にします

NJU7089-T


熱特性パッケージ記号値単位

接合部-周囲雰囲気間

Θja

2-Layer / 4-Layer

°C/W VSP8 SSOP20-C3 ESON8-V1 HTSSOP24-P1

219 (1) / 162 (2) 129 (1) / 89 (2) 219 (3) / 74 (4) 125 (5) / 42 (6)

(1) 2-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (2) 4-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による(4 層基板内箔: 74.2 mm × 74.2 mm)。 (3) 2-Layer: 基板実装時 101.5 mm × 114.5 mm × 1.6 mm (EIA/JEDEC 規格サイズ 2 層 FR-4)且つ Exposed Pad 使用。 (4) 4-Layer: 基板実装時 101.5 mm × 114.5 mm × 1.6 mm (EIA/JEDEC 規格サイズ 4 層 FR-4)且つ Exposed Pad 使用。

(4 層基板内箔: 99.5 mm × 99.5 mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用。) (5) 2-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (6) 4-Layer: 基板実装時 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。

(4 層基板内箔: 74.2 mm × 74.2 mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用。) 消費電力-周囲温度特性例

0

200

400

600

800

1000

1200

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Pow

erD

issi

patio

nP D

(mW

)

Ambient Temperature (°C)

Power Dissipation vs. Temperature2-Layer

VSP8ESON8-V1

HTSSOP24-P1

SSOP20-C3

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Pow

erD

issi

patio

nP D

(mW

)


Power Dissipation vs. Temperature4-Layer

ESON8-V1

VSP8

SSOP20-C3

HTSSOP24-P1

NJU7089-T


測定回路図

測定回路 1 (IDD1, IDD2, VOD)

測定回路 2 (PO1, PO2, PO3, THD+N, ATTSD)

BIAS TSD

-IN

+IN

V+

OUTA

OUTBBypass

SD

GND

RL=∞

20kΩ

20kΩ

0.39μF

V+

+

1μF

V+

BIAS TSD

-IN

+IN

V+

OUTA

OUTBBypass

SD

GND

RL=8Ω

Vin

V+

+

20kΩ

20kΩ

0.39μF

1μF

V+

NJU7089-T


測定回路図

測定回路 3 (PSRR)

BIAS TSD

-IN

+IN

V+

OUTA

OUTBBypass

SD

GND

RL=8Ω

Vin

V++

20kΩ

20kΩ

0.39μF

1μF

V+

NJU7089-T


端子等価回路端子

端子名機能名内部等価回路端子電圧 VSP8, ESON8

SSOP 20

HTSSOP 24

1 4 5 SD シャットダウン端子

0V

2 5 6 Bypass 基準電圧端子

V+/2

3 6 7 +IN 非反転入力端子

V+/2

4 7 8 −IN 反転入力端子

V+/2

5 8

14 17

17 20

OUTA OUTB

出力端子 A 出力端子 B

V+/2

V+

GND

SD 300Ω

100kΩ

V+

GND

Bypass 300Ω

V+

75kΩ

50kΩ

V+

GND

+IN 300Ω

V+ V+

GND

-IN 300Ω

V+ V+

GND

OUTAOUTB 300Ω

20kΩ

V+ V+ V+

NJU7089-T


応用回路例

BIAS TSD

-IN

+IN

V+

OUTA

OUTBBypass

SD

GND

ShutdownControl

8ΩSpeaker

Vin

Ri

Rf

Ci

V+

+

Cb

BIAS TSD

-IN

+IN

V+

OUTA

OUTBBypass

SD

GND

ShutdownControl

8ΩSpeaker

Vin-Ri

Rf

Ci

V+

+

Cb

RiCi

Rf

Vin+

NJU7089-T


技術資料アプリケーションノート

NJU7089 はオーディオ向け低電圧動作パワーアンプです。電源電圧 1.8V から動作でき、BTL 接続とすることで高出力電力、出

力カップリングコンデンサレスを実現します。電圧利得は二つの外付け抵抗の比によって、調整可能です。シャットダウン機能を装

備しており、シャットダウン時は消費電流を低減すると同時にミュート状態といたします。また、シャットダウンの切り換え時に発生す

るノイズ、いわゆるボツ音を低減しております。このアプリケーションノートでは、動作概要と使用上の注意について述べています。

1. 動作概要図 1 は NJU7089 のブロック図で、2 個のパワーアンプ(アンプ A、アンプ B)とバイアス源、TSD(サーマルシャットダウン)回路で

構成されています。アンプ A は、入力信号を外付け抵抗で決定されるゲインで反転増幅します。アンプ B は、アンプ A の出力信号

を 0dB で反転します。これらアンプの出力間にスピーカー等の負荷を接続し BTL 接続とすることで、シングルエンド形式と比べて 2倍の出力電圧、4 倍の出力電力を得ることができます。NJU7089 のシャットダウン機能は、図 1 の内部スイッチ SW を開放し基準

電流 IREF を止めることで全回路を停止させますので、低消費電流に貢献します。また、そのシャットダウン切り換え時には、容量 Cb

と内部回路の抵抗の時定数を利用して、ボツ音を低減しております。ボツ音の詳細は、3. SD 端子切り換えノイズを参照してください。

しかしながら、ボツ音低減のための充電動作により、Cbを大きくするほどターンオン時間が長くなります。この詳細は、4. ターンオン

時間/ターンオフ時間を参照してください。

図 1 ブロック図及び応用回路例

バイアス1

2

3

4

パワーダウン入力

8

5

7

6 電源

信号入力

-

+

-

+

TSD

V+

OUTA

OUTB

GNDSD

Bypass

+IN

-IN

Ci0.39μF

Ri20kΩ

Cb1μF

Rf20kΩ

アンプB

アンプA

Cv10μF

SW

IrefRL8Ω+

+

NJU7089-T


技術資料 2. 外付け部品 2.1 電源バイパスコンデンサ

電源バイパスコンデンサ CV は、ノイズの低減、電源電圧の安定化に貢献します。CV は温度特性に余裕があり、高周波特性の良

いものを使用し、基板の配線抵抗の影響が小さくなるように、できるだけ IC 近傍に設置してください。大電流を扱う場合は、さらに配

線抵抗を下げる必要があります。そのため、ESR の小さいチップセラミックコンデンサを推奨します。

2.2 入力抵抗と帰還抵抗

入力抵抗 Ri と帰還抵抗 Rf の比が NJU7089 のゲインを決定します。また、Ri と Rfの抵抗値の増加は出力雑音電圧とボツ音に影

響します。特に Ri は低周波特性に影響しますので、次に述べます入力カップリングコンデンサについても考慮したうえで抵抗値をお

選びください。

GV =20LOG ൬2 Rf

Ri൰ ∙∙∙ BTL 接続時のゲイン計算式

2.3 入力カップリングコンデンサ

入力カップリングコンデンサ Ciは DC カットのために必要です。入力信号は、入力カップリングコンデンサ Ci と入力抵抗 Ri とで形

成されるハイパスフィルタによって低域がカットされます。Ci, Riを大きくすることで、より低周波の信号まで通過させるようになります

が、Ci の増加はボツ音を悪化させることがあります。カットオフ周波数を fc とすると、入力カップリングコンデンサ Ci は下記の式で計

算できます。

Ci = 1

2πRifc fc =カットオフ周波数

2.4 基準電圧バイパスコンデンサ

基準電圧バイパスコンデンサ Cb は Bypass 端子に接続され、基準電圧の安定化に貢献します。ポップノイズと、PSRR、ターンオ

ン時間に影響します。Cbを大きくすることでポップノイズ、PSRR が改善されます。詳しくは 3. SD 端子切り換えノイズと 5. PSRR 対

Cbを参照してください。但し、Cbを大きくすると、ターンオン時間が長くなります。詳しくは 4. ターンオン時間/ターンオフ時間を参照し

てください。

外付け部品の設定範囲の推奨値を示します。あくまで推奨値ですので、その範囲を外れたとしても、実使用上問題がない可能性

があります。実機にて確認の上、決定することが重要です。

表 1 外付部品の機能、推奨値、及び設定範囲

外付部品機能推奨値設定範囲

CV 電源デカップリング 10μF 1μF < CV

Ri ゲイン設定用入力抵抗 20kΩ 10kΩ < Ri < 50kΩ

Rf ゲイン設定用帰還抵抗 20kΩ 10kΩ < Rf < 50kΩ

Ci 入力 DC カット 0.39μF 0.047μF < Ci

Cb 基準電圧安定化 1μF 0.1μF < Cb

RL スピーカー負荷 8Ω 4Ω < RL

NJU7089-T


技術資料 3. SD 端子切り換えノイズ

NJU7089 は内部回路を利用して SD 端子切り換えノイズ、いわゆるボツ音の対策を行なっております。しかし、外付け素子定数

によっては聞こえやすくなることがあります。ここではボツ音を低減するためのポイントを示します。 3.1 シャットダウン(SD端子 = LOW)→アクティブ(SD端子 = HIGH)

NJU7089 は BTL 出力のため、切り替わり時にも 2 つの出力が等しく動けば音とはなりませんが、アクティブ切り替え時に入力コ

ンデンサ Ciを充電するため、アンプ A の出力電位が Vref 端子電圧より高く、アンプ B の出力電圧が Vref 端子電圧より低くなり、出

力間に差が発生してボツ音となります。NJU7089 ではボツ音低減のため、Vref 端子電圧が上昇するまでは図 2 に示すようにボル

テージフォロワのアンプ 2 が起動しており、アンプ A の出力もアンプ B の出力も Vref 端子電圧と同電位となり、電位差が生じないた

めボツ音発生を防ぐ事が出来ます。標準回路では Ciが充電され−IN 端子が上昇してから図3 に示す反転アンプに切り換わるよう設

計されています。図 4 に標準回路における各端子電圧と時間の関係を示します。

図 2 ボルテージフォロワ動作時図 3 反転アンプ動作時

OUTA

OUTBBypass

Ci Ri

Cb

Rf

アンプB

アンプA

-

+

-

+

-

+

アンプ1

アンプ2

V+

-IN

信号入力

+IN

Bypass

Cb

アンプB

アンプA

-

+

-

+

-

+

アンプ1

アンプ2

V+

-IN

+IN

信号入力 Ci Ri Rf

OUTA

OUTB

NJU7089-T


技術資料

図 4 に示すように、アンプ 2 からアンプ 1 に切り換わる瞬間に+IN と−IN の電位差が小さければ(Ci の充電が完了していれば)、

ボツ音は小さくなります。しかしながら、Ci、Rin、Rfの定数を大きくすると、Ci充電の時定数が変わり、図5に示すように内部アンプが

切り換わる瞬間の−IN 端子と+IN 端子の電位に差が生じます。この電位差が増幅されて OUT 端子に出力されるため、ボツ音が大

きくなります。ボツ音低減対策として、Ci を小さく、Cb を大きくし、+IN 端子と−IN 端子の時定数をできるだけ近づける必要があります。ただし、Ci

を小さくすると低域周波数特性が悪化し、Cb を大きくするとターンオン時間が長くなるため、これらに注意して部品定数を決定する必

要があります。表 2 から表 6 にボツ音を標準回路と同等レベルに保つための Cb の容量値を示します。尚、Ri と Rf は 10kΩ から 50kΩ、Ci は

0.047μF から 1μF の組み合わせとします。

0 0.25 0.5 0.75 1

時間[sec]

各端

子電

圧[5

V/di

v]0 0.25 0.5 0.75 1

時間[sec]

各端

子電

圧[5

V/di

v]

図 4 標準回路における各端子電圧図 5 Rf = 100kΩ時の各端子電圧

OUTA

SD

OUTA-OUTB

OUTB

+IN, −IN

OUTA

SD

OUTA-OUTB

OUTB

ボツ音小ボツ音大

+IN, −IN

電位差大電位差小

NJU7089-T


10kΩ 20kΩ 30kΩ 40kΩ 50kΩ0.047μF 0.1μF 0.33μF 0.33μF 0.33μF 0.33μF

0.1μF 0.33μF 0.33μF 1μF 1μF 1μF0.39μF 1μF 1μF 2μF 2μF 3.3μF0.47μF 1μF 2μF 2μF 3.3μF 3.3μF

1μF 2μF 3.3μF 4.7μF 10μF 10μF


0.1μF 0.33μF 0.33μF 1uF 1μF 1μF0.39μF 1μF 1μF 2μF 2μF 3.3μF0.47μF 1μF 2μF 2μF 3.3μF 3.3μF











Rf

Ci

Rf

Ci

Rf

Ci

Rf

Ci

Rf

Ci

技術資料

表 2 Ri = 10kΩ時の Cb容量値対応表





NJU7089-T


技術資料 3.2 アクティブ(SD端子 = HIGH)→シャットダウン(SD端子 = LOW)

シャットダウン切り換わり時は、出力を急峻に立ち下げます(図 6)。BTL 動作においては、OUTA と OUTB を同時に立ち下げるこ

とにより、ポップノイズは発生しにくくなります。また、その際に基準電圧(Bypass 端子電圧)も同時に急峻に立ち下げます。これによ

り、連続的にアクティブとスタンバイを繰り返した際のポップノイズを低減しています。シングルエンド出力で使用する場合は、ポップ

ノイズが発生しますので注意が必要です。 3.3 カットオフ周波数

前項でも述べたとおり、Ci を小さくすることにより、ボツ音を低減することが可能ですが、Ci と Ri はハイパスフィルタを形成してお

り、以下に示す式でカットオフ周波数が決まっています。

fc = 1

2πRiCi [Hz]

ボツ音低減のため Ciを小さくする場合は、実際に使用する周波数帯域に応じて適切な値を決定してください。

0 0.25 0.5 0.75 1

時間[sec]

各端

子電

圧[5

V/di

v]

図 6 シャットダウン時の各端子電圧

OUTA

SD

OUTB

OUTA-OUTB

シャットダウン時のポップノイズは、アンプA、アンプBの出力段を同時に立ち下げることによって低減していま

す。出力電位は、入力コンデンサ Ci と内部回路の時定

数により低下します。

BTL ではOUTA とOUTB を急峻にたち下げても、同

時に立ち下げていればボツ音が発生しにくくなります。

NJU7089-T


技術資料 4. ターンオン時間/ターンオフ時間

NJU7089 ではボツ音低減、PSRR の改善にはCbを大きくすることが有効です。しかし、Cbを大きくするほど充電する時間がかか

るため、ターンオン時間が長くなります。尚、ターンオフ時間は Cbに関わらず急峻にたち下がります。当社応用回路例における Cb とターンオン時間の関係を図 7、図 8 に示します。ここで、ターンオン時間とは、SD 端子を

LOW→HIGH に切り換えてから出力振幅が安定するまでの時間で規定しています。また、ターンオン時間は以下の式から求めることができます。

TON = -Cb ∙ 100kΩ ∙ ln ൬0.5 - 0.5V+ ൰ [sec]

ただし 100kΩは BYPASS 端子抵抗値であり±20%のばらつきがあるため、ターンオン時間も±20%のばらつきがあります。 5. PSRR 対 Cb

Cb はボツ音の低減以外にも+IN 端子電位を安定させるために用いられ、電源リップル除去比(PSRR)に影響を与えます。図 9 お

よび図 10 の PSRR の周波数特性を示すとおり、Cb を大きくすることで低周波での特性が改善されますが、前述したとおりターンオ

ン時間、ボツ音に影響しますので、評価、検討の上定数を決定してください。

0

100

200

300

400

500

600

0 1 2 3 4 5

Turn

on

time

[ms]

Cb [μF]

Turn on time vs. CbV+=3V Vin=0.5Vrms f=1kHz RL=8Ω Ta=25

0

100

200

300

400

500

600

0 1 2 3 4 5

Turn

on

time

[ms]

Cb [μF]

Turn on time vs. CbV+=5V Vin=1Vrms f=1kHz RL=8Ω Ta=25

図 9 PSRR 対 Cb (V+ = 5V) 図 10 PSRR 対 Cb (V+ = 3V)

図 7 ターンオン時間対 Cb(V+ = 5V) 図 8 ターンオン時間対 Cb(V+ = 3V）

PSRR vs Frequency V+=5V RL=8Ω　RIN=GND

0

10

20

30

40

50

60

70

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

Frequency[Hz]

PSR

R[d

B]

Cb = 2.2μF

Cb = 1μF

Cb = 0.47μF

Cb = 0.1μF

電源リップル除去比対周波数特性 V+=5V, RL=8Ω, RIN=GND

PSRR vs Frequency V+=3V RL=8Ω　RIN=GND

0

10

20

30

40

50

60

70

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

Frequency[Hz]

PSR

R[d

B]

Cb = 2.2μF

Cb = 1μF

Cb = 0.47μF

Cb = 0.1μF

電源リップル除去比対周波数特性 V+=3V, RL=8Ω, RIN=GND

NJU7089-T


技術資料 6. パッケージパワーと消費電力、出力電力

IC は IC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度が許容値を超えると破壊されます。このため、IC には許

容損失 PD (=消費電力の最大定格)が定められておりますので、その電力を超えないようにご使用ください。一般的にパッケージに

よって許容損失が異なるのは、材料(樹脂、フレーム等)により放熱のしにくさが異なってくるためです。放熱のしにくさは熱抵抗Θjaと

して表され、Θjaが低ければ放熱が良く、より多くの電力を消費することが出来ます。図 11 は NJU7089 の許容損失を表しています。(EIA-JEDEC 仕様 4 層基板実装時)この図は次の 2 点から得ることができます。

1 点目は、25°C における許容損失で、絶対最大定格の消費電力がそれに当たります。25°C 以下でも、許容損失はこの電力になり

ます。もう 1 点は、これ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失 0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲 Tstg の上限を最

大のジャンクション温度 Tjmaxとすることで求めることができます。これら 2 点を結び、25°C 以下を 25°C と同じとすることで図 11 が

得られます。その 2 点を結んだ線の傾きは 1/Θja に相当し、傾きが大きくなるほど熱抵抗は小さく、傾きが小さいほど熱抵抗は大き

いことが分かります。次に簡易的な設計方法を示します。例えば NJU7089 が熱源の近くに置かれ、周囲温度が動作温度範囲の上限である 105°C に

まで達する可能性があるとするなら、このカーブの 105°C の点から許容損失を見積もることができます。許容損失と周囲温度の関

係は下記の式として導かれます。許容損失 PD = ቆTjmax - Ta

θjaቇ [W] @Ta = 25°C 以上

IC の消費電力が、この許容損失を超えない範囲で使用するようにします。実際の IC の消費電力は

消費電力 = (電源電圧 V+) × (消費電流 IDD + 負荷消費電流 IRL) − (出力電力 PO) として実測できますが、簡易的にデータシ－トの出力電力対消費電力特性例から読み取ることもできます。図 11 は Ta = 25°C、V+ = 5V、GV = 6dB、RL = 8Ω、BTL 接続における出力電力対消費電力特性です。このグラフと図 12 から使

用可能な最大出力電力と周囲温度を決める必要があります。以下に例として使用可能な周囲温度の求め方と、使用可能な最大出力

電力の求め方を示します。例1、使用する最大出力電力 POがわかっている場合の動作可能周囲温度の求め方

NJU7089 の場合、最大のジャンクション温度 Tjmax=150°C、VSP8 の許容損失 PD = 770mW ですので周囲温度Ta = 最大のジャンクション温度Tjjmax −消費電力P × 熱抵抗Θjaより、

熱抵抗Θja = (150 − 25)/0.77 = 162.3 [°C /W]

となります。

図12よりV+ = 5V、RL = 8Ωで、最大出力電力PO = 1.2Wの場合、消費電力Pの最大値は0.65Wになり許容周囲温度を計算しますと

周囲温度Ta = 150 − 0.65 × 162.3 = 44.5 [°C ]

となります。例2、周囲温度がわかっている場合の許容損失、及び最大出力電力の求め方

周囲温度が85°Cの場合の許容損失は、例1で求めたΘja = 162.3 [°C /W]を用いると周囲温度Ta = 最大のジャンクション温度Tjmax − 消費電力P × 熱抵抗Θjaより、

消費電力(許容損失)PD = (150 − 85)/162.3 = 0.4W

となります。

また、図12より周囲温度Ta = 85°C、V+ = 5V、RL = 8Ωのとき出力可能な電力は PO = 90mW程度となります。

また、NJU7089 では TSD 回路を搭載しているため、チップのジャンクション温度が異常に上昇した時は、温度が安全なレベルに

なるまで出力を停止します。安定した動作をするためにも、使用する条件を考慮し余裕を持って設計することをお勧めいたします。

NJU7089-T


技術資料

*1 裏面中央部の電極を GND に接続時。 *2 裏面中央部の電極を GND に接続時。基板にサーマルビアホールを適用。

0

200

400

600

800

1000

1200

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Pow

erD

issi

patio

nP D

(mW

)


Power Dissipation vs. Temperature2-Layer*1

VSP8ESON8-V1

HTSSOP24-P1

SSOP20-C3

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Pow

erD

issi

patio

nP D

(mW

)


Power Dissipation vs. Temperature4-Layer*2

ESON8-V1

VSP8

SSOP20-C3

HTSSOP24-P1

図 11 許容損失対周囲温度特性

NJU7089-T


技術資料

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Pow

er D

issi

patio

n [W

]

Output Power [W]

Power Dissipation vs. Output PowerV+=5V, Gv=6dB, RL=8Ω, BTL, Ta=25°C

図 12 消費電力対出力電力特性

650mW

90mW

NJU7089-T


技術資料 7. 基板レイアウトについて

IC の性能を最適化するためには、プリント基板を適切にレイアウトする必要があります。電源とグランド、出力信号ラインは可能

な限り、配線抵抗が小さくなるようにレイアウトしてください。また、全てのグランドは電源コンデンサのグランド単一点に直接接続し

て下さい。また、4 層以上の基板の場合、配線レイヤーに近接して電源プレーンを配置すると PSRR が悪化することがあります。配線レイヤ

ーと電源プレーンの間にグランドプレーンを挿入することを推奨いたします。 ESON8 と HTSSOP24 パッケージは裏面に放熱パッドを備えています。この放熱パッドをグランドプレーンに接続することにより

熱抵抗を軽減します。基板表面に放熱パッド用のパターンを作成し、ビアを使って内層のグランドプレーンに接続してください。

NJU7089 VSP8 デモボード図

Layer1 (Top Layer)

NJU7089-T


技術資料

Layer3 (電源プレーン)

Layer2 (グランドプレーン)

NJU7089-T


技術資料

※本動作説明については、動作原理を表しており特性、数値を保証するものではありません。設計に当たっては外付部品及び当社

IC の特性、ばらつき等考慮し、使用の際は特性の確認を行ってください。

Layer4 (Bottom Layer)

NJU7089-T


特性例

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Ope

ratin

g C

urre

nt[m

A]

Temperature [°C]

Operating Current vs. TemperatureRL=OPEN, SD=V+

V+=5V

V+=3.3V

V+=1.8V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

0 1 2 3 4 5 6 7

Ope

ratin

gC

urre

nt [m

A]Supply Voltage [V]

Operating Current vs. Supply VoltageRL=OPEN, SD=V+, Ta=25°C

Ta=25°C

Ta=-40°C

Ta=85°C

Ta=105°C

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

-50 0 50 100 150

Ope

ratin

gC

urre

nt [

A]

Temperature [°C]

Operating Current vs. Temperature [STANDBY]V+=5V, RL=OPEN, SD=0.25V

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

0 1 2 3 4 5

Ope

ratin

gC

urre

nt [A

]

VSD Terminal [V]

Operating Current vs. VSD Terminal V+=5V, RL=OPEN, Ta=25C

Ta=105°C

Ta=85°C

Ta=25°C

Ta=-40°C

1.E-12

1.E-11

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

1.E-021.E-01

1.E+00

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

Ope

ratin

gC

urre

nt [A

]

VSD Terminal [V]

Operating Current vs. VSD TerminalV+=3V, RL=OPEN

Ta=-40˚C

Ta=85°C

Ta=25˚C

Ta=105°C

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

-50 0 50 100 150

Ope

ratin

gC

urre

nt [A

]

Temperature [°C]

Operating Current vs. Temperature [STANDBY]V+=3V, RL=OPEN, SD=0.25V

NJU7089-T


特性例

1.E-11

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

0 0.5 1 1.5 2

Ope

ratin

gC

urre

nt [A

]VSD Terminal [V]

VSD Terminal vs. Operating CurrentV+=1.8V, RL=OPEN

Ta=-40°C

Ta=85°C

Ta=25°C

Ta=105°C

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

-50 0 50 100 150

Ope

ratin

gC

urre

nt [A

]

Temperature [˚C]

Operating Current vs. Temperature [STANDBY]V+=1.8V, RL=OPEN, SD=0.25V

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain

[dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=5V, Gv=40dB, RL=8Ω, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=5V, Gv=40dB, RL=OPEN, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain

[dB]

Frequency [Hz]


Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]


Gain[dB]

Phase[°]

NJU7089-T


特性例

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=3V, Gv=40dB, RL=OPEN, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]


Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=1.8V, Gv=40dB, RL=OPEN, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=1.8V, Gv=40dB, RL=8Ω, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-60

-40

-20

0

20

40

60

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

Volta

ge G

ain[

dB]

Frequency [Hz]

Voltage Gain / Phase vs. FrequencyV+=1.8V, Gv=40dB, RL=4Ω, Ta=25°C

Gain[dB]

Phase[°]

NJU7089-T


特性例

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1

THD

+N[%

]

Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=1.8V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1 10

THD

+N[%

]

Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=5V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1

THD

+N[%

]

Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=3.3V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1 10

THD

+N[%

]Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=5V, Gv=6dB, RL=8Ω, f=1kHz, BW:10-80kHz

Ta=25°C

Ta=85°C Ta=105°C

Ta=-40°C

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1

THD

+N[%

]

Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=1.8V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz

Ta=25°C

Ta=85°C Ta=105°C

Ta=-40°C

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1 10

THD

+N[%

]

Po[W]

THD+N vs. Output PowerV+=3.3V, Gv=6dB, RL=8Ω, f=1kHz, BW:10-80kHz

Ta=25°C

Ta=85°C Ta=105°C

Ta=-40°C

NJU7089-T


特性例

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1 10

THD

+N [%

]

Po[W]

THD+N vs. Output Power[differntial]V+=5V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1 10

THD

+N [%

]Po[W]

THD+N vs. Output Power[differntial]V+=3.3V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0.01

0.1

1

10

100

0.001 0.01 0.1 1

THD

+N [%

]

Po[W]

THD+N vs. Output Power[differntial]V+=1.8V, Gv=6dB, RL=8Ω, BW:10-80kHz, Ta=25°C

100Hz

1kHz

20kHz

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

0 1 2 3 4 5 6

Out

put P

ower

[W]

Supply Voltage [V]

Output Power vs. Supply VoltageRL=8Ω, THD=1%

Ta=105, 85, 25, -40°C

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

0 1 2 3 4 5 6

Out

put P

ower

[W]

Supply Voltage [V]

Output Power vs. Supply VoltageRL=4Ω THD=1%

Ta=105, 85, 25, -40°C

NJU7089-T


特性例

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

0 0.5 1 1.5 2

Pow

er D

issi

patio

n [W

]

Output Power [W]

Power Dissipation vs. Output PowerV+=5V, Gv=6dB, RL=4Ω/8Ω, BTL

RL=4Ω

RL=8Ω

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0 0.25 0.5 0.75 1

Pow

er D

issi

patio

n [W

]Output Power [W]

Power Dissipation vs. Output PowerV+=3.3V, Gv=6dB, RL=4Ω/8Ω, BTL

RL=4Ω

RL=8Ω

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

0.14

0.16

0.18

0.2

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25

Pow

er D

issi

patio

n [W

]

Output Power [W]

Power Dissipation vs. Output PowerV+=1.8V, Gv=6dB, RL=4Ω/8Ω, BTL

RL=4Ω

RL=8Ω

0

10

20

30

40

50

60

70

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

PSR

R[d

B]

Frequency [Hz]

PSRR vs. FrequencyV+=5V, RL=8Ω, RIN=GND

Ta=105, 85, 25, -40°C

0

10

20

30

40

50

60

70

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

PSR

R[d

B]

Frequency [Hz]

PSRR vs. FrequencyV+=3V, RL=8Ω, VIN=GND

Ta=105, 85, 25, -40°C

0

10

20

30

40

50

60

70

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

PSR

R[d

B]

Frequency [Hz]

PSRR vs. FrequencyV+=1.8V, RL=8Ω, VIN=GND

Ta=105, 85, 25, -40°C

NJU7089-T


特性例

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

130 150 170 190

Ope

ratin

gC

urre

nt [m

A]Temperature [C]

Thermal Shutdown Operating Current vs. TemperatureV+=5V, RL=OPEN

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

130 150 170 190

Ope

ratin

gC

urre

nt [m

A]

Temperature [°C]

Thermal Shutdown Operating Current vs. TemperatureV+=3V, RL=OPEN

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

130 140 150 160 170 180 190

Ope

ratin

gC

urre

nt [m

A]

Temperature [°C]

Thermal Shutdown Operating Current vs. TemperatureV+=1.8V, RL=OPEN

0

100

200

300

400

500

600

0 1 2 3 4 5

Turn

On

Tim

e [m

s]

Cb[μF]

Turn On Time vs. Bypass CapacitorV+=5V, VIN=1Vrms, f=1kHz, RL=8Ω, Ta=25°C

0

100

200

300

400

500

600

0 1 2 3 4 5

Turn

On

Tim

e [m

s]

Cb[μF]

Turn On Time vs. Bypass CapacitorV+=3V, VIN=0.5Vrms, f=1kHz, RL=8Ω, Ta=25°C

0

100

200

300

400

500

600

0 1 2 3 4 5

Turn

On

Tim

e [m

s]

Cb[uF]

Turn On Time vs. Bypass CapacitorV+=1.8V, VIN=0.5Vrms, f=1kHz, RL=8Ω, Ta=25°C

NJU7089-T


特性例

-1.5

-1

-0.5

0

0.5

1

1.5

-40 0 40 80 120 160

Cur

rent

Lim

it [A

]

Temperature [°C]

Current Limit vs. TemperatureV+=3V

OUTAsink, OUTBsink

OUTAsource, OUTBsource

-1.5

-1

-0.5

0

0.5

1

1.5

-40 0 40 80 120 160

Cur

rent

Lim

it [A

]Temperature [°C]

Current Limit vs. TemperatureV+=5V

OUTAsink, OUTBsink


-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

-40 0 40 80 120 160

Cur

rent

Lim

it [A

]

Temperature [°C]

Current Limit vs. TemperatureV+=1.8V

OUTAsink, OUTBsink


0

1

2

3

4

5

6

0 100 200 300 400 500 600

Out

put V

olta

ge [V

]

Output Current [mA]

Output Voltage vs. Output CurrentV+=5V

Ta=105, 85, 25, -40°C

Ta=105, 85, 25, -40°C

0

1

2

3

4

0 100 200 300 400 500

Out

put V

olta

ge [V

]

Output Current [mA]

Output Voltager vs. Output CurrentV+=3V

Ta=105, 85, 25, -40°C

Ta=105, 85, 25, -40°C

0

0.5

1

1.5

2

2.5

0 100 200 300

Out

put V

olta

ge [V

]

Output Current [mA]

Output Voltager vs. Output CurrentV+=1.8V

Ta=-40,25,85,105°C

Ta=-40,25,85,105°C

NJU7089-T


外形寸法図

41

0～10ﾟ

58

2.9+0.3

-0.1

2.8±

0.2

4.0±

0.3

+0.1

-0.05

+0.1

-0.05

0.2±0.10.1

0.1

M

0.1

1.1±

0.1

0.6max 0.65 0.127

0.55±

0.2

フットパターン

VSP8 Unit: mm

1.95

1.0

0.23 0.65

3.5

NJU7089-T


外形寸法図

フットパターン

S

0.1 S

0.1 M

6.5 +0.3-0.1

20 11

1 100.15+0.1

-0.05

0～10°

0.45max 0.65

4.4±

0.2

6.4±

0.3

0.22±0.1

1.15±

0.1

0.1±

0.1

0.5±

0.2

1.0

5.90

5.85

0.35 0.65

SSOP20-C3 Unit: mm

NJU7089-T


外形寸法図フットパターン

ESON8-V1 Unit: mm

1.84

0.32

1.22

2.5

0.28

R0.07

R0.37

2.3±0.05

2.3±

0.05

0.075 S

0.397±

0.03

0.01+0.010

-0.008

S

0.05 S

C0.5

3-R0.5

0.5

0.26+0.06-0.04

φ0.05 M S AB

0.21

+0.06

-0.04

1.38

+0.06

-0.04

0.25

1.86 +0.06-0.04

A

B

NJU7089-T


外形寸法図

24 13

1 12

0～8°

7.8±0.1

0.325

0.65

4.4±

0.1

6.4±

0.1

0.1

0.22 +0.08-0.03 0.1 M

0.85±

0.05

0.05±

0.05

0.9±

0.1

5.0

3.2

0.6

0.13

+0.07

-0.03

Unit: mm

HTSSOP24-P1

NJU7089-T


フットパターン 3.2

5.0

1.0

0.35

0.65

4.9

6.9

7.5

＜ランドパターン＞ 3.2

0.2

0.2

5.0

0.35

1.0

7.5

4.9

6.9

0.65

＜メタルマスク＞

<実装上の注意> HTSSOP24-P1 パッケージの裏面電極がある為、実装の際には以下の点に注意してくださいますようお願い致します。 (1) リード部と裏面電極のリフロー温度プロファイルリード部と裏面電極部のリフロー温度プロファイルが、共に設定した温度以上であることが必要です。実装時にリード部と裏面電極部に温度差があり、はんだ溶融温度(ぬれ温度)より低い場合、実装不良が発生する可能性があります。 (2) フットパターン/メタルマスクのデザインはんだパターン印刷用のメタルマスク厚が “0.13mm” 以上必要です。 (3) はんだペーストフットパターン/メタルマスクおよび以下のはんだペーストを用い実装評価を行っております。はんだ組成が同じでもメーカーや型番によって実装性が大きく異なる場合がありますので、ご使用のフットパターン/メタルマスク及びはんだペーストを用い実装性について事前評価することを強く推奨致します。

はんだペースト組成 Sn3Ag0.5Cu(千住金属工業製：M705-GRN350-32-11)

HTSSOP24-P1 Unit: mm

NJU7089-T


包装仕様テーピング寸法

Feed direction

B

A

W1

P2 P0

P1

φD0

EF

W

T

T2φD1

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

4.4

3.2

1.5

1.5

1.75±0.1

5.5±0.05

4.0±0.1

8.0±0.1

2.0±0.05

0.30±0.05

2.0 (MAX.)

12.0±0.3

9.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

+0.10

リール寸法

A

W1

E

C D

W

B

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ254±2

φ100±1

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

13.5±0.5

2.0±0.2

テーピング状態

Feed direction

Sealing with covering tape

Empty tape Devices Empty tape Covering tape

more than 20pitch 2000pcs/reel more than 20pitch reel more than 1round

梱包状態

Label

Put a reel into a box

Label

VSP8 Unit: mm

Insert direction

(TE2)

NJU7089-T



Feed direction

B

A

W1

P0

P1

φD0

EF

W

φD1

P2 T

T2

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

6.7

6.9

1.55±0.05

1.55±0.1

1.75±0.1

5.5±0.05

4.0±0.1

8.0±0.1

2.0±0.05

0.3±0.05

2.2

12.0±0.3

9.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

リール寸法

A

W1

E

C D

W

B

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ254±2

φ100±1

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

13.5±0.5

2±0.2


梱包状態

SSOP20-C3 Unit: mm

Feed direction



more than 20pitch 2000pcs/reel more than 20pitch reel more than 1round

(TE2)

Insert direction


Label

Label

Aluminum laminate bag

Silica gel

(ID Sheet)

Heat seal

NJU7089-T



Feed direction

A

BW1

P2 P0

P1

φD0

EF

W

T

T2

K0φD1

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

K0

W

W1

DIMENSION

2.55±0.05

2.55±0.05

1.5

0.5±0.1

1.75±0.1

3.5±0.05

4.0±0.1

4.0±0.1

2.0±0.05

0.25±0.05

1.00±0.07

0.65±0.05

8.0±0.2

5.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

リール寸法

A

E

C D

B

W1

W

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ180

φ 60

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

9

1.2

0-1.5+10

0+0.3


more than 40 pitch 3000pcs/reel

Empty tape

more than 25 pitch

Covering tape

reel more than 1 round


Feed direction

Devices Empty tape

梱包状態 Label


Label

ESON8-V1 Unit: mm

Insert direction

(TE3)

NJU7089-T



Feed direction

P2 P0 φD0

A

BW1

P1 φD1

EF

W

T

K0T2

(4.2)

(5.12)

(0.85)

(0.6)

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

K0

W

W1

DIMENSION

7.45±0.2

8.60±0.1

1.5

1.5

1.75±0.1

7.5±0.1

4.0±0.1

12.0±0.1

2.0±0.1

0.3±0.05

1.85

1.45±0.3

16.0±0.3

13.3

REMARKS

THICKNESS 0.1max

+0.10

+0.10

リール寸法

A

E

C D

B

W

W1

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ330±2

φ100±1

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

17.4±1

2


Feed direction



more than 160mm 2500pcs/reel more than 100mm reel more than 1round

梱包状態 Label Label


Aluminum laminate bag

ID sheet

Heat seal

Label

Bubble wrap

HTSSOP24-P1 Unit: mm

Insert direction

(TE2)

NJU7089-T


推奨実装方法リフロー温度プロファイル改定履歴

日付改定変更内容

2020/11/24 Ver.2.0 フォーマット変更

a 温度上昇勾配 1 to 4°C/s

b 予備加熱温度 150 to 180°C 予備加熱時間 60 to 120s

c 温度上昇勾配 1 to 4°C/s

d 実装領域 A 温度時間

220°C 60s 以内

e 実装領域 B 温度時間

230°C 40s 以内

f ピーク温度 260°C 以下 g 冷却温度勾配 1 to 6°C/s

温度測定点: パッケージ表面

180°C

230°C

a b c

e

g

150°C

260°C

Room Temp.

f

220°C d

NJU7089-T


【注意事項】

１．当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがあります。当社半導体製品の故障

により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任においてフェールセーフ設計、冗長設

計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十分留意されますようお願いします。２．このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません。とく

に応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権利の実施権の許諾を伴うものでは

なく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３．このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に当社営業窓口ま

でご相談願います。 (ア) 航空宇宙機器 (イ) 海底機器 (ウ) 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) (エ) 生命維持に関する医療装置 (オ) 防災 / 防犯装置 (カ) 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) (キ) 各種安全装置

４．このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがありますので、なさら

ないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じた場合、当社は一切その責

任を負いません。

５．ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 (対象製品:GaAs MMIC、フォトリフレクタ) 上記対象製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処

理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。６．このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の取り交わしが必

要です。

NJU7089-TNJU7089-T 2.0 Ver. - 3 - 裏 (2) 裏面中央部タ電極ダぎ内部SUB...

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