MUSES01 - NJR消費電力 PD 910 mW 負荷電流 Io ±25 mA 動作温度範囲 Topr -40 to +85 C...
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- 1 -Ver.2015-04-13
MUSES01
2 回路入り J-FET 入力 高音質オペアンプ
~ 人の感性に響く音を追求 ~
概 要
MUSES01は、オーディオ用として特別の配慮を施し、音質向上を図った
2回路入りJFET入力高音質オペアンプです。
低雑音、高利得帯域、低歪率を特徴とし、オーディオ用プリアンプ、
アクティブフィルター、ラインアンプ等に最適です。
■ 特 徴 ●動作電源電圧 Vopr= ±9V ~ ±16V ●低雑音 9.5nV/√Hz typ. @f=1kHz ●入力オフセット電圧 VIO= 0.8mV typ. 5mV max. ●入力バイアス電流 IB= 200pA typ. 800pA max @Ta=25°C ●電圧利得 Av=105dB typ. ●スルーレート SR=12V/µs typ. ●バイポーラ構造 ●外形 DIP8
■端子配列
は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。
+
1
2
3
4
8
7
6
5
-
-+
ピン配置 1. A OUTPUT 2. A -INPUT 3. A +INPUT 4. V- 5. B +INPUT 6. B -INPUT 7. B OUTPUT 8.V+
MUSES01
外 形
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MUSES01
■絶対最大定格 (Ta=25°C)
(注 1)電源電圧が±15V 以下の場合は、電源電圧と等しくなります。
■推奨動作電圧範囲 (Ta=25°C)
■電気的特性
DC特性(指定無き場合にはV+/V-=±15V, Ta=+25℃)
項 目 記 号 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位
消 費 電 流 Icc 無信号時 RL=∞
- 8.5 12.0 mA
入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 VIO Rs≦10k (注2) - 0.8 5.0 mV
入 力 バ イ ア ス 電 流 IB (注2,3) - 200 800 pA
入 力 オ フ セ ッ ト 電 流 IIO (注2,3) - 100 400 pA
電 圧 利 得 AV RL≧2k, Vo=10V 90 105 - dB
同 相 信 号 除 去 比 CMR VICM=8V, (注4) 60 75 - dB
電 源 電 圧 除 去 比 SVR V+/V-=9 to 16V (注2,5)
70 83 - dB
最 大 出 力 電 圧 1 VOM1 RL=10k 12 13.5 - V
最 大 出 力 電 圧 2 VOM2 RL=2k 10 12.5 V
同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM CMR≧60dB 8 9.5 - V
(注2) VICM=0Vで測定
(注3) 絶対値にて表記
(注4) VICM=0V → +8V及びVICM=0V → -8V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出
(注5) V+/V-=±9V → ±16Vと変化させたときの入力オフセット電圧変動量より電源電圧除去比を算出
項 目 記 号 条 件 単 位
電 源 電 圧 V+/V- 18 V
同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM 15(注1) V
差 動 入 力 電 圧 範 囲 VID 30 V
消 費 電 力 PD 910 mW
負 荷 電 流 Io ±25 mA
動 作 温 度 範 囲 Topr -40 to +85 °C
保 存 温 度 範 囲 Tstg -50 to +150 °C
項 目 記 号 定 格 単 位
電 源 電 圧 V+/V- 9 ~ 16 V
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MUSES01
■電気的特性 AC特性(指定無き場合にはV+/V-=±15V, Ta=+25℃)
項 目 記 号 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位
利 得 帯 域 幅 積 GB f=10kΩ - 3.3 - MHz
ユ ニ テ ィ ・ ケ ゙ イ ン 周 波 数 fT AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩCL=10pF
- 3.0 - MHz
位 相 余 裕 ΦM AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ,CL=10pF
- 60 - Deg
入 力 換 算 雑 音 電 圧 1 VNI1 f=1kHz, AV=+100 RS=100Ω , - 9.5 - nV/√Hz
入 力 換 算 雑 音 電 圧 2 VNI2 RIAA, RS =2.2kΩ, 30kHz, LPF
- 1.2 3.0 uVrms
全 高 調 波 歪 率 THD f=1kHz , AV=+10 RL=2kΩ, Vo=5Vrms - 0.002 - %
チャンネルセパレーション CS f=1kHz , AV=-100 RS=1kΩ, RL=2kΩ - 150 - dB
立ち上がり時 ス ル ー レ ー ト
+SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 12 - V/us
立ち下がり時 ス ル ー レ ー ト
-SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 13 - V/us
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MUSES01
■ アプリケーション情報
パッケージパワーと消費電力、出力電力
IC はIC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可
能性があります。この許容値は許容損失PD(=消費電力の最大定格)と呼ばれています。図1にMUSES01のPDの周囲温
度依存性を示します。
この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25℃におけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当し
ます。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg
の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25℃以下を25℃
と同じPDとすることで図1の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。
許容損失 ja
TaTjPD
max [W] (Ta=25℃~Ta=Tjmax)
ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料(樹脂、フレーム等)に依存します。次にIC自身の消費電力を導き
ます。IC の消費電力は、次式で表されます。
消費電力=(電源電圧VDD)×(消費電流IDD)-(出力電力Po)
この消費電力がPDをこえない条件でMUSES01を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容損失PDに注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。
図1 MUSES01の許容損失PDの周囲温度特性例
最大保存温度 最大動作温度
PD [mW]
Ta [℃] -40 25 85 150
910
DIP8
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MUSES01
■ 特性例
THD+N 対 出力電圧特性例(周波数)
V+/V-=±15V,AV=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL=2kΩ,Ta=25℃
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10
出力電圧 [Vrms]
TH
D+N
[%]
f=20kHz
1kHz
20Hz
100Hz
入力換算雑音電圧 対 周波数特性例
V+/V
-=±16V,AV=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 10 100 1,000 10,000
周波数 [Hz]
入力
換算
雑音
電圧
[nV
/√
Hz]
入力換算雑音電圧 対 周波数特性例
V+/V
-=±15V,AV=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 10 100 1,000 10,000
周波数 [Hz]
入力
換算
雑音
電圧
[nV
/√
Hz]
入力換算雑音電圧 対 周波数特性例
V+/V
-=±9V,AV=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 10 100 1,000 10,000
周波数 [Hz]
入力
換算
雑音
電圧
[nV
/√
Hz]
THD+N 対 出力電圧特性例(周波数)
V+/V
-=±9V,AV=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL=2kΩ,Ta=25℃
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10
出力電圧 [Vrms]
TH
D+N
[%]
f=20kHz
1kHz
20Hz
100Hz
THD+N 対 出力電圧特性例(周波数)
V+/V-=±16V,AV=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL=2kΩ,Ta=25℃
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10
出力電圧 [Vrms]
TH
D+N
[%]
f=20kHz
1kHz
20Hz
100Hz
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MUSES01
チャンネルセパレーション 対 周波数特性例
V+/V-=±16V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃
-180
-170
-160
-150
-140
-130
-120
10 100 1000 10000 100000
周波数 [Hz]
チャ
ンネ
ルセ
パレ
ーシ
ョン
[dB
]
チャンネルセパレーション 対 周波数特性例
V+/V-=±15V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃
-180
-170
-160
-150
-140
-130
-120
10 100 1000 10000 100000
周波数 [Hz]
チャ
ンネ
ルセ
パレ
ーシ
ョン
[dB
]チャンネルセパレーション 対 周波数特性例
V+/V-=±9V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=4Vrms, Ta=25℃
-180
-170
-160
-150
-140
-130
-120
10 100 1000 10000 100000
周波数 [Hz]
チャ
ンネ
ルセ
パレ
ーシ
ョン
[dB
]
40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度)
V+/V-=±16V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF
VIN=-30dBm,Vicm=0V
-60
-40
-20
0
20
40
60
1 10 100 1000 10000 100000
周波数 [kHz]
電圧
利得
[dB
]
-180
-120
-60
0
60
120
180
位相
[deg]
電圧利得
位相
-40℃
Ta=25℃
85℃
40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度)
V+/V-=±15V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF
VIN=-30dBm,Vicm=0V
-60
-40
-20
0
20
40
60
1 10 100 1000 10000 100000
周波数 [kHz]
電圧
利得
[dB
]
-180
-120
-60
0
60
120
180
位相
[deg]
電圧利得
位相
-40℃
Ta=25℃
85℃
40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度)
V+/V-=±9V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2k,CL=10pF
VIN=-30dBm,Vicm=0V
-60
-40
-20
0
20
40
60
1 10 100 1000 10000 100000
周波数 [kHz]
電圧
利得
[dB
]
-180
-120
-60
0
60
120
180
位相
[deg]
電圧利得
位相
-40℃
Ta=25℃
85℃
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MUSES01
過渡応答特性例 (周囲温度)
V+/V
-=±16V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
時間[μsec]
出力
電圧
[V]
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
入力
電圧
[V]
入力電圧
出力電圧
Ta=25℃
-40℃
85℃
過渡応答特性例 (周囲温度)
V+/V
-=±15V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
時間[μsec]
出力
電圧
[V]
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
入力
電圧
[V]
入力電圧
出力電圧
Ta=25℃
-40℃
85℃
スルーレート 対 周囲温度特性例
V+/V
-=±15V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
0
4
8
12
16
20
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
スル
ーレ
ート
[V
/μ
sec]
Rise
Fall
過渡応答特性例 (周囲温度)
V+/V
-=±9V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
時間[μsec]
出力
電圧
[V]
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
入力
電圧
[V]
入力電圧
出力電圧
Ta=25℃
-40℃
85℃
スルーレート 対 周囲温度特性例
V+/V
-=±9V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
0
4
8
12
16
20
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
スル
ーレ
ート
[V
/μ
sec]
Rise
Fall
スルーレート 対 周囲温度特性例
V+/V-=±16V,VIN=2VP-P,f=100kHz
PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ
0
4
8
12
16
20
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
スル
ーレ
ート
[V
/μ
sec]
Rise
Fall
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MUSES01
消費電流 対 電源電圧特性例 (周囲温度)
GV=0dB,Vin=0V
0
2
4
6
8
10
12
0 3 6 9 12 15 18
電源電圧 [V+/V
-]
消費
電流
[m
A]
-40℃
85℃
Ta=25℃
消費電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
GV=0dB,Vin=0V
0
2
4
6
8
10
12
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
消費
電流
[m
A]
V+/V-=±15V±16V
±9V
入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例 (周囲温度)
VICM=0V,Vin=0V
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
電源電圧 [V+/V-]
入力
オフセ
ット電
圧 [
mV
]
-40℃
Ta=25℃
85℃
電源電圧除去比 対 周囲温度特性例
VICM=0V ,V+/V-=±9V to ±16V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
電源
電圧
除去
比 [
dB
]
入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
VICM=0V
1
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
入力
バイ
アス
電流
[pA
]
V+/V-=±15V
±16V
±9V
入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度)
V+/V-=±16V
1
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
-16 -12 -8 -4 0 4 8 12 16
同相入力電圧 [V]
入力
バイ
アス
電流
[pA
]
Ta=25℃
-40℃
85℃
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MUSES01
入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度)
V+/V-=±15V
1
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
-15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15
同相入力電圧 [V]
入力
バイ
アス
電流
[pA
]
Ta=25℃
-40℃
85℃
入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度)
V+/V-=±9V
1
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
-9 -6 -3 0 3 6 9
同相入力電圧 [V]
入力
バイ
アス
電流
[pA
]
Ta=25℃
-40℃
85℃
入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
VICM=0V
1
10
100
1,000
10,000
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
入力
オフセ
ット電
流 [
pA
]
V+/V-=±15V
±9V
±16V
入力オフセット電圧 対 出力電圧特性例 (周囲温度)
V+/V
-=±15V,RL=2kΩ to 0V
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
-16 -12 -8 -4 0 4 8 12 16
出力電圧 [V]
入力
オフセ
ット電
圧 [
mV
]
-40℃ Ta=25℃
85℃
電圧利得 対 周囲温度特性例
RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±16V,Vo=-11V to +11V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
電圧
利得
[dB
]
電圧利得 対 周囲温度特性例
RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±15V,Vo=-10V to +10V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
電圧
利得
[dB
]
- 10 - Ver.2015-04-13
MUSES01
電圧利得 対 周囲温度特性例
RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±9V,Vo=-4V to +4V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
電圧
利得
[dB
]同相信号除去比 対 周囲温度特性例
(同相入力電圧)V+/V-=±16V
0
20
40
60
80
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
同相
信号
除去
比 [
dB
]
Vicm=0V to -9V
0V to +9V
同相信号除去比 対 周囲温度特性例(同相入力電圧)
V+/V-=±15V
0
20
40
60
80
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
同相
信号
除去
比 [
dB
]
Vicm=0V to -8V0V to +8V
同相信号除去比 対 周囲温度特性例(同相入力電圧)
V+/V-=±9V
0
20
40
60
80
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
同相
信号
除去
比 [
dB
]
Vicm=0V to -2V
0V to +2V
最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度)
V+/V-=±16V,Gv=open,RL to 0V
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
18
10 100 1000 10000 100000
負荷抵抗[Ω]
最大
出力
電圧
[V
]
85℃
25℃
-40℃
最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度)
V+/V-=±15V,Gv=open,RL to 0V
-16
-12
-8
-4
0
4
8
12
16
10 100 1000 10000 100000
負荷抵抗[Ω]
最大
出力
電圧
[V
]
85℃
25℃
-40℃
- 11 -Ver.2015-04-13
MUSES01
最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度)
V+/V-=±9V,Gv=open,RL to 0V
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
10 100 1000 10000 100000
負荷抵抗[Ω]
最大
出力
電圧
[V
]
85℃
25℃
-40℃
最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
Gv=open,RL=2kΩ to 0V
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
18
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
最大
出力
電圧
[V
]
V+/V-=±15V ±16V
±9V
最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
Gv=open,RL=10kΩ to 0V
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
18
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
最大
出力
電圧
[V
]
V+/V-=±15V ±16V
±9V
利得帯域幅積 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
f=10kHz,AV=80dB, RS=10Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=10pF,VIN=-50dBm
0
1
2
3
4
5
6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
利得
帯域
幅積
[M
Hz]
V+/V
-=±15V
±16V
±9V
ユニティ・ゲイン周波数 対 周囲温度特性例(電源電圧)
AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=56pF,VIN=-30dBm
0
1
2
3
4
5
6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
ユニ
ティ
・ゲ
イン
周波
数 [
MH
z]
V+/V
-=±15V
±16V
±9V
位相余裕 対 周囲温度特性例 (電源電圧)
AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=10pF,VIN=-30dBm
0
30
60
90
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
周囲温度 [℃]
位相
余裕
[deg]
V+/V-=±15V ±16V
±9V
- 12 - Ver.2015-04-13
MUSES01
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