8/19/2019 Marco Teorico BJT

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Transistores BJT.-

El BJT es un dispositivo semiconductor controlado por corriente, que necesita una

corriente que mantenga al transistor en estado de conducción. La corriente de

base en conducción para una corriente de colector IC debe ser al menos IC/β.

n transistor bipolar est! construido por dos capas e material " # una $, o dos

capas $ # una ", por lo cual se les conoce como $"$ o "$". %i se anali&a como

un solo nodo satis'ace la LC( # obtenemos la siguiente ecuación

IE ) IB * IC

n transistor BJT tiene tres regiones de operación, las cuales son región activa, desaturación # de corte como se puede ver en la 'igura.

Ilustración 1.- Transistor BJT tipo PNP

Ilustración 2.- Regiones de operación del transistor.

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La gra'ica de la ilustración + podemos ver que eiste una relación directa entre la

corriente de colector Ic # la corriente de la base IB, esta relación es llamada β # nos

indica la ganancia en corriente # est! dada por 

 β= I C 

 I B

 -dem!s podemos ver donde se encuentran las regiones de operación, la región

activa se usa en operaciones de ampli'icación, mientras que la región de corte #

saturación se utili&an en aplicaciones de conmutación, generalmente en

electrónica de potencia.

Tipos de polarización de los BJT.-

Como se puede ver un dispositivo BJT se puede usar para mltiples aplicaciones,

tanto de ampli'icación como de conmutación, sin embargo otras con'iguracionesa#udan a disminuir los e'ectos negativos de la temperatura, a continuación se

muestra una tabla con las con'iguraciones m!s usadas # sus respectivas

ecuaciones caractersticas.

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El circuito m!s usado es el tipo emisor comn, #a que es '!cil de anali&ar # es '!cil

de usar para aplicaciones de conmutación # ampli'icación.

01obert L. Bo#estad, +2234

Circuito de excitación BJT.-

Las velocidades de conmutación de entrada en conducción se pueden reducir 

aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base # disminu#endo luego

la corriente 5asta la necesaria para mantener el transistor en conducción. 6e igual

manera se introduce un pico de corriente negativa en el apagado para eliminar la

carga almacenada, reduciendo el tiempo de transición entre conducción # corte.

Ilustración 3. Circuito de excitación para un transistor bipolar.

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6ebido a que el capacitor est! en paralelo con la resistencia 1+, se genera un

cortocircuito moment!neo, lo que permite que eista un pico de corriente. La

corriente de la base en ese momento es

 I B1=Vi−V BE

 R1

 - medida que se carga el capacitor, la corriente de base disminu#e # llega a un

valor 'inal de

 I B2=Vi−V BE

 R1+ R2

El valor del capacitor es determinado por el tiempo de carga deseado. %e

necesitan 7 constantes de tiempo para su carga o descarga. La constante de

tiempo de carga est! dada por

τ = R EC =(   R1 R2

 R1+ R2 )C 

La se8al de entrada pasa a nivel ba9o en la puesta al corte, # el capacitor cargado

proporciona un pico de corriente negativa a medida que se elimina la carga de labase como se puede ver en la ilustración.

0:art, ;33<4

Ilustración .- Corriente de base del transistor.

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BibliografíaHart Daniel W. Electronica de Potencia [Libro]. - [s.l.] : Prentince Hall, 1997.

Robert L. Boyestad Louis Nashelsky Electrónica: eoría de circ!itos "dis#ositi$os electrónicos [Libro]. - [s.l.] : Pearson, %&&9.