LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计 - Nankai...

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ISSN1672-4305 CN12-1352 / N LABORATORY SCIENCE 21 2018 Vol 21 No 3 Jun 2018 基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计 梁李敏解新建 河北工业大学 材料科学与工程学院天津 300130霍尔效应在半导体材料电学性能的检测中具有重要的应用通过对材料的测试可以得到材料的载流 子浓度迁移率导电类型等基本参数为了满足本科实验教学课程中开设综合性实验的要求针对霍尔效 应测试仪测试样品种类受限的问题在吉时利仪表和电磁铁硬件的基础上基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应 测试系统实测结果表明所设计的霍尔效应测试系统可以满足低阻和高阻半导体材料的基本电学性能测试的 要求适应半导体材料的发展丰富了综合实验的内容提高了学生的综合能力和创新意识关键词霍尔效应; LabVIEW; 低阻和高阻半导体 中图分类号O484.5 文献标识码doi10.3969 / j.issn.1672-4305.2018.03.008 Design of Hall effect test system based on LabVIEW LIANG Li-min, XIE Xin-jian ( School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) Abstract: The Hall effect had the important application in the electrical test of the semiconductor ma⁃ terials. Basic parameters such as carrier concentration, migration rate and type of conduction can be tested through the Hall effect. In order to meet the requirement of setting up the designed and integra⁃ tive experiment in experimental teaching for undergraduates, aiming at the limit of the sorts of samples in Hall effect experiment, the Hall effect test system based on LabVIEW was designed. The result shows that the Hall test system can test the low resistant or high resistant semiconductor materials. The design of Hall test system adapted the development of semiconductor materials, enriched the content of the experiment course and improved the students’ comprehensive ability and creative mindset. Key words: Hall effect; LabVIEW; low resistant and high resistant semiconductor 基金项目河北省教育厅项目项目编号:GCC2014023) 。 半导体材料电学性质的检测在本科实验教学和 半导体材料科学研究中占有重要的地位因此对于 半导体材料电学性质测试方法的研究也成为相当重 要的研究课题 [1-3] 霍尔效应可以用来测量半导体 材料的电阻率载流子浓度迁移率和霍尔系数等参 [4-6] 霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件 和半导体材料电学性能的重要测试设备之一目前本科实验教学中的霍尔效应测试仪所对 应的样品一般为固定好的内置样品或者几个确定的 样品检测样品的种类受到限制另外霍尔效应测 试仪的磁场和测试样品的电源功率较小仅能测试 低阻的半导体如硅砷化镓等材料随着现在半 导体材料发展的多样化半导体薄膜材料越来越重 且向宽禁带薄膜材料发展半导体薄膜材料的 电阻主要分为低阻和高阻两大类一般对于窄带半 导体来说其薄膜为低阻但越来越重要的宽禁带材 料则对应高阻高阻样品的检测需要较大的磁场和 较高的测试电流也就是需要测试样品的电源功率 要高因此目前高校实验教学所用的霍尔效应测 试仪远不能满足半导体专业学生对半导体材料电学 性能测试的要求以前本科教学课程开设的实验主要是要求学生 掌握实验原理和能够进行简单的样品检测但是随 着实验教学改革的发展实验教学的要求已经发生 了变化当前本科教学要求结合科学实际发展开设 综合性实验要求学生了解样品制备样品测试以及

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Page 1: LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计 - Nankai University梁李敏,等:基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计 数据分析等一系列流程。实验样品的多样性对电学

 ISSN1672-4305CN12-1352 N

实    验    室    科    学

LABORATORY  SCIENCE第 21 卷  第 3 期  2018 年 6 月

Vol1049008 21  No1049008 3   Jun1049008 2018

基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

梁李敏 解新建

(河北工业大学 材料科学与工程学院 天津  300130)

摘  要 霍尔效应在半导体材料电学性能的检测中具有重要的应用 通过对材料的测试可以得到材料的载流

子浓度 迁移率 导电类型等基本参数 为了满足本科实验教学课程中开设综合性实验的要求 针对霍尔效

应测试仪测试样品种类受限的问题 在吉时利仪表和电磁铁硬件的基础上基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应

测试系统 实测结果表明所设计的霍尔效应测试系统可以满足低阻和高阻半导体材料的基本电学性能测试的

要求 适应半导体材料的发展 丰富了综合实验的内容 提高了学生的综合能力和创新意识关键词 霍尔效应 LabVIEW 低阻和高阻半导体

中图分类号O4845    文献标识码A    doi103969 jissn1672-4305201803008

Design of Hall effect test system based on LabVIEW

LIANG Li-min XIE Xin-jian(School of Materials Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China)

Abstract The Hall effect had the important application in the electrical test of the semiconductor materials Basic parameters such as carrier concentration migration rate and type of conduction can betested through the Hall effect In order to meet the requirement of setting up the designed and integrative experiment in experimental teaching for undergraduates aiming at the limit of the sorts of samplesin Hall effect experiment the Hall effect test system based on LabVIEW was designed The resultshows that the Hall test system can test the low resistant or high resistant semiconductor materials Thedesign of Hall test system adapted the development of semiconductor materials enriched the content ofthe experiment course and improved the studentsrsquo comprehensive ability and creative mindsetKey words Hall effect LabVIEW low resistant and high resistant semiconductor

                                                                       

  

基金项目河北省教育厅项目(项目编号GCC2014023)

    半导体材料电学性质的检测在本科实验教学和

半导体材料科学研究中占有重要的地位因此对于

半导体材料电学性质测试方法的研究也成为相当重

要的研究课题[1- 3 ] 霍尔效应可以用来测量半导体

材料的电阻率载流子浓度迁移率和霍尔系数等参

数[4 -6 ]霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件

和半导体材料电学性能的重要测试设备之一目前本科实验教学中的霍尔效应测试仪所对

应的样品一般为固定好的内置样品或者几个确定的

样品检测样品的种类受到限制 另外霍尔效应测

试仪的磁场和测试样品的电源功率较小仅能测试

低阻的半导体如硅锗砷化镓等材料 随着现在半

导体材料发展的多样化半导体薄膜材料越来越重

要且向宽禁带薄膜材料发展 半导体薄膜材料的

电阻主要分为低阻和高阻两大类一般对于窄带半

导体来说其薄膜为低阻但越来越重要的宽禁带材

料则对应高阻 高阻样品的检测需要较大的磁场和

较高的测试电流也就是需要测试样品的电源功率

要高 因此目前高校实验教学所用的霍尔效应测

试仪远不能满足半导体专业学生对半导体材料电学

性能测试的要求以前本科教学课程开设的实验主要是要求学生

掌握实验原理和能够进行简单的样品检测 但是随

着实验教学改革的发展实验教学的要求已经发生

了变化 当前本科教学要求结合科学实际发展开设

综合性实验要求学生了解样品制备样品测试以及

梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

数据分析等一系列流程 实验样品的多样性对电学

性能的检测设备提出了更高的要求因此原来本科

教学中的霍尔效应测试仪已经远不能满足课程实验

的要求针对上述问题本文设计了一种在吉时利仪表

和电磁铁基础上基于 LabVIEW 平台下的霍尔效应

测试系统集硬件控制自动数据采集并实时显示于

一体 克服了目前本科实验教学中霍尔效应测试仪

的不足可以同时满足低阻和高阻半导体薄膜材料

或器件的测量 该测试系统可以测量半导体样品的

霍尔系数电阻率电导率导电类型迁移率和载流

子浓度等为半导体材料电学性质的测量提供了一

套比较完备的高稳定性可扩展的测量平台

1  测试原理

霍尔效应的实质是带电粒子在磁场中受洛伦兹

力的作用而发生偏转的现象 将厚度为d 的样品放

置于外磁场B 中如图 1 所示样品中通入电流 I 载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用发生偏转在样品垂直于电流的方向上产生霍尔电势差被称为

霍尔电压

VH = RHIBd

(1)

电流I 和载流子浓度之间存在一定的关系如果样品为 n 型半导体载流子偏转方向与洛伦兹力

的方向相反因此可以用来判断材料的导电类型如果样品为 p 型半导体则电流为

I = pqvwd (2)因此p 型半导体的霍尔电压为

VH = IBpqd

(3)

本文中的霍尔电压采用范德堡方法来计算[ 7 ]范德堡测试方法对样品的形状没有要求因而更具

实际意义 图 1 给出了该方法的测量原理 在半导

体样品上制作四个对称电极电极 M 和电极 O 对样

品输出一个电流I o电极 P 和电极 N 作为测量电压

采集端得到电压V H1 由于在霍尔测量过程中伴随着热磁副效应叠加在测量值V H1上引起测量误

差 为了避免这些误差将电流 I 反向测量 PN 两

端得到一个电压V H2然后将样品进行 180 度的翻

转重复上述步骤得到电压V H3和V H4 霍尔电压

可按下列公式确定

VH =VH1 - VH2 + VH3 - VH4

4(4)

I

V

图 1  范德堡方法测量薄膜电阻原理图

测量出霍尔电压以后霍尔系数载流子迁移率

和载流子浓度等都可以根据公式推导出来[8]

2  设计原理

LabVIEW 是由 NI 公司推出的虚拟仪器开发平

台是先进的工业化标准图形化编程工具[ 9 -1 1 ]LabVIEW 语言采用图形化编辑语言程序是以框图

的形式代替了传统的冗长的程序代码比传统的程

序设计语言更加简洁方便开发周期短[ 12 ] 本文

中测试系统开发采用的是 LabVIEW85霍尔效应测试系统硬件部分主要由英普磁电出

品的 sb-130 型电磁铁吉时利 6221A 电源表吉时

利 2182A 纳伏表和计算机四部分组成如图 2 所

示 电磁铁的线圈激励电流由可编程磁铁电源提

供吉时利 6221A 电源表对样品提供测试电流2182A 纳伏表测量在磁场中样品的霍尔电压采集

数据最后输入计算机进行处理和显示 硬件系统的

测量范围和精度如表 1 所示该系统测量的电阻范

围为 10nΩ~100MΩ可以同时满足低阻和高阻样品

的测量

图 2  实验仪器简图

72

表 1  硬件系统的测量范围和精度

硬件 测量范围 最小精度

磁场测量 <15T 1times10-5

测试电流 10pA~100mA 10pA

输出电压 100mV~100V 100mV

电阻测量 10nΩ~100MΩ 10nΩ

图 3  LabVIEW 平台下霍尔效应测试软件流程图

硬件系统的控制软件选择 LabVIEW 来开发霍尔效应测试系统的软件流程图如图 3 所示 软件

的功能模块主要包括数据输入模块磁场升降模块输出电流模块电压测量模块图像及数据显示模块

和数据存储模块 磁场的升降模块分为磁场上升和

磁场下降两部分在上升模块中磁场不能骤然升到

规定值激励电流需要慢慢的增加上升到设定的激

励电流程序中通过控制 While 循环的次数来达到

设定值下降程序使用 For 循环结构的循环次数来

达到下降磁场 各个控制模块之间相对独立共同

完成了仪器的驱动测试数据的采集和处理另外

对于超出量程或者错误操作等即时报错避免引起

人员和仪器的损害

3  测试应用

利用霍尔效应测试系统对稀土离子 Dy 注入的

GaN 样品进行了测试样品 1 ~ 3 为 Dy 离子注入的

GaN 样品Dy 离子分低能量和高能量两次注入以使

注入 Dy 离子在样品中的分部更均匀 样品 4 ~ 6 为

Dy 和 C 离子共同注入的 GaN 样品 GaN 样品厚度

为 3μmDy 离子注入 GaN 的注入条件如表 2 所示

表 2  Dy 离子注入 GaN 的注入条件

Dy 离子注入 C 离子注入

样品 能量 剂量 能量 剂量 能量 剂量

KeV cm2 KeV cm2 KeV cm2

样品 1 150 2times1014 300 4times1014

样品 2 150 2times1014 300 7times1014

样品 3 150 2times1014 300 1times1015

样品 4 150 2times1014 50 2times1014

样品 5 150 5times1014 50 2times1014

样品 6 150 8times1014 50 2times1014

表 3  Dy 离子注入 GaN 样品的相关测试结果

样品 霍尔电压 电阻率载流子

浓度霍尔系数 迁移率

mVΩlowastm cm-3 m3 C cm2 Vs

样品 1 018 00016 75times1017 823 5238

样品 2 058 00018 23times1018 265 147

样品 3 021 00007 64times1018 096 1371

样品 4 010 00021 12times1017 4995 2377

样品 5 040 00014 33times1017 187 1388

样品 6 048 00033 28times1018 222 656

    测试过程中磁场为 025T测试电流为 25μA表 3 给出了霍尔测试系统的相关测试结果 样品 1

82                    

梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

~3 第一次 Dy 离子注入能量和计量相同载流子浓

度随着第二次 Dy 注入剂量的增加而升高载流子

迁移率随 Dy 离子注入计量的增加而降低 样品 4~6 采用 Dy 和 C 离子共同注入C 离子注入的能量

和计量不变载流子浓度随 Dy 离子注入计量的增

加而升高载流子迁移率随 Dy 离子注入计量的增

加而降低 Dy 离子注入 GaN 样品的载流子浓度和

迁移率的变化符合离子注入 GaN 样品的变化规律因此该系统可以用来检测半导体薄膜样品的相关

电学参数

4  结语

基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应测试系统该测试系统具有较宽的测试磁场和测试电流可以

对低阻和高阻的半导体薄膜样品进行相关电学参数

测试 利用该系统对 Dy 离子注入的 GaN 样品进行

了测试结果表明该测试平台能够方便快速地测量

半导体薄膜材料的电学参数该设备可以满足本科

教学开放性实验的要求能开拓学生视野提高学生

的综合能力激发学生的学习兴趣

参考文献(References)

[1]   高晓虎王昆林关于霍尔效应特性的实验研究[J] 电子世界2014(4)221

[2]   杨洁霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法[ J]

潍坊学院学报201010(6)32-34[3]   李建昌王永简晓慧等半导体表面电学特性微观四点探针

测试技术研究进展[J] 真空201148(1)1-7[4]   李建昌王永王丹等半导体电学特性四探针测试技术的研

究现状[J] 真空201148(3)1-7[5]   曹洪DH4512 型霍尔效应实验仪的参数标定[ J] 大学物理实

验201730(2)21-24[6]   罗明海韩亚萍张凯等双因素方差分析模型在霍尔测量中

的应用[J] 大学物理实验201124(6)90-92[7]   朱俊杰刘磁辉林碧霞等范德堡方法在 ZnO 薄膜测试中的

应用[J] 发光学报200425(3)317-318[8]   潘留仙徐勇利用霍尔效应区分 P 型与 N 型半导体的理论诠

释[J] 广西物理199617(4)4-7[9]   郭占山王增浩牟能GPIB 仪器标准及测试系统组成[ J] 仪

器仪表用户20029(1)39-41[10]   陈树学刘萱 LabVIEW 宝典[M]北京电子工业出版社

2011[11]   杨乐平李海涛LabVIEW 程序设计与应用[M]北京电子工

业出版社2001[12]   林曼虹张诚刘朝辉等基于 LabVIEW 的霍尔效应仿真实

验设计与实现[J] 大学物理201534(7)26-29

收稿日期2018-01-05修改日期2018-03-15作者简介梁李敏(1981-)女山西晋城人博士实验师

主要研究方向为半导体光电性能材料测试与

分析

10509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979(上接第 25 页)[2]   刘胜苏旭王宇超等水翼双体船纵摇 升沉鲁棒 H_2 H_infin

控制研究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十

二届中国控制会议论文集(B 卷)西安第 32 届中国控制会

议20135-10[3]   李子昀杨理华高速水翼船运动姿态控制研究[J] 船舶工程

201335(3)10-15[4]   王宇超刘胜苏旭水翼双体船纵向运动鲁棒增益调度控制研

究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十三届中

国控制会议论文集(B 卷)南京第 33 界中国控制会议20145-11

[5]   吴小泽王钦若陈填锐等非线性船舶动力定位系统反步控

制器设计[J] 测控技术201433(6)60-63[6]   胡忠辉船舶航向运动非线性自适应及优化控制方法研究

[D]哈尔滨哈尔滨工程大学201344-67[7]   王岩欠驱动船舶运动的非线性鲁棒控制研究[D]哈尔滨哈

尔滨工程大学201323-30[8]   MOHAMMED SHUO WHUANGJet al Nonlinear disturbance

observer based sliding mode control of a human-driven knee jointorthosis[J] Robotics and Autonomous Systems201675(9)41-

49[9]   CHEN HSONG JCHEN YThe applied research of hydrofoil cat

amaran attitude estimation based on the fusion filtering [ C] Technical Committee on Control Theory(TCCT)The 34th ChineseControl Conference PapersHang ZhouThe 34th Chinese ControlConference201535-40

收稿日期2017-07-26修改日期2017-09-29作者简介陈虹丽(1963-)女黑龙江宾县人博士教授

主要研究方向系统建模分析信息融合

10509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905

10509051050905

10509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905

10509051050905

1051033 1051033

10510331051033

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Page 2: LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计 - Nankai University梁李敏,等:基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计 数据分析等一系列流程。实验样品的多样性对电学

梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

数据分析等一系列流程 实验样品的多样性对电学

性能的检测设备提出了更高的要求因此原来本科

教学中的霍尔效应测试仪已经远不能满足课程实验

的要求针对上述问题本文设计了一种在吉时利仪表

和电磁铁基础上基于 LabVIEW 平台下的霍尔效应

测试系统集硬件控制自动数据采集并实时显示于

一体 克服了目前本科实验教学中霍尔效应测试仪

的不足可以同时满足低阻和高阻半导体薄膜材料

或器件的测量 该测试系统可以测量半导体样品的

霍尔系数电阻率电导率导电类型迁移率和载流

子浓度等为半导体材料电学性质的测量提供了一

套比较完备的高稳定性可扩展的测量平台

1  测试原理

霍尔效应的实质是带电粒子在磁场中受洛伦兹

力的作用而发生偏转的现象 将厚度为d 的样品放

置于外磁场B 中如图 1 所示样品中通入电流 I 载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用发生偏转在样品垂直于电流的方向上产生霍尔电势差被称为

霍尔电压

VH = RHIBd

(1)

电流I 和载流子浓度之间存在一定的关系如果样品为 n 型半导体载流子偏转方向与洛伦兹力

的方向相反因此可以用来判断材料的导电类型如果样品为 p 型半导体则电流为

I = pqvwd (2)因此p 型半导体的霍尔电压为

VH = IBpqd

(3)

本文中的霍尔电压采用范德堡方法来计算[ 7 ]范德堡测试方法对样品的形状没有要求因而更具

实际意义 图 1 给出了该方法的测量原理 在半导

体样品上制作四个对称电极电极 M 和电极 O 对样

品输出一个电流I o电极 P 和电极 N 作为测量电压

采集端得到电压V H1 由于在霍尔测量过程中伴随着热磁副效应叠加在测量值V H1上引起测量误

差 为了避免这些误差将电流 I 反向测量 PN 两

端得到一个电压V H2然后将样品进行 180 度的翻

转重复上述步骤得到电压V H3和V H4 霍尔电压

可按下列公式确定

VH =VH1 - VH2 + VH3 - VH4

4(4)

I

V

图 1  范德堡方法测量薄膜电阻原理图

测量出霍尔电压以后霍尔系数载流子迁移率

和载流子浓度等都可以根据公式推导出来[8]

2  设计原理

LabVIEW 是由 NI 公司推出的虚拟仪器开发平

台是先进的工业化标准图形化编程工具[ 9 -1 1 ]LabVIEW 语言采用图形化编辑语言程序是以框图

的形式代替了传统的冗长的程序代码比传统的程

序设计语言更加简洁方便开发周期短[ 12 ] 本文

中测试系统开发采用的是 LabVIEW85霍尔效应测试系统硬件部分主要由英普磁电出

品的 sb-130 型电磁铁吉时利 6221A 电源表吉时

利 2182A 纳伏表和计算机四部分组成如图 2 所

示 电磁铁的线圈激励电流由可编程磁铁电源提

供吉时利 6221A 电源表对样品提供测试电流2182A 纳伏表测量在磁场中样品的霍尔电压采集

数据最后输入计算机进行处理和显示 硬件系统的

测量范围和精度如表 1 所示该系统测量的电阻范

围为 10nΩ~100MΩ可以同时满足低阻和高阻样品

的测量

图 2  实验仪器简图

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表 1  硬件系统的测量范围和精度

硬件 测量范围 最小精度

磁场测量 <15T 1times10-5

测试电流 10pA~100mA 10pA

输出电压 100mV~100V 100mV

电阻测量 10nΩ~100MΩ 10nΩ

图 3  LabVIEW 平台下霍尔效应测试软件流程图

硬件系统的控制软件选择 LabVIEW 来开发霍尔效应测试系统的软件流程图如图 3 所示 软件

的功能模块主要包括数据输入模块磁场升降模块输出电流模块电压测量模块图像及数据显示模块

和数据存储模块 磁场的升降模块分为磁场上升和

磁场下降两部分在上升模块中磁场不能骤然升到

规定值激励电流需要慢慢的增加上升到设定的激

励电流程序中通过控制 While 循环的次数来达到

设定值下降程序使用 For 循环结构的循环次数来

达到下降磁场 各个控制模块之间相对独立共同

完成了仪器的驱动测试数据的采集和处理另外

对于超出量程或者错误操作等即时报错避免引起

人员和仪器的损害

3  测试应用

利用霍尔效应测试系统对稀土离子 Dy 注入的

GaN 样品进行了测试样品 1 ~ 3 为 Dy 离子注入的

GaN 样品Dy 离子分低能量和高能量两次注入以使

注入 Dy 离子在样品中的分部更均匀 样品 4 ~ 6 为

Dy 和 C 离子共同注入的 GaN 样品 GaN 样品厚度

为 3μmDy 离子注入 GaN 的注入条件如表 2 所示

表 2  Dy 离子注入 GaN 的注入条件

Dy 离子注入 C 离子注入

样品 能量 剂量 能量 剂量 能量 剂量

KeV cm2 KeV cm2 KeV cm2

样品 1 150 2times1014 300 4times1014

样品 2 150 2times1014 300 7times1014

样品 3 150 2times1014 300 1times1015

样品 4 150 2times1014 50 2times1014

样品 5 150 5times1014 50 2times1014

样品 6 150 8times1014 50 2times1014

表 3  Dy 离子注入 GaN 样品的相关测试结果

样品 霍尔电压 电阻率载流子

浓度霍尔系数 迁移率

mVΩlowastm cm-3 m3 C cm2 Vs

样品 1 018 00016 75times1017 823 5238

样品 2 058 00018 23times1018 265 147

样品 3 021 00007 64times1018 096 1371

样品 4 010 00021 12times1017 4995 2377

样品 5 040 00014 33times1017 187 1388

样品 6 048 00033 28times1018 222 656

    测试过程中磁场为 025T测试电流为 25μA表 3 给出了霍尔测试系统的相关测试结果 样品 1

82                    

梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

~3 第一次 Dy 离子注入能量和计量相同载流子浓

度随着第二次 Dy 注入剂量的增加而升高载流子

迁移率随 Dy 离子注入计量的增加而降低 样品 4~6 采用 Dy 和 C 离子共同注入C 离子注入的能量

和计量不变载流子浓度随 Dy 离子注入计量的增

加而升高载流子迁移率随 Dy 离子注入计量的增

加而降低 Dy 离子注入 GaN 样品的载流子浓度和

迁移率的变化符合离子注入 GaN 样品的变化规律因此该系统可以用来检测半导体薄膜样品的相关

电学参数

4  结语

基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应测试系统该测试系统具有较宽的测试磁场和测试电流可以

对低阻和高阻的半导体薄膜样品进行相关电学参数

测试 利用该系统对 Dy 离子注入的 GaN 样品进行

了测试结果表明该测试平台能够方便快速地测量

半导体薄膜材料的电学参数该设备可以满足本科

教学开放性实验的要求能开拓学生视野提高学生

的综合能力激发学生的学习兴趣

参考文献(References)

[1]   高晓虎王昆林关于霍尔效应特性的实验研究[J] 电子世界2014(4)221

[2]   杨洁霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法[ J]

潍坊学院学报201010(6)32-34[3]   李建昌王永简晓慧等半导体表面电学特性微观四点探针

测试技术研究进展[J] 真空201148(1)1-7[4]   李建昌王永王丹等半导体电学特性四探针测试技术的研

究现状[J] 真空201148(3)1-7[5]   曹洪DH4512 型霍尔效应实验仪的参数标定[ J] 大学物理实

验201730(2)21-24[6]   罗明海韩亚萍张凯等双因素方差分析模型在霍尔测量中

的应用[J] 大学物理实验201124(6)90-92[7]   朱俊杰刘磁辉林碧霞等范德堡方法在 ZnO 薄膜测试中的

应用[J] 发光学报200425(3)317-318[8]   潘留仙徐勇利用霍尔效应区分 P 型与 N 型半导体的理论诠

释[J] 广西物理199617(4)4-7[9]   郭占山王增浩牟能GPIB 仪器标准及测试系统组成[ J] 仪

器仪表用户20029(1)39-41[10]   陈树学刘萱 LabVIEW 宝典[M]北京电子工业出版社

2011[11]   杨乐平李海涛LabVIEW 程序设计与应用[M]北京电子工

业出版社2001[12]   林曼虹张诚刘朝辉等基于 LabVIEW 的霍尔效应仿真实

验设计与实现[J] 大学物理201534(7)26-29

收稿日期2018-01-05修改日期2018-03-15作者简介梁李敏(1981-)女山西晋城人博士实验师

主要研究方向为半导体光电性能材料测试与

分析

10509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979(上接第 25 页)[2]   刘胜苏旭王宇超等水翼双体船纵摇 升沉鲁棒 H_2 H_infin

控制研究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十

二届中国控制会议论文集(B 卷)西安第 32 届中国控制会

议20135-10[3]   李子昀杨理华高速水翼船运动姿态控制研究[J] 船舶工程

201335(3)10-15[4]   王宇超刘胜苏旭水翼双体船纵向运动鲁棒增益调度控制研

究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十三届中

国控制会议论文集(B 卷)南京第 33 界中国控制会议20145-11

[5]   吴小泽王钦若陈填锐等非线性船舶动力定位系统反步控

制器设计[J] 测控技术201433(6)60-63[6]   胡忠辉船舶航向运动非线性自适应及优化控制方法研究

[D]哈尔滨哈尔滨工程大学201344-67[7]   王岩欠驱动船舶运动的非线性鲁棒控制研究[D]哈尔滨哈

尔滨工程大学201323-30[8]   MOHAMMED SHUO WHUANGJet al Nonlinear disturbance

observer based sliding mode control of a human-driven knee jointorthosis[J] Robotics and Autonomous Systems201675(9)41-

49[9]   CHEN HSONG JCHEN YThe applied research of hydrofoil cat

amaran attitude estimation based on the fusion filtering [ C] Technical Committee on Control Theory(TCCT)The 34th ChineseControl Conference PapersHang ZhouThe 34th Chinese ControlConference201535-40

收稿日期2017-07-26修改日期2017-09-29作者简介陈虹丽(1963-)女黑龙江宾县人博士教授

主要研究方向系统建模分析信息融合

10509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905

10509051050905

10509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905

10509051050905

1051033 1051033

10510331051033

投稿注意

撰写稿件使用本期刊官方网站ldquohttp labscinankaieducnrdquo提供的 Word 模板

92

Page 3: LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计 - Nankai University梁李敏,等:基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计 数据分析等一系列流程。实验样品的多样性对电学

表 1  硬件系统的测量范围和精度

硬件 测量范围 最小精度

磁场测量 <15T 1times10-5

测试电流 10pA~100mA 10pA

输出电压 100mV~100V 100mV

电阻测量 10nΩ~100MΩ 10nΩ

图 3  LabVIEW 平台下霍尔效应测试软件流程图

硬件系统的控制软件选择 LabVIEW 来开发霍尔效应测试系统的软件流程图如图 3 所示 软件

的功能模块主要包括数据输入模块磁场升降模块输出电流模块电压测量模块图像及数据显示模块

和数据存储模块 磁场的升降模块分为磁场上升和

磁场下降两部分在上升模块中磁场不能骤然升到

规定值激励电流需要慢慢的增加上升到设定的激

励电流程序中通过控制 While 循环的次数来达到

设定值下降程序使用 For 循环结构的循环次数来

达到下降磁场 各个控制模块之间相对独立共同

完成了仪器的驱动测试数据的采集和处理另外

对于超出量程或者错误操作等即时报错避免引起

人员和仪器的损害

3  测试应用

利用霍尔效应测试系统对稀土离子 Dy 注入的

GaN 样品进行了测试样品 1 ~ 3 为 Dy 离子注入的

GaN 样品Dy 离子分低能量和高能量两次注入以使

注入 Dy 离子在样品中的分部更均匀 样品 4 ~ 6 为

Dy 和 C 离子共同注入的 GaN 样品 GaN 样品厚度

为 3μmDy 离子注入 GaN 的注入条件如表 2 所示

表 2  Dy 离子注入 GaN 的注入条件

Dy 离子注入 C 离子注入

样品 能量 剂量 能量 剂量 能量 剂量

KeV cm2 KeV cm2 KeV cm2

样品 1 150 2times1014 300 4times1014

样品 2 150 2times1014 300 7times1014

样品 3 150 2times1014 300 1times1015

样品 4 150 2times1014 50 2times1014

样品 5 150 5times1014 50 2times1014

样品 6 150 8times1014 50 2times1014

表 3  Dy 离子注入 GaN 样品的相关测试结果

样品 霍尔电压 电阻率载流子

浓度霍尔系数 迁移率

mVΩlowastm cm-3 m3 C cm2 Vs

样品 1 018 00016 75times1017 823 5238

样品 2 058 00018 23times1018 265 147

样品 3 021 00007 64times1018 096 1371

样品 4 010 00021 12times1017 4995 2377

样品 5 040 00014 33times1017 187 1388

样品 6 048 00033 28times1018 222 656

    测试过程中磁场为 025T测试电流为 25μA表 3 给出了霍尔测试系统的相关测试结果 样品 1

82                    

梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

~3 第一次 Dy 离子注入能量和计量相同载流子浓

度随着第二次 Dy 注入剂量的增加而升高载流子

迁移率随 Dy 离子注入计量的增加而降低 样品 4~6 采用 Dy 和 C 离子共同注入C 离子注入的能量

和计量不变载流子浓度随 Dy 离子注入计量的增

加而升高载流子迁移率随 Dy 离子注入计量的增

加而降低 Dy 离子注入 GaN 样品的载流子浓度和

迁移率的变化符合离子注入 GaN 样品的变化规律因此该系统可以用来检测半导体薄膜样品的相关

电学参数

4  结语

基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应测试系统该测试系统具有较宽的测试磁场和测试电流可以

对低阻和高阻的半导体薄膜样品进行相关电学参数

测试 利用该系统对 Dy 离子注入的 GaN 样品进行

了测试结果表明该测试平台能够方便快速地测量

半导体薄膜材料的电学参数该设备可以满足本科

教学开放性实验的要求能开拓学生视野提高学生

的综合能力激发学生的学习兴趣

参考文献(References)

[1]   高晓虎王昆林关于霍尔效应特性的实验研究[J] 电子世界2014(4)221

[2]   杨洁霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法[ J]

潍坊学院学报201010(6)32-34[3]   李建昌王永简晓慧等半导体表面电学特性微观四点探针

测试技术研究进展[J] 真空201148(1)1-7[4]   李建昌王永王丹等半导体电学特性四探针测试技术的研

究现状[J] 真空201148(3)1-7[5]   曹洪DH4512 型霍尔效应实验仪的参数标定[ J] 大学物理实

验201730(2)21-24[6]   罗明海韩亚萍张凯等双因素方差分析模型在霍尔测量中

的应用[J] 大学物理实验201124(6)90-92[7]   朱俊杰刘磁辉林碧霞等范德堡方法在 ZnO 薄膜测试中的

应用[J] 发光学报200425(3)317-318[8]   潘留仙徐勇利用霍尔效应区分 P 型与 N 型半导体的理论诠

释[J] 广西物理199617(4)4-7[9]   郭占山王增浩牟能GPIB 仪器标准及测试系统组成[ J] 仪

器仪表用户20029(1)39-41[10]   陈树学刘萱 LabVIEW 宝典[M]北京电子工业出版社

2011[11]   杨乐平李海涛LabVIEW 程序设计与应用[M]北京电子工

业出版社2001[12]   林曼虹张诚刘朝辉等基于 LabVIEW 的霍尔效应仿真实

验设计与实现[J] 大学物理201534(7)26-29

收稿日期2018-01-05修改日期2018-03-15作者简介梁李敏(1981-)女山西晋城人博士实验师

主要研究方向为半导体光电性能材料测试与

分析

10509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979(上接第 25 页)[2]   刘胜苏旭王宇超等水翼双体船纵摇 升沉鲁棒 H_2 H_infin

控制研究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十

二届中国控制会议论文集(B 卷)西安第 32 届中国控制会

议20135-10[3]   李子昀杨理华高速水翼船运动姿态控制研究[J] 船舶工程

201335(3)10-15[4]   王宇超刘胜苏旭水翼双体船纵向运动鲁棒增益调度控制研

究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十三届中

国控制会议论文集(B 卷)南京第 33 界中国控制会议20145-11

[5]   吴小泽王钦若陈填锐等非线性船舶动力定位系统反步控

制器设计[J] 测控技术201433(6)60-63[6]   胡忠辉船舶航向运动非线性自适应及优化控制方法研究

[D]哈尔滨哈尔滨工程大学201344-67[7]   王岩欠驱动船舶运动的非线性鲁棒控制研究[D]哈尔滨哈

尔滨工程大学201323-30[8]   MOHAMMED SHUO WHUANGJet al Nonlinear disturbance

observer based sliding mode control of a human-driven knee jointorthosis[J] Robotics and Autonomous Systems201675(9)41-

49[9]   CHEN HSONG JCHEN YThe applied research of hydrofoil cat

amaran attitude estimation based on the fusion filtering [ C] Technical Committee on Control Theory(TCCT)The 34th ChineseControl Conference PapersHang ZhouThe 34th Chinese ControlConference201535-40

收稿日期2017-07-26修改日期2017-09-29作者简介陈虹丽(1963-)女黑龙江宾县人博士教授

主要研究方向系统建模分析信息融合

10509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905105090510509051050905

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投稿注意

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梁李敏等基于 LabVIEW 平台的霍尔效应测试系统设计

~3 第一次 Dy 离子注入能量和计量相同载流子浓

度随着第二次 Dy 注入剂量的增加而升高载流子

迁移率随 Dy 离子注入计量的增加而降低 样品 4~6 采用 Dy 和 C 离子共同注入C 离子注入的能量

和计量不变载流子浓度随 Dy 离子注入计量的增

加而升高载流子迁移率随 Dy 离子注入计量的增

加而降低 Dy 离子注入 GaN 样品的载流子浓度和

迁移率的变化符合离子注入 GaN 样品的变化规律因此该系统可以用来检测半导体薄膜样品的相关

电学参数

4  结语

基于 LabVIEW 平台设计了霍尔效应测试系统该测试系统具有较宽的测试磁场和测试电流可以

对低阻和高阻的半导体薄膜样品进行相关电学参数

测试 利用该系统对 Dy 离子注入的 GaN 样品进行

了测试结果表明该测试平台能够方便快速地测量

半导体薄膜材料的电学参数该设备可以满足本科

教学开放性实验的要求能开拓学生视野提高学生

的综合能力激发学生的学习兴趣

参考文献(References)

[1]   高晓虎王昆林关于霍尔效应特性的实验研究[J] 电子世界2014(4)221

[2]   杨洁霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法[ J]

潍坊学院学报201010(6)32-34[3]   李建昌王永简晓慧等半导体表面电学特性微观四点探针

测试技术研究进展[J] 真空201148(1)1-7[4]   李建昌王永王丹等半导体电学特性四探针测试技术的研

究现状[J] 真空201148(3)1-7[5]   曹洪DH4512 型霍尔效应实验仪的参数标定[ J] 大学物理实

验201730(2)21-24[6]   罗明海韩亚萍张凯等双因素方差分析模型在霍尔测量中

的应用[J] 大学物理实验201124(6)90-92[7]   朱俊杰刘磁辉林碧霞等范德堡方法在 ZnO 薄膜测试中的

应用[J] 发光学报200425(3)317-318[8]   潘留仙徐勇利用霍尔效应区分 P 型与 N 型半导体的理论诠

释[J] 广西物理199617(4)4-7[9]   郭占山王增浩牟能GPIB 仪器标准及测试系统组成[ J] 仪

器仪表用户20029(1)39-41[10]   陈树学刘萱 LabVIEW 宝典[M]北京电子工业出版社

2011[11]   杨乐平李海涛LabVIEW 程序设计与应用[M]北京电子工

业出版社2001[12]   林曼虹张诚刘朝辉等基于 LabVIEW 的霍尔效应仿真实

验设计与实现[J] 大学物理201534(7)26-29

收稿日期2018-01-05修改日期2018-03-15作者简介梁李敏(1981-)女山西晋城人博士实验师

主要研究方向为半导体光电性能材料测试与

分析

10509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979105097910509791050979(上接第 25 页)[2]   刘胜苏旭王宇超等水翼双体船纵摇 升沉鲁棒 H_2 H_infin

控制研究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十

二届中国控制会议论文集(B 卷)西安第 32 届中国控制会

议20135-10[3]   李子昀杨理华高速水翼船运动姿态控制研究[J] 船舶工程

201335(3)10-15[4]   王宇超刘胜苏旭水翼双体船纵向运动鲁棒增益调度控制研

究[C] 中国自动化学会控制理论专业委员会第三十三届中

国控制会议论文集(B 卷)南京第 33 界中国控制会议20145-11

[5]   吴小泽王钦若陈填锐等非线性船舶动力定位系统反步控

制器设计[J] 测控技术201433(6)60-63[6]   胡忠辉船舶航向运动非线性自适应及优化控制方法研究

[D]哈尔滨哈尔滨工程大学201344-67[7]   王岩欠驱动船舶运动的非线性鲁棒控制研究[D]哈尔滨哈

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收稿日期2017-07-26修改日期2017-09-29作者简介陈虹丽(1963-)女黑龙江宾县人博士教授

主要研究方向系统建模分析信息融合

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