7. Analisa Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kram listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID dan VGS diperlihatkan pada lampiran grafik. Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir. Seperti dari percobaan yang telah dilakukan, diperoleh bahwa jika VGS sama dengan nol lapisan deplesi kiri dan kanan pada posisi yang hampir membuka. Karakteristik arus drain ID konstan setelah VDS melewati suatu besar tegangan tertentu yang disebut Vp. Pada keadaan ini (VGS) sama dengan nol, celah lapisan deplesi hampir bersinggungan dan sedikit membuka. Arus ID bisa konstan karena celah deplesi yang sempit. Jika VGS semakin kecil, maka arus drain ID juga makin kecil. Bila hal ini terjadi, maka dapat dilihat menggunakan kurva drain, ternyata arus ID terlihat sangat kecil sekali dan hampir nol. Tegangan ini disebut tegngan cutoff gate-source yang disebut sebagai VGS. Transkonduksi terhadap VDS, semakin panjang VDS, maka Transkonduktansi semakin tinggi pula. Cobalah anda perhatikan pada kurva JFET-n. Transkonduktansi itu sebenarnya adalah ID dan VDS yang sama sifatnya. @ Ada tiga jenis dasar dari FET yaitu; JFET,MOSFET pengosongan (depletion) peningkatan dan MOSFET hanya untuk peningkatan.JFET hanya beroperasi dalam mode pengosongan,MOSFET pengosongan peningkatan dalam salah satu mode.Dua keuntungan dari FET adalah impedansi input yang tinggi dan sifat hukum kuadrat.JFET dan MOSFET adalah transistor efek medan yang merupakan semikonduktor dimana arus keluarannya dikendalikan oleh medan listrik.Transistor ini merupakan salah satu dari transistor unipolar,disebut transistor unipolar karena pembawa yang bekerja satu jenis. Pada grafik hubungan Vgs terhadap Id untuk JFET yang dibias reverse diperoleh karakteristik JFET dimana apabila Vds tetap Id akan semakin besar bila parameter Vgs juga semakin besar,bila Vds bertambah,Vgs konstan maka Id akan semakin besar.Sedangkan pada MOSFET dilakukan bias forward ,apabila nilai Vgs konstan ,Vds bertambah maka nilai Id akan menurun,Jika Vgs bertambah Vds konstan maka nilai Id akan bertambah. Dari hasil percobaan dapat dilihat bahwa untuk FET tipe N nilai ID dipengaruhi oleh nilai dari VDS yang akan mencapai nilai konstan sehingga nilai arus pada grafik akan naik dengan cepat dan kemudian akan merata karena nilai arus konstan. Dan juga nilai VGS yang negatif akan menurunkan nilai ID. Kondisi saturasi yaitu keadaan konstan dimana pada saat VDS = 0 dan ID maks dicapai pada saat VGS = 0 V. MOSFET memiliki impedansi yang lebih tinggi daripada JFET.JFET tipe N memerlukan tegangan polaritas minus atau reverse untuk menghantarkan arus,berbeda dengan JFET tipe P memerlukan polaritas plus atau forward agar dapat mengalirkan arus. Trankonduktansi ( gm ) adalah perbandingan antara nilai ID terhadap nilai VGS. Harga gm dapat dihitung dengan rumus : ID : VGS Dari perhitungan diatas didapat grafik Trankonduktansi. Pada kurva Trankonduktansi digambarkan hubungan antara arus output ID, dan tegangan input VGS. Kurva Trankonduktansi berbentuk parabola dan untuk memperoleh harga gm, dapat kita lakukan dengan membaca harga harga I dan V pada grafik JFET maupun dari grafik MOSFET. JFET dan MOSFET dikendalikan oleh tegangan bukan oleh arus. 8. Kesimpulan 1. Semakin panjang VDS, maka Transkonduktansi semakin tinggi atau besar pula.

2.

Ketika VGS konstan, VDS diubah-ubah maka harga ID arus drain konstan, sedangkan jika VDS yang konstan maka arus drain tidak konstan, bernilai sesuai dengan VGS. Jika harga VGS kecil, maka arus drain juga bernilai kecil.

3. 4. 5.

Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifer. Sedangkan dalam rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. JFET berlaku sebagai sumber arus konstan pada suatu tegangan tertentu yang disebut VDS. Tegangan ini disebut breakdown voltage, dimana arus tiba-tiba menjadi tak hingga. Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain yang bisa lewet atau bahkan menjadi nol pada tegangan negarif tertentu. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. JFET merupakan satu piranti semikonduktor dan juga transistor unipolar. Perbedaan JFET dan transistor adalah pada JFET arus keluaran dikendalikan oleh tegangan

berbeda dengan transistor bibpolar yang dikendalikan oleh arus. JFET merupakan keping silicon dari bahan tipe n dengan 2 pulau dari bahan tipe p yang ditempel saluran pada JFET yaitu penguras (drain),gerbang (gate),sumber (source). JFET dan MOSFET digunakan sebagai penguat. MOSFET merupakan piranti yang gerbangnya diisolasikan dari saluran Pada JFET arus Id semakin positif jika tegangan Vgs yang diberikan seemakin negative pada kedua sisinya.

1.2. 3. 4.

Pada MOSFET arus Id semakin positif jika tegangan Vgs yang diberikan semakin positif MOSFET memiliki impendansi yang lebih tinggi daripada JFET JFET dan MOSFET dikendalikan oleh tegangan bukan oleh arus. FET merupakan salah satu peralatan semikonduktur yang memiliki tiga terminal ( Drain, Gate, dan Source ). FET dibagi menjadi 2: 1. JFET yang dibagi menjadi JFET tipe P dan N 2. MOSFET

5.

Trankonduktansi ( gm ) adalah perbandingan antara nilai ID terhadap nilai 13.

VGS

Untuk operasi JFET gerbang dibias reverse sedangkan MOSFET dapat dibias reverse atau forward