INFORME N2elt2580
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INFORME N. 2 LABORATORIO DE SIMULACION DE ELECTRONI CA “ELT 2580 C” NOMBBRE: Catari Paniagua Josué Danny FECHA: Or. 8 de abril de 2013 1. Obj eti ! • Simular y analizar los circuitos de recticaci!n con diodos" es decir recticaci!n mono#$sica de media onda" onda com%leta" recticaci!n tri#$sica de media onda y de onda com%leta 2. I"t# !$%&&i'" Para real izar las gr $cas debemo s de ingr esar a lo s %r ogramas &i rt uales de simulaci!n eléctrica 'ue son( el PSP)C* o el P+O,*-S. *n est os %ro gramas rea liz amos los cir cuito s y &is ualiz are mos las gra ca s de recticaci! n y de trans#erencia. (. )%"$*+e"t! te'#i&! C%#* &*#*&te#,-ti&* $e $i!$! Cur&a caracterstica del diodo. • Te"-i'" %+b#*/ $e &!$! o $e *#ti$* / . a tensi!n umbral /también llamada barrera de %otencial de %olarizaci!n directa coincide en &alor con la tensi!n de la zona de carga es%acial del diodo no %olarizado. )l %olarizar directamente el diodo" la ba rrera de %otenc ial inicial se &a reduciendo" incremen tando la corriente ligeramente" alrededor del 14 de la nominal. Sin embargo" cuando la tensi!n e5terna su%era la tensi!n umbral" la barrera de %otencial desa%arece" de #orma 'ue %ara %e'ue6os incrementos de tensi!n se %roducen grandes &ariaciones de la intensidad de corriente.
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