Informe 4 EP
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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Práctica Nº4
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA TBJ OBJETIVOS:
• Disenãr el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia. • Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura.
INFORME Formas de Onda
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Calcular la potencia de disipación del transistor de potencia para los dos circuitos diseñados con los datos tomados en el laboratorio. Para una carga resistiva (foco):
Periodo 1.820 ms Tiempo en Alto 880 us Tiempo en Bajo 960 us Tiempo de Encendido 4.9 us Tiempo de Apagado 6.6 us
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Para una carga resistiva (foco) inductiva:
Periodo 1.390 ms Tiempo en Alto 700 us Tiempo en Bajo 690 us Tiempo de Encendido 7 us Tiempo de Apagado 13.6 us
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CONCLUSIONES • La carga inductiva no afecta el estado estable de las formas de onda, solo a los
transitorios ya que la carga inductiva se comporta como cortocircuito cuando no hay variación de corriente en el tiempo.
• Las diferencias de disipación en estado estable se dan por la variación de los tiempos de apagado y encendido que afectan de una manera mínima a los tiempos estables de corte y saturación respectivamente.
• El diseño del circuito de los transistores en esta practica, se debe tener en cuenta el diseño a partir del transistor de potencia donde tenemos los requerimientos específicos; el resto del circuito se debe adaptarlo a las necesidades de la carga y los limites máximos de disipación de potencia. Se debe maniobrar el circuito variando las resistencias.
Bibliografía.
• Boylestad R., Nashelsky L. , Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e (New Edition). Pearson Education, 2012
• M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Pearson/Prentice Hall, 2004.