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Flux directionnelsLa conception des blocs est facilitée si ceux-ci sont organisés comme le croisement de deux (ou plus) flux fonctionnels.
flux de données
flux de commandes
cellule élémentaire
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Conception matricielle des blocs
Cette vision des choses permet de concevoir les blocs par la juxtaposition de cellules identiques (forte réutilisation des cellules)
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Couches technologiquesAffecter une flux fonctionnel (et / ou d'alim) à une couche technologique
niveau matériaux flux (exemple)1 zone active2 polysilicium3 métal 1 commandes + alim locales4 métal 2 données + alim globales
....
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Couches technologiquesUtiliser ces matériaux de manière unidirectionnelle(éviter les motifs en "L")
Croiser les couches
zone active
polysilicium
métal 1
métal 2
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RRééalisation dalisation d’’une porte NANDune porte NAND
A
B
S
Vss Vdd
Schéma Squelettisé
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Diffusion du caisson pour les Transistors PMOS (dopage N)
Isolation globaledépôt SiO2
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Oxyde sur les transistors
Dépôt du polysiliciumGrilles et contact
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Implantation N+
Puis Implantation P+
Création des contactsAvec Métal 1
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Création de la couche métal 1
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RRééalisation de la fonction Retenuealisation de la fonction Retenue
A B
C
B
A
Vdd
A A
B
B
C
S
Vss
S
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A
B
S
Vss Vdd
C
A
B
Schéma Squelettisé
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Diffusion du caisson pour les Transistors PMOS (dopage N)
Isolation globaledépôt SiO2
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Oxyde sur les transistors
Dépôt du polysiliciumGrilles et contact
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Implantation N+
Puis Implantation P+
Création des contactsAvec Métal 1
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Création de la couche métal 1
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Comptage du nombre de bitsComptage du nombre de bits
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Compteur de bits
A
B
C
Z0Z1Z2Z3
La sortie Zi prend la valeur 1 quand le nombre de bits d’entréeayant la valeur 1 est égal à i. Les 3 autres sorties prennent lavaleur 0.
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Expressions Booléennes Z0 = A’ . B’ . C’
Z1 = (A . B’ . C’) + (A’ . B . C’) + (A’ . B’ . C)
Z2 = (A . B . C’) + (A . B’ . C) + (A’ . B . C)
Z3 = A . B . C
notation : X’ = not(X)
Les tableaux de Karnaugh montrent qu’il n’y a pas desimplification possible.
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Schéma en portes logiques
A B C
1
0 Z0
Z1
Z2
Z3
2
3
4
5
6
7
Z1
Z2
Z0
Z3
10 NAND3 et 5 inverseurs.
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Gabarit de cellule précaractérisée
Les cellules précaractériséessont conçues pour etre aboutablesdans les deux directions X et Y, etpour faciliter le travail du routeurautomatique :
• hauteur fixe (par exemple 10 pitchs)• largeur variable (nombre entier de pitchs)
• caisson N de hauteur fixe.• alimentations Vdd et Vss de hauteur fixe, horizontales, en métal 1.
• connecteurs d’entrée/sortie enmétal 1 sur la grille de routage.
E3E2E1S
VDD
VSS
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Cellule NAND3
La cellule NAND3possède une largeur de5 pitchs
Les 3 signaux d’entrée E1, E2, E3, sont accessiblessur 6 pistes.Le signal est accessible sur 7 pistes.
E3E2E1S
VDD
VSS
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Cellule Inverseur
S E La cellule INVERSEUR possède une largeur de 3 pitchs
Le signal d’entrée E est accessible sur 6 pistes de routage. Le signal de sortie S est accessible sur7 pistes de routage.
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Placement des cellules par aboutement
NA 0 1 2 4
NB 3 5 6 7 Z2 Z3
Z1 Z0
NC
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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 PC n°2 diapo 32
Routage par dessus les cellules
NA 0 1 2 4
NB 3 5 6 7 Z2 Z3
Z1 Z0
NC
A
B
C
Z0
Z1
Z3
Z2
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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 PC n°2 diapo 33
RRééalisation dalisation d’’une UALune UAL
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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 PC n°2 diapo 34
-Cin
-Cout
-S
C3
C2
P
G
C2
C1
E1E2
Vcc
C1 C2 C3 opération1 0 0 addition1 1 0 ET0 0 1 OU1 0 1 OU-EX
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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 PC n°2 diapo 35
NAND3
OU3
NAND2
Logiquede
Passage
PDN
PUN
INV
INV
OU2
XOR2-G
-P-P
-G
G
-P
P
P