ダブル・バランスド・ミキサー C データシート …...24GHz～32GHz、GaAs、MMIC...
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24GHz～32GHz、GaAs、MMIC ダブル・バランスド・ミキサー データシート HMC329ALC3B Rev. 0 アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって 生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示 的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有 者の財産です。※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2018 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 本 社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 10F 電話 03（5402）8200 大 阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー 10F 電話 06（6350）6868 名古屋営業所／〒451-6038 愛知県名古屋市西区牛島町 6-1 名古屋ルーセントタワー 40F 電話 052（569）6300 特長 変換損失（ダウンコンバータ）：11dB（代表値） LO/RF アイソレーション：24GHz～30GHz の性能で 36.5dB （代表値） 入力 IP3（ダウンコンバータ）：20dBm（代表値） 12 端子、RoHS 準拠、3mm × 3mm、LCC パッケージ アプリケーション マイクロ波および超小型地球局（VSAT）無線 試験装置 防衛用電子戦（EW） 電子対抗手段（ECM） 指揮、統制、通信、インテリジェンス（C3I） 機能ブロック図 図 1. 概要 HMC329ALC3B は汎用ダブル・バランスド・ミキサーで、リー ドレスの RoHS 準拠の表面実装技術（SMT）パッケージを採用 しており、24GHz～32GHz のアップコンバータまたはダウンコ ンバータとして使用することができます。このミキサーは、ガ リウム・ヒ素（GaAs ）モノリシック・マイクロ波集積回路 （MMIC）プロセスで製造されており、外付け部品やマッチン グ回路が不要です。HMC329ALC3B はバラン準備構造が最適化 されているため、局部発振器（LO）～無線周波数（RF）およ び LO～中間周波数（IF）で優れた抑制を得られます。このミキ サーは 9dBm 以上の LO 振幅で動作します。 RoHS 準拠の HMC329ALC3B は、ワイヤ・ボンディングが不要で、表面実装 製造技術を利用することができます。 1 GND 7 GND 8 RF 9 GND 10 NIC 11 NIC 12 NIC 4 GND 2 LO 3 GND 5 IF 6 GND PACKAGE BASE GND HMC329ALC3B 16676-001 日本語参考資料 最新版英語データシートはこちら
Transcript of ダブル・バランスド・ミキサー C データシート …...24GHz～32GHz、GaAs、MMIC...
24GHz～32GHz、GaAs、MMIC
ダブル・バランスド・ミキサー
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって
生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示
的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有
者の財産です。※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
©2018 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
本 社／105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 10F 電話 03（5402）8200
大 阪営業所／532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー 10F 電話 06（6350）6868
名古屋営業所／451-6038 愛知県名古屋市西区牛島町 6-1 名古屋ルーセントタワー 40F 電話 052（569）6300
特長
変換損失（ダウンコンバータ）：11dB（代表値）
LO/RF アイソレーション：24GHz～30GHz の性能で 36.5dB
（代表値）
入力 IP3（ダウンコンバータ）：20dBm（代表値）
12端子、RoHS準拠、3mm × 3mm、LCCパッケージ
アプリケーション
マイクロ波および超小型地球局（VSAT）無線
試験装置
防衛用電子戦（EW）
電子対抗手段（ECM）
指揮、統制、通信、インテリジェンス（C3I）
機能ブロック図
図 1.
概要
HMC329ALC3B は汎用ダブル・バランスド・ミキサーで、リー
ドレスの RoHS 準拠の表面実装技術（SMT）パッケージを採用
しており、24GHz～32GHz のアップコンバータまたはダウンコ
ンバータとして使用することができます。このミキサーは、ガ
リウム・ヒ素（GaAs）モノリシック・マイクロ波集積回路
（MMIC）プロセスで製造されており、外付け部品やマッチン
グ回路が不要です。HMC329ALC3B はバラン準備構造が最適化
されているため、局部発振器（LO）～無線周波数（RF）およ
び LO～中間周波数（IF）で優れた抑制を得られます。このミキ
サーは 9dBm 以上の LO 振幅で動作します。RoHS 準拠の
HMC329ALC3B は、ワイヤ・ボンディングが不要で、表面実装
製造技術を利用することができます。
1GND
7 GND
8 RF
9 GND
10
NIC
11
NIC
12
NIC
4
GN
D
2LO
3GND
5
IF
6
GN
D
PACKAGEBASE
GND
HMC329ALC3B
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6-0
01
日本語参考資料
最新版英語データシートはこちら
データシート HMC329ALC3B
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目次 特長 ................................................................................................... 1
アプリケーション ............................................................................ 1
機能ブロック図 ................................................................................ 1
概要 ................................................................................................... 1
改訂履歴 ........................................................................................... 2
仕様 ................................................................................................... 3
絶対最大定格 .................................................................................... 4
熱抵抗 ........................................................................................... 4
ESDに関する注意........................................................................ 4
ピン配置およびピン機能の説明 ..................................................... 5
インターフェース回路図 ............................................................ 5
代表的な性能特性 ............................................................................ 6
ダウンコンバータの性能、IF = 1000MHz .................................. 6
ダウンコンバータの性能、IF = 8000MHz ................................ 10
アップコンバータの性能、IF = 1000MHz ................................ 12
アップコンバータの性能、IF = 8000MHz ................................ 14
IF帯域幅—ダウンコンバータ ................................................... 18
スプリアスおよび高調波性能 ................................................... 20
動作原理 .......................................................................................... 21
アプリケーション情報 ................................................................... 22
代表的なアプリケーション回路 ............................................... 22
評価用 PCBの情報 ..................................................................... 22
外形寸法 .......................................................................................... 23
オーダー・ガイド ...................................................................... 23
改訂履歴
5/2018—Revision 0: Initial Version
データシート HMC329ALC3B
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仕様 特に指定のない限り、上側波帯で TA = 25ºC、IF = 1000MHz、LO = 13dBmです。また、すべての測定は、
評価用プリント回路基板（PCB）上でダウンコンバータとして行われています。
表 1.
Parameter Symbol Min Typ Max Unit
FREQUENCY RANGE
RF Pin 24 32 GHz
IF Pin DC 8 GHz
LO Pin 24 32 GHz
LO AMPLITUDE 9 13 15 dBm
24 GHz to 32 GHz Performance
Downconverter
Conversion Loss 11 13.5 dB
Single Sideband Noise Figure SSB NF 12 dB
Input Third-Order Intercept IP3 15.5 20 dBm
Input 1 dB Compression Point P1dB 12 dBm
Input Second-Order Intercept IP2 42 dBm
Upconverter IFIN
Conversion Loss 10.5 dB
Input Third-Order Intercept IP3 15.3 dBm
Input 1 dB Compression Point P1dB 4.5 dBm
ISOLATION
24 GHz to 30 GHz Performance
LO to IF 28 35.5 dB
RF to IF 20 31.5 dB
LO to RF 32 36.5 dB
30 GHz to 32 GHz Performance
LO to IF 22 30 dB
RF to IF 10.5 24.4 dB
LO to RF 22.5 30.5 dB
データシート HMC329ALC3B
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絶対最大定格 表 2.
Parameter Rating
RF Input Power 13 dBm
LO Input Power 24 dBm
IF Input Power 13 dBm
IF Source or Sink Current 3 mA
Peak Reflow Temperature 260°C
Maximum Junction Temperature 175°C
Continuous Power Dissipation, PDISS (TA = 85°C,
Derate 3.7 mW/°C Above 85°C)
200 mW
Operating Temperature Range −55°C to +85°C
Storage Temperature Range −65°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering 60 sec) 260°C
Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity
Human Body Model (HBM) 1500 V, Class 1C
Field-Induced Charged Device Model (FICDM) 1250 V, Class IV
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作のセクションに
記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありま
せん。デバイスを長時間にわたり絶対最大定格状態に置くと、
デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。
熱抵抗
熱性能は、プリント回路基板（PCB）の設計と動作環境に直接
関連しています。PCB の熱設計には、細心の注意を払う必要が
あります。
θJAは、1 立方フィートの密封容器内で測定された、自然対流下
におけるジャンクションと周囲温度の間の熱抵抗です。
θJCは、ジャンクションからケースへの熱抵抗です。
表 3. 熱抵抗
Package Type θJA θJC Unit
E-12-41 120 445 °C/W
1 テスト条件 1：JEDEC規格 JESD51-2。
ESDに関する注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。
電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されない
まま放電することがあります。本製品は当社独自の特
許技術であるESD保護回路を内蔵してはいますが、デ
バイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷
を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や
機能低下を防止するため、ESD に対する適切な予防措
置を講じることをお勧めします。
データシート HMC329ALC3B
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ピン配置およびピン機能の説明
図 2. ピン配置
表 4. ピン機能の説明
Pin No. Mnemonic Description
1, 3, 4, 6, 7, 9 GND グラウンド。これらのピンは RF/DCグラウンドに接続する必要があります。インターフェース回路図について
は、図 3を参照してください。
2 LO LOポート。このピンは ACカップリングされ、50Ωに整合されています。インターフェース回路図について
は、図 4を参照してください。
5 IF IFポート。このピンは DCカップリングされています。DCまでの動作を必要としないアプリケーションでは、
必要な IF周波数範囲を通過させるように値を選択したコンデンサを直列に外付けして、このポートの DC成分
をブロックします。DCまで動作させる場合は、このピンで 3mAを超える電流をソースまたはシンクしないよ
うにしてください。ダイの誤動作や不具合の原因となるおそれがあります。インターフェース回路図について
は、図 5を参照してください。
8 RF RFポート。このピンは ACカップリングされ、50Ωに整合されています。インターフェース回路図について
は、図 6を参照してください。
10, 11, 12 NIC 内部では未接続。これらのピンは RF/DCグラウンドに接続します。性能には影響しません。
EPAD 露出パッド。露出パッドは RF/DCグラウンドに接続する必要があります。
インターフェース回路図
図 3. GNDインターフェース回路図
図 4. LOインターフェース回路図
図 5. IFインターフェース回路図
図 6. RFインターフェース回路図
1GND
7 GND
8 RF
9 GND
10
NIC
11
NIC
12
NIC
4
GN
D
2LO
3GND
5
IF
6
GN
D
NOTES1. NOT INTERNALLY CONNECTED. THESE PINS
CAN BE CONNECTED TO RF/DC GROUND.PERFORMANCE IS NOT AFFECTED.
2. EXPOSED PAD. THE EXPOSED PAD MUST BECONNECTED TO RF/DC GROUND.
HMC329ALC3BTOP VIEW
(Not to Scale)
16
67
6-0
02
GND
16
67
6-0
03
LO
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6-0
04
IF
16
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6-0
05
RF
16
67
6-0
06
データシート HMC329ALC3B
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代表的な性能特性 ダウンコンバータの性能、IF = 1000MHz
上側波帯（ローサイド LO）
図 7. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 8. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 9. 様々な温度での入力 IP2と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 10. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 11. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 12. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP2と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
07
0
5
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15
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23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
08
0
10
20
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70
60
50
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
16
67
6-0
09
–40°C+25°C+85°C
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
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6-0
10
0
5
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23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
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6-0
11
0
10
20
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40
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60
50
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
16
67
6-0
12
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 7/23 －
図 13. 様々な温度での入力 P1dBと RF周波数の関係、
LO = 13dBm
図 14. 様々な LOパワー・レベルでの入力 P1dBと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B (
dB
m)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
13 0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B (
dB
m)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
15
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 8/23 －
下側波帯（ハイサイド LO）
図 15. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 16. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 17. 様々な温度での入力 IP2と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 18. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 19. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 20. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP2と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
17
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
18
0
10
20
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40
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60
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23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
16
67
6-0
19
–40°C+25°C+85°C
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
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20
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
21
0
10
20
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40
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60
50
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
22
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 9/23 －
図 21. 様々な温度での入力 P1dBと RF周波数の関係、
LO = 13dBm
図 22. ノイズ指数と RF周波数の関係、LO = 13dBm、TA = 25ºC
図 23. 様々な LOパワー・レベルでの入力 P1dBと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
23
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
NO
ISE
FIG
UR
E(d
Bm
)
16
67
6-0
160
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
25
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 10/23 －
ダウンコンバータの性能、IF = 8000MHz
上側波帯（ローサイド LO）
図 24. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 25. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 26. 様々な温度での入力 IP2と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 27. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 28. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 29. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP2と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
27 28 29 30 31 32 33 3534
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
27
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
5
10
15
20
30
25
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
28
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
10
20
30
40
70
60
50
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
16
67
6-0
29
–40°C+25°C+85°C
–30
–25
–20
–15
–5
–10
27 28 29 30 31 32 33 3534
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
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6-0
30
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
5
10
15
20
30
25
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
31
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
10
20
30
40
70
60
50
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
32
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 11/23 －
下側波帯（ハイサイド LO）
図 30. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 31. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 32. 様々な温度での入力 IP2と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 33. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 34. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 35. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP2と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
33
0
5
10
15
20
30
25
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
34
0
10
10
30
40
70
60
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
50
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
35
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
–30
–25
–20
–15
–5
–10
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
36
0
5
10
15
20
30
25
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
3(d
Bm
)LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
37
0
10
10
30
40
70
60
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
2(d
Bm
)
50
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
38
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 12/23 －
アップコンバータの性能、IF = 1000MHz
上側波帯（ローサイド LO）
図 36. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 37. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 38. 様々な温度での入力 P1dBと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 39. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 40. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 41. 様々な LOパワー・レベルでの入力 P1dBと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
39
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
40
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
41
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
42
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
43
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
44
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 13/23 －
下側波帯（ハイサイド LO）
図 42. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 43. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 44. 様々な温度での入力 P1dBと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 45. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 46. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 47. 様々な LOパワー・レベルでの入力 P1dBと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
45
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
46
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
47
–30
–25
–20
–15
–5
–10
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
48
0
5
10
15
20
30
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
IP
3(d
Bm
)LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
49
0
5
10
15
20
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
INP
UT
P1d
B(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
50
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 14/23 －
アップコンバータの性能、IF = 8000MHz
上側波帯（ローサイド LO）
図 48. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 49. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 50. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 51. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
–30
–25
–20
–15
–5
–10
27 28 29 30 31 32 33 3534
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
51
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
5
10
15
20
30
25
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
52
–30
–25
–20
–15
–5
–10
27 28 29 30 31 32 33 3534
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
53
27 28 29 30 31 32 33 3534
0
5
10
15
20
30
25
RF FREQUENCY
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
54
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 15/23 －
下側波帯（ハイサイド LO）
図 52. 様々な温度での変換ゲインと RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 53. 様々な温度での入力 IP3と RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 54. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 55. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
RF周波数の関係、TA = 25ºC
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
–30
–25
–20
–15
–5
–10
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
55
0
5
10
15
20
30
25
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
56
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
–30
–25
–20
–15
–5
–10
RF FREQUENCY
CO
NV
ER
SIO
NG
AIN
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
57
0
5
10
15
20
30
25
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
RF FREQUENCY
30
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
58
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 16/23 －
アイソレーションおよびリターン・ロス
図 56. 様々な温度での LO/RFアイソレーションと RF周波数の
関係、LO = 13dBm
図 57. 様々な温度での LO/IFアイソレーションと
RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 58. 様々な温度での RF/IFアイソレーションと
RF周波数の関係、LO = 13dBm
図 59. 様々な LOパワー・レベルでの
LO/RFアイソレーションと RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 60. 様々な LOパワー・レベルでの LO/IFアイソレーションと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
図 61. 様々な LOパワー・レベルでの RF/IFアイソレーションと
RF周波数の関係、TA = 25ºC
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
LO
TO
RF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
62
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
LO
TO
IF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
63
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
RF
TO
IF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
64
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
LO
TO
RF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
59
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
LO
TO
IF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
60
0
5
10
15
20
50
30
35
45
40
25
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
RF FREQUENCY
33
RF
TO
IF
IS
OL
AT
ION
(dB
)
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
61
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 17/23 －
図 62. LOリターン・ロスと RF周波数の関係、LO = 13dBm、
TA = 25ºC
図 63. 様々な LOパワー・レベルでの RFリターン・ロスと
RF周波数の関係、TA = 25ºC、LO = 27GHz
図 64. 様々な LOパワー・レベルでの IFリターン・ロスと
IF周波数の関係、TA = 25ºC、LO = 27GHz
–25
–20
–15
–10
–5
0
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
LO
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B)
RF FREQUENCY 16
67
6-0
65
–25
–20
–15
–10
–5
0
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
RF
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B)
RF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
66
–25
–20
–15
–10
–5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IF R
ET
UR
NL
OS
S (
dB
)
IF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
67
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 18/23 －
IF帯域幅—ダウンコンバータ
上側波帯、LO周波数= 25GHz
図 65. 様々な温度での変換ゲインと IF周波数の関係、LO = 13dBm
図 66. 様々な温度での入力 IP3と IF周波数の関係、LO = 13dBm
図 67. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
IF周波数の関係、TA = 25ºC
図 68. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
IF周波数の関係、TA = 25ºC
–25
–20
–15
–10
–5
–30
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
CO
NV
ER
SIO
N G
AIN
(d
B)
IF FREQUENCY
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
68
0
5
10
15
20
30
25
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
INP
UT
IP
3 (
dB
m)
IF FREQUENCY
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
69
–25
–20
–15
–10
–5
–30
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
CO
NV
ER
SIO
N G
AIN
(d
B)
IF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
70
5
10
15
20
25
30
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
INP
UT
IP
3 (
dB
)
IF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
71
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 19/23 －
下側波帯、LO周波数= 31GHz
図 69. 様々な温度での変換ゲインと IF周波数の関係、LO = 13dBm
図 70. 様々な温度での入力 IP3と IF周波数の関係、LO = 13dBm
図 71. 様々な LOパワー・レベルでの変換ゲインと
IF周波数の関係、TA = 25ºC
図 72. 様々な LOパワー・レベルでの入力 IP3と
IF周波数の関係、TA = 25ºC
–25
–20
–15
–10
–5
–30
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
CO
NV
ER
SIO
N G
AIN
(d
B)
IF FREQUENCY
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
72
0
5
10
15
20
30
25
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IF FREQUENCY
10
INP
UT
IP
3(d
Bm
)
–40°C+25°C+85°C
16
67
6-0
73
–25
–20
–15
–10
–5
–30
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
CO
NV
ER
SIO
N G
AIN
(d
B)
IF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
74
5
10
15
20
25
30
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
INP
UT
IP
3 (
dB
)
IF FREQUENCY
LO = 9dBmLO = 11dBmLO = 13dBmLO = 15dBm
16
67
6-0
75
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 20/23 －
スプリアスおよび高調波性能
ミキサーのスプリアス積は、IF 出力パワー・レベルをどれだけ
下回るかを dBcを単位で測定したものです。N/Aは、該当なしを
表します。
LO高調波
LO = 13dBm。すべての値は、入力 LO レベルをどれだけ下回る
かを dBc単位で表したもので、RFポートでの測定値です。
表 5. RFでの LO高調波
LO Frequency (GHz)
N × LO Spur at RF Port
1 2 3 4
22 43 69 N/A N/A
25 42 75 N/A N/A
28 45 N/A N/A N/A
30 37 N/A N/A N/A
33 30 N/A N/A N/A
35 37 N/A N/A N/A
38 28 N/A N/A N/A
LO = 13dBm。すべての値は入力 LO レベルをどれだけ下回るか
を dBc単位で表したもので、IFポートでの測定値です。
表 6. IFでの LO高調波
LO Frequency (GHz)
N × LO Spur at IF Port
1 2 3 4
22 41 99 N/A N/A
25 43 78 N/A N/A
28 43 N/A N/A N/A
30 34 N/A N/A N/A
33 36 N/A N/A N/A
35 39 N/A N/A N/A
38 31 N/A N/A N/A
M × Nスプリアス出力
ダウンコンバータ、上側波帯
スプリアス値は、（M × RF）−（N × LO）の場合のものです。
RFは-10dBmで 28GHz、LOは 13dBmで 27GHz。
N × LO
0 1 2 3 4 5
M × RF
0 N/A 7 N/A N/A N/A N/A
1 27 N/A 36 N/A N/A N/A
2 N/A 66 57 69 N/A N/A
3 N/A N/A 72 81 72 N/A
4 N/A N/A N/A 73 78 72
5 N/A N/A N/A N/A 71 78
アップコンバータ、上側波帯
スプリアス値は、（M × IF）+（N × LO）の場合のものです。
IFINは-10dBmで 1000MHz、LOは 13dBmで 27GHz。
N × LO
0 1 2 3
M × IF
−5 80 70 N/A N/A
−4 79 71 N/A N/A
−3 74 61 N/A N/A
−2 55 41 N/A N/A
−1 20 0 N/A N/A
0 N/A 6 N/A N/A
+1 20 0 N/A N/A
+2 55 39 N/A N/A
+3 72 58 N/A N/A
+4 79 75 58 N/A
+5 80 74 58 N/A
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 21/23 －
動作原理 HMC329ALC3B は汎用ダブル・バランスド・ミキサーで、
24GHz～32GHz のアップコンバータまたはダウンコンバータと
して使用することができます。
ダウンコンバータとして使用する場合、HMC329ALC3B は
24GHz～32GHz の無線周波数を DC～8GHz の中間周波数にダウ
ンコンバートします。
アップコンバータとして使用する場合、このミキサーは DC～
8GHz の中間周波数を 24GHz～32GHz の無線周波数にアップコ
ンバートします。
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 22/23 －
アプリケーション情報 代表的なアプリケーション回路
HMC329ALC3Bの代表的なアプリケーション回路を図 73に示し
ます。HMC329ALC3B はパッシブ・デバイスで、外付け部品は
不要です。LO ピンと RF ピンは内部で AC カップリングされて
おり、IF ピンは内部でデカップリングされています。DC までの
動作を必要としないアプリケーションでは、必要な IF 周波数範
囲を通過させるように値を選択したコンデンサを直列に外付け
して、このポートのDC成分をブロックします。DCまでの IF動
作が必要な場合は、絶対最大定格のセクションで規定されてい
る IF のソース電流とシンク電流の定格を超えないようにしてく
ださい。
図 73. 代表的なアプリケーション回路
評価用 PCBの情報
アプリケーションで使用する回路基板には、RF 回路設計手法を
使用してください。信号ラインのインピーダンスが 50Ω で、パ
ッケージのグラウンド・ピンと露出パッドがグランド・プレー
ンに直接接続されていることを確認してください（図 74参照）。
上面と底面のグランド・プレーンを接続する場合は、十分な数
のビア・ホールを使用してください。図 74に示した評価用回路
ボードは、ご要望に応じてアナログ・デバイセズから入手でき
ます。
表 7. 評価用 PCBEV1HMC329ALC3Bの部品一覧
Item Description
J1, J2 PCB mount, SRI, 2.92 mm connectors
J3 PCB mount, Johnson Components SMA connector
U1 HMC329ALC3B
PCB1 117611-1 evaluation board on Rogers Corporation RO4350B
laminates
1 117611-1 は未加工のベア PCB の識別マークです。フル機能の評価用
PCBを注文する場合は、EV1HMC329ALC3Bをご指定ください。
図 74. 評価用 PCBの上面図
GND
GND
RF
GND
NIC
NIC
NIC
GN
D
LOLO RF
IF
GND
IF
GN
D
HMC329ALC3B
1
7
8
9
101112
4
2
3
5 6
16
67
6-0
76
J1
J3
IF
LO RF
117611–1
U1
J2329 A
16
67
6-0
77
データシート HMC329ALC3B
Rev. 0 － 23/23 －
外形寸法
図 75. 12端子セラミックリードレス・チップ・キャリア［LCC］
（E-12-4）
寸法：mm
オーダー・ガイド
Model1 Temperature Range Moisture Sensitivity Level (MSL) Rating2 Package Description Package Option
HMC329ALC3B −40°C to +85°C MSL3 12-Terminal LCC E-12-4
HMC329ALC3BTR −40°C to +85°C MSL3 12-Terminal LCC E-12-4
HMC329ALC3BTR-R5 −40°C to +85°C MSL3 12-Terminal LCC E-12-4
EV1HMC329ALC3B Evaluation PCB Assembly
1 HMC554ALC3B、HMC554ALC3BTR、および HMC554ALC3BTR-R5は RoHS準拠製品です。 2 絶対最大定格のセクションの表 2を参照してください。
03
-02
-20
17
-A
PK
G-0
04
83
7
0.50BSC
0.32BSC
BOTTOM VIEWTOP VIEW
SIDE VIEW
0.08BSC
1
46
7
9
10 12
3
FOR PROPER CONNECTION OFTHE EXPOSED PAD, REFER TOTHE PIN CONFIGURATION ANDFUNCTION DESCRIPTIONSSECTION OF THIS DATA SHEET.
0.36
0.30
0.24
PIN 1
EXPOSEDPAD
PIN 1INDICATOR
3.05
2.90 SQ
2.75
2.10 BSC
1.00 REF
1.60
1.50 SQ
1.40
0.90
0.80
0.70
SEATINGPLANE
![Double Charge #2 付録ゲーム[ダウンロード版]...Double Charge #2 付録ゲーム[ダウンロード版] 1 補足：『Operation Crusader』（60シリーズ）はダブル](https://static.fdocument.pub/doc/165x107/5e8baaa43ee5f56a9c07c78f/double-charge-2-eoefffffffc-double-charge-2-eoefffffffc.jpg)
