エレクトロルミネッセンス光源10GLOBAL OLED TECHNOLOGY 1101.1 191 11三洋電機 1078.7...

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本資料の全ての部分に関する一切の権利は株式会社パテント・リザルトに帰属しており、方法の如何を問わず、いかなる目的においても、 無断での転用または転載、複製、抄録、磁気媒体または光ディスク等への入力等を禁止致します。 Copyright © Patent Result Co., Ltd. All rights reserved. エレクトロルミネッセンス光源 SAMPLE 特定技術分野の競合分析

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エレクトロルミネッセンス光源

SAMPLE

特定技術分野の競合分析

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CONTENTS 

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第1章【全体俯瞰】

分析対象特許群について1-1 特許出願のトレンドは?

出願件数の推移1-2 現状の権利状況は?

ステータスの状況

第2章【競合分析】

2ー1 質の高い特許群及び特許を保有している企業は?パテントスコアの観点から見た権利者スコアマップ

2ー2 主要各社の特許戦略の特徴は?注力時期・領域、経過情報から見た主要企業比較

2-3 影響度の高い企業・公報は?引用情報から見た注目企業・公報

2-4 質の高い特許を生み出している発明者は?発明者分析

第3章【個別企業分析】

3ー1 半導体エネルギー研究所3ー2 セイコーエプソン3-3 SAMSUNG MOBILE DISPLAY3-4 出光興産3-5 富士フイルム

第4章【参考資料】

4-1 パテントスコアについて4-2 権利者スコアマップについて4-3 引用分析について4-4 分析に用いたツール「BizCruncher」について

2

23

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5

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44

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特定技術分野の競合分析 : エレクトロルミネッセンス光源

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第1章 全体俯瞰 統計分析

◆分析対象の特許群について

今回の分析にあたって1993年から2011年6月までに公開された「有機EL関連」の公報群を抽出した。特許群については、主要技術要素として特許庁の分類(テーマコード)より「3K107:エレクトロルミネッセンス光源」を選定し、22,861件を抽出。これらを特許母集団として分析を行った。

エレクトロルミネッセンス光源

電極間に挟持された発光体の層が、交流または直流の電圧を電極に印加することによって発光する(EL素子)。発光体の組成には有機物と無機物があり、無機物の場合は主に電極間に絶縁体(誘電体)の層を設けており、有機物の場合は発光層への電荷の注入を良くするための電荷注入輸送層を設けることが多い。 本分類では、これらEL素子に関して、下記の技術項目を取り扱う。

素子の構造 /素子各部の材料 (基板、電極、端子、配線、発光層、電荷注入輸送層、絶縁体等)/EL素子を表示装置(ディスプレイ)として応用するための技術 /素子および表示装置の製造方法、製造装置 /電源および駆動回路

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1-1 出願件数の推移

図表1

2004年にピークとなるが、以降は大きく減少傾向

特許出願件数の推移を図表1に示す。2000年から2004年にかけて出願件数は増加傾向が続き、2005年にピークを迎えた。その後は減少傾

向に転じ、特に06年には大きく減少した。

図表2は内訳に出願期間を取った出願件数ランキングである。多くの企業が2001年以降に件数を増やしており、最も件数の多いセイコーエプソン、3位の富士フイルムは2005年以降もコンスタントに出願されている。2位の半導体エネルギー研究所、5位のソニーは2000年代初頭の件数が多く、4位のSAMSUNG MOBILE DISPLAYは2005年以降の件数が多い。

図表2

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図表4

1-2 ステータス状況

権利継続中は5,663件(23.8%)、出願中(審査中含む)の公報は6,496件(27.3%)

図表3は全公報におけるステータスの状態を現したものである。全公報22,861件のうち、1,745件(7.3%)が出願のみの状態、4,751件(20.0%)が審査請求済の段

階、5,663件(23.8%)が権利継続中となっている。

図表3

図表4は内訳にステータスを取った出願件数ランキングである。有効特許(ステータスが出願のみ、審査中、権利継続のいづれか)の件数でみても1位、2位は変わらないが、3位にSAMSUNG MOBILE DIPLAY、4位にソニーとなり、全体では3位であった富士フイルムは有効特許数で見ると少ない。

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2-1 パテントスコアの観点から見た権利者スコアマップ

総合的な強さ

個別特許の強さ

特許総合力は半導体エネルギー研究所が第1位

各企業の特許総合力を反映した権利者スコア(縦軸)では、第1位半導体エネルギー研究所で、続いてセイコーエプソンとなっている。

3位以降は、 SAMSUNG MOBILE DISPLAY、出光興産、富士フイルム、ソニーと続いている。

図表5円の大きさ:有効特許件数横軸(個別特許の強さ):各権利者の特許群の中で最高値の特許のスコア=パテントスコア最高値縦軸(総合的な強さ):各権利者の特許群のスコアを合算した値=権利者スコア分析対象の公報数:12,120件、権利者の数:1,199※本マップは件数、権利者スコア、パテントスコア最高値のいずれか上位20社をマッピング)

図表5は、パテントスコアの観点から見た権利者スコアマップである。

(権利者スコアマップについてはP45をご参照ください)

第2章 競合分析

セイコーエプソン

半導体エネルギー研究所

富士フイルム

SAMSUNG MOBILE DISPLAY

ソニー

キヤノン

パナソニック

コニカミノルタ

ホールディングス

三洋電機

出光興産

シャープ 富士

電機

大日本印刷

TDK

凸版印刷

東芝モバイルディスプレイ

パイオニア

カシオ計算機

三菱化学デンソー

住友

化学

三井化学

ROYAL PHILIPS

ELECTRONICS

GLOBAL OLED

TECHNOLOGY

CAMBRIDGE DISPLAY

TECHNOLOGY

NEC

PRINCETON UNIVERSITY

保土谷化学工業

積水化学工業

堀場製作所

-1000

0

1000

2000

3000

4000

5000

65 70 75 80 85 90 95 100 105

権利

者ス

コア

パテントスコア最高値

UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

奈良先端科学技術大学院大学

権利者 権利者スコア 公報件数1 半導体エネルギー研究所 4582.5 1138

2 セイコーエプソン 4324.8 2158

3 SAMSUNG MOBILE DISPLAY 3635.5 914

4 出光興産 2557.0 584

5 富士フイルム 1870.0 926

6 ソニー 1606.1 900

7 パナソニック 1506.0 733

8コニカミノルタホールディングス

1469.6 700

9 TDK 1166.1 425

10 GLOBAL OLED TECHNOLOGY 1101.1 191

11 三洋電機 1078.7 647

12 三井化学 1041.6 277

13CAMBRIDGE DISPLAYTECHNOLOGY

995.6 124

14 パイオニア 985.5 381

15 キヤノン 917.6 865

有効

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特許個別力は出光興産の特許が第1位

各企業の特許個別力を反映したパテントスコア最高値(横軸)において、第1位は出光興産の「アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子」が最高スコアを獲得、続いて富士フイルムの「有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物」、三洋電機の「表示装置」が、高スコアを獲得している。

【パテントスコア上位10位】

図表6

公報種別 出願番号 国際公開番号 登録番号 発明名称 権利者 パテントスコア レイティング

B 2002-222990 4025136

アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス

出光興産 105.5 A+++

B 2010-007524 4613249

有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物

富士フイルム 98.2 A++

B 2001-084408 3374133 表示装置 三洋電機 92.4 A+B 2010-007525 4562805 白金錯体 富士フイルム 90.1 A+

B 1995-510209 WO1995/009147 3295088有機エレクトロルミネッセンス素子

出光興産 87.4 A+

B 1998-010566 3206646多色発光有機ELパネルおよびその製造方法

SAMSUNG MOBILEDISPLAY

86.0 A+

B 2010-123588 4682264 有機電界発光素子 富士フイルム 84.8 AB 2002-004748 3405349 有機EL表示装置 デンソー 84.7 AB 2007-027942 4654207 表示装置 キヤノン 84.7 A

B 1993-090210 3063453有機薄膜EL素子の駆動方法

凸版印刷 84.7 A

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セイコーエプソン

半導体エネルギー研究所

SAMSUNG MOBILE DISPLAY

富士フイルム

パナソニック

コニカミノルタ

ホールディングス

出光興産

ソニー

TDK

GLOBAL OLED

TECHNOLOGY0

1000

2000

3000

4000

5000

60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110

権利

者ス

コア

パテントスコア最高値

◆権利者スコアマップ経時変化

図表7は図表5における権利者スコア上位10社について、2002年末、2004年末、2006年末、2008年末時点及び直近における経過情報を用いて算出した権利者スコアを用い、その推移を表したグラフである。本分析によって、経時的な勢力の変化を見ることができる。 2002年末時点では出光興産、SAMSUNG MOBILE DISPLAY(出願時はNEC、またはSAMSUNG SDI)の2社の権利者スコアが高かったが、2004年にセイコーエプソンが1位に、2006年には半導体エネルギー研究所が2位となり、現在のスコアマップに近いポジションとなっている。

図表7

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◆注力技術領域(FI)分析

図表8は総合力上位5社の出願期間別筆頭FI分布である(FIは全体における件数上位10分類) 。大きくH05B33/10,H05B33/14Aが多いセイコーエプソン、半導体エネルギー研究所、 SAMSUNG MOBILE DIPLAY、H05B33/14Bが多い富士フイルム、出光興産に分けられる。

図表9は総合力上位5社のパテントスコアレーティング別筆頭FI分布である(有効特許のみが集計対象)。富士フイルムを除き、各社ともFI付与率の高い領域と高スコア(レーティングA-以上)が多い領域は似た傾向となっているが、富士フイルムはH05B33/14Bが付与された特許に高スコアが集中している。(各社の詳細はコース2:個別企業分析を参照)

2-2 主要企業(総合力上位5社)比較

図表9

※円の大きさは件数に比例※図表12において、レーティングA-以上は「A」に、C+以下は「C」にまとめている

図表8

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【筆頭FI上位10分類】

図表10

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

14 ・・電場発光物質の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

A 発光物質が有機物

00 電場発光光源

10 ・電場発光光源の製造に特に適用する装置または工程

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

14 ・・電場発光物質の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

A 発光物質が有機物

B ・材料に特徴のあるもの

00 電場発光光源

02 ・細部

04 ・・封止装置

00 電場発光光源

02 ・細部

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

22 ・・補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

Z その他のもの

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

26 ・・電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの

Z その他のもの

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

A カラー化方式

C ・積層方式

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

22 ・・補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

C 正孔注入・輸送層

D ・材料が有機物

00 電場発光光源

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

22 ・・補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

24 ・・・金属反射層(33/26が優先)

H05B 33/26 Z

H05B 33/12 C

H05B 33/22 D

H05B 33/24

H05B 33/14 A

H05B 33/10

H05B 33/14 B

H05B 33/04

H05B 33/02

H05B 33/22 Z

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※赤字は割合が最も大きい企業※登録率=登録件数/(審査請求件数-有効特許(審査中)件数)

◆主要企業別経過情報の集計

図表14は総合力上位5社による出願特許群に付与される経過情報を集計したものである。各社の特徴は以下のようになっている。

・セイコーエプソン:有効特許件数が多い。外国出願件数が多いが、その多くがパリルート。・半導体エネルギー研究所:国内優先権主張数が極めて多く、また分割出願件数も多い。・富士フイルム:早期審査請求の割合が高い。・SAMUSUNG MOBILE DISPLAY:不服審判件数が非常に多い。・出光興産:引用や他社によるアクションが非常に多い。他の企業と比べPCTルートによる外国出願が多い。

図表11

分類

審査経過情報項目 全体 セイコーエプソン半導体エネルギー

研究所富士フイルム

SAMSUNG MOBILEDISPLAY 出光興産

総特許数 23782 2158 1138 926 914 584

審査請求件数 15988 1267 1023 497 883 464

審査請求率 ( 67.23% ) ( 58.71% ) ( 89.89% ) ( 53.67% ) ( 96.61% ) ( 79.45% )

登録件数 6529 600 426 191 474 194

登録率 * ( 58.10% ) ( 62.57% ) ( 73.70% ) ( 58.95% ) ( 81.03% ) ( 53.74% )

有効特許件数 12159 1129 959 491 795 276

有効特許 (審査中 )件数 4751 308 445 173 298 103

審査官引用【自社】回数 1299 91 75 34 92 130

(件数当たり) ( 0.055回/件数 ) ( 0.042回/件数 ) ( 0.066回/件数 ) ( 0.037回/件数 ) ( 0.101回/件数 ) ( 0.223回/件数 )

国際出願件数 2169 34 59 28 11 149

(割合) ( 9.12% ) ( 1.58% ) ( 5.18% ) ( 3.02% ) ( 1.20% ) ( 25.51% )

優先権証明書(海外→日本)回数

2082 5 0 0 809 1

(件数当たり) ( 0.088回/件数 ) ( 0.002回/件数 ) ( 0.000回/件数 ) ( 0.000回/件数 ) ( 0.885回/件数 ) ( 0.002回/件数 )

優先権証明書(日本→海外)回数

7041 1048 209 358 143 195

(件数当たり) ( 0.296回/件数 ) ( 0.486回/件数 ) ( 0.184回/件数 ) ( 0.387回/件数 ) ( 0.156回/件数 ) ( 0.334回/件数 )

国内優先権主張件数 3829 339 901 256 18 218

(割合) ( 16.10% ) ( 15.71% ) ( 79.17% ) ( 27.65% ) ( 1.97% ) ( 37.33% )

早期審査請求件数 300 48 14 35 0 16

(割合) ( 1.26% ) ( 2.22% ) ( 1.23% ) ( 3.78% ) ( 0.00% ) ( 2.74% )

分割件数 969 185 188 24 29 70

(割合) ( 4.07% ) ( 8.57% ) ( 16.52% ) ( 2.59% ) ( 3.17% ) ( 11.99% )

不服審判件数 1459 144 97 36 195 68

(割合) ( 6.13% ) ( 6.67% ) ( 8.52% ) ( 3.89% ) ( 21.33% ) ( 11.64% )

審査官引用【他社】回数 13547 559 786 213 346 1052

(件数当たり) ( 0.570回/件数 ) ( 0.259回/件数 ) ( 0.691回/件数 ) ( 0.230回/件数 ) ( 0.379回/件数 ) ( 1.801回/件数 )

情報提供回数 210 1 6 12 8 20

(件数当たり) ( 0.009回/件数 ) ( 0.000回/件数 ) ( 0.005回/件数 ) ( 0.013回/件数 ) ( 0.009回/件数 ) ( 0.034回/件数 )

閲覧回数 3614 168 109 76 135 448

(件数当たり) ( 0.152回/件数 ) ( 0.078回/件数 ) ( 0.096回/件数 ) ( 0.082回/件数 ) ( 0.148回/件数 ) ( 0.767回/件数 )

異議審判件数 86 0 0 0 10 16

(割合) ( 0.36% ) ( 0.00% ) ( 0.00% ) ( 0.00% ) ( 1.09% ) ( 2.74% )

無効審判件数 7 0 0 0 1 2

(割合) ( 0.03% ) ( 0.00% ) ( 0.00% ) ( 0.00% ) ( 0.11% ) ( 0.34% )

基本情報

自社権利化意欲

他社牽制力

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2-3 引用情報から見た注目企業・公報

被引用件数第1位は出光興産で677件

図表12は分析対象としている各特許のなかで、拒絶査定に引用された特許を持つ企業の件数ランキングである。本分析対象特許群においては、出光興産の特許が最も拒絶査定の引用に利用されており、出光興産の283件の特許により、本分析対象特許群677件が拒絶査定を受けている。

図表13は図表12とは逆に、本分析対象特許群の特許により、拒絶査定を受けた企業の件数ランキングである。最も件数が多いのはSAMSUNG MOBILE DISPLAYで、本分析対象特許群の573件により、SAMUSUNG MOBILE DISPLYA218件の特許が拒絶査定を受けている。

図表12 図表13

(引用情報分析の詳細についてはP16をご参照ください)

先行企業公報数 拒絶された公報数

全社合計 9654 3901

出光興産 283 677

パナソニック 487 648

セイコーエプソン 480 607

半導体エネルギー研究所 377 574

シャープ 359 461

ソニー 302 459

TDK 229 430

パイオニア 186 423

三洋電機 263 403

キヤノン 292 325SAMSUNG MOBILE DISPLAY 160 286

NEC 144 248

日立製作所 207 246

三菱化学 128 244

富士電機 152 232

カシオ計算機 135 230

東芝 186 229

富士フイルム 203 220

東レ 140 217

凸版印刷 109 215

リコー 150 173

先行企業(引用数ランキング)

引用された公報数 追随企業公報数

5621 4966 全社合計

573 218 SAMSUNG MOBILE DISPLAY403 191 セイコーエプソン

378 181 三洋電機

422 179 ソニー

357 154 パナソニック

332 135 TDK

330 132 出光興産

327 131 富士フイルム

274 118 半導体エネルギー研究所

225 115 パイオニア

238 113 大日本印刷

219 92 コニカミノルタホールディングス

105 87 リコー

138 86 東芝モバイルディスプレイ

178 84 東北パイオニア

173 76 シャープ

208 76 豊田自動織機

177 71 三菱化学

190 70 富士電機

164 69 デンソー

145 62 SAMSUNG SDI

追随企業(被引用数ランキング)

※引用情報には、自社引用も含む

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12

個別特許における引用件数第1位は出光興産特許

図表14は本分析対象特許群特許における被引用件数ランキング上位10公報である。第1位は出光興産の「有機EL素子」であり、37件に引用されている。以下、出光興産「有機エレクトロル

ミネッセンス素子」の35件、パイオニアの「有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法」の32件と続く。

図14

【分析中公報群公報】 公報数(のべ回数)

発明名称:有機EL素子ステータス:取下げ出願番号:1993-343635権利者:出光興産

公報数:37(のべ回数:43)

発明名称:有機エレクトロルミネッセンス素子ステータス:失効出願番号:1992-051955権利者:出光興産

公報数:35(のべ回数:38)

発明名称:有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法ステータス:権利継続出願番号:1995-293107権利者:パイオニア

公報数:32(のべ回数:35)

発明名称:表示装置及び電子機器ステータス:権利継続出願番号:1998-531361権利者:セイコーエプソン

公報数:31(のべ回数:41)

発明名称:改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイスステータス:失効出願番号:1988-049450権利者:EASTMAN KODAK

公報数:27(のべ回数:31)

発明名称:エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法ステータス:拒絶出願番号:1997-152309権利者:キヤノン

公報数:24(のべ回数:29)

発明名称:有機電界発光素子ステータス:取下げ出願番号:1997-095424権利者:三菱化学

公報数:23(のべ回数:27)

発明名称:有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法ステータス:権利継続出願番号:1995-032043権利者:パイオニア

公報数:22(のべ回数:27)

発明名称:有機エレクトロルミネッセンス素子ステータス:権利継続出願番号:1995-107973権利者:三洋電機

公報数:21(のべ回数:25)

発明名称:EL素子ステータス:拒絶出願番号:1996-331389権利者:カシオ計算機

公報数:20(のべ回数:24)

【分析中公報群公報】 公報数(のべ回数)

発明名称:有機EL素子ステータス:権利継続出願番号:1991-252114権利者:出光興産

公報数:19(のべ回数:21)

発明名称:エレクトロ・ルミネッセンス装置ステータス:取下げ出願番号:1994-260391権利者:日本アイ・ビー・エム,アイメス

公報数:19(のべ回数:24)

発明名称:分散型電界発光素子ステータス:失効出願番号:1991-051106権利者:旭化成

公報数:19(のべ回数:22)

発明名称:波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子ステータス:権利継続出願番号:1998-514190権利者:SIEMENS

公報数:19(のべ回数:21)

発明名称:EL表示装置の駆動方法とEL表示装置およびその製造方法と情報表示装置ステータス:取下げ出願番号:2001-347015権利者:パナソニック

公報数:18(のべ回数:25)

発明名称:透明導電膜の製造方法ステータス:権利継続出願番号:1994-310452権利者:凸版印刷

公報数:18(のべ回数:23)

発明名称:EL表示装置ステータス:失効出願番号:1990-248533権利者:東芝

公報数:18(のべ回数:23)

発明名称:有機デバイスのパッシベーションステータス:権利継続出願番号:1996-321079権利者:MOTOROLA

公報数:18(のべ回数:22)

発明名称:薄膜型EL素子ステータス:権利継続出願番号:1994-166110権利者:凸版印刷

公報数:18(のべ回数:22)

発明名称:有機エレクトロルミネッセンス表示装置ステータス:拒絶出願番号:1996-192224権利者:三菱電機,出光興産

公報数:18(のべ回数:21)

発明名称:有機電界発光素子ステータス:権利継続出願番号:1993-285218権利者:三菱化学

公報数:18(のべ回数:19)

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13

山崎舜平

細川地潮

瀬尾哲史

舟橋正和北弘志小山潤中塚正勝小林英和伊勢俊大

東海林弘

木村肇湯田坂一夫城戸淳二 池田秀嗣松浦正英 古宮直明 吉田英博永山健一 小澤徳郎浜田祐次 五十嵐達也白嵜友之 井戸元久宮澤貴士 郭源奎林建二関俊一井上鉄司 北本典子 高原博司木村睦荒井三千男佐藤佳晴 福岡賢一 山田岳俊 中西早人島村武彦木口浩史 邑上健伊藤祐一 武田玲栄田暢宮口敏 中谷修平小田敦鬼島靖典大西敏博 熊谷稔 森井克行根岸敏夫松枝洋二郎 木下郁雄楠本正野口公信中谷賢司 福崎英治犬飼和隆坂口嘉一三島雅之石田努荒井康行内田昌宏川村久幸中村浩昭 内野勝秀野澤陵一福永健司 押山智寛河西利幸池田直康 東口達土居秀二 硯里善幸奥本健二田中泰三 川瀬健夫岡田久石川仁志 戸谷由之納光明 申東蓉池田寿雄チンワンタン 山下淳一緒方朋行 下垣智子伊藤信衛 小玉光文 小野善伸野村亮二柏原充宏 四谷真一 山室景成朴鎭宇松田英介 井上弘康安達千波矢 高田早加藤栄作宇津木功二 石塚真一 井上英子藤田徹司東久洋 權五敬下田達也 棚田好文 滝沢裕雄川島進吾 佐藤祐小沼利光 坂田淳一郎 福田浩一八木一成高秀雄福山正雄 七里徳重飯田宏一朗酒井俊男 山田二郎田辺良満新居一巳小濱亨 上野和則榎田年男 島津宏宣鎌田英樹 桑原秀明安西彩 北村嘉朗鈴木譲治 今村陽一鈴木晴視トンプソンマークイー 岩隈俊裕 安部寛子石崎守 友原清秀崔相武木下正兒北爪栄一ピッチラーカール鈴木睦美 松浦光宜 窪田岳彦妹尾章弘 田中慎也小堀勇玉野美智子 小楠幸治

0

50

100

150

200

250

300

350

‐25 ‐20 ‐15 ‐10 ‐5 0

スコ

ア(按

分)合

最初の出願(年)

2-4 発明者分析

発明者スコア合計トップは「山崎舜平氏(半導体エネルギー研究所)」

各発明者をスコア合計値×最初出願からの年数でプロットした発明者マップを図表15に示す。各発明者のスコア合計値(縦軸)では、第1位は「山崎舜平氏(半導体エネルギー研究所) 」、第2位は

「細川地潮氏(出光興産)」 、第3位は「瀬尾哲史氏(半導体エネルギー研究所) 」となっている。

最初の出願からの年数

各発明者のスコア合計値

図表15

半導体エネルギー研究所

出光興産

縦軸:各発明者ごとのパテントスコア合計値(発明者が複数の公報の場合、発明者数でパテントスコアを按分)。発明者の総合力を表す。

横軸:本分析対象特許群に対する最初の出願年。発明者の当該領域におけるキャリアを表す。

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14

3-1 半導体エネルギー 研究所

◆出願件数推移・ステータス状況半導体エネルギー研究所出願特許件数の推移を図表16に示す。2000年から急増し、2001年以降は年

150件以上で推移するが、2006年には急減し、以降年50件以下で推移している。図表17は半導体エネルギー出願特許におけるステータスの状態を現したものである。全公報1,138件のうち、88件(7.7%)が出願のみの状態、445件(39.1%)が審査中の段階、426件(37.4%)が権利継続中となっている。

図表16

図表17

第3章 個別企業分析

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15

◆パテントスコア分布・高パテントスコア特許リスト

図表18有効特許公報926件についてパテントスコアを算出し、そのレイティングの分布を現したものである。 レイティングA-以上は52件(5.5%)、B+以上は361件(39.0%)と、平均よりも高スコア寄りとなっている。B+以上の特許に関しては2001年から2004年の間に出願されたものが多い。

個別の特許では「有機金属錯体、該有機金属錯体を用いた発光素子および発光装置」のパテントスコアが最も高く、以下「有機金属錯体」、「発光素子」と続く。

公報種別 出願番号 国際公開番号 登録番号 発明名称 パテントスコア レイティング

B 2005-105790 4366332有機金属錯体、該有機金属錯体を用いた発光素子および発光装置

88.5 A+

B 2005-348632 4312753 有機金属錯体 81.2 AB 2005-516006 WO2005/054261 3810789 発光素子 77.9 AA 2006-159754 発光素子、発光装置、電子機器 77.8 AB 2001-117662 3696116 発光装置 74.9 A-A 2006-012900 発光装置及び電子機器 73.6 A-

B 2004-185758 4112527システムオンパネル型の発光装置の作製方法

73.4 A-

B 2004-276909 3748110発光装置およびそれを用いた電子機器

72.9 A-

A 2008-288454 発光素子、発光装置、電子機器 72.8 A-

B 2000-394259 3833066成膜装置、成膜方法及び表示装置の作製方法

72.7 A-

図表18

図表19

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◆注力領域分析

半導体エネルギー研究所特許に付与されるFI上位10分類に対し、FIを内訳に取った出願件数推移を図表20に,FI上位10分類のレーティング別出願期間分布を図表21に示す。基本的にどの年もH05B33/04が付与される特許が多い。2001年出願分ではG09F9/30系列の2FIも多かったが両社とも激減している。H05B30/10も減少傾向にあったが、2008年から増加傾向が見える。高評価となるのはHセクションのFIが付与される特許の場合2001年以降出願分が多く、GセクションのFIが付与される特許では2000年以前の出願分が多い。

図表20

図表21

※通常FIは1件の特許に対し複数付与されるため、図表23の件数は図表19と一致しない※図表21の円の大きさは全て一定

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17

H05B 33/14 A 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

14 ・・電場発光物質の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

A 発光物質が有機物

H05B 33/10 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

10 ・電場発光光源の製造に特に適用する装置または工程

G09F 9/30 365Z 00 情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置(そこで,可変情報が可動支持に永久に取付られるもの11/00;ライトガイドG02B6/00;ソロバンG06C1/00;計算尺G06G1/00)

30 ・必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの(独立の光源から到達する光を制御する単一セル内の多数の電極を含むパネル,例.電気光学的または磁気光学的セルG02F1/00)

360 ・・発光表示パネル

365 ・・・ELD(エレクトロルミネツセントデイスプレイ)

Z その他

G09F 9/30 338 00 情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置(そこで,可変情報が可動支持に永久に取付られるもの11/00;ライトガイドG02B6/00;ソロバンG06C1/00;計算尺G06G1/00)

30 ・必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの(独立の光源から到達する光を制御する単一セル内の多数の電極を含むパネル,例.電気光学的または磁気光学的セルG02F1/00)

306 ・・共通事項(表示内容の部分としての単一セルの造形のような細部および特定の表示機能を達成するための細部以外の,表示機能を有する受光型単一セルの構造的特徴はG02F)

330 ・・・導電部材

337 ・・・・形成方法に特徴ある電極

338 ・・・・・アクテイブマトリクス電極の形成

G09G 3/20 624B 00 陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路(光学走査系一般G02B26/10)「3」

20 ・マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの「3」

620 ・・駆動部に特徴のあるもの

624 ・・・走査/データ駆動部以外の駆動部に特徴のあるもの

A アクティブ駆動回路

B ・各表示素子に直接対応した駆動回路(TFT,MIM等)

G09G 3/30 J 00 陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路(光学走査系一般G02B26/10)「3」

20 ・マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの「3」

22 ・・制御された光源を用いるもの「3」

30 ・・・エレクトロルミネッセントパネルを用いるもの「3」

J 駆動方式、回路〔細部についてはG09G3/20,610-691併用〕

H05B 33/22 Z 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

22 ・・補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

Z その他のもの

H05B 33/14 B 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

14 ・・電場発光物質の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの

A 発光物質が有機物

B ・材料に特徴のあるもの

H05B 33/12 B 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

12 ・実質的に2次元放射面をもつ光源

A カラー化方式

B ・並置方式

H05B 33/04 00 電場発光光源(放電灯H01J61/00〜65/00;光放出に適用される少くとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置H01L33/00;組成それ自体は関連するサブクラスを参照)

02 ・細部

04 ・・封止装置

図表22

【FI上位10分類】

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◆引用情報分析

半導体エネルギー研究所特許の引用・被引用件数を集計し、図表23,24に示す。拒絶査定を受けた半導体エネルギー研究所特許の引用元はセイコーエプソン及びシャープの特許が最も多く、22件の特許が同社の特許により拒絶査定を下されている。逆に、半導体エネルギー研究所の特許を引用元とし拒絶査定が下った特許を持つ企業も、セイコーエプソンが最も多く、54件の特許を拒絶査定へと導いている。

図表23図表24

先行企業公報数 拒絶された公報数

自社合計 48 42

他社合計 397 104

セイコーエプソン 28 22

シャープ 22 22

TDK 22 21

パナソニック 24 21

出光興産 21 20

三洋電機 14 19

ソニー 18 19

ローム 11 13

キヤノン 15 13

富士電機 11 12

パイオニア 13 12

NEC 9 11

日立製作所 8 10

三菱化学 8 9SAMSUNG MOBILE DISPLAY 6 8

東芝 8 7

カシオ計算機 6 7ROYAL PHILIPS ELECTRONICS 4 6

凸版印刷 6 6

城戸淳二 4 6

先行企業(引用数ランキング)

引用された公報数 追随企業公報数

36 39 自社合計

297 547 他社合計

53 54 セイコーエプソン

50 52 三洋電機

48 45 SAMSUNG MOBILE DISPLAY29 22 ソニー

19 18 東芝モバイルディスプレイ

17 16 東北パイオニア

16 15 日立ディスプレイズ

20 13 キヤノン

15 13 パナソニック

19 13 LG DISPLAY14 12 AU OPTRONICS11 11 富士電機

15 11 シャープ

10 10 SAMSUNG SDI9 10 京セラ

10 9 大日本印刷

13 9 WINTEK9 8 富士フイルム

9 8 三菱電機

8 8 豊田自動織機

追随企業(被引用数ランキング)

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◆発明者ランキング

半導体エネルギー研究所の各発明者をスコア合計値×最初出願からの年数でプロットした発明者マップを図表25に示す。各発明者のスコア合計値(縦軸)では、第1位は「山崎舜平氏」、第2位は「瀬尾哲史氏」、第3位は「小山潤氏」となっている。

図表26に上位3氏のパテントスコア上位特許各3件を示す。

山崎舜平

瀬尾哲史

小山潤

木村肇

下垣智子井上英子犬飼和隆荒井康行池田寿雄福永健司 坂田淳一郎納光明荒井三千男 安部寛子棚田好文小沼利光 安西彩桑原秀明 大沢信晴野村亮二村上雅一高山一郎 筒井哲夫山内幸夫 山本一宇 山崎優 熊木大介中村康男山崎寛子西毅高山徹水上真由美 徳田篤史大谷久丸山純矢 遠藤正己中村理村上智史柴田典子ひろ木正明岩淵友幸 平形吉晴宮川恵介前川慎志土屋薫坂倉真之山形裕和 川上祥子岩城裕司藤井照幸藤井厳川上貴洋長田麻衣 青山智哉中島晴恵鈴木恒徳大原宏樹小玉光文 須沢英臣 福本良太浜田崇足立祥美尾崎匡史田中幸一郎尾坂晴恵野田剛司秋元健吾今井馨太郎早川昌彦井辺隆広三宅博之高須貴子荻野清文秋葉麻衣 牛窪孝洋上原一郎高橋正弘渡辺康子 郷戸宏充小島久味 横山浩平波多野薫小倉慶一 加藤薫梅崎敦司宮城徳子 本田達也栗原知之石谷哲二斉藤恵子町田麻美佐藤淳子下村明久宇田川誠佐竹瑠茂荒尾達也 江川昌和舘村祐子大沼英人加藤清 佐藤陽輔福地邦彦坂本直哉 永田貴章牟田口浩平宮崎彩 池田薫杉沢希長尾里築子石垣歩後藤裕吾 山口哲司中島節男 山本裕子石丸典子 石川明天野聖子浅見宗広 湯川幹央 野村洸子宮入里築子丸山哲紀 佐々木俊毅小野幸治 鶴目卓也肥塚純一守屋芳隆黒川義元安藤由香里海老根秀之伊藤俊一佐藤瑞季松原友恵伊佐敏行立石文則 高橋礼奈貴田啓子佐藤恵司物江滋春小島優及川欣聡山道亜希山出直人浅田幹夫内田敬自高橋悌二 荒沢亮岡崎豊根本幸恵大野由美子0

50

100

150

200

250

300

350

‐17 ‐15 ‐13 ‐11 ‐9 ‐7 ‐5 ‐3 ‐1

スコ

ア(按

分)合

最初の出願(年) 最初の出願からの年数

各発明者のスコア合計値

抽出発明者 公報種別 出願番号 国際公開番号 登録番号 発明名称 発明者 パテントスコア レイティング

B 2001-117662 3696116 発光装置山崎 舜平,小山 潤,納光明,長田 麻衣

74.9 A-

B 2004-185758 4112527システムオンパネル型の発光装置の作製方法

山崎 舜平 73.4 A-

B 2000-394259 3833066成膜装置、成膜方法及び表示装置の作製方法

山崎 舜平,福永 健司 72.7 A-

B 2005-105790 4366332有機金属錯体、該有機金属錯体を用いた発光素子および発光装置

井上 英子,下垣 智子,瀬尾 哲史

88.5 A+

B 2005-348632 4312753 有機金属錯体井上 英子,下垣 智子,瀬尾 哲史

81.2 A

B 2005-516006 WO2005/054261 3810789 発光素子井上 英子,瀬尾 哲史,下垣 智子,安部 寛子

77.9 A

B 2001-117662 3696116 発光装置山崎 舜平,小山 潤,納光明,長田 麻衣

74.9 A-

B 2000-166749 3904807 表示装置山崎 舜平,小山 潤,山本 一宇,小沼 利光

72.2 A-

A 2000-284543EL表示装置及び電子装置

小山 潤 70.1 A-

山崎舜平氏

瀬尾哲史氏

小山潤氏

図表25

図表26

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20

0 2 4 6 8 10

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1996年登録特許(95184件)の維持率の変化

維持

維持年数

全特許 早期審査請求 FA通過 不服審判 被異議申立 被異議申立勝 無効審判 無効審判勝 被引用(自社) 被引用(他社) 優先権 閲覧 分割

登録

(権

利化

)さ

れた

特許

のう

ち権

利が

生き

てい

る件

数の

割合

登録後経過年数(年)

第4章 参考資料

4-1 パテントスコアについて

※ 2007年8月末までの情報により作成

特許情報データベース

レイティング C-- C- C C+ B- B B+ A- A A+ A++ A+++

パテントスコア 5未満 5~15 15~25 25~35 35~45 45~55 55~65 65~75 75~85 85~95 95~105 105以上

出現率 0.0003 0.023 0.6 6.06 24.17 38.29 24.17 6.06 0.6 0.023 0.0003 0.000002

パテントスコアは、特許自動評価システムにより特許1件ごとに算出された値であり、計算には特許の審査経過情報や書誌情報といった公知情報のみを利用することで、客観的な評価を実現しました。評価対象は国内の権利化された特許および権利化の可能性のある特許全て(約300万件以上)で、自社特許の棚卸し分析や、他社保有の膨大な特許ポートフォリオのマクロ分析はもちろん、注目する各個別特許の予備評価として人的評価前のスクリーニングにも活用することができます。

パテントスコアは、特許出願後査定に至るまでの出願人・審査官・競合他社のアクション(経過情報)を同一技術分野及び出願年の特許群の中で相対比較し、相対的な偏差値として算出した値です。

また、相対評価は同一技術分野かつ同一出願年の特許群内で行うことにより、技術分野別の権利化難易度や、古い特許ほど経過情報が付与される傾向、特許審査制度の変更などの影響を緩和しています。

各経過情報について、特許の維持率との相関を算出し、維持率が高い審査経過情報が付与された特許ほど、よりパテントスコアが高評価となるように自動算出することで客観的な特許評価を実現しています。

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特定技術分野の競合分析 : エレクトロルミネッセンス光源

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4-2 権利者スコアマップについて

権利者スコアマップについて

権利者最高スコアは、主に各企業が出願した個別特許の強さ(注目度)を反映した指標であり、出願件数が少なく、権利者スコアが低い企業でも、注目度の高い特許を出願していれば、横軸の高スコア領域に表示されます。また、権利者スコアは、各企業が出願した特許群の総合的な強さを反映した指標であり、出願件数が少なくても、注目度の高い特許を多く保有していれば、縦軸の高スコア領域に表示されます。

本分析では、パテントスコアをベースとして、権利者(※2)ごとの相対的な強みや特徴を、「円の大きさ」と、その「ポジション」によって可視化する「権利者ポジションマップ」を使って評価しています。権利者ポジションマップの円の大きさは「出願件数」を、横軸は各企業の特許群の中で最も得点が高い特許のスコア(「権利者最高スコア」)を、縦軸は各企業が出願した特許群のスコアを合算した値(「権利者スコア」)を表しています。

なお、パテントスコアの集計に際しては、パテントスコア50未満の特許は集計対象外としています。このようにすることで、単純に件数が多ければ総合力(縦軸)が上がる、という効果を緩和しています。(パテントスコア50未満であっても、件数の集計には反映されます。)

三洋電機

シャープ

東芝

ROYAL PHILIPS

ELECTRONICS

NEC

-100

0

100

200

300

400

500

50 55 60 65 70 75 80 85

権利

者ス

コア

パテントスコア最高値

横軸:権利者ごとにパテントスコアの最高値を抽出。この分類における1件の強い特許(光る技術)を示す。

縦軸:権利者ごとにパテントスコアを積算。現在の「特許総合力」を示す。

直径:権利者ごとの有効特許件数(※1)を表現。当該分野における量の評価を示す。

※2:「権利者」について本分析では、企業(および大学・研究機関等)に関する分析をする際に、権利者の情報を用いております。これは、公報に記載されている出願人の情報から、発行後の権利移転を反映したものです。権利移転が全くない場合は、「権利者」と「出願人」は一致します。出願・審査中で特許として未登録(=特許査定を受けていない)の特許出願に対しても、「権利者」としています。また、失効した特許に関しては、失効時点での権利者になります。

※1:「有効特許件数」について失効や拒絶、取下げされていない、未審査の出願や審査中、権利継続中の”生きている特許”の件数を示します。

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4-3 引用情報分析について

○分析対象データの範囲について

当分析で基点となる公報は公報群内にある公報ですが、"公報群内の公報が引用した公報"、及び、"公報群内の公報を引用した公報"については、公報群外の公報も分析の対象としています。また、電子化前の公報も分析対象としています。

分析対象公報群

分析対象公報群の各公報を引用した公報群

(分析対象公報群内・公報群外が対象)

分析対象公報群の各公報が引用した公報群

(分析対象公報群内・公報群外が対象)

電子化前公報群

公報群の各公報

引用 被引用

○引用情報について

・当分析では引用情報として、「拒絶査定となった特許の拒絶理由通知書に記載された文献番号」を用いています。・引用回数等の集計は他の分析と同様に、全て最新の権利保持者=「権利者」で集計しています。

分析範囲のイメージ

○各ランキングについて・先行企業(引用数ランキング)・・・公報の権利化を阻害している企業ランキング

先行企業公報数:引用元となっている特許件数。分析対象特許以外の特許も含む。拒絶された公報数:「先行企業公報」を引用元として拒絶された特許件数。分析対象特許のみが対象。

・追随企業(被引用数ランキング)・・・公報の権利化を阻害されている企業ランキング引用された公報数:「追随企業公報」を拒絶査定に至らせた引用元となる特許件数。分析対象特許以外の特許も含む。追随企業公報数:拒絶された特許件数。分析対象特許のみが対象。

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4-4 分析に用いたツール「BizCruncher」について

本レポートは全てBizCruncherを用いて行っております

特 徴

http://www.bizcruncher.com

① 簡 単 専門的知識が無くても高度な分析が可能

③多彩な分析 ユーザーの目的に応える各種分析機能を搭載

② 快 適 思考の流れを止めない優れた操作性を実現

・お使いのブラウザからアクセスするだけで始められます

・クリックするだけで分析を進められます

Biz Cruncherは、特許の検索・閲覧・分析までの一連の作業を簡易な操作で可能にすることで、ユーザーの特許情報へのアクセスを容易にし、さらに特許情報の戦略的活用を支援するWebサービス(ASPサービス)です。

◆分析コンテンツ検索・閲覧・分析をシームレスに連携させることで、精度の高い特許分析をストレスなく実行できます。 権利者/出願人スコアマップ・技術分類マップ 課題・解決マトリクス

分析対象特許群における権利者・出願人別または技術分類別ポジションを明らかにします。 課題と解決手段から、調査対象の

出願傾向を把握します。

引用分析

拒絶査定に至った特許公報の引用情報から、重要特許・競合企業の把握ができます。

特定技術・企業におけるキーマンを明らかにします。

発明者分析

その他各種分析・アライアンス分析・スコア分布・製品分類など

検索機能・類似特許検索・類似特許マップ

公報閲覧機能・請求項構造図・請求項概要図・キーワード自動ハイライト

現在のステータス状況や、ステータス別件数の推移を把握できます。

ステータス分析

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本レポートに記載された企業・団体または個人及び特許に関する情報は、後述の日本国特許庁により発行された公開済みの各種公報等より得られる情報ならびに当該情報を所定の方法によって数学的・統計的に処理することによって得られる情報のみに限定していること、また、直接間接を問わず本レポートに係わる特定の企業・団体または個人などから、当該情報記載の対価としていかなる報酬も受領していないことを確認します。

2. 本レポートは、弊社が利用契約者様への情報提供のみを目的として作成したものであり、特定の有価証券等の取引および特定の企業・団体または個人との取引を推奨または勧誘する目的で提供されるものではありません。

3. 本レポートに記載されているデータ、情報等は弊社が公に入手可能な情報に基づき作成したものではありますが、弊社はその正確性、完全性、情報の妥当性等を保証するものではなく、また、当該データ、情報等を使用した結果についてもなんら補償するものではありません。また、ここに記載された内容は事前の予告なく変更されることがあります。

4. 弊社は、本レポートにおいて、利用契約者様に対して、特定の投融資等取引の妥当性の評価や、特定の投融資等取引についての潜在的な価値またはリスクの判断等を行うものではありません。

5. 弊社はいかなる場合においても、本レポートを提供した利用契約者様(本レポートの第三者への提供は取扱規則により禁止されておりますが、当該規則にかかわらず故意または過失により本レポートを受け取った第三者を含む)に対して、本レポートの使用に直接または間接的に起因したと思われる損害等(本レポートの使用上の誤り、あるいは本レポートの内容の脱落または誤りによるものを含む)について、損害賠償を負うものではなく、利用契約者様の弊社に対する賠償請求権は明示的に放棄されていることを前提とします。

1. 本レポートの作成に用いた特許情報は、日本国特許庁により発行された下記の電子化された公報にのみ準拠しています。したがって、対象期間外に発行された公報及び電子化されていない公報に関する情報は一切考慮しておりません。(例えば、調査対象の企業・団体または個人の特許出願について 1992 年 12 月以前に発行された公開特許公報が存在している場合も本レポートには反映されません。)

1. 本レポートは、日本国特許庁より公開された特許情報のみを情報源としますが、記載内容には当該公開情報をもとに弊社独自の手法により数学的・統計的に処理された秘密情報を含んでおり、当該情報に関する一切の権利は弊社に帰属します。したがって、貴社(殿)の内部資料としてのみご利用いただくこととし、本レポートの内容を第三者に漏洩することを禁止します。

2. 本レポートの著作権は弊社に帰属します。本レポートの全部もしくは一部を引用または複製、貸与、翻訳、転載・転用その他弊社の著作権を侵害する行為は一切禁止します。

3. 万一、貴社(殿)が前各項の定めに違反して本レポートの内容を第三者に漏洩したため、弊社に対し何らかの紛議が生じ、もしくは貴社(殿)が弊社の著作権を侵害し、これによって弊社が損害を被ったときは、その損害は貴社(殿)に賠償していただきます。

4. 前項の損害賠償に関して貴社(殿)と弊社の間に訴訟の必要が生じたときは東京地方裁判所を管轄裁判所とします。

5. 弊社は、本レポートの内容について損害賠償の責を負いません。

公開特許公報 :1993年1月〜特許公告公報 :1994年1月〜特許公報 :1996年5月〜再公表特許公報 :1996年1月〜公表特許公報 :1996年1月〜整理標準化データ :Biz Cruncher収録分まで

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◆お問い合わせ先︓株式会社パテント・リザルトE-mail : [email protected] 03-5802-6580 fax 03-5802-8271

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