Exposición transistores de union
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INTRODUCCIÓNTienen características controladas de
encendido y apagado.
Se clasifican de manera general en cinco categorías.
Transistores Bipolares de Unión (BJT) Transistores de efecto de campo de metal óxido
semiconductor (MOSFET) Transistor de Inducción Estática (SIT) Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) COOLMOS
Un transistor Bipolar se forma agregando una segunda región p o n a un diodo de unión pn.
Posee tres terminales: Base, Colector y Emisor.
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT)
No obstante la corriente en la base es la suma de los portadores mayoritarios y los minoritarios. Se expresa mediante:
Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga.
Asumiendo que el transistor está en estado encendido, podremos decir que tendrá un Voltaje Base-Emisor de:
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
En condiciones de dc los niveles de IE e IC debido a los portadores mayoritarios están dados por:
En la mayoría de dispositivos en nivel de alfa, esta entre los rangos 0,90 y 0,988. Debido a que alfa solo esta dada para los portadores mayoritarios:
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
BETA:En el modo dc, los niveles de IC e IB se relacionan así:
Beta suele estar en los rangos de 50 a 400.
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN