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高二電子學實習 第 0 章基本儀表使用

1.【 B 】 將三用電表置於 R×1檔，測量一電阻，若判讀到 LV 值為 l.5V，LI 值為 75mA，則該電阻的阻值約為多少？(A)10 (B)20 (C)100 (D)200

2.【 C 】 使用三用電表測電晶體的 hFE 值時，應將範圍選擇開關切至哪一檔位？(A)DCmA 檔

(B)DCV 檔 (C)檔 (D)ACV 檔

3.【 C 】 如圖 電路，以三用電表 DCV 50V 檔測得輸出電

壓為 10V，若不慎將其置於 ACV 50V 檔(半波整流式)測量電路之輸出電壓，若指針產生偏

轉，試問三用電表的指示值約為多少？(A)0V (B)11V (C)22V (D)30V

4.【 D 】 要取得數位脈波信號時，函數波信號產生器的操作下列何者較為正確？(A)波形輸出選擇按

鍵置於正弦波，並從 OUTPUT 端輸出 (B)波形輸出選擇按鍵置於方波，並從 OUTPUT 端

輸出 (C)波形輸出選擇按鍵置於方波，且從 TTL/CMOS 輸出端輸出 (D)只要從 TTL/CMOS

輸出端輸出即可

5.【 D 】 示波器由 CH1 輸入端加入一正弦波待測信號，但螢光幕上出現如圖

所示，波形無法穩定的情形，試問下列的方法，何者對於使波形

穩定顯示並無作用？(A)將觸發來源選擇開關(TRIGGERSOURCE)切換到 CH1 (B)調整觸發

準位控制旋鈕(LEVEL) (C)降低垂直電壓選擇開關(VOLTS/DIV)的檔位 (D)將輸入耦合選

擇開關切換到 DC

6.【 A 】 若變壓器次級線圈為 AC 9V 之交流電源，使用示波器測量其波形，若示波器測試棒有 10：

1 的衰減，今要求在示波器螢幕上有五格以上峰對峰的完整波形顯示，則垂直電壓選擇開

關應切換到下列何種檔位最適當？(假設微調置於校正位置)(A)0.5 VOLTS/DIV (B)1

VOLTS/DIV (C)2 VOLTS/DIV (D)5 VOLTS/DIV

7.【 C 】

如圖 所示波形，是示波器使用“10”探棒，且

垂直電壓選擇開關切換到 2 VOLTS/DIV、水平時間選擇開關切換到 2ms/DIV，

螢光幕上顯示的正弦波波形，試求該波形之電壓有效值（Vrms）約為多少？ (A)4.2V (B)6V

(C)42V (D)60V

8.【 A 】 承上題所述，試求該正弦波之頻率約為多少？(A)150Hz (B)300Hz (C)1.5kHz (D)3kHz

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9.【 B 】 如圖 所示波形，是示波器使用“×1”探棒，信號觀測模式選擇開

關切換到 DUAL，CH1 及 CH2 的垂直電壓選擇開關同時切換到 1VOLTS/DIV、水平時間選

擇開關切換到 0.5ms/DIV，螢光幕上顯示的波形，試求 V1 與 V2 波形之相位差約為多少？

(A)V2 落後 V1 約 36 (B)V2 落後 V1 約 54 (C)V2 落後 V1 約 60 (D)V2 落後 V1 約 72

10.【 C 】 若要在示波器上觀測一個有直流準位的交流的信號，則下列操作何者正確？(A)將輸入耦合

選擇開關切換到 AC 位置 (B)將輸入耦合選擇開關切換到 GND 位置 (C)將輸入耦合選擇

開關切換到 DC 位置 (D)將輸入模式切在 X-Y 模式下

11.【 B 】 示波器操作在雙跡顯示模式，且用於量測高頻信號時，則下列模式何者正確？(A)CHOP 模

式 (B)ALT 模式 (C)EXT 模式 (D)x10 MAG 模式

12.【 C 】 示波器輸入耦合選擇開關中，GND 的主要用途為何？(A)將待測電路短路接地 (B)將待測

電路隔離 (C)確認 0V 的時基線位置 (D)作為 AC 與 DC 的緩衝

13.【 A 】 用來調整螢光幕上所顯示波形的清晰度，應調整示波器上的哪一個旋鈕？(A)FOCUS

(B)SCALEILLUM (C)TRACEROTATION (D)INTENSITY

14.【 A 】 圖 所示為示波器量測之結果，若示波器之水平掃描時間刻度為 1μ

s(1μs / DIV)，垂直刻度為 5V(5 V / DIV)；測試探棒衰減係數等於 1，則示波器顯示之波形

為下列何者？(A)頻率為 250kHz；電壓值(峰對峰值)為 20V 之交流信號 (B)頻率為

250kHz；電壓值(均方根值)為 20V 之交流信號 (C)頻率為 1MHz；電壓值(峰對峰值)為 20V

之交流信號 (D)頻率為 1MHz；電壓值(均方根值)為 20V 之交流信號

解析：

15.【 B 】 使用示波器觀察邏輯信號時，以下敘述何者正確？(A)輸入模式可以選擇 AC 檔以觀察邏輯

信號之直流準位 (B)輸入模式可以選擇 DC 檔以觀察邏輯信號之直流準位 (C)輸入模式可

以選擇 GND 檔以觀察邏輯信號之直流準位 (D)可以先用 HORIZONTAL 鈕將垂直掃描軌跡

歸零

16.【 D 】 以下何種情形不可以利用示波器直接觀測？(A)觀測信號之直流準位 (B)觀測信號之週期與

頻率 (C)觀測信號之延遲時間 (D)觀測電路之輸入阻抗

解析：示波器只能間接測量電路之輸入阻抗。

17.【 A 】 使用指針型三用電表在量測電阻時，下列敘述何者不正確？(A)若欲量測焊在電路板上某個

電阻的阻值，先將三用電表調至Ω檔位並歸零後，再將兩支探棒碰觸電阻兩端，進行量測

(B)量測未知單一電阻的阻值，電阻檔位倍率通常有×1、×10、×100、×1k、×10k，測量值即

等於刻度值乘檔位倍率 (C)檔位範圍選擇宜以指針指在中央附近為最佳 (D)三用電表若無

OFF 檔，在使用後檔位需轉至 ACV 或 DCV 處，以免消耗電池電量

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解析：三用電表不能直接測量電路板上的阻值，因為電路板上電路連接造成負載效應。

18.【 D 】 一雙電源之電源供應器設定於追蹤模式。假設主電源區的限流為 1A 且電壓調整鈕設定於

10V，一負載兩端分別接於主電源輸出正極與副電源的輸出負極。若定電流模式指示燈亮

起，請問此負載功率可能為下列何者？(A)10W (B)15W (C)18W (D)21W

解析：電源提供的功率為(10 +10)×1 = 20W ，超過 20W 時會進入定電流模式。

19.【 C 】 如圖 為一數位儲存式示波器在直流檔位下的測量畫面，請問下

列敘述何者有誤？(A)觸發信號源為 Ch1 (B)信號 Vo1 與 Vo2 的頻率約為 10kHz (C)Ch2 信號

的平均值 Vo2(ave)約為 5V (D)Ch1 信號 Vo1 的峰對峰振幅約為 20V

解析：

20.【 B 】 有關三用電表的使用，下列敘述何者錯誤？(A)三用電表可以用來量測元件的電阻值以及電

路的電壓與電流值 (B)三用電表的電壓計可以量測電路的交流與直流電壓，使用時必須與

待測電路串接 (C)當量測電阻時，電阻檔位在 X10，所得讀值為 330，所以此電阻值為 3.3

千歐姆 (D)三用電表不用時應將檔位歸回 OFF 檔，省電又安全

解析：三用電表測電壓時與待測電路並接。

21.【 A 】 有關電子學實習中所用的示波器，下列敘述何者正確？(A)如果同時使用 CH1 與 CH2 量測

電路信號，應將 CH1 與 CH2 共同接地 才能量 到正確結果 (B)示波器螢幕上的垂直方向刻

度表示週期 (C)可以使用示波器的 EXT 輸入端子來量測電路待測點的電流信號 (D)如將

示波器輸入耦合選擇開關置於 DC 位置，只能觀測待測點的直流信號

解析：本題解答有爭議，一般示波器的 ch1 與 ch2 之地端都為共地。(內部連接)，並不需要特別共接，

只有少數示波器才需要共同接地。

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高二電子學實習 第 2 章二極體之特性及應用電路實驗(實習一~實習五)

22.【 C 】 在 P 型半導體中，導電的多數載子為何者？(A)電子 (B)原子核 (C)電洞 (D)離子

23.【 C 】 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載

子為何？此塊半導體之電性為何？(A)N 型半導體；電子；電中性 (B)N 型半導體；電子；

負電 (C)P 型半導體；電洞；電中性 (D)P 型半導體；電洞；正電

24.【 B 】 下列關於價電子與自由電子的敘述，何者錯誤？(A)價電子位於原子核最外層軌道 (B)價電

子成為自由電子會釋放熱能 (C)自由電子位於傳導帶 (D)價電子脫離原來的軌道所留下之

空缺，稱為電洞

25.【 A 】 在矽本質半導體中摻雜磷雜質，則所得材料之多數載子為(A)電子 (B)光子 (C)質子 (D)

電洞

26.【 D 】 以下有關半導體特性之敘述何者錯誤？(A)具有受體雜質的半導體稱為 P 型半導體 (B)具有

施體雜質的半導體稱為 N 型半導體 (C)電子的漂移速度比電洞的漂移速度快 (D)在 P 型

半導體中，電子被稱為多數載子

27.【 D 】 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升而產生何種變化？(A)成為絕緣體 (B)減少 (C)

不變 (D)增加

28.【 D 】 PN 二極體產生障壁電壓的原因，下列何者正確？(A)P 型半導體自然產生 (B)N 型半導體

自然產生 (C)加偏壓後自然產生 (D)PN 接合時自然產生

29.【 B 】 下列有關二極體的敘述，何者有誤？(A)可以使用三用電表檢驗二極體的材質 (B)實驗中常

用的二極體編號為 2N4xxx 系列 (C)一般的二極體有記號或標註的那一端，通常為 N 極

(D)鍺比矽有較小的障壁電壓，更適合用在截波電路

30.【 A 】 二極體的空乏區，隨著逆向偏壓的增加而產生何種變化？(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)

先減後增

31.【 C 】 下列有關 PN 接面二極體的敘述，何者有誤？(A)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高 (B)二

極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)溫度上升時，障壁電壓上升 (D)溫度上升時，漏電流

上升

32.【 C 】 家用的交流電源 110 V、60 Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓的平均值約為多

少？(A)35V (B)40V (C)50V (D)55V

33.【 C 】 若一電源頻率為 50Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為何？(A)25Hz (B)30Hz

(C)50Hz (D)60Hz

34.【 A 】 如圖 所示中間抽頭式變壓器電路中，∣VS1∣=∣VS2∣，VS1 =

10 sin tV，且 D1、D2 皆為理想二極體，則 Vo 之平均直流電壓為(A)6.37V (B)3.18V (C)3.18V (D)6.37V

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35.【 A 】 橋式整流電路如圖 所示，假設二極體均為理想二極體，當輸入

交流電壓 Vin(t)大於零伏特時，請問二極體的狀態，下列描述何者正確？(A)D1、D3 導通，D2、D4 不導通 (B)D2、D4 導通，D1、D3 不導通 (C)D1、D4 導通，D2、D3 不導通 (D)D2、D3導通，D1、D4 不導通

36.【 D 】 如圖 所示之電路，Vi 家用交流電源 110 V、60 Hz，則輸出電壓 Vo 約為多少？(A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 V

37.【 B 】 如圖 所示橋式整流電路，使用三用電表 DCV 檔

測量，其輸出電壓 Vo 為多少？若電路中，二極體 D2 因銲接不當造成開路，則以三用電表DCV 檔測量，其輸出電壓 Vo 為多少？(A)18V，0V (B)18V，9V (C)12.7V，0V (D)12.7V，6.4V

38.【 B 】 某一橋式整流電路輸出為 12 伏特的直流電壓時，則電路中二極體的耐壓值最小應選擇？

(A)24V (B)20V (C)18V (D)12V

39.【 B 】 漣波因數愈大，濾波器之效果將如何？(A)愈好 (B)愈差 (C)不變 (D)不一定

40.【 A 】 如圖 所示電路，若 D 屬理想二極體，則下列何種做法對改善其漣波因數(ripple factor)的效果最差(A)將輸入電壓變小 (B)將電容值加大 (C)改用全

波整流 (D)將電阻值加大

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41.【 A 】 如圖 所示之型濾波器電路，下列何種作法，可達到降低

輸出電壓漣波因數的效果？(A)輸入端由半波整流器改為全波整流器 (B)降低 L 之電感值 (C)降低 C1 之電容值 (D)降低 C2 之電容值

42.【 A 】 若電源供應器以電壓源模式供給待修電路時，發現電源供應器由 CV(定電壓)模式跳到

CC(定電流)模式，此時應進行的動作為何？(A)關掉電源供應器，以電表量測待修電路是否

短路 (B)持續觀察，是否有發燙元件 (C)提高輸出電流 (D)量測電壓下降到幾伏特

43.【 B 】 如下圖所示之四種電路，圖中 C 代表電容器，並假設二極體為理想二極體，何者可得到正

值 2Vm 之電壓輸出？(A)

(B) (C)

(D)

44.【 B 】 如圖 所示為交流 VTVM 用整流電路，若輸入 Vin =10(sin

t + 30)，則 ab 兩端的電壓值為(二極體 VD≒0V)(A)10 V (B)20 V (C)30 V (D)40 V

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45.【 C 】 如圖 所示的電路中，Vs 為 60 Hz 正弦波信號，其均方

根值為 110 V，D1、D2 均為理想二極體，C1 = C2 = 88F，有關 Vo 的敘述，下列何者正確？(A)均方根值約為 110V (B)峰值約為 110V (C)約為 312V 的直流電壓 (D)約為 156V 的直流

電壓

25.【 C 】下列有關逆向偏壓的敘述，何者錯誤？ (A)當逆向偏壓使二極體會產生崩潰而燒毀，此時的逆向電壓稱之為逆向峰值電壓(Peak Inverse Voltage;簡稱 PIV)或崩潰電壓(Breakdown Voltage;簡稱 VBR) (B)矽

二極體的逆向飽和電流比鍺二極體的逆向飽和電流小 (C)當逆向偏壓超過崩潰電壓時，二極體會

產生崩潰而短路 (D)矽二極體的崩潰電壓比鍺二極體的崩潰電壓大

解析 當逆向偏壓超過崩潰電壓時，二極體會產生崩潰而開路

26.【 A 】下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？ (A)矽二極體的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體 (B)矽二極體的工作溫度遠低於鍺二極體 (C)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (D)矽二極體的反向飽和電流

高於鍺二極體

27.【 C 】如圖所示之橋式整流電路，若所有二極體皆為理想，試問每一個二極體之峰值逆向電壓(PIV)為何？

(圖中 VS=40sintV)

(A)10V (B)20V (C)40V (D)60V

解析 不論負載為電阻或電容，其 PIV 值均應為 Vm=40V

28.【 C 】在 PN 二極體中，較容易產生電子流的方向是 (A)由 P 型至 N 型區 (B)由 N 型至 P 型區 (C)兩方向

都很容易 (D)兩方向都很難

解析 電流由 P→N，電子流由 N→P

29.（ D ）下列有關電源電路系統的敘述，何者錯誤？ (A)直流電源電路（DC Power Supply）是由電源變壓器

（Power Transformer）、整流電路（Rectifier）與濾波電路（Filter）所組成 (B)電源變壓器可將較高的

交流電壓轉換為較低的交流電壓 (C)整流電路是將較低的交流電壓轉變為單向的脈動直流 (D)濾波

電路不可將脈動直流轉變成為較平穩的直流電壓

解析 濾波電路可將脈動直流轉變成為較平穩的直流電壓

30.（ B ）中心抽頭式全波整流電路中，每個二極體之逆向峰值電壓(PIV)，至少應為峰值電壓的 (A)1 倍 (B)2

倍 (C)3 倍 (D)4 倍

31.（ B ）利用三用電表的歐姆檔測試矽二極體之 LV 刻度值約為 (A)0.2~0.3V (B)0.6~0.7V (C)1.2~1.5V

(D)1.8~2V

32.（ C ）哪一種二極體具有穩壓功能？ (A)整流二極體 (B)發光二極體 (C)稽納二極體 (D)變容二極體

33. （ B ）純半導體中最常使用的材料為鍺(Ge)和矽(Si)，兩者皆為幾價元素？ (A)3 價 (B)4 價 (C)5 價 (D)2

價

34.（ B ）稽納二極體一般皆工作於 (A)順向偏壓 (B)逆向偏壓 (C)順向偏壓與逆向偏壓 (D)以上皆非

35.（ C ）半導體之電中性是指 (A)無自由電荷 (B)無主要載子 (C)有等量的正電荷與負電荷 (D)無電荷存在

36.（ C ）障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓

37.（ C ）假設一電源變壓器的初級圈匝數是 500，次級圈的匝數是 50，現在將 AC110V 的電壓加至初圈，則次

級圈的電壓為 (A)9V (B)10V (C)11V (D)12V

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38.（ B ）如圖所示之電路， iV 10sin(377t)V ，D 為理想二極體， R 10 ，則下列敘述何者正確？

(A) oV 最小值為 3V (B) oV 最大值為 7V (C) oV 平均值為 0V (D) oV 有效值為

0V

解析 如下圖，故 o(max)V 7V

39.（ B ）下列整流電路，何者可得全波整流輸出？

(A)A 與 B (B)B 與 C (C)C 與 D (D)A 與 D

40. ( A ）當溫度升高時，一般金屬導體之電阻值增加，矽半導體在溫度上升時，其電阻值 (A)下降 (B)上升

(C)不變 (D)成絕緣體

41.（ D ）N 型矽或鍺半導體 (A)為絕緣體 (B)含有多量電洞 (C)是不良的導電體 (D)含有多量的電子

42. （ A ）矽或鍺二極體，溫度每增加多少度時，其逆向飽和電流將增加一倍？ (A)10℃ (B)20℃ (C)30℃

(D)40℃

43. （ C ）下列有關二極體未加偏壓的敘述，何者錯誤？ (A)在空乏區內由正負離子所形成的電位差稱為障壁電

壓(Barrier Potential) (B)由正負離子所形成的區域稱為空乏區(Depletion Region) (C)在室溫下，矽的接

面內建電壓(Junction Built-in Voltage)約為 0.2V～0.3V (D)當擴散達到平衡時，在接面附近只有正負離

子的存在，並無自由電子與電洞

解析 在室溫下，矽的接面內建電壓(Junction Built-in Voltage)約為 0.6V～0.8V

44.（ A ）在 N 型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子

45.（ B ）N 型半導體是在矽或鍺晶體中摻雜微量的 (A)硼（B） (B)磷（P） (C)鎵（Ga） (D)銦（In）

46. ( A ）鍺質二極體在常溫下，其切入電壓(cutin voltage)約為 (A)0.2V~0.3V (B)0.5V~0.7V (C)1.2V~1.5V (D)

以上皆非

解析 常溫下，鍺質二極體之切入電壓約為 0.2~0.3V，而矽質二極體之切入電壓約為 0.6~0.7V

47. （ D ）下列有關橋式全波整流電路的敘述，何者錯誤？ (A)在電路中會使用四個二極體來擔任整流的工作

(B)二極體的逆向峰值電壓 mPIV V (C)輸出電壓的平均值為 m0.636V (D)輸出波形的頻率等於輸入

信號頻率

解析 輸出波形的頻率等於輸入信號頻率的兩倍

48. （ D ）橋式整流電路中，二極體之最大反向電壓(PIV)為電源峰值的 (A)2 倍 (B)3 倍 (C) 2 倍 (D)1 倍

49. （ A ）在本質半導體加硼則成 (A)P 型半導體 (B)N 型半導體 (C)J 型半導體 (D)I 型半導體

解析 硼是屬於三價元素

50.（ C ）LED 發光顏色與下列何者有關？ (A)外加電壓大小 (B)外加電壓頻率 (C)材料能帶間隙 (D)通過電

流大小

51. （ C ）整個 P 型半導體是呈現 (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質(impurity)原子序而定

解析 P 型或 N 型半導體在未接合之前，均為電中性

52. （ A）於半波整流電路中，若電源頻率為 60Hz，則其整流後之漣波頻率為 (A)60Hz (B)90Hz (C)120Hz

(D)240Hz

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53. （ A ）在電源電路系統中，將交流電壓轉變為直流電壓的順序為 (A)電源變壓器、整流電路、濾波電路

(B)整流電路、電源變壓器、濾波電路 (C)電源變壓器、濾波電路、整流電路 (D)濾波電路、電源變

壓器、整流電路

54. （ B ）下列有關二極體的敘述，何者有誤？ (A)可以使用三用電表檢驗二極體的材質 (B)實驗中常用的二

極體編號為 2N4xxx 系列 (C)一般的二極體有記號或標註的哪一端，通常為 N 極 (D)鍺比矽有較小

的障壁電壓(barrier potential)，更適合用在截波電路

55.（ B ）在本質半導體中，摻入下列何項雜質元素，即可成為 P 型半導體？ (A)磷 (B)硼 (C)砷 (D)銻

解析 P 型半導體為本質半導體中摻入三價元素

56.（ C ）下列有關二極體特性的敘述，何者不正確？ (A)溫度上升時，切入電壓隨之降低 (B)溫度上升時，逆

向飽和電流隨之增加 (C)擴散電容(diffusion capacitance)效應主要是在逆向偏壓時發生 (D)逆向偏壓越

大時，則空乏區電容(depletion capacitance)越小

57.（ D ）目前國內的電源系統頻率為 (A)50Hz (B)120Hz (C)100Hz (D) 60Hz

58. （ B ）半波整流電路的電流有效值為 (A)2

Im (B)2

Im (C)Im (D) 2 Im

58.（ C ）有效值 110V 的正弦波電壓經過 5：1 的變壓器降壓後，再用二極體作半波整流供給負載 RL，若用三用

電錶的直流電壓檔測量整流後之電壓，則電錶指示為何？ (A)4.9V (B)7.9V (C)9.9V (D)19.9V

解析 DCV ＝45％×iV 45

a＝ ％×

1109.9V

5＝

59. （ A ）哪一種二極體使用在電源電路中，擔任將交流電壓（AC）轉換為直流電壓（DC）的重要角色？ (A)

整流二極體 (B)發光二極體 (C)稽納二極體 (D)變容二極體

60. （ B ）P 型矽或鍺半導體 (A)為絕緣體 (B)含有多量電洞 (C)是不良的導電體 (D)含有多量的電子

61. （ D ）假設一電源電路的電源變壓器次級圈上端或下端的峰值電壓mV 9V ，採用中心抽頭式全波整流電

路，其二極體的 PIV 至少應大於 (A)6.4V (B)12.8V (C)9V (D)18V

62. （ C ）橋式整流器中有幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)4 個 (D)8 個

63. （ A ）下列哪一種材料可以製作出高亮度白光 LED？ (A)GaInN(氮化銦鎵) (B)GaP(磷化鎵) (C)AlGaAs(砷

化鋁鎵) (D)GaAsP(磷化砷鎵)

解析 AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、GaInN(氮化銦鎵)或 GaN(氮化鎵)可以製作出高亮度白光 LED

64.（ B ）在室溫下，未加偏壓之 PN 二極體在 PN 接面附近的狀況為 (A)P 型半導體帶正電，N 型半導體帶負電

(B)P 型半導體帶負電，N 型半導體帶正電 (C)P 型及 N 型半導體皆不帶電 (D)P 型及 N 型半導體所

帶之電性不固定

解析 當 P 型及 N 型的兩個半導體結合時，結合面就產生一條很窄的區域稱為空乏區，在空乏區內無自由電子

及電洞，僅存有正、負離子(P 型區為負離子，N 型區為正離子)

65.（ A ）全波整流電路之直流輸出電壓 Vdc，為半波整流電路之 (A)2 倍 (B)

2

倍 (C) 2

倍 (D)

1

倍

66. （ C ）若一電源頻率為 50 Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為何？ (A)25Hz (B)30Hz (C)50Hz

(D)60Hz

67. （ C ）矽二極體比鍺二極體有 (A)較低的切入電壓 (B)較低的 PIV 值 (C)較寬的溫度範圍 (D)較大的漏電

流

68. （ B ）P 型半導體所加之雜質為 (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價

69. （ B ）下列有關二極體順向偏壓的敘述，何者正確？ (A)在順向偏壓情況下，固定二極體電流，則二極體電

壓會隨溫度上升而下降 (B)當二極體施加順向偏壓時，空乏區的寬度變寬 (C)當二極體施加順向偏

壓時，少數載子能越過 PN 接面產生大量的順向電流 (D)若順向偏壓大於臨界電壓(Threshold

Voltage)，二極體流過大量順向電流，此時二極體導通猶如開路一般

解析 1.當二極體施加順向偏壓時，空乏區的寬度變窄。

2.當二極體施加順向偏壓時，多數載子能越過 PN 接面產生大量的順向電流。

3.若順向偏壓大於臨界電壓，此時二極體導通猶如短路一般

70. （ D ）PN 二極體接面附近所形成接觸電勢(contact potential)的極性是 (A)視偏壓而定 (B)視溫度而定 (C)P

端正，N 端負 (D)P 端負，N 端正

71. （ B ）下列有關半波整流的敘述，何者錯誤？ (A)如果次級圈標示的電壓為 0V-6V，此時使用三用電表

DCV 檔測量輸出電壓 oV 為 2.7V (B)二極體的逆向峰值電壓 mPIV 2V (C)半波整流電路輸出波形的

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頻率等於輸入信號的頻率 (D)如果次級圈標示的電壓為 0V-6V，此時使用三用電表 ACV 檔測量輸出

電壓 oV 為 4.25V

解析 二極體的逆向峰值電壓 mPIV V

72. （ A ）矽二極體之切入電壓( TV )在室溫下約為 0.6V，當溫度升高時， TV 將 (A)下降 (B)上升 (C)不變 (D)

不一定

73. （ D ）下列有關半波整流的敘述，何者錯誤？ (A)在電路中僅使用一個二極體來擔任整流的工作 (B)輸出

電壓的平均值為 m0.318V (C)輸出電壓的平均值與變壓器次級圈匝數成正比 (D)輸出電壓的有效值

為 m0.707V

解析 輸出電壓的有效值為 m0.5V

74. （ C）半波整流後的電流平均值 Idc 等於 (A) 2

Im

(B) 2

Im

(C)

mI

(D) 2

I2 m

75. （ B ）一全波整流器的峰值輸入電壓為 100V，其輸出直流電壓為 (A)50V (B)63.6V (C)70.7V (D)85V

解析 Vdc=0.636Vm=0.636×100=63.6V

76. （ A）二極體在直流電路中所扮演的角色就是一個開關，所以 (A)當順向偏壓時，二極體導通。當逆向偏壓

時，二極體不導通 (B)當順向偏壓時，二極體不導通。當逆向偏壓時，二極體不導通 (C)當順向偏

壓時，二極體導通。當逆向偏壓時，二極體導通 (D)當順向偏壓時，二極體不導通。當逆向偏壓時，

二極體導通

77. （ B ）下列有關二極體的敘述，何者正確？ (A)在順偏時，擴散電容與流過之電流量無關 (B)空乏區電容

隨外加逆向偏壓之增加而減少 (C)當外加逆向電壓增加時，空乏區寬度將減少 (D)在固定之二極體

電流下，溫度愈高，則二極體之順向壓降愈高

78. （ D ）在 P 型半導體中，載子的狀況是 (A)只有電洞 (B)只有電子 (C)有多數電子及少數電洞 (D)有多數

電洞及少數電子

79. （ B）二極體逆向飽和電流是由何產生？ (A)多數載子 (B)因熱能產生的少數載子 (C)因熱能產生的多數

載子 (D)因熱能產生的多數及少數載子

80. （ D）一個 60Hz 的交流電壓經全波整流後，則在負載上之電壓波形的頻率為 (A)180Hz (B)60Hz

(C)100Hz (D)120Hz

81. （ A ）理想橋式整流電路輸出之直流電壓為半波整流電路之 (A)2 倍 (B) 2 倍 (C)

1

2 倍 (D)

1

2 倍

82. （ C）發光二極體(LED)導通時順向電壓降約為 (A)0.3V (B)0.7V (C)1.6V (D)5V

83. （ C）若某半波整流電路，輸出 180V 的直流電壓，則此電路中的二極體之最低逆向峰值電壓為 (A)360V

(B)480V (C)567V (D)732V

解析 ∵Vdc=0.318Vm ∴Vm= 318.0

180

=567V

84. （ A）當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？ (A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁

電位增加 (C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少

85. （ D）一橋式整流器，若其輸出為 200V 之直流電壓，則電路中每一個二極體之 PIV 值最低為 (A)100V

(B)141V (C)282V (D)314V

解析 ∵Vdc=0.636Vm=200V ∴PIV=Vm= 636.0

200

=314V

86. （C ）當 PN 接面二極體施加逆向偏壓後，空乏區的寬度會變 (A)窄 (B)不變 (C)寬 (D)以上皆非

87. （ A）使用三用電表之電阻檔測量二極體，假設二極體的順向電阻為 R1 及逆向電阻為 R2，若二極體為良

好，則下列敘述何者正確？ (A)R1 的值非常小，R2 的值非常大 (B)R1 的值非常小，R2 的值亦非常

小 (C)R1 的值非常大，R2 的值非常小 (D)R1 的值非常大，R2 的值亦非常大

88. （ B）在室溫下，未加偏壓之 PN 二極體在 PN 接面附近的狀況為 (A)P 型半導體帶正電，N 型半導體帶負

電 (B)P 型半導體帶負電，N 型半導體帶正電 (C)P 型及 N 型半導體皆不帶電 (D)P 型及 N 型

89. （ C）P 型半導體是在矽或鍺晶體中摻雜微量的 (A)磷（P） (B)砷（As） (C)鎵（Ga） (D)銻（Sb）

90. （ A）對於二極體，下列敘述何者正確？ (A)用在檢波時，要工作在非線性區 (B)串聯可增加最大電流

(C)並聯可增加最大逆向電壓 (D)施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小

解析 二極體串聯時可增加逆向電壓，並聯可增最大電流，又當施加逆向偏壓愈大時，則空乏區寬度變大

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91. （ B）利用歐姆表測試二極體兩端，結果指針均指示在無限大位置，表示此二極體 (A)短路 (B)開路 (C)

正常 (D)無法判定

92. （ B）二極體反向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定

93. （ B）橋式整流電路中的二極體 PIV 值為 (A)0.5 mV (B)1 mV (C)2 mV (D)4 mV

94. （ C ）二極體整流電路如下圖所示，假設 D1、D2 為理想二極體，下列何者為輸出電壓 Vo 的波形？

(A) (B) (C)

(D)

解析 正半週時：D2ON，D1OFFVo=－V2

負半週時：D1ON，D2OFFVo=V2

95. （ D）下列有關 PN 接面二極體的順向偏壓之接法，何者敘述正確？ (A)P 型半導體接電源的正極，N 型半

導體接電源的正極 (B)P 型半導體接電源的負極，N 型半導體接電源的正極 (C)P 型半導體接電源的

負極，N 型半導體接電源的負極 (D)P 型半導體接電源的正極，N 型半導體接電源的負極

96. （ B）全波整流器輸出電壓平均值為峰值的幾倍？ (A)

1

(B)

2

(C)

3

(D)

4

97. （ C）半波整流電路中（含一個二極體及電容）二極體之最大反向電壓約為電源峰值的 (A)1 倍 (B)1.414

倍 (C)2 倍 (D)3 倍

98. （ A）一半波整流電路，供 3k 之負載，若負載之直流電流為 10mA，則此電路之輸出電壓為 (A)30V

(B)50V (C)100V (D)150V

解析 Vdc=Idc．RL=10×10－3×3×103=30V

99. （ C ）二極體不能做下列哪一項工作？ (A)整流 (B)檢波 (C)放大 (D)偏壓

100. （ B ）橋式整流電路中的二極體 PIV 值為峰值電壓的 (A)0.5 倍 (B)1 倍 (C)2 倍 (D)4 倍

101. （ A）一般二極體之 V-I 特性曲線，水平軸通常代表 (A)電壓 (B)電流 (C)不一定 (D)以上皆非

102. （ B）N 型半導體中，主要載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係是 (A)主要載子濃度大得多 (B)大約相

等 (C)施體離子濃度大得多 (D)不一定

103. （ D）PN 二極體產生障壁電壓（barrier potential）的原因，下列何者正確？ (A)P 型半導體自然產生 (B)N

型半導體自然產生 (C)加偏壓後自然產生 (D)PN 結合時自然產生

104. （ C ）下列敘述何者正確？ (A)電源正端接 P，負端接 N，稱為逆向偏壓 (B)電源正端接 N，負端接 P，

稱為順向偏壓 (C)外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大 (D)外加順向偏壓時，空乏區的寬度維持不

變

105. （ C）在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載子為何？

此塊半導體之電性為何？ (A)N 型半導體；電子；電中性 (B)N 型半導體；電子；負電 (C)P 型半

導體；電洞；電中性 (D)P 型半導體；電洞；正電

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106. （ A ）如下圖所示，若 D 屬理想二極體，則下列何種做法對改善其漣波因素(ripple factor)的效果最差

(A)將輸入電壓變小 (B)將電容值加大 (C)改用全波整流 (D)將電阻值加大

107. （ C ）家用的交流電源 110 V、60 Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓的平均值約為多少？

(A)35 V (B)40 V (C)50 V (D)55 V

108. （ C ）下列對影響漣波電壓大小的敘述，何者為錯誤？ (A)整流頻率愈高，漣波電壓愈小 (B)頻率愈低，

漣波電壓愈高 (C)負載電阻愈小，漣波電壓愈小 (D)濾波電容愈大，漣波電壓愈小

109. （ D ）下列有關電源濾波電路的敘述，何者錯誤？ (A)RC 濾波電路雖可降低漣波電壓，但是卻也降低了輸

出直流電壓 (B)型濾波電路不會使負載上的直流電壓下降，同時能有效地降低漣波電壓 (C)型

濾波電路適合使用在輸出大電流的電路 (D)RC 濾波適合使用在輸出大電流的電路

解析 RC 濾波不適合使用在輸出大電流的電路

110. （ B ）使用一交直流電表分別測量一濾波電路的輸出信號，獲得 25V 直流電壓及 4V 峰值之交流電壓，則漣

波百分比為 (A)15.3% (B)11.3% (C)5.3% (D)3.3%

解析 r%= dc

)rms(r

V

V

×100%= dc

m

V

2

V

×100%= 25

2

4

×100%=11.3%

111. （ D ）為了製作全波兩倍壓電路，我們必須使用幾個二極體與電容器？ (A)一個二極體與一個電容器 (B)

二個二極體與一個電容器 (C)一個二極體與二個電容器 (D)二個二極體與二個電容器

112. （ C ）在型濾波電路中，電感器 L 的作用是 (A)使輸出直流電壓降低 (B)使輸出漣波電壓增加 (C)有效

降低漣波百分比 (D)使輸出直流電壓增加

113. （ D ）如圖所示，Vi 為家用交流電源 110 V、60 Hz，則輸出電壓 oV 約為多少？

(A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 V

114. （ B ）在半波整流電路中，濾波僅包括負載電阻，其漣波百分率為 (A)150% (B)121% (C)96% (D)48%

115. （ D ）如圖為半波整流電路，輸出電壓 VO 所含的直流成分為

(A)0.385Vm (B)0.636Vm (C)0.707Vm (D)0.318Vm

116. （ B ）在半波兩倍壓電路中，每一個二極體所承受的最大逆向電壓值(PIV) (A) mV (B) m2V (C) m3V

(D)m

1V

2

117. （ B ）如圖所示的電路，二極體為理想時，如果次級圈的有效值電壓為 10V，則輸出電壓 Vo 是多少？

(A)28.28V (B)-28.28V (C)14.14V (D)-14.14V

解析 mV 10 2 14.14V 而 oV =-2Vm 2 14.14V 28.28V

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118. （ A ）如下圖所示之電路， i mV V sin t ，則下列敘述何者正確？

(A) oV 漣波頻率是 iV 電壓頻率的兩倍 (B)二極體 1D 的最大逆向偏壓為 mV (C)電容器 1C 上的電壓為

m2V (D)電路為半波二倍倍壓電路

解析 (B) m2V ；(C) mV ；(D)全波二倍壓電路

119. （ B ）下列濾波電路中，何者適用於大負荷電路？ (A)電容濾波器 (B)電感輸入式濾波器 (C)RC 濾波器

(D)π型濾波器

120. （ A ）二極體之橋式整流器及電容濾波電路如圖所示，若交流電源電壓 VS 的有效值為 24V，則輸出電壓

Vo 約為多少？

(A)32V (B)24V (C)12V (D)8V

解析 Vo= 2 VS－VD×2 （VD：二極體順向壓降）= 2 ×24－0.7×2≒32V

121. （ C ）如圖所示的電路，二極體為理想時，VC3 為何？

(A)Vm (B)2Vm (C)3Vm (D)4Vm

解析 當第一個正半週輸入時：D1 導電，C1 被充電至 Vm，當第一個負半週輸入時： D2 導通，C2 被充電至

2Vm，又當第二個正半週輸入時：除了 C1 被充電至 Vm 外，C3 也被充電至 3Vm

122.（ A ）如圖所示電路，若加入 100V 的交流電壓，在無負載情況時，其輸出直流電壓為多少？

(A)282V (B)141V (C)100V (D)400V

解析 此為半波二倍壓器，Vo=VC2=2Vm=2× 2 ×100=282V

123. （ A ）下列有關濾波電路的敘述，何者錯誤？ (A)濾波電路的功能是將交流轉換成較平穩的直流電壓 (B)

一般常用的濾波電路大致可分為電容濾波電路、RC 濾波電路與型濾波電路 (C)漣波因數（Ripple

Factor）可以判斷整流電路與濾波電路的優劣 (D)漣波百分率

r(rms)

dc

Vr% 100%

V

解析 濾波電路的功能是將脈動直流轉換成較平穩的直流電壓

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124. （ D ）一全波整流器如圖所示，當輸入電壓有效值為 100V 時，二極體的峰值逆向電壓至少應為

(A)5 2 V (B)10 2 V (C)20 2 V (D)40 2 V

解析 次級圈 Vrms= 5

V100 rms

=20V;二極體之 PIV=2Vm=2 2 Vrms=2 2 ×20=40 2 V

125. （ D ）有關漣波的敘述，下列何者錯誤？ (A)使用電容濾波時，電容愈大，漣波愈小 (B)半波整流的漣波

比全波整流來得大(濾波電路相同) (C)負載電流愈大時，漣波也愈大 (D)若採用電感濾波器，則 XL

應甚小於 RL，才能得到較小的漣波

126. （ C ）如圖所示的電路，若 sV 為 100Vrms 的交流電壓，在無負載的情況下， oV 電壓為

(A)100V (B)141V (C)282V (D)200V

解析 此為全波二倍壓器，Vo= VC1+VC2=2Vm=2× 2 ×100=282V

127. （ B ）如圖所示的電路，稱為

(A)全波兩倍壓電路 (B)半波兩倍壓電路 (C)半波三倍壓電路 (D)全波三倍壓電路

128. （ C ）有一電源電路的輸出漣波電壓的最大值 r(max)V 13V

，最小值 r(min)V 12V

，則此電路的漣波百分比為

(A)5.6% (B)1.4% (C)2.8% (D)0.7%

129. （ A ）下圖電路為

(A)倍壓整流電路 (B)截波電路 (C)檢波電路 (D)濾波電路

130. （ B ）有一電源電路的輸出漣波電壓 r(p p)V 0.6V ，直流電壓 Vdc＝20V，則此電路的漣波百分比為

(A)2.2% (B)1.1% (C)1.5% (D)3%

131. （ A ）如圖整流後波形 Vdc=20V，其 Vr(P－P)=2.828V，求漣波百分率為若干？

(A)5% (B)10% (C)15% (D)20%

解析 r%= dc

)PP(r

V

22/V

×100%= 20

828.2/828.2

×100%=5%

15/15

132.（ A ）如圖所示的電路，二極體為理想時，VC1 為何？

(A)Vm (B)2Vm (C)3Vm (D)4Vm

解析 當第一個正半週輸入時：D1 導電，C1 被充電至 Vm，當第一個負半週輸入時： D2 導通，C2 被充電至

2Vm，又當第二個正半週輸入時：除了 C1 被充電至 Vm 外，C3 也被充電至 3Vm

133.（ B ）電感濾波器漣波之大小與電感 (A)成正比 (B)成反比 (C)平方成正比 (D)平方成反比

解析 電感濾波器輸出漣波的大小為 V′ r(rms)=

Lr(rms)

2 2

L L

RV

R X

，故 LX 愈大，其漣波愈小

134.（ C ）大電流負荷應採用 (A)電容輸入濾波器 (B)電阻輸入濾波器 (C)電感輸入濾波器 (D)電阻電容濾波

器

135. （ C ）有一全波整流電路，輸出直流電壓為 100V，則漣波電壓峰值為 (A)48V (B)96V (C)48 2 V

(D)96 2 V

解析 ∵0.48= dc

)rms(r

V

V

∴Vr(rms)=0.48×100=48V 故 Vr(m)= 2 V r(rms)=48 2 V

136. （ D ）圖為倍壓整流電路，二極體為理想元件， mV 為變壓器二次側交流電壓的最大值，試問輸出的直流電

壓 oV 為何？

(A) mV (B) m2V (C) m3V (D) m2V

137. （ B ）電源濾波用電解電容器會爆炸之原因為 (A)電源變壓器短路 (B)電解電容器極性接反 (C)電源頻率

不對 (D)電解電容器耐壓太高