elektronika1_AV4
4
PN-DIODA Jednadžba kontinuiteta p p n n n J div q p p t p 1 0 - - - = ∂ ∂ τ - zakon očuvanja materije n n p p p J div q n n t n 1 0 - - - = ∂ ∂ τ Rješenjem jednadži kontinuiteta za diodu sa širokim stranama dobiva se: ( 29 - - ⋅ - + = p n n n n n L x x p p p p exp 0 0 0 ; p n n L x w >> - ( 29 - - ⋅ - + = n p p p p p L x x n n n n exp 0 0 0 ; n p p L x w >> - Za diodu sa uskim stranama: ( 29 n n n n n n n w x w x p p p p - ⋅ - - + = 0 0 0 ; p n n L x w << - ( 29 p p p p p p p w x w x n n n n - ⋅ - - + = 0 0 0 ; n p p L x w << - Schockley-eva jednadžba - ⋅ = 1 exp T S U U I I ⋅ + ⋅ ⋅ ⋅ = n n p p p n S L D n L D p S q I 0 0 ; za diodu sa širokim stranama p n n p0 p n0 p 0n n 0p w p x p w n x n L n L p 0
-
Upload
jill-mason -
Category
Documents
-
view
22 -
download
2
Transcript of elektronika1_AV4
-
PN-DIODA
Jednadba kontinuiteta
pp
nnn Jdivq
ppt
p 10
=
- zakon ouvanja materije n
n
ppp Jdivq
nn
t
n 10
=
Rjeenjem jednadi kontinuiteta za diodu sa irokim stranama dobiva se: ( )
+=p
nnnnn L
xxpppp exp000 ; pnn Lxw >>
( )
+=
n
ppppp L
xxnnnn exp000 ; npp Lxw >>
Za diodu sa uskim stranama:
( )nnn
nnnn wx
wx
pppp
+= 000 ; pnn Lxw
-
+
=
pp
np
nn
pnS
xw
Dnxw
DpSqI 00 ; za diodu sa uskim stranama
U reimu niskih injekcija ( nn np 00
( )p
pnDp
QxI
=
( )nnpp ppLSqQ 00 =
Za usku n-stranu: pnn Lxw
( )n
npDn
QxI
=
( )ppnn nnLSqQ 00 =
Za usku p-stranu:
- npp Lxw
-
Zadaci
1. Koncentracija donora na n-strani Si diode iznosi ND = 51016 cm-3. Koncentracija upljina na n-strani neposredno iza barijere iznosi pn0 = 21014 cm-3. T = 300 K. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca na n-strani p = 1 s. Odrediti:
a) napon na diodi b) ekscesni naboj upljina na n-strani c) ukupnu struju upljina na n-strani d) dif. struju upljina na udaljenosti 2Lp od barijere
S = 2 mm2, Wn >> Lp
2. Difuzijska duina elektrona na p-strani iznosi Ln = 50 m. Do koje udaljenosti od PN-spoja e na p-strani diode pri propusnoj polarizaciji biti 50% elektrona ubaenih s n-strane na p-stranu rekombinirano. ( npp Lxw >> )
3. Dioda ima p-stranu specifinog otpora p = 0,05 cm i n-stranu n = 0,4 cm. Vremena ivota manjinskih nosilaca iznose n = 50 s i p = 10 s ; S = 2 mm2 ; T = 300 K. Duine p i n strane su puno vee od dif.duine manjinskih nosilaca. Izraunati:
a) reverznu struju zasienja b) reverzni napon na diodi kod kojeg e reverzna struja dosei 90%
vrijednosti Is c) struju u propusnom smjeru pri propusnim naponima 0,4 ; 0,5 ; 0,6 i
0,7 V.
