El Transistor de Unión Bipolar (BJT) Jesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad Arroyo Dpto. de...
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El Transistor de Unión Bipolar El Transistor de Unión Bipolar (BJT)(BJT)
Jesús Pizarro PeláezJesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad ArroyoDpto. de Electrónica
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BJT (Bipolar Junction Transistor)BJT (Bipolar Junction Transistor)
Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN.Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN.
Tres zonas de dopado:Tres zonas de dopado:– Emisor: zona muy dopada.Emisor: zona muy dopada.– Base: zona estrecha y poco dopada.Base: zona estrecha y poco dopada.– Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.
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Transistores PNP y NPNTransistores PNP y NPN
TRANSISTORTRANSISTOR ESTRUCTURAESTRUCTURA EQUIVALENTEEQUIVALENTE SÍMBOLOSÍMBOLO
NPNNPN
PNPPNP
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
El diodo emisor se polariza en directaEl diodo emisor se polariza en directa El diodo colector en inversaEl diodo colector en inversa
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
Base y Emisor son una unión PN polarizada en Base y Emisor son una unión PN polarizada en directa.directa.
Sí Sí Vee > 0V Vee > 0V los los e- e- del emisor se acercan a la del emisor se acercan a la barrera.barrera.
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
Cuando Cuando Vee >Vee > Vu Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce.(0.6V - 0.7V) el diodo conduce. Aparece una corriente entre base y emisor.Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base está poco dopada, la corriente es Como la base está poco dopada, la corriente es
pequeña.pequeña.
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
Si Si Vcc>0Vcc>0 el diodo de colector está en inversa. el diodo de colector está en inversa. Los Los e-e- del emisor son atraídos por el colector. del emisor son atraídos por el colector. Base muy estrecha => los Base muy estrecha => los e-e- pueden atravesar la barrera y pueden atravesar la barrera y
pasar al colector.pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayoría de Colector mas dopado que base => la gran mayoría de e-e-
pasan al colector y unos pocos a la base.pasan al colector y unos pocos a la base.
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
: Característica de cada transistor: Característica de cada transistor - Porcentaje de - Porcentaje de e-e- que pasan a C (0 – 1) que pasan a C (0 – 1) - Muy elevado (0.95-0.99)- Muy elevado (0.95-0.99)
CBE III
CBOEC III ·
IE IC
IB
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
: Ganancia. Característica de cada transistor: Ganancia. Característica de cada transistor Relación entre Relación entre IIBB e e IIC C (0 - (0 - ))
BC II ·
11
IE IC
IB
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC
controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB
IE IC
IB
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC
controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB
IE IC
IB
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC
controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB
IE IC
IB
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FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO
En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC
controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB
IE IC
IB