El seleniuro de zinc • El telururo de zinc • Materiales ... materiales/curso06-07... · Crecer...
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1
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
• El seleniuro de zinc
• El telururo de zinc
• Materiales semimagnéticos: Hg1-xMnxTe
Algunos ejemplos
2
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
ZnSeMétodo
Recristalizaciónen Fase Sólida
Crecimiento cristalino de materiales II-VI
1 5 0 0 1 5 2 6
3 8 .11 3 6 0
4 1 9 .5
2 2 1
L 1
L 1 + L 2 L 2
Z nSe
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0SeA t o mic Pe r c e n t Z n
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 0
1 5 0 0
1 6 0 0
1 7 0 0
1 8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
2.682.722.762.8Energy (eV)
FX
I2
I1
I1
I 1 d 1-
LO
I 1deep
2-LO
I 1 dee
p 3-LO
I 1 dee
p 4-LO
2.76
2 --
-2.
757
----
----
----
----
--
FX
n=
2deep
PL
Inte
nsity
(a.
u.)
2Ar5Se10Se
3
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Aspectos de interés– Interés académico– Potencial substrato para la epitaxia– Fabricación de diodos emisores en el verde
Problemática– Derivada de la dificultad de obtención de monocristales – Derivada de la dificultad de dopado tipo n
El Telururo de Zinc, (ZnTe)
4
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Estructura Blenda de zincParámetro de malla 6.089 ÅTemperatura de fusión 1295 ºCDensidad 5.636 g/cm3
Dureza 54.54 Kg/mm2
Ionicidad 0.61Coef. Expansión térmica 8.3 10-6 K-1
Conductividad térmica 0.14 W/cmKBanda prohibida 2.28 eV a 300K
El Telururo de Zinc, (ZnTe)
Algunas propiedades
5
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Crecer monocristales de buena calidad estructural Analizar sus propiedades estructurales y físicas, en correlación
con las condiciones de crecimientoEstudiar sus posibilidades como substrato para la epitaxiaAnalizar la respuesta frente a tratamientos térmicos y
tensiones mecánicas Profundizar en las técnicas y mecanismos de crecimiento
cristalino
El Telururo de Zinc, (ZnTe)
Objetivos
6
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Alta Temp. Fusión
Conocimiento parcial del D.F.
Desconocimiento del punto exacto de la fusión congruente
Evaporación a la Tf
Crecimiento cristalino del ZnTe
Crecimiento a partir del fundido estequiométrico
1 3 0 01 3 4 0
1 2 1 56 5 .4
4 1 9 .5 74 4 9
L 1 + L 2
T eT e
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
T eA t o mic Per c en t Z n
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
7
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
•Buenos cristales obtenidos por el grupo del Institute ofPhysics, Polish Academy of Sciences. Prof. A. Mycielski.
•Problemas:
-Dificultad de mantener las condiciones termodinámicas
en la interfase móvil durante largos períodos de tiempo
-Dificultad de obtención de grandes monocristales
Crecimiento en fase gaseosa (PVT y CVT)
Crecimiento cristalino del ZnTe
8
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Las técnicas de “baja temperatura”como alternativa
• Los métodos en disolución:El método THMEl método CTHM
La recristalización en fase sólida, RSS
Crecimiento cristalino del ZnTe
9
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Condiciones experimentales:
A partir de los elementos constituyentes: Zinc en forma cilíndrica y Teluro elemental Temperatura de trabajo 950 ºCVelocidad de crecimiento 3 mm/díaGradiente abrupto a ambos lados de la zona disolvente
Método CTHM
Crecimiento cristalino del ZnTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Síntesis y crecimiento en el mismo procesoObtención de un lingote policristalino
de varios centímetros de longitud.
Grandes monocristales con buena
calidad estructural
Crecimiento cristalino del ZnTe
Resultados:
11
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Aspectos de interés– Interés académico– Temática infra-roja– Detectores controlados por campo magnético
Problemática– Derivada de la dificultad de obtención debido a la
alta presión de vapor del mercurio– Inhomogeneidades locales– Inhomogeneidades longitudinales y radiales– Poca pureza del Manganeso
Materiales semimagnéticos, Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Estructura Blenda de zincParámetro de malla 6.641-0.121x ÅTemperatura de fusión > 700 ºC (x≈0.11)Densidad 8.12-3.37x g/cm3
Banda prohibida 0.190 eV a 300K
Algunas propiedades:
Materiales semimagnéticos, Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Crecer monocristales de buena calidad estructural Crecer monocristales con homogeneidad composicionalAnalizar sus propiedades estructurales y de propiedades
físicas, en correlación con las condiciones de crecimientoProfundizar en las técnicas y mecanismos de crecimiento
cristalino
Objetivos:
Materiales semimagnéticos, Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
• Ha sido el método mas ampliamente utilizado
• Cristales inhomogeneos axial y longitudinalmente debido a la gran separación entre las líneas solidus-liquidus.
• Presíntesis del compuesto. Alta presión de mercurio
• Contaminación por las impurezas del manganeso
Crecimiento a partir del fundido estequiométrico
Una alternativa: Crecimiento Bridgman de la aleación a partir de sus componentes binarios
Materiales semimagnéticos, Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Las técnicas de “baja temperatura”como alternativa
• Los métodos en disolución:El método THMEl método CTHM
La recristalización en fase sólida, RSS
El método CTHM
Materiales semimagnéticos, Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Método CTHMa partir de los
componentes binarios, MnTe y HgTe
Crecimiento cristalino del Hg1-xMnxTe
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Condiciones experimentales:
Método CTHM
Crecimiento cristalino del Hg1-xMnxTe
Compuestos binarios MnTe y HgTe para obtener Hg0.89Mn0.11TeTemperatura de crecimiento 600ºCVelocidad 2 mm/día
18
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
L
H g
T e
8 5
4 4 9 .5 74 1 1
6 7 0
-3 8 .8 3
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0T eA t o mic Pe r c e n t H g
-1 0 0
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
Hg y Te elementalDisolvente: Te
Temperatura 520ºCv= 2mm/día
Crecimiento de HgTeCrecimiento CTHM de HgTe
20
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
8 10 12 14 16 18 20
600
650
700
750
800 1 cm800ºC
tem
pera
ture
(ºC
)
length (cm )
Crecimiento THM de MnTe
Reacción de Mn y Te en formaelemental. T=950ºC. Fusión a1175ºC, 2horas
Crecimiento THM con TeTemperatura 800ºC;v= 2.5 mm/dia
Síntesis y Crecimiento
21
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
HgTeMétodo CTHM
Materiales II-VI
L
H g
T e
8 5
4 4 9 .5 74 1 1
6 7 0
-3 8 .8 3
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0T eA t o mic P e r c e n t H g
-1 0 0
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
7 4 0
7 9 97 5 5
6 9 .86 8 53 1 . 1
7 0 8
2 2 0 .9 5
-3 8 .6
8 7 .3 8
L 1
L 2 L 2 L 3
α -H g S e
Se
H g
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0SeA t o mic P e r c en t H g
-1 0 0
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
HgSe ZnTe1 5 0 0 1 5 2 6
3 8 .11 3 6 0
4 1 9 .5
2 2 1
L 1
L 1 + L 2 L 2
Z nS e
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0S eA t o mic P er c en t Z n
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 0
1 5 0 0
1 6 0 0
1 7 0 0
1 8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
23
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
CTHMHgTe y MnTe elemental
Temperatura 600 ºCv= 2 mm/día
Crecimiento CTHM de Hg1-xMnxTe
8 10 12 14 16 18 20
400
450
500
550
600 1 cm600ºC
tem
pera
ture
(ºC
)
length (cm)
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Síntesis y crecimiento a baja temperatura
Resultados:
Crecimiento CTHM de Hg1-xMnxTe
• Obtención de monocristales con excelente calidad estructural y homogeneidad superior a la obtenida con el método de Bridgman• Estructura cúbica con parámetro de red (a=6.442±0.002 ) que de acuerdo con la ley de Vegardcorresponde a la concentración deseada 0.11
25
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Resultados:
Crecimiento CTHM de Hg1-xMnxTe
• Las propiedades físicas y estructurales son comparables a las de los mejores cristales obtenidos por otras técnicas
• Las medidas de absorción óptica ponen de manifiesto la mejor calidad composicional y menor presencia de impurezas en estos cristales
29
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
CdxHg1-xTe
Método CTHM
Crecimiento cristalino de materiales II-VI
HgxZn1-xTe
Hg0.85Zn0.15Te
CdxZn1-xTe
Cd0.8Zn0.2Te Cd0.2Hg0.8Te
Actividad investigadora
30
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
ZnTexSe1-xTransporte
en fasegaseosa
Crecimiento cristalino de materiales II-VI
ZnSe0.2Te0.8
ZnSexTe1-x
ZnSe0.9Te0.1
31
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Zn3P2 PVT
Crecimiento cristalino y caracterizaciónde materiales semiconductores
(semimagnéticos y otros materiales)
Bridgmanno
estequiométrico
Intensity (%)
2 θ (°)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(37.44,26.7)1,0,1
(42.58,0.2)1,1,0(45.30,0.9)
0,0,2
(55.15,29.7)1,0,2
(61.80,1.1)2,0,0
(63.92,0.1)1,1,2
(66.52,36.3)2,0,1
(74.54,51.6)2,1,1
(78.43,18.6)1,0,3
(79.87,70.0)2,0,2
(87.47,60.9)2,1,2
(93.14,100.0)2,2,0
(100.76,34.7)0,0,4
(101.24,73.1)2,0,3
(105.12,18.2)3,0,1
(108.57,2.4)1,0,43,1,0
(109.07,30.6)2,1,3
(110.58,0.0)2,2,2
(113.12,0.2)3,1,1
(118.90,39.7)3,0,2
1 1 7 3
1 0 4 0
5 59 8 0
8 5 0
4 1 6
9 9 0
3 . 7
0 . 6 6
L
Z n
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
PA t o m ic P e r c e n t Z n
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
1 1 7 3
1 0 4 0
5 59 8 0
8 5 0
4 1 6
9 9 0
3 .7
0 .6 6
L
Z n
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
PA t o mic Pe r c en t Z n
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
33
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
PbTe THMy
CTHM
Crecimiento cristalino y caracterizaciónde materiales semiconductores
(semimagnéticos y otros materiales)
9 2 4
4 1 0 .98 9 .1
4 4 9 .5 7
3 2 6 .8
L
PbT e
L
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0T eWe ig h t Pe r c en t Pb
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
Intensity (%)
2 θ (°)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(52.81,48.5)1,1,1
(61.80,100.0)2,0,0
(93.14,46.8)2,2,0
(116.77,14.4)3,1,1
35
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
MnTe THM
Crecimiento cristalino y caracterizaciónde materiales semiconductores
(semimagnéticos y otros materiales)
HgxMn1-xTe
Hg0.89Mn 0.11Te
37
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
CdxMn1-xTeMétodo deBridgman
Crecimiento cristalino y caracterizaciónde materiales semiconductores
(semimagnéticos y otros materiales)
Cd0.6Mn0,4TeCd0.5Mn0,5Te
Zn1-xCoxSe
x<0.12
PVT
38
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos ejemplos
• Materiales semimagnéticos: Hg1-xMnxTe
• El seleniuro de zinc
• El telururo de zinc
39
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
El Seleniuro de Zinc, ZnSe
• Problemática– Derivada de la dificultad de obtención de monocristales – Derivada de la dificultad de dopado tipo p
• Algunos aspectos de interés– Interés académico– Potencial tecnológico en la “temática del azul”– Fabricación de diodos emisores en el azul – Temática infra-roja
40
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Estructura Blenda de zincParámetro de malla 5.668 ÅTemperatura de fusión 1524 ºCTem. transición fase, S-S 1425 ºC∆H (Hexagonal-cúbica) 946 J/molDensidad 5.26 g/cm3
Dureza 92 Kg/mm2
Ionicidad 0.63Coef. expansión térmica 6.8 10-6 K-1
Conductividad térmica 0.19 W/cmKBanda prohibida 2.67 eV a 300K
El Seleniuro de Zinc, ZnSe
Algunas propiedades
41
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Crecer monocristales de buena calidad estructural Analizar sus propiedades estructurales y físicas, en correlación
con las condiciones de crecimientoEstudiar sus posibilidades como substratos para la epitaxia
– Analizar la respuesta frente a tratamientos térmicos y tensiones mecánicas
Profundizar en las técnicas y mecanismos de crecimiento cristalino
El Seleniuro de Zinc, ZnSe
Objetivos
42
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
1 5 0 01 5 2 6
3 8 . 11 3 6 0
4 1 9 . 5
2 2 1
L 1
L 1 + L 2 L 2
Z nS e
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
S eA t o m ic P e r c e n t Z n
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 0
1 5 0 0
1 6 0 0
1 7 0 0
1 8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
• Alta Temp. Fusión
• Transición de fase S-S
• Conocimiento parcial del D.F.
• Desconocimiento del punto exacto de la fusión congruente
• Evaporación a la Tf
Crecimiento cristalino del ZnSe
Crecimiento a partir del fundido estequiométrico
43
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
• Buenos cristales obtenidos recientemente por el Grupo del Dr. Korostelin en el Lebeden Physical Inst.
•Problemas:- Dificultad de mantener las condiciones
termodinámicas en la interfase móvil durante largos períodos de tiempo
- Técnicamente complejo. Dificultad de aplicación
- Dificultad de obtención de grandes monocristales
Crecimiento cristalino del ZnSe
Crecimiento en fase gaseosa (PVT y CVT)
44
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Crecimiento cristalino del ZnSe
Las técnicas de “baja temperatura”como alternativa
• Los métodos en disolución:El método THMEl método CTHM
La recristalización en fase sólida, RSS
45
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
1 5 0 01 5 2 6
3 8 . 11 3 6 0
4 1 9 . 5
2 2 1
L 1
L 1 + L 2 L 2
Z nS e
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
S eA t o m ic P e r c e n t Z n
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 0
1 5 0 0
1 6 0 0
1 7 0 0
1 8 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 1 0 0
• Poca solubilidad en Se y Zn
• Otros disolventes contaminan, (PbCl2)
• Algunos resultados recientes apuntan hacia el Te/Se.
• Cristales con inclusiones de Te
Crecimiento cristalino del ZnSe
Crecimiento en disolución
46
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Condiciones experimentales:
Material CVD policristalino
Preparación superficial y geometría de la muestra
Recristalización isoterma a 998 ºC
Presión de Selenio o Argón
Crecimiento cristalino del ZnSe
La recristalización en fase sólida, RSS
47
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Obtención de monocristales de excelente calidad estructural. Tamaño dependiente de la duración de la experiencia y
presión de trabajoMayor velocidad de crecimiento con la mayor presión de
selenio (10 atm)Ligera evaporación y deposición superficial en las
experiencias con baja presión de Argón (2 atm)
Crecimiento cristalino del ZnSe
Resultados:
48
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Completa Parcial(cristales del orden del cm3)
Crecimiento cristalino del ZnSeRecristalización en fase sólida
49
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Fotoluminiscencia en el ZnSe
Objetivos:
• Estudio de la respuesta fotoluminiscente en cristales obtenidos a partir de la recristalización
• Correlación de la respuesta con las condiciones de crecimiento cristalino
• Determinación de defectos e impurezas
• Modificación de la respuesta por tratamientos superficiales y térmicos
51
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
La modelización y simulación numérica como herramienta en el crecimiento cristalino
El método THM.Estudio numérico de crecimiento de
HgTe
54
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Modelización del crecimiento THM
a) Continuity equation
0)(1)(=
∂∂
+∂
∂+
∂∂
rvr
rzu
tρρρ
where ν is the fluid density, u the axial velocity and v the radial velocity.
b) Momentum equation
axial direction:
gzv
rur
rrzu
zzPvur
rruu
zu
tρµµρρρ +⎥⎦
⎤⎢⎣⎡
∂∂
+∂∂
∂∂
+∂∂
∂∂
+∂∂
−=∂∂
+∂∂
+∂∂ )(1)2()(1)()(
radial direction:
)2(1)2(1)()(1)()(rv
rrvr
rrzv
ru
zrPvvr
rruv
zv
tµµµρρρ −
∂∂
∂∂
+⎥⎦⎤
⎢⎣⎡
∂∂
+∂∂
∂∂
+∂∂
−=∂∂
+∂∂
+∂∂
where P is the static pressure,? ν is the molecular viscosity of the fluid and g is the gravitational acceleration
c) Energy equation
hSrPv
zPu
tP
rTrk
rrzTk
zvh
ruh
zh
t+
∂∂
+∂∂
+∂∂
+∂∂
∂∂
+∂∂
∂∂
=∂∂
+∂∂
+∂∂ )(1)()()()( ρρρ
where h is the enthalpy, T is the temperature, k is the thermal conductivity of the fluid and Sh is a source term
that can include sources of enthalpy.
55
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Fig. 4
Axial position (m)
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35
Tem
pera
ture
(K)
300
400
500
600
700
800
900
Experimental axial temperatureCalculated axial temperatureWall temperature
Perfil de temperatura
Modelización del crecimiento THM
El cálculo del campo de temperaturas en el horno permite la
determinación de la temperatura de las
paredes del mismo que ajusta la temperatura
axial obtenida experimentalmente
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Modelización del crecimiento THM
Proceso de resolución en tres niveles
Se determina el campo de temperaturas considerando la radiación, la conducción y la convección. Se conoce así la temperatura en la interfase de crecimiento y disolución que ajusta el valor de la concentración en el liquido junto con la longitud de la zona liquida considerando el diagrama de fases
Nivel 1
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Modelización del crecimiento THM
Proceso de resolución en tres niveles
La temperatura en las paredes de la ampolla es considerada como condición de contorno para el cálculo más exacto del campo de temperaturas en el interior de la ampolla de crecimiento y en particular la zona liquida en la que ahora incorporamos la convección.
Nivel 2
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Modelización del crecimiento THM
Proceso de resolución en tres niveles
Se plantea un proceso dinámico de desplazamiento de las temperaturas que produce una diferencia de concentraciones entre ambas interfases que ajustan el problema global teniendo en cuenta el diagrama de fases.
Nivel 3
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Pos. 0.085m
Tsta. 753.5 K
Pos. 0.090m
Tsta. 754.5 K
Pos. 0.095m
Tsta. 755 K
Pos. 0.100m
Tsta. 759.5 K
Modelización del crecimiento THM
.
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Curvas de Isoconcentración
0.511
0..506
0.510
0.515
0.512
0.5137
Posición 0.090m
Posición 0.125m
Modelización del crecimiento THM
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Lingote de HgTe
Modelización del crecimiento THM
Puerta abierta al trabajo experimental
Programa coordinado de alimentación de potencia en función del intercambio “real” de calor
Los primeros resultados experimentales han conducido a un desplazamiento y reducción de la zona con inclusiones