광모듈설계기술 - KISTIgift.kisti.re.kr/data/IAC/files/KISTI_200408_LBR_optic... · 2008. 11....

2004. 8

광모듈 설계기술

머 리 말

산업사회가 지식기반사회로 이전됨에 따라 지식기반경제의 핵

심인 지적재산에 대한 가치평가의 중요성이 점점 더 부각되고 있

습니다. 과거에 건물, 토지, 기계자원 등과 같은 유형자산이 기업

의 경쟁우위 요소였다면 지식기반경제에서는 기술, 지식 등과 같

은 무형자산이 부가가치 또는 부를 창출하는 원천이 되는 시대라

고 할 수 있습니다. 또한 참여정부에서 추진 중인 국가기술혁신체

제에서 연구성과물의 확산 및 사업화촉진을 위한 필요조건으로

기술가치평가 시스템의 중요성이 강조되고 있습니다.

기술개발과 생산, 최종소비, 그리고 새로운 기술개발과 기술투

자로 이어지는 국가 R & D와 산업의 순환 연계를 선순환 기술혁

신이라 할 수 있을 것이고 기술가치평가는 이러한 기술혁신의 핵

심적인 위치에 자리 매김하고 있습니다. 이에 여러 기관이 특허,

노하우 등 광의의 기술 또는 지적재산권에 대한 가치평가를 위한

이론적 연구와 실용적 모델개발, 개별기술에 대한 기술가치 평

가·분석법 연구를 수행해 왔습니다.

이처럼 기술가치평가 분야에서 실질적인 활동이 이루어져 왔음

에도 불구하고 기술가치 평가사례에 대한 정보는 극히 제한적으

로만 공개되고 있다는 문제점 때문에 관련 사례에 대한 정보를

보다 신속하고 편리하게 활용할 수 있는 통합 D B의 구축은 지금

까지 이루어지지 못한 상태입니다. 이러한 이유로 유사 사례들의

참조를 통한 기술가치평가의 신뢰성과 객관성을 확보하는데 많은

한계를 느끼고 있는 실정입니다.

한국과학기술정보연구원( K I S T I )은 실용화가 가능한 기술에 대

한 기술이전을 촉진하기 위해 무형의 자산인 기술을 다양한 시각

을 통해 그 숨은 가치를 찾아내어 반영하고, 동시에 학제적 접근

방식을 사용하여 기술가치 평가·분석업무를 수행해 왔습니다.

또한 국가의 기술혁신 촉진을 통해 기술경쟁력을 강화하고, 과학

기술과 산업의 발전을 선도하기 위한 여러 가지 연구업무를 추진

하고 있습니다. 그 중 한 가지인 기술가치평가는 공공 연구기관

등이 R&D 활동을 통해 얻은 기술과 관련된 지식과 정보를 기술

개발 주체들이 손쉽게 접근하고 원활히 유통할 수 있도록 하기

위한 활동으로서, 본 연구원은 R&D 결과의 산업계 연계를 위한

제반사업들을 추진하고 있습니다.

특히 기술가치평가 분야에서 분석사례 정보에 대한 접근이 매

우 어려운 현실을 감안할 때 기술혁신과 국가 경쟁력 강화를 위

해서는 당해 정보의 생산은 물론, 폭넓은 확산이 절실히 요구된다

고 할 수 있습니다. 이에 기술가치평가 전문가들과 관련업무 담당

자들이 참고할 수 있도록 K I S T I에서 수행한 기술가치평가 분석

결과를 정리하여 책자로 엮게 되었습니다.

이러한 사례의 확산은 적용기법과 분석과정에 대한 유용한 지

식과 정보를 제공할 수 있을 것으로 기대합니다. 그러나 이러한

지식과 정보의 공개는 자칫 기술보유 또는 기술개발 주체의 대외

적인 사업추진에 장애가 될 수 있다는 우려 때문에 사례를 정리

하는 과정에서 구체적인 기관명이나 기업명, 특허출원번호 등 일

부 정보는 밝히지 못하였으며, 분석에서 적용된 수치가 많은 경우

논술의 의미를 벗어나지 않는 범위 내에서 조정되었음을 알려드

립니다.

이 책자에 제시된 기술가치평가 사례가 완벽한 분석과정을 거

쳐 완성된 것이라고 할 수는 없습니다. 그러나 국내의 기술가치

평가분야의 사례정보가 많지 않은 현실에서 2 0 0 2년부터 이러한

자료를 발간한다는 점에서 그 의미를 부여할 수 있으며, 당해 분

야에 관심이 있는 독자들에게 충분히 유용한 정보를 제공할 수

있을 것으로 기대합니다.

본 연구를 위해 함께 참여해 주신 기술가치평가 포럼 내외부

전문가 여러분과 그리고 집필에 필요한 자료를 제공 해 주신 분

께 깊은 사의를 표합니다.

끝으로 본 책자에 소개된 기술의 가치평가 결과는 본 연구원의

공식적인 평가결과가 아니라 연구자들의 주관적인 견해가 포함되

어 있음을 밝혀두고자 합니다.

2 0 0 4년 8월

한국과학기술정보연구원

원 장

제1장 평가결과요약…………………………………………………………1

제2장 평가대상기술의개요 ………………………………………………3

제1절 기술의 개요 및 효과……………………………………………………3

제2절 기술의 구성 및 특징……………………………………………………4

제3장 기술및 특허동향분석………………………………………………7

제1절 기술동향 …………………………………………………………………7

1. 광 모듈의 기술 현황 …………………………………………………………………………7

2. 광접속 모듈 기술 ……………………………………………………………………………1 3

3. 광원/광검출기 및 고속 전자소자 기술……………………………………………………1 5

4. 광결합 및 광접속 기술 ……………………………………………………………………1 6

5. 광모듈 기술의 발전방향 ……………………………………………………………………1 8

제2절 특허동향 ………………………………………………………………2 0

1. 한국 특허 ……………………………………………………………………………………2 0

2. 미국 특허 ……………………………………………………………………………………2 2

3. 일본 특허 ……………………………………………………………………………………2 4

제4장 시장동향분석 ……………………………………………………2 7

제1절 시장규모 및 현황………………………………………………………2 7

i

목 차

제2절 업체 동향 ………………………………………………………………3 2

제5장 기술가치분석………………………………………………………3 7

제1절 기술가치평가의 목적과 방법…………………………………………3 7

1. 기술가치평가의 목적 ………………………………………………………………………3 7

2. 기술가치평가의 방법론 ……………………………………………………………………3 8

제2절 현금흐름할인법의 적용 ………………………………………………4 5

1. 매출액의 추정 ………………………………………………………………………………4 7

2. 기타 재무정보 추정 …………………………………………………………………………4 8

3. 법인세 …………………………………………………………………………………………4 8

4. 감가상각비 등 ………………………………………………………………………………4 9

5. 할인율과 현가계수 …………………………………………………………………………4 9

6. 기술기여도 ……………………………………………………………………………………5 1

제3절 상관행법의 적용 ………………………………………………………5 5

제4절 비용접근법의 적용 ……………………………………………………5 6

제5절 가치평가 종합결론 및 한정조건 ……………………………………5 7

1. 평가대상 기술의 가치결론 …………………………………………………………………5 7

2. 가정 및 한정조건 ……………………………………………………………………………5 7

참고문헌 ……………………………………………………………………5 9

i i

표 목차

<표 3-1> 회사별 VCSEL 어레이 규격……………………………………………………1 5

<표 3-2> 회사별 PD 어레이 규격…………………………………………………………1 6

<표 4-1> 광 송수신 모듈 시장전망 ………………………………………………………2 8

<표 5-1> 소득접근법의 특성 ………………………………………………………………3 9

<표 5-2> 코스닥 상장 광모듈 및 광전송장비 제품 기업군……………………………4 6

<표 5-3> 유사기업군의 대차대조표 항목…………………………………………………4 6

<표 5-4> 유사기업군의 손익계산서 항목…………………………………………………4 7

<표 5-5> 산업분류별 할인율 일부…………………………………………………………5 0

<표 5-6> 산업별 기술자산 구성비율의 예 ………………………………………………5 2

<표 5-7> 현금흐름할인법에 의한 기술가치산정…………………………………………5 4

<표 5-8> 상관행법에 의한 기술가치 산정 ………………………………………………5 5

<표 5-9> 비용접근법에 의한 기술가치 산정 ……………………………………………5 6

그림목차

<그림 3-1> 광 송신모듈(왼쪽)과 광수신 모듈의 구성도 ………………………………8

<그림 3-2> 일반적인 광 송수신모듈의 예…………………………………………………8

<그림 3-3> 집적화된 광 송수신모듈의 예…………………………………………………8

<그림 3-4> 광통신 기술발전 로드맵………………………………………………………1 0

<그림 3-5> 광접속 모듈 개념도……………………………………………………………1 1

<그림 3-6> 광접속 모듈의 블록 다이어그램 ……………………………………………1 2

<그림 3-7> 광접속 모듈의 응용……………………………………………………………1 2

<그림 3-8> 광접속 모듈 개발 현황 ………………………………………………………1 4

<그림 3-9> 유무선 통신 광 모듈 기술로드맵……………………………………………2 0

<그림 3-10> 시계열 건수분석(한국특허)…………………………………………………2 1

i i i

<그림 3-11> 출원인 랭킹분석(한국특허)…………………………………………………2 2

<그림 3-12> 시계열 건수분석(미국특허)…………………………………………………2 3

<그림 3-13> 출원인 랭킹분석(미국특허)…………………………………………………2 3

<그림 3-14> 시계열 건수분석(일본특허)…………………………………………………2 4

<그림 3-15> 출원인 랭킹분석(일본특허)…………………………………………………2 5

<그림 4-1> 광 접속 모듈의 시장 전망……………………………………………………3 0

<그림 4-2> 응용분야별 광접속 모듈의 시장전망 ………………………………………3 1

<그림 5-1> 기술평가 구조도 ………………………………………………………………4 0

<그림 5-2> 기업수명곡선……………………………………………………………………4 3

i v

1

본 보고서는“광모듈 설계기술”에 대한 기술가치평가에 관하여

기술하고 있다.

평가대상 기술은 2 0 0 1년부터 2 0 0 2년까지 2년동안 개발되었으며,

2 0 0 3년에 상용화를 준비하여 2 0 0 4년부터 본격적인 매출을 올릴

것으로 기대하였고, 평가시점은 2 0 0 3년 말을 기준으로 하였다.

평가대상 기술이 기술이전 되고 상용화되는 경우를 가정하였으

며, 매출액을 추정하여 비슷한 규모의 매출 실적을 올리는 기업군

의 재무정보를 활용하였다.

평가 대상기술에 대한 무형자산의 기술가치를 현금흐름할인법,

상관행법, 비용접근법에 의해 평가해 보았다. 이에 따른 평가가치

는 다음과 같다.

- 현금흐름할인법 : 1,189백만원

- 상관행법 : 1,459백만원

- 비용접근법 : 472백만원

비용접근법에 의한 기술가치는 참고적으로 활용하면 될 것으로

제1장

평가결과 요약

사료된다. 평가 결과를 기준으로 볼 때 당해 기술의 가치는 약

1,189 백만원 ~ 1,459백만원이 적정한 범위인 것으로 추정된다.

2 광모듈 설계기술

제1절 기술의개요및 효과

본 기술은 광섬유를 통해 광신호를 송신하거나 광섬유로부터

광신호를 수신하기 위한 광 송수신 모듈에 관한 것이다. 본 기술

은 광도파로를 이루는 코어의 테이퍼부 종단에 곡면의 반사면을

형성하여 광의 정확한 경로 변경 및 집속이 이루어지도록 한다.

또한, 광도파로가 삽입된 페룰이 어뎁터에 고정되도록 하여 광도

파로와 광원부/광검출부 간의 정렬오차가 최소화되도록 하므로써

광 신호가 전달되는 과정에서 결합 손실이 최소화되어 광 출력이

증대된다. 수동정렬에 의한 광결합시 정렬오차 허용범위가 비교

적 넓어 생산성이 뛰어난 장점이 있어 저렴한 비용으로 광 연결

을 이룰 수 있도록 한다.

본 기술은 광도파로를 이루는 코어에 테이퍼부를 형성하고, 테

이퍼부의 종단에 곡면의 반사면이 형성되도록 하여 광 신호의 정

확한 경로 변경 및 집속이 이루어지도록 한다. 따라서 광 신호가

전달되는 과정에서 결합손실이 최소화되어 광 출력이 증대된다.

3

제2장

평가대상기술의 개요

제2절 기술의구성및 특징

본 기술은 광도파로를 이루는 코어의 테이퍼부 종단에 반사면

을 곡면으로 형성하여 광의 정확한 경로 변경 및 집중이 이루어

지도록 하고, 광도파로가 삽입된 페룰이 어뎁터에 고정되도록 하

여 광도파로와 광원부/광검출부 간의 정렬오차가 최소화되도록

하므로써 단점을 해소할 수 있는 광 송수신 모듈을 제공하는 데

그 목적이 있다.

본 기술은 기판, 광원부, 광검출부, 구동부, 수신부, 어뎁터, 광

도파로 등으로 구성되어 있다. 상세하게는 전극패드 및 소정의 회

로패턴이 형성된 기판이 있고, 기판 상에 구비되며 광신호를 발생

시켜 개구부를 통해 외부로 방출하는 광원부가 있다. 외부로부터

개구부를 통해 입사되는 광신호를 수신하여 전기적 신호로 변환

하는 광검출부와, 기판 상에 구비되며 전극패드를 통해 공급되는

전기적 신호에 따라 광원부를 구동시키는 구동부가 있다. 광검출

부로부터 공급된 전기적 신호를 증폭시켜 전극패드를 통해 출력

하는 수신부와, 광섬유와 연결된 콘넥터와 접속되는 어뎁터가 있

다. 하부 및 상부 클래드층 간에 코어가 형성되며 코어의 일부분

에는 테이퍼부가 형성되고 테이퍼부 종단의 코어에는 반사면이

형성된 광도파로가 있다. 광도파로를 어뎁터에 고정시키기 위한

페룰을 포함하여 이루어지며, 개구부와 반사면이 대향되도록 기

판과 어뎁터가 결합된 것을 특징으로 한다.

상기 테이퍼부는 일측부가 다른 일측부보다 점점 넓어지는 깔

때기 모양으로 형성되고, 상기 반사면은 4 5。의 경사각을 이루는


곡면으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 페룰의 중앙부에는 광도파로가 삽입되는 도파로홀이

형성되고, 도파로홀의 양측부에는 어뎁터와의 결합을 위한 가이드

핀이 삽입되는 가이드홀이 형성되며, 도파로홀의 상부에는 광도파

로를 고정시키기 위한 고정홀이 형성된 것을 특징으로 한다.

종래에는 8 5 0 n m의 단파장 대역에서 사용 가능한 V C S E L을 광

원으로 사용하였으나, 최근에는 1,300nm 및 1 , 5 5 0 n m의 장파장 대

역에 사용 가능한 V C S E L이 개발됨에 따라 장거리용 단일 모드

VCSEL 광 송수신 모듈의 구현이 가능해졌다. 그리고 단일 모드

광도파로의 코어(Core) 크기도 다중 모드에 비해 상당히 작아지

기 때문에 표면방출 레이저(VCSEL) 또는 포토 다이오드( P D )와

의 광 결합 및 정렬을 위한 새로운 기술 개발이 요구된다.

본 기술은 광섬유와의 결합을 용이하게 하며 결합손실을 최소

화시키므로써 대용량, 고밀도화된 데이터를 고속으로 전송할 수

있도록 한 개선된 구조의 광 송수신 모듈을 제공한다.

본 기술에 따른 광 송수신 모듈은 크게 광섬유와 연결된 콘넥

터와 접속되는 광접속부, 입력되는 전기적 신호를 광신호로 변환

하거나 수신되는 광신호를 전기적 신호로 변환시키기 위한 광원

부 및 광검출부, 상기 광접속부를 통해 전달되는 광 신호를 상기

광검출부로 전달하거나 상기 광원부로부터 방출되는 광 신호를

상기 광섬유로 전달하기 위한 광결합부로 이루어진다.

본 기술은 광도포로를 제작하기 위해 Hot embossing 공정을 도

입하여 저가격화 및 대량생산이 가능한 광소자를 개발하고자 하

였다. Hot embossing용 Mold master를 제작하기 위해 필요한

제2장 평가대상기술의 개요 5

P h o t o - m a s k를 설계에 따라 제작하였다. 고분자 광도파로 소재는

열광학계수, 복굴절률 및 열안정성을 평가하여 Hot embossing 공

정에 적합한 열가소성 고분자인 P M M A를 Clad 소재로, UV 경화

가 가능한 UV 경화 E p o x y를 Core 소재로 설계하였다. 또한

PMMA/PVDF 용융혼합에 의해 굴절률을 미세하게 제어할 수

있는 새로운 Hot embossing 공정용 소재를 개발하였다.


제1절 기술동향

1. 광모듈의기술현황

광 송수신모듈은 광 송신모듈과 광 수신모듈이 하나의 패키지

내에 집적화된 제품이다1 ). 광 송신 모듈은 장비에서 전기적 신호

를 받아 발광 소자인 LED 또는 LD(Laser Diode)를 구동하여 광

신호로 변환시킨다. 광 수신모듈은 F i b e r를 통해 전송되어 온 미약

한 광 신호를 수광 소자인 P D에서 전기 신호로 변환하고, 주 증폭

기에서 증폭하여 데이터를 장비로 보내거나, CDR(Clock and Data

R e c o v e r y )에서 C l o c k을 추출하여 D a t a와 C l o c k을 장비로 보낸다.

광 송수신모듈은 기능적으로 일반적인 광 송수신 모듈과 다양

한 기능이 추가된 광 송수신 모듈로 구분되며, 일반적인 광 송수

신모듈로는 일반 TRV(Transceiver), SFF, GBIC, SFP, XFP 등이

있다.

7

제3장

기술 및 특허동향 분석

1) 전자정보센터, “유망전자기기ㆍ부품 현황분석”, 2004

집적화된 광 송수신모듈로는 Transponder, XENPAK, XPAK

등이 있다.

초기 광 통신용 광 송수신모듈은 MM(Multi Mode) 제품으로


<그림 3-1> 광 송신모듈(왼쪽)과 광수신 모듈의 구성도

<그림 3-2> 일반적인 광 송수신모듈의 예

(a) 일반 T R V (b) SFF (c) GBIC (d) SFP (e) XFP

<그림 3-3> 집적화된 광 송수신모듈의 예

(a) XENPAK (b) XPAK (c) Transponder

주로 저가의 가입자 망의 단거리 광 통신용으로 사용하였으나, 광

소자 기술의 발달과 송신기 구동소자와 수신기 증폭회로 및 C D R

의 One Chip Solution으로 작고, 저 전력이며, 저가의 광 송수신모

듈이 구현 가능하여 기간 망으로 영역이 확대되고 있다. 또한

SM(Single Mode) 광 송수신모듈의 대량 생산으로 중장거리 통신

에도 저가의 광 송수신모듈이 사용되고 있다.

광 송수신모듈은 사용되는 전송 속도에 따라 1 0 0 M급, 1G급,

1 0 G급 광 송수신 모듈이 있으며, 공동 시장을 형성하기 위해 제

품별로 표준화 작업을 하여 호환이 될 수 있도록 M S A ( M u l t i

Source Agreement)를 체결하여 제품을 개발 판매하고 있다.

광통신용 광 모듈은 장거리 전송망의 축소와 단거리 M e t r o망의

증가 및 이더넷 장비의 수요 증가에 따라서 전문 광 부품업체의

등장으로 전송 속도 및 적용 분야에 따라 M S A ( M u l t i s o u r c e

Agreement) 규격의 제품이 등장하였다2 ). 가입자망의 수요 증가에

따라 M e t r o망과 이더넷 장비의 고속화가 급속히 진행되고 있으

며, Metro망의 경우 WDM(Wavelength Division Multiplxer) 방식

의 장비가 적용되고 있고, 이더넷 장비의 경우 1 0 0 M급에서 G급

이상으로의 고속화가 진행되고 있다.

광 송수신모듈이 주로 사용되는 전송속도는 1 0 0 M급이나, 최근

에는 G급 이상의 전송 속도에서도 광 송수신 모듈의 적용이 확

대되고 있다. 전송거리에서도 MM 광 송수신 모듈을 이용한 단거

리 전송에서 SM 광 송수신모듈을 이용한 중거리 또는 장거리 전

제3장 기술 및 특허동향 분석 9

2) 전자부품연구원, “유무선 통신용 광 모듈 기술로드맵”, 전자정보센터

송 시에도 광송수신모듈의 적용이 확대되고 있다.

패키지 형태는 초기에 일반 T R V에서 SFF 형태로 변경 중에

있다. 광장비의 용량 확대와 통신용 전기 소자의 소형화/고집적화

에 따라 일반 T R V의 절반 크기의 S F F의 수요가 증가하고 있다.

적용 형태로는 기존의 고착형태에서 전송 속도 및 전송 거리에

따라 광 송수신모듈을 운용자가 쉽게 교체할 수 있는 P l u g g a b l e

형태의 GBIC 또는 광 장비의 집적화를 위해 G B I C의 절반 크기

인 SFF 제품이 출시되고 있다.

또한 가입자 망의 고집적화로 광 C o r e의 수량이 증대되어 광

C o r e를 감소할 수 있는 WDM 기술의 급속한 확장으로 향후 광

1 0 광모듈 설계기술

<그림 3-4> 광통신 기술발전 로드맵

송수신 모듈 시장에서는 BiDi 또는 C W D M용 광 송수신모듈은

필수적인 요건이 되고 있다.

E - P O N에 사용되는 ONU 모듈은 일반 데이터 통신용뿐만 아

니라 CATV 신호를 수신할 수 있는 CATV 수신기가 내장되기에

패키지 구조도 기존의 ONE 모듈과는 다르게 RF 신호와 디지털

신호를 동시에 처리할 수 있도록 설계되어야 하며, 소형화가 필수

적이다.

광접속 모듈은 고속 대용량의 광신호를 병렬로 전달하는 데 사

용되며, 전기적 접속의 병목현상을 해결할 수 있는 유일한 대안

기술의 하나이다. <그림 3-5> 및 <그림 3 - 6 >에서는 고속 병렬 광

접속 모듈의 개념도 및 블록 다이어그램을 묘사하고 있다. 한

제3장 기술 및 특허동향 분석 1 1

<그림 3-5> 광접속 모듈 개념도

PCB 위에 VCSEL 광원, 폴리머 광도파로 및 다채널 광커넥터와

전기회로 부분인 VCSEL/PD 구동회로가 서로 연결되는 구조와

패키징 되는 관계를 보여주고 있다. 광접속 송신 모듈은 물리계층

의 전기신호가 다중화된 고속의 데이터를 구동회로를 통하여 광

신호로 변환하여 원하는 장소로 전송한다. 광접속 수신 모듈은 병

렬로 입력되는 광신호를 전기신호로 변환한 다음 증폭, 재생 및


<그림 3-6> 광접속 모듈의 블록 다이어그램

<그림 3-7> 광접속 모듈의 응용

역다중화하여 물리계층으로 다시 보내어진다. 모듈의 응용분야는

<그림 3 - 7 >과 같이 (a) 보드간용, (b) 점대점용 등의 형태로 나뉘

어질 수 있다.

2. 광접속모듈기술3 )

<그림 3 - 8 >에서는 각 회사 및 프로젝트별 기술개발 현황을 보

여주고 있다. 일본의 N T T에서는 1 T b p s급 ATM 스위칭 시스템

에 보드간 광접속용으로 1 9 9 9년에 P a r a B I T를 제안하였다. Para

B I T - 0라고 불리는 front-end 모듈의 시제품은 총 전송용량이

28Gbps(700Mbps, 40ch)이다. 그 이후, 보다 높은 처리용량, 저 가

격화 및 소형화 관점에서 2 0 0 0년에 새로운 버전의 P a r a B I T - 1을

개발하였으며, 이것은 총 전송용량이 60Gbps(1.25Gbps, 48ch) 개

발 목표로 설계되었다. p형 GaAs 기판 위에 성장한 VCSEL 어레

이와 TMB(Transferred Multichip Bonding)라고 불리는 정밀 칩

다이본딩 기술이 포함되어 있는 ParaBIT-0 개발 기술 이외에,

P a r a B I T - 1을 위해서 새로운 기술과 새로운 부품을 개발하여 고밀

도 패키징 구조와 저가격화에 유리하게 광결합부를 개선시켰다.

일본의 N E C에서는 1 9 9 9년에 총 전송용량이16Gbps(1Gbps, 2×

8 c h )인 2-D VCSEL 모듈을 개발하였다. 이 모듈의 가장 큰 특징

은 2차원적으로 집적화한 것이며, 2-D 광커넥터에 의해 p u s h - p u l l

접속이 가능한 플라스틱으로 사출 성형된 r e c e p t a c l e형 모듈이기

때문에 제조원가의 저가격화를 실현시켰다. 또한 플립칩 솔더 본


3) 한상필 외, “광접속 모듈의 기술 현황 및 발전전망”, 한국전자통신연구원

딩과 ball-guide 다이 본딩 방법을 이용하여 정밀도 높은 수동정

렬을 가능케 하였다. 독일의 I n f i n e o n에서는 2 0 0 0년에 총 전송용량

이 30Gbps(2.5Gbps, 12ch)인 PAROLI 모듈을 개발하였으며, 이

모듈은 채널당 데이터 전송속도가 2 . 5 G b p s로써 위에서 언급한 타

회사 모듈보다 2배 정도 큰 특징이 있다. 이 밖에 광 연결용 병렬

광접속 모듈을 취급하고 있는 회사 및 프로젝트는Oki, Fujitsu,

Hitachi, POINT, POLO, Optobus, ChEEtah, OETC, Jitney 및

STAR 등이 있다. 일본 N T T에서 발표한 P a r a B I T - 1은 채널 수가

4 8채널로 가장 많으며 BF(Bare Fiber) 광커넥터로 구성되어 있는

것이 특징이고, 일본의 NEC 제품은 2차원 구조의 광원/광검출기

및 광커넥터를 사용한 것과 독일의 Infineon 제품인 P A R O L I는

채널 당 전송속도가 2 . 5 G b p s로 가장 빠른 것이 특징이다.


<그림 3-8> 광접속 모듈 개발 현황

3. 광원/광검출기및고속전자소자기술

V C S E L은 병렬 광접속 모듈의 광원으로 각광을 받고 있다.

V C S E L은 1 ~ 1 0 G b p s의 고 전송속도, 저 소비전력, 저 방사각( 1 0。

내외) 출력빔, 광섬유와의 고 결합효율, 평면 기하학 구조, 고 수

율 및 P D와 동일한 패키지를 사용하여 패키징의 저 가격화가 가

능하기 때문에 광송신 모듈의 광원으로 널리 사용되고 있다. 현재

세계적으로 많이 쓰이고 있는 광접속 모듈용 VCSEL 및 PD 어

레이 규격을 <표 3-1> 및 <표 3 - 2 >에 수록하였다.

최근에 1 . 3 ~ 1 . 5㎛ 대역의 장파장 V C S E L을 구현하기 위해서

다양한 구조들이 연구되고 있다. 장파장 대역의 V C S E L은 G a A s

기판을 이용한 8 5 0 n m의 단파장에 비하여 높은 반사율의 거울 생

성을 위한 재료 선택의 어려움이 있다. 그리고 auger 재결합에 의

한 낮은 양자 효율, 낮은 밴드 불연속성에 의한 누설 전류 증가,


<표 3-1> 회사별 VCSEL 어레이 규격

P a r a m e t e r s E M C O R E T r u e l i g h t C S E M H o n e y w e l l

W a v e l e n g t h 8 3 0 ~ 8 6 0 n m 8 3 0 ~ 8 6 0 n m 8 4 0 ~ 8 6 0 n m 8 4 0 ~ 8 6 0 n m

Number of channels 1×12 array 1×12 array 1×10 array 1×12 array

P i t c h 2 5 0㎛ 2 5 0㎛ 2 5 0㎛ 2 5 0㎛

Threshold current 4 m A 4 m A 2 m A 3 m A

Output power 2 m W 1 m W 5 m W 2 m W

Beam divergence 10 degree 12 degree 12 degree 12 degree

B a n d w i d t h 1 1 0 p s > 2GHz > 3GHz > 3GHz

Forward voltage < 2.2V < 2.2V < 1.0V < 2.2V

Slope efficiency 0 . 3 5 m W / m A 0 . 3 m W / m A 0 . 4 m W / m A 0 . 3 5 m W / m A

Operating temperature + 1 5 ~ + 8 0℃ - 2 0 ~ + 8 0℃ 0 ~ + 7 0℃ 0 ~ + 7 0℃

그리고 낮은 열전도성 등에 의하여 구현상 어려움을 가지고 있다.

고속의 다채널 VCSEL 및 P D를 구동시키기 위해서는 고속의

전자소자가 필요하다. 광접속 모듈에서 요구되는 데이터 전송속

도는 수Gbps 정도이기 때문에 수십 G b p s급의 GaAs 전자소자보

다는 비교적 경제성이 있는 SiGe HBT 소자나 Si CMOS 혹은 S i

BiCMOS 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, Si CMOS 혹

은 Si BiCMOS 소자 기술은 현재 전세계적으로 2 . 5 G b p s의 전송속

도를 만족하지 못하고 있어 2 . 5 G b p s급 VCSEL/PD 구동은 S i G e

HBT 또는 SiGe BiCMOS소자 기술로 구현할 필요가 있다.

4. 광결합및광접속기술

칩간, 보드간 및 시스템간 광접속 기술은 광모듈의 V C S E L과


<표 3-2> 회사별 PD 어레이 규격

P a r a m e t e r s Opto Speed T r u e l i g h t L a s e r m a t e H o n e y w e l l

M a t e r i a l In GaAs/InP I n G a A s G a A s I n G a A s

W a v e l e n g t h 8 5 0 n m 8 5 0 n m 8 5 0 n m 8 5 0 n m

Number of channels 1×12 array 1×12 array 1×12 array 1×12 array

P i t c h 2 5 0㎛ 2 5 0㎛ 2 5 0㎛ 2 5 0㎛

R e s p o n s i v i t y > 0.4A/W > 0.55A/W > 0.5A/W > 0.6A/W

C a p a c i t a n c e < 0.7pF < 1.2pF < 2pF < 0.5pF

Dark Current < 40nA < 9nA < 9nA < 5nA

B a n d w i d t h 8 0 p s 1.5GHz(at 5V) > 1GHz > 4GHz

Reverse voltage < 20V < 20V < 20V < 20V

Forward current < 5mA < 5mA > 100㎛ > 100㎛

Operating temperature - 2 0 ~ + 8 5℃ - 2 0 ~ + 8 5℃ - 2 0 ~ + 8 5℃ - 2 0 ~ + 8 5℃

PD 사이를 접속 또는 연결시키는 기술로서 자유공간, 평판 유리,

폴리머 광도파로 및 리본 광섬유 등을 이용한 네 가지 방법이 주

로 연구되고 있다. 일반적으로, 수 cm 정도의 광연결을 하기 위

해서는 자유공간 및 평판 유리에 의한 광접속 방법을, 수십 c m

정도의 광연결을 하기 위해서는 폴리머 광도파로에 의한 광접속

방법을, 100m 정도의 광연결을 하기 위해서는 리본 광섬유에 의

한 광접속 방법을 이용한다.

자유공간 접속방법은 자유공간에서 고속으로 신호의 손실없이

3차원적인 연결을 달성할 수 있는 이점이 있으나, 광경로 정렬과

패키징에 어려움이 있어 저가격화에 불리하며, 더욱이crosstalk 없

이 수십 cm 이상 연결하는 데는 어려운 점이 있다. 이러한 이유

로 평판의 보드 상에서 연결되는 CPU 간 연결에 주로 이용되며,

수십 cm 이상의 거리에서의 박스간 백플레인 연결에는 불리한

방법이다.

평판유리를 통한 연결방법은 보드 상에서 평판으로 배열할 수

있고, 데이터 연결 채널의 집적도를 높일 수 있는 장점이 있으나,

수십 cm 이상 링크하기에는 손실이 크고 유리판 두께의 비균일

성에 의해 점대점 연결에서 필요한 정밀도를 만족하기가 힘든 문

제가 있다. 이 방법은 수 cm 이내의 칩간 연결에는 유용하나 수

십 cm 이상의 백플레인 연결에서는 적합하지 않다.

폴리머 광도파로 접속방법은 수십 c m까지의 칩 간, 보드 간의

연결에 적합하고, 특히 제작비가 저렴하여 광접속 모듈을 실용화

하기에 유리하다. 그러나 기판의 표면으로 방출되는 VCSEL 어

레이와 표면으로 수광하는 PD 어레이 사이에 2차원적 연결을 실


현하기가 어렵다.

리본 광섬유 접속방법은 비교적 수십 c m에서 수백 m의 먼거

리까지 적은 손실로 점대점 연결을 유지할 수 있는 장점이 있다.

따라서 수십 cm 이상 떨어진 보드－보드 사이, 박스－박스 사이,

또는 시스템－시스템 사이의 광연결에 유리하다. 수 cm 이내에

떨어진 CPU 칩 간 연결에는 광섬유 연결방법은 적합하지 않다.

5. 광모듈기술의발전방향

광접속 모듈 기술은 Infineon, Mitel, Picolight, Gore, HP 등에서

1 2채널, 2.5Gbps 급의 상용화를 발표하였으며, 고속·대용량 전송

을 위한 채널 당 전송속도는 2.5Gbps 이상과 총 전송량은 5 0 G b p s

급 또는 그 이상을 목표로 연구 진행중에 있다. 채널 당 전송속도

의 상승으로 광접속 모듈 패키징의 데이터 입출력 핀의 구조가

S M D형에서 B G A형으로 연구 진행중에 있다.

광접속 모듈은 다채널화를 추구하여 최대 4 8채널이지만, 상용

화된 다채널 광커넥터는 1 2채널까지이다. 광접속 기술은 고속ㆍ고

밀도화를 추구하는 방향으로 모든 표준화(10Gbps Ethernet,

10Gbps Infiniband, 9.6Gbps OC－192) 및 연구개발이 진행중에 있

다. 초다채널, 고밀도 광섬유 접속을 위한 2D 광커넥터에 대한 연

구가 진행되어 2 0 0 5년 이후 2D 광커넥터 상용화가 예상된다.

광접속 모듈의 광결합용으로 사용되는 고분자 광도파로 기술은

저가형 광도파로 제작을 위한 공정 개발 연구가 선진국의 여러기

관(iMM, CSEM, IMT, PSI 등)에서 활발히 진행중이며, 고속 광


대역 통신을 위한 플루오르 화합물 도입 등 저손실 고분자 재료

에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 고분자 도파로 제작 공정

의 생산성을 높이기 위해 다양한 공정 연구(laser direct writing,

direct UV patterning, hot embossing 등)가 진행되고 있다.

광접속 모듈의 응용분야는 rack-to-rack, board-to-board 연결,

스위치, 라우터 및 전송장비, 병렬 컴퓨터의 m u l t i - p r o c e s s o r

(Infiniband), OC-192 VSR, 10GbE, optical backplane, 광가입자망,

자동화기기, 항공기 등의 신호체계에 적용되고 있다.

유무선 통신용 광 모듈은 FTTH 서비스의 실현에 따라 M / C

또는 PON 장비에 적용되고, 이를 받쳐주는 이더넷과 M e t r o망의

증가로 인해 활성화될 전망이다. 또한 이동 통신용 광 부품은 지

난 몇 년간 급격히 증가하였으나, 2G 서비스 이후 새로운 신규

시장의 창출이 없어 보합 내지는 축소될 전망이다.

데이터 통신용 광 부품은 기존의 이더넷이나 SDH/SONET 계

열의 전송 속도로 구분되나 팩키지는 운용 중에도 쉽게 교체가

가능한 Pluggable 형태로 진행되고 광 모듈 자체의 운용 중 성능

을 평가하고 사용되는 Fiber Type(SM, MM), 전송거리(IM, SH,

LH), 제조사 등의 정보를 확인할 수 있는 Diagnostic 기능을 가진

형태이다.

핵심부품으로는 이더넷망을 위한 1 G ~ 4 G H z와 10GHz DFB-

LD, Metro망을 위한 CWDM 및 DWDM DFB-LD와 이를 구동하

는 일반 또는 Burst 모드용 드라이버 IC 및 Limiting 앰프 등이

있으며, 관련 기술로는 F T T H를 위한 저가의 Tri-plexer 제작기술

과 Pluggable 제품의 EMI 방지 Case 설계 기술, 10G 광소자 패키


지 기술, 고집적화를 위한 저전력 및 효율적인 열발산을 위한

Case 설계 그리고 광 모듈 성능을 감시하는 Diagnostic 기능 설계

기술 등이 있다.

제2절 특허동향

1. 한국특허

한국특허는 공개특허를 대상으로 조사하였으며 2가지 방법을


<그림 3-9> 유무선 통신 광 모듈 기술로드맵

이용하여 유사특허를 조사하였다. 첫째로 분류코드 H O 4 B - 1 0 / 0 2

를 이용하여 유사특허를 조사하였으며, 둘째로 색인어를 이용하

여 검색하였는데, 색인어로는 광송수신, 광접속, 광연결, 광콘넥터,

광도파로를 이용하였다. 2가지 방법에 의해서 조사된 유사특허문

건은 총 3 7 5건으로 조사되었다. <그림 3 - 1 0 >은 연도별 특허출원건

수를 나타내고 있다. 한국특허는 9 0년대 중반부터 출원이 점차증

가하기 시작하였다는 것을 확인할 수 있으며, 또한 최근에 활발하

게 출원이 이루어지고 있는 것으로 보아 현재 기술개발이 활발하

게 진행되고 있는 분야로 생각할 수 있다. <그림 3 - 1 0 >에서 2 0 0 3

년에 출원이 급격하게 감소한 것은 아직 출원된 특허가 공개되지

않은 것으로 해석되어야 하며, 출원추세를 감안한다면 계속적으

로 출원이 증가한다고 보아야 타당할 것이다. <그림 3 - 1 1 >은 한국

특허의 출원인 랭킹분석을 상위 1 0개만을 보여주고 있다. 순위별


<그림 3-10> 시계열 건수분석(한국특허)

로 보면 삼성전자가 가장 많은 특허를 출원하였고, 그 다음으로

한국전자통신연구원, 한국통신공사, 엘지전자, 한국과학기술원이

뒤를 잇고 있다.

2. 미국특허

미국특허는 등록특허를 대상으로 하였으며, 색인어로는 O p t i c a l

Module, Optical Transceiver, Optical Connector를 이용하여 유사특

허를 조사하였으며 조사된 총 특허문건은 9 6 1건이었다. 시계열로

건수분석을 나타낸 것이 <그림 3 - 1 2 >에 나타나 있고, <그림 3 - 1 3 >

은 출원인 랭킹분석 결과를 보여주고 있다. <그림 3 - 1 2 >를 살펴보

면, 년도별로 등록된 미국 특허 건수를 나타내고 있는데, 1980년


<그림 3-11> 출원인 랭킹분석(한국특허)


<그림 3-12> 시계열 건수분석(미국특허)

<그림 3-13> 출원인 랭킹분석(미국특허)

대 중반부터 등록이 증가하기 시작하여 최근에 활발하게 등록되

고 있음을 알 수 있다. <그림 3 - 1 3 >을 살펴보면, 출원인을 랭킹별

로 상위 1 0개만 보여주고 있는데, Sumitomo Electric Industries가

9 3건의 특허를 등록시켰고, 그 뒤를 이어서 Fujitsu, Lucent

T e c h n o l o g i e s가 많은 특허를 등록시켰다. 국내 기업인 삼성전자는

조사대상 특허중에서는 7건을 미국특허청에 등록하였다.

3. 일본특허

일본특허도 등록특허를 대상으로 하였으며, 색인어로는 O p t i c a l

Module, Optical Transceiver를 이용하였고, 조사된 특허는 총 1 , 6 1 5

건으로 나타났다. <그림 3 - 1 4 >는 시계열로 건수분석을 하였고,

<그림 3 - 1 5 >는 출원인의 랭킹분석을 나타내고 있다. <그림 3 - 1 4 >


<그림 3-14> 시계열 건수분석(일본특허)

를 살펴보면, 1980년대 중반부터 등록특허가 증가하기 시작하였으

며 최근까지 꾸준하게 증가세를 유지하고 있음을 확인할 수 있다.

<그림 3 - 1 5 >를 살펴보면, Sumito Electric이 가장 많이 등록 특허

를 보유하고 있고, 그 뒤를 Kyocera Corp., Hitachi Ltd., Nec Ltd.

가 잇고 있는 것을 확인할 수 있다.


<그림 3-15> 출원인 랭킹분석(일본특허)

제1절 시장규모및 현황

’9 0년대 기간망의 급격한 성장으로 광산업 전반에 걸쳐 확대일

로에 있었으나, 2000년을 기점으로 하락세로 반전하여 ’0 3년까지

지속적인 감소추세를 보이고 있다. ’0 4년부터 점차적으로 회복하

여 4~8% 성장이 기대대고 있다.

2 0 0 0년말에 출시되어 본격적으로 시장에 투입된 10Gbps 트랜

시버는 S D H / S o n e t에 사용되어지는 광 송수신모듈 중의 하나이다.

’0 2년부터 ’0 3년까지 단거리 E t h e r n e t계의 사용이 증대됨에 따라

’0 3년 1만 8 , 7 5 0개의 시장이 형성되었다. ’0 3년 6월부터 X E N P A K

규격의 시장이 형성되기 시작하였으며, 향후 E t h e r n e t계 사양에 대

응하기 위해 MSA300pin SR제품이 X E N P A K를 대체할 전망이다.

현재 2.5Gbps 제품을 중심으로 중국 및 아시아 시장을 중심으

로 시장이 형성되고 있고, 종래 북미의 WDM 시장회복이 기대됨

에 따라 수량은 크게 증가될 전망이다.

Bi-Di 광 트랜시버 시장의 경우 일본의 FTTH 전개에 힘입어 ’0 3

년 대비 75.3% 증가한 4 2 6만개의 시장이 형성되었다. 하지만 ’0 4년

2 7

제4장

시장 동향 분석

에 대만 업체의 감산에 따라 일시적으로 감소할 것으로 예상된다.

하지만 아시아 시장에서의 초고속 통신의 성장으로 성장세를 유지

하였으나 수량 증가 대비 광 송수신모듈의 가격하락으로 전체 시

장 규모는 축소되었다.

국내의 경우에도 가입자에게 고속의 차별화된 서비스를 제공하

여 보다 많은 가입자를 확보하기 위해 빠르게 F T T H로 전환 될

것으로 전망된다.

또한 수년간의 광장비시장의 침체로 인한 가격하락에 따라 광

장비 업체가 직접 광 송수신모듈을 생산하는 대신 저가의 광 송

수신모듈을 시장에서 구입하는 형태로 변하고 있다. 점차 고 신뢰

성을 요구하거나 고속의 광 송수신모듈 개발을 요구하는 형태로

시장이 변경되고 있다.

향후 Gigabit Ethernet 시장의 성장과 더불어 PON 시장의 성장

이 두드러지게 나타날 것으로 예상된다. 광통신 장비에서 광 송수

신모듈의 가격 비중은 50% 이상이며, 광 송수신모듈의 가격인하가

광통신 장비의 가격 경쟁력에 큰 영향을 미치기에 광통신 장비를

생산하는 모든 업체에서 저가의 광 송수신모듈을 요구하고 있다.


<표 4-1> 광 송수신 모듈 시장전망

자료 : Fuji Chimera, 2004

구 분 2 0 0 2 2 0 0 3 2 0 0 4 2 0 0 5 2 0 0 6 2 0 0 7 2 0 0 8 C A G R

수

량

1 0 G b p s 9 1 8 . 7 5 4 5 1 6 0 4 0 0 8 0 0 1 , 2 0 0 1 2 9 . 7 %

B i - D i 2 , 4 3 0 4 , 2 6 0 4 , 1 7 0 4 , 5 7 0 5 , 0 7 0 5 , 3 8 0 5 , 6 8 0 5 . 9 %

금

액

1 0 G b p s 3 , 7 0 0 6 , 5 0 0 1 2 , 5 0 0 3 7 , 7 0 0 8 4 , 5 0 0 1 5 2 , 0 0 0 2 0 5 , 0 0 0 9 9 . 4 %

B i - D i 1 7 , 1 0 0 2 2 , 9 0 0 2 0 , 2 0 0 1 9 , 7 0 0 1 9 , 5 0 0 1 7 , 6 0 0 1 6 , 3 0 0 - 6 . 5 %

’0 3년 국내시장규모는 ’0 1년 4 0 0억원 수준에서부터 점차 감소하

여 2 1 0억원 수준으로 감소하였다. ’0 5년에 이르러서야 ’0 1년 수준

을 회복할 것으로 예상되고 있다.

2 0 00년까지의 시장 활황세를 근거로 시장확대를 예상한 다수의

업체가 이미 광송수신모듈 시장에 진출하여 공급과잉현상을 보이

고 있다.

대만·중국산 저가제품의 유입으로 중계기 등 광 송수신모듈을

채용하는 제품의 무관세수입이 증가하여 핵심부품을 8 %의 관세

를 부담하고 수입하는 역관세 현상이 나타나는 등 국내 광 송수

신 모듈업체의 가격경쟁력이 저하되었다.

1 0 0 M급 광 송수신모듈은 세계시장을 기준으로 연 평균 2 0 %

이상의 고성장을 이루나, 가격 경쟁으로 인하여 금액 규모는 정체

내지는 감소 할 것으로 예상된다. 하지만 Gigabit Ethernet 시장의

증가에 따라 G급 이상의 광 송수신모듈이 ’0 1년 이후 꾸준한 증

가세를 이루고 있어 전세계 시장규모는 조만간 증가할 것으로 예

상된다.

1 0 0 M급 광 송수신모듈의 가격하락과 G급 광 송수신 모듈, 양

방향 통신용(Bi-Directional) 광 송수신모듈, PON용 광 송수신모듈

등에 따라 F T T H의 실현이 가능해 졌다. 가입자 망의 수요 증가

로 장비 당 광 송수신모듈의 수요 증가로 소형화된 제품 수요가

증가하였다. 일반 TRV 또는 GBIC 대신 SFF 및 SFP 수요가 증

가하고, 가입자 장비의 용량 확대로 G급 광 송수신모듈의 수요가

증가하였다.

광 C o r e의 절감을 위한 양방향 통신용(BiDi) 광 송수신모듈의

제4장 시장 동향 분석 2 9

출시로 새로운 시장이 형성되었는데, 100M급 BiDi 광 송수신모듈

에서 1,550nm FP-LD, G급 BiDi 광 송수신모듈에서 1 , 5 5 0 n m

DFB-LD, SFF 또는 SFP 형태의 G급 BiDi 광 송수신모듈 등이

그 것이다.

Data 통신용 P O N용 모듈이 아닌 C A T V를 함께 보낼 수 있는

형태의 P O N용 광 송수신모듈로는 고 집적화된 3 - w a v e l e n g t h용

Optic Block, 저가의 C A T V용 Receiver 등이 있다.

국내의 경우 수년간의 초고속 통신망의 급격한 성장으로 인하

여 세계 최대의 초고속망 가입자를 유치하고 있어 FTTH 실현

시에도 실질적으로 급속한 투자 증가는 없을 것으로 예상된다.

가입자 장비뿐만 아니라 Access Metro 장비에서의 광 송수신모

듈의 적용이 확대되고 있으며, 최근에는 고 신뢰성을 요구하는


<그림 4-1> 광 접속 모듈의 시장 전망

자료 : Electronicast

DWDM 장비에 사용되는 SFP 형태의 광 송수신모듈 개발에 대

한 M S A가 이루어져서 향후 광 송수신모듈이 광 장비 전체로 사

용될 것으로 전망된다.

전세계적으로 광접속 모듈 시장은 계속 증가추세이며 이러한

성장은 계속될 것으로 보이며 2 0 0 5년도 시장은 3 8억 달러에 도달

할 것으로 전망된다.

데이터통신 표준이 빠르게 진보하여<그림 4 - 2 >와 같이 응용분

야별 광접속 모듈의 시장은 10Gigabit Ethernet, 10Gbps급

SONET 초단거리 연결, 인트라 시스템에서 병렬 접속, 2~10Gbps

fiber channel, military/aerospace 순의 규모를 나타내고 있으며, 스

위치망 내에 직/병렬 링크에 광접속 모듈을 응용하는 새로운 시

도가 보이고 있다.


<그림 4-2> 응용분야별 광접속 모듈의 시장전망

자료 : Electronicast

제2절 업체동향

Cisco, Allied Telesys, Nortel, NEC, Fujitsu 등 가입자 장비 제조

업체가 주요 수요처이나, 이들은 대량 공급이 가능한 A g i l l e n t ,

Finishar, Photon, Delta 제품 등을 사용하고 있다.

국내 수요처는 다산 네트웩스, 로커스, 미리넷, 콤텍 등 L2, L3

Switch 장비 제조업체들이나, 코위버, 아미텔, IT, 텔슨 등 A c c e s s

Metro 장비업체들이다. 다산 네트웩스는 Delta 제품을 사용하고

있고, 나머지 업체들은 Neoptek 제품을 주로 사용하고 있으며, 용

도에 따라 Photon, Agillent 등의 제품을 사용한다.

현재 10Gbps 광송수신모듈 시장의 경우 O p n e x t를 필두로 미쓰

비시전기, Fujitsu 등 일본 업체가 강세이다. 북미 벤더의 경우

I n t e l이 X E N P A K에서 Cisco Systems에 납품을 함에 따라 새로운

강자로 떠오르고 있다. JDS Uniphase의 경우 롱홀의 장거리간선

에소 우위에 있지만 시장에서 고전을 면치 못하여 4위에 랭크되

었다.

Bi-Di 광송수신모듈 시장의 경우 1 0 G b p s급과 달리 대만 및 중

국계 업계가 우위를 점하고 있다. Delta와 APAC 모두 일본시장

에서 실적 증가로 1위, 2위에 랭크되었다. 중국의 W T D도 일본의

FTTH 전개에 힘입어 향후 실적 향상이 기대된다.

국내기업 중 유일하게 L i g h t o r o n이 N T T서 일본에 약 2 5만개를

납품하여 당 시장에서 6위를 차지한 것으로 추정된다. 국내시장의

경우 ’0 3년 기준 3 1만개 규모의 시장을 형성한 것으로 추정되며

대만의 D e l t a사가 전체시장의 3 4 %를 점유하여 1위에 등극되었다.


그 뒤를 이어 국내업체인 네옵텍이 2 4 %를 점하고 있다.

A g i l e n t는 G급 이상 SFP 제품을 개발하여 상품화하였다. Fast

E t h e r n e t용 1 0 0 M급 일반 T R V에서 Gigabit Ethernet용 G급 S F P

제품 출시 및 FC(Fiber Channel)용 4G SFP 개발을 추진하고 있

다. 중국/대만 등 1 0 0 M급 제품의 저가 공세에 일부 품목 생산을

중단하고, 후발 업체가 따라오지 못하는 높은 기술력이 요구되는

고부가가치 제품 개발에 주력하고 있다.

E x c e L i g h t는 S u m i t o m o의 미국 자회사로 Gigabit Ethernet용 8 -

c h a n n e l을 다룬다. CWDM SFP 제품 출시 및 10G XFP 개발에

집중하고 있고, 광소자는 Sumitomo 본사에서 공급받으며, 광 송

수신모듈 개발 및 생산에 주력하고 있다. DFB-LD등 광 소자의

자체 조달과 기술력을 바탕으로 고부가가치 제품 개발 및 판매에

힘쓰고 있으며, 특히 Uncooled CWDM DFB-LD에서 타사 대비

비교 우위의 기술을 확보하고 있다.

P h o t o n은 A g e r e와의 합작으로 1 5 5 M급 BiDi 일반 TRV 및

SFF 개발로 본격적인 광 송수신모듈 시장 진입에 성공하였으며,

현재로는 독자적으로 다양한 형태의 광 송수신모듈과 광 부품을

출시하고 있다. 저임금을 바탕으로 한 저가의 광 송수신모듈로

세계시장을 주도하고 있으며, G급 제품을 유럽, 미국 등에 출시

하고 있다.

D e l t a는 대량 생산 기술을 바탕으로 1 0 0 M급 광 송수신모듈 시

장의 절대강자로 부상하였다. 일본의 e-Japan Project에 F u j i t s u의

파트너로 참여하여 성공하였으나, 광소자의 일본 의존도가 높다.

아직은 G급 제품에 대한 신뢰도가 낮으나, 지속적인 설비 투자로


생산 C A P A를 확장 중에 있다.

O p n e x t는 ’0 0년 9월 Marubeni Group, Hitachi Ltd., Clarity

Partners, LP에서 합작투자한 회사이다. ’0 3년 S R제품의 판매증가

와 더불어 X E N P A K가 호조를 보임에 따라 10Gbps 광송수신 모

듈 시장에서 1위에 등극하였다.

국내의 경우를 살펴보면, Lightron이 PD Pigtailed 제품 제작을

시작으로 유럽에 수출하기 시작하였으며, 국내 최초로 1 0 0 M급

BiDi 광 송수신모듈을 개발 판매하였다. ’0 2년부터 일본에 A -

P O N용 ONU 모듈을 OEM 생산하여 ’0 3년 2 5 5억원의 매출을 올

린 것으로 추정되며 ’0 4년에는 4 2 5억원으로 예상되고 있다. 일본

시장에 지나치게 편중된 매출 구조 개선을 위해 P O N용 OUN 모

듈로 ’0 4년 미국에 사무소를 설립하여 시장 진입을 추진하고 있

다. A-PON용 ONU 모듈뿐만 아니라 E - P O N용 OUN 모듈 개발

에 적극적이며, 특히 3 파장용 Tri-plexer 개발에 주력하고 있다.

지속적인 매출 확대를 위해 L/W(Laser Weilder)등을 증설하고

있으나, 광소자의 수입으로 인한 수익성 문제로 고부가 제품에만

주력하고 있다.

N e o p t e k는 LG 전선에서 분사한 회사로 국내 최초로 1 0 0 M급

광 송수신모듈을 출시하였으며, 광소자를 바탕으로 광 송수신모

듈까지 일관된 L i n - P u을 갖추고 있다. 해외 진출 실패 및 중국,

대만 업체의 저가 공세에 따른 수익성 악화로 사업이 크게 위축

되어 광소자 개발 및 생산을 LG 전선에 이관하였다. ’0 3년 하반

기부터 1 0 0 M급 BiDi 광 송수신모듈의 일본 수출 시작으로 ’0 4년

재 도약의 발판을 구축하였다. 자체 개발한 D F B - L D의 신뢰성 확


보 및 대량 생산 체제 구축으로 G급 광 송수신 모듈의 가격 경쟁

력을 확보하였다. 이스라엘 업체와의 B - P O N용 ONU 모듈의

OEM 생산 및 E - P O N용 ONU 모듈 공동 개발 계약으로 미국 일

본 PON 시장에 진입할 예정이다.

i T E C은 1 0 0 M급 광 송수신 모듈 시장에 초기 진입하였으나, 가

격 경쟁력 상실로 현재로는 G급 GBIC 및 SFP 시장에 주력하고

있다. 일본 및 미국 시장 진입을 시도하였으나, 신뢰성 및 양산

CAPA 문제로 실패하였다. 국내 시장에 G급 BiDi GBIC 모듈 등

비 표준화된 제품을 위주로 개발하고 있다.

T e r a d i a n은 LG 전선에서 분사한 회사로 1 0 0 M급, G급 광 송수

신모듈 생산에 주력하고 있다. SFF 및 SFP 제품을 출시하고 있

으나 가격 경쟁력이 없는 시장의 포기로 비 표준화된 시장에 주

력하고 있다.

A T I는 삼성전자의 광 송수신모듈 사업 중단으로 1 0 0 M급과 G

급 광 송수신모듈 기술을 이전받아 생산하고 있다. 다른 국내 업

체와 마찬가지로 광소자의 외부 구매에 따른 가격 경쟁력 상실로

중계기 시장 진출 및 G급 이상의 광 송수신모듈에 주력하고 있다.

O p t o O n는 E T R I에서 광소자를 개발한 연구원들 중심으로 창업

한 회사로 1 0 0 M급 일반 T R V와 BiDi 광 송수신모듈 사업을 시작

하였다. 일본 시장 진출을 시도하였으나, 중국, 대만 업체의 저가

공세로 가격 경쟁력을 상실하여 사업 다각화를 모색하고 있다.


제1절 기술가치평가의목적과방법

1. 기술가치평가의목적

일반적으로 기술가치평가는 기술의 거래에 이용되지만, 기술에

대한 보증, 과세, 투자, 지분 계산 등과 기업의 M&A 및 상장등

록 등에 이용되기도 한다. 따라서 이러한 평가의 용도별로 평가목

적은 다양하다. 기술가치평가는 평가의 이용 목적에 따라 평가기

법과 그 결과가 크게 달라질 수 있는 바, 본 보고서는 평가대상

업체가 국내 또는 해외기업에 기술이전을 하고자 한다는 가정하

에 기술 판매자와 매입자의 중간적 입장에서 공정한 평가를 하고

자 하였다.

본 기술가치평가 보고서는 기술이전이나 거래 용도에 국한하

며, 다른 목적으로 평가하면 다른 가치가 산출될 수 있다.

본 기술가치평가는 이해관계가 없는 독립적인 거래에서 기술

판매자와 매입자 사이에서 결정되는 평가일 현재의 추정 교환가

액으로 기술가치를 산출하였다.

3 7

제5장

기술가치 분석

2. 기술가치평가의방법론

기술가치평가 기법에는 기본적으로 소득접근법, 시장사례접근

법, 비용접근법 등이 있다.

1) 상관행법

일반적으로 상관행법에는“25% rule”이 많이 사용되는데, 라이

선스된 지적재산(대표적 예로 특허)을 사용한 산업에서 발생한

세금공제 전 이익의 2 5 %를 로열티로 산정한다. 한편, 착수금으로

일정금액을 지급하고, 매출액의 3~5% 정도를 로열티로 지급하는

기술이전 사례들도 있다.

상관행법에 의한 기술가치평가는 기술이전을 전제로 하고 있는

바, 기술이전으로부터 발생하는 기술 매입자의 매출액과 순이익

을 추정한 후 일정비율을 고려하여 기술가치를 산정한다. 이렇게

산정된 기술가치는 기술이전 또는 거래와 관련하여 협상력

(Negotiation Power)을 높일 수 있는 자료로 활용될 수 있다.

상관행법은 라이선스 과정에서 기술료를 산정할 때 사용되므

로, 기술이전 시점에서 일정금액의 기술 이전료를 받고 매출 또는

이익이 발생할 때마다 매출 또는 이익에 대한 일정부분의 라이선

스료를 받는 것이 일반적이다.

2) 비용접근법

비용접근법(Cost Approach)은 평가대상의 기술자산이 갖는 용


역잠재력을 보유할 때까지 기술개발자가 투자한 비용을 산출하여

동 금액을 기술자산 보유자의 미래수익으로 결정하는 방법이다.

일반적으로 비용접근법을 이용한 자산가치의 평가에는 평가일

현재 대상자산과 동일한 것을 만들기 위해 소요되는 비용인‘재

생산원가(Cost of Reproduction)’가 사용되거나, 대상자산과 동등

한 효용을 가지고 있는 자산의 재구입에 필요한 비용인‘대체원

가(Cost of Replacement)'가 사용된다.

3) 소득접근법

(1) 정의 및 평가모형

소득접근법은 미래에 예상되는 기대수익을 예측하고 이를 현재

가치화하는 방법으로서 주로 모형을 이용한다. 이 방법은 미래가

치의 예측 및 기업의 총 산출물 중 기술의 기여도를 산정하는 과

정에서 투입되는 변수들이 모두 추정변수로서 추정하는 변수의

분산이 급격히 커질 경우 추정 자체가 무의미한 방법이 될 가능

성이 존재한다.

제5장 기술가치 분석 3 9

<표 5-1> 소득접근법의 특성

효과적 적용분야 필 요 조 건

- 모든 계약

- 라이센스 및 로얄티 계약

- 특허, 등록상표, 저작권

- 프랜차이즈

- 증권

- 각종사업

- 기대되는 경제적 수익의 양

- 경제적 수익의 지속기간

- 수익의 증가 및 감소에 대한 전망

- 기대수익과 관련된 위험

일반적으로 기업가치는 기업이 영위하고 있는 사업의 부가가치

창출력을 평가하여 측정된다. 이러한 기업가치에 근거한 기술가

치는 기업이 창출하는 미래 현금유입액으로부터 소요비용, 신규

투자액 등의 현금유출액을 차감하여 결정된다.

미래현금흐름을 추정하기 위해 기술소유주체(주로 기업)의 여

러 요인을 평가하게 된다. 여기에서 여러 요인은 기술성, 사업성,

시장성으로 분류하기도 하고 기술성, 시장성, 사업성에서 분화된

수익성, 기업요인, 경영요인으로 구분하기도 한다.

(2) 미래현금흐름(cashflow: CFt)의 산정

추정 손익계산서를 작성한 뒤, 이를 기준으로 각 사업연도별의

미래현금흐름, 즉 현금 유입과 유출의 차액 즉 c a s h f l o w를 연도별

로 추정한다. cashflow는 경제환경, 수익성, 경쟁, 자본수요 등 다

음과 같은 인자에 의해 영향을 받는다.

① 경제환경

기술자산을 이용하는 사업의 배후에 있는 경제환경 전체의 건


<그림 5-1> 기술평가 구조도

사업성

평 가

기술자산의 기여분

기술자산의 기여분

시장성

평 가

V = [Inflowt − outflowt

(1+ r)tt =1

∞

∑ ] ×

= [CFt

(1+ r )tt =1

∞

∑ ] ×

전여부는 최종적으로 실현되는 n e t - c a s h f l o w의 금액과 밀접한 관

련이 있다(통화정책, 예산, 소득세법, 인플레이션 등) .

② 수익성

수익성은 n e t - c a s h f l o w에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 기술

적 자산이 이익의 증가에 공헌하는 경우를 살펴보면, 원료의 투입

량 감소, 에너지 감소, 노동량 감소, 고가의 생산 요소를 저가의

생산요소로 바꿈, 제품이나 서비스의 품질향상 등이 있다.

③ 경쟁상황

경쟁하는 제품에 서비스가 도입됨으로써 혹은 보다 우수한

기술이 개발됨으로써 경쟁이 심화되어 경제적 효익에 영향을 미

친다.

④ 필요 자본수요

설비확장 또는 운전자본의 증가라는 형태로 자본수요가 생긴

다. 기술자산의 커다란 이점은 설비투자에 대한 지출을 소액으로

낮추면서 이익 획득이 가능케 한다는 것이다.

⑤ cashflow 지속시간

자산의 가치는 c a s h f l o w의 흐름을 기대할 수 있는 잔여기간에

따라 영향을 받는다. 기술의 진보, 정기적인 모형변경 등의 업계

관행, 제품과 서비스에 대한 사회적 반응의 변화, 기타 인자에 따

라 기술자산의 경제적 수명은 짧아진다.


⑥ 미래현금흐름의 추정

미래현금흐름은 다음과 같이 추정한다. 기술자산에 의해 증가

되는 신기업가치를 구하기 위해 추정영업이익에서 무현금비용 중

가장 대표적인 감가상각비 등을 가산하고 기술자산이 미래현금흐

름을 만들기 위해 평가일 이후에 사용하게 될 유형자산의 사용대

가를 자본지출개념으로 하여 차감하여 미래현금흐름을 추정한다.

•미래현금흐름 = 매출액－매출원가－판매비와 관리비

－법인세 + 감가상각비 등－자본지출

•자본지출 = 투하자본×할인율= (초기투자+신규투자)×할인율

⑦ 할인율(discount rate)의 결정요인과 산정방법

화폐의 시간적 가치와 투자의 위험성을 고려하여 미래 화폐의

가치를 현재 화폐의 가치로 환산하기 위해 할인율을 사용한다. 현

재가치의 산출에 사용되는 할인율은 이론적으로는 화폐의 사용에

따른 시간적 희생에 따른 보상율(일반적으로 정기예금 이자율이

나 국공채 금리의 무위험이자)과 투자에 따른 회수불능의 위험에

따른 보상율(은행예치 등 무위험 투자기회에 비해 기대하는 초과

이익률)의 합계가 된다.

- 할인율= (타인자본비용×타인자본구성비+자기자본비용×자

본구성비)

- 타인자본비용 = 회사채유통수익율×( 1－t )

- 자기자본비용 = 무위험이자율+ (시장수익률－무위험이자율)

×위험척도*


＊위험척도는 일반적으로 β계수로 표현되는 계수가 사용되며,

비상장 기업도 대용 β계수의 산정(Hamada 모형 등)으로 자

기자본에 대한 할인율을 구할 수 있다.

⑧ 미래현금흐름의 유입기간

기술수명, 즉 미래현금흐름의 유입기간은 크게 유한기간과 무한

기간으로 구분되고 무한기간은 기술의 특성에 따라 무성장형과 항

상성장형으로 구분된다. 유한기술과 무한기술의 구분은 평가대상

기술을 대체할 수 있는 대체기술 또는 차세대기술의 출현여부를

고려하여 결정한다. 기술수명을 추정키 위해서는 차세대기술 또는

대체기술의 출현여부와 출현시기를 추정할 필요가 있는데 이때 기

술평가전문기관에서 나오는 기술연표를 참조하여 결정한다.


<그림 5-2> 기업수명곡선

⑨ 미래 현금흐름의 현재가치

미래의 현금흐름을 추정하여 기술가치를 산정하기 위해서는 우

선 미래현금흐름을 현재가치화 해야 한다. 현재가치로 환산된 값

에 대해서 기술기여도를 적용하면 최종적으로 현금흐름법을 적용

한 기술의 가치가 산정된다.


•무성장 모형 : 추정기간(시장의 성숙기)을 3년으로 한 경우

V : 평가대상의 가치

C Ft : t기의 미래현금흐름

r : 위험의 척도(기업의 기대수익률)

t : 기간

※ 단 이 모형은 4년 차부터 일정현금흐름 C F가 지속된다고 가

정한 경우임.

•영구성장모형 : 추정기간(시장의 성숙기)을 3년으로 한 경우

V : 평가대상의 가치

C Ft : t기의 미래현금흐름

V =CFt

(1+ r)tt =1

∞

∑

V =CF1

(1+ r)1 +CF2

(1+ r)2 +CF3

(1+ r)3 +CF3

(1+ r)3 r•

•

V = CFt

(1+ r)tt=1

∞

∑

V = CF1

(1+ r)1+ CF2

(1+ r)2+ CF3

(1+ r)3+ CF3

(1+ r)3 (r − g)•

•

⑩ 기술기여도

기술의 기여도는 일반적으로 2 5 % ~ 3 3 %를 많이 적용하는데,

기술의 특성에 따라 다르게 적용한다.

제2절현금흐름할인법의적용

본 기술가치평가에서는 소득접근법 중에서 현금흐름 할인법을

적용하였다. 본 평가에서는 평가대상 기술을 활용한 제품의 추정

매출액을 기준으로 유사 기업군의 표준재무정보를 활용한다. 유

사기업군의 표준재무정보는 추정매출액을 기준으로 살펴보았을

때, 코스닥 상장 기업의 매출규모와 부합한다고 판단되어, 코스닥

웹사이트에서 유사기업군을 선정하였다. 코스닥 상장기업 중 I T

H / W제품 기업 중에서도 광모듈 제품을 생산하는 업체를 선정하

였는데, 선정된 기업은 <표 5 - 2 >와 같다.

<표 5 - 2 >에 선정된 기업군 중에서도 광모듈을 생산하는 기산텔

레콤, 빛과전자, 아이티의 표준 재무 정보를 본 기술가치평가에

활용하고자 한다. 2003년 1 2월 말 기준으로 작성된 3개 기업의 평


r : 위험의 척도(기업의 기대수익률)

t : 기간

g : 성장율

※ 단 이 모형은 4년 차부터 C F를 기준으로 일정비율 g만큼 성

장한다고 가정한 경우이고, r > g인 경우에만 사용 가능하다.

균적인 재무정보는 <표 5-3> 및 <표 5 - 4 >와 같다.


<표 5-2> 코스닥 상장 광모듈 및 광전송장비 제품 기업군

회 사 명 생 산 품 목

기산텔레콤 광모듈, 에코 켄슬러, 중계기, VoIP Server등

넷웨이브 광전송시스템, 동축전송시스템

빛과전자 광가입자용 광송수신모듈, CATV/이동통신용 광부품

아이티 고속데이터전송장비, 광전송장비, 광모듈

엠비엔파트너광전송장비, 전용회선 고속데이타 전송 장비, 초고속인터넷

전송장비, DVR

영우통신 이동통신중계시스템, 데이터네트웍장비, 광전송 장비

우리별텔레콤 광전송장치

케이디씨네트워크 통합사업, 네트워크 장비, 光 전송장비, S/W 제조,

네트워크관

<표 5-3> 유사기업군의 대차대조표 항목

재 무 항 목 금 액 (백만원)

유동자산 2 2 , 7 7 4

당좌자산 1 6 , 8 6 9

재고자산 5 , 9 0 4

고정자산 1 0 , 9 2 5

자산총계 3 3 , 6 9 9

유동부채 6 , 5 7 4

고정부채 4 , 2 5 4

부채총계 1 0 , 8 2 8

자본금 4 , 6 5 4

자본잉여금 1 7 , 6 3 7

이익잉여금 2 , 6 2 1

자본조정 - 2 , 0 4 2

자본총계 2 2 , 8 7 0

부채와자본총계 3 3 , 6 9 9

1. 매출액의추정

유사 기업군의 표준 재무정보와 평가 대상기술의 추정 매출액

을 활용하여 현금흐름을 구할 수 있다. 현금흐름의 추정기간은 기

술 제품의 시장상황을 고려하여 결정하여야 한다. 기술의 발전동

향과 전문가의 의견 등을 종합적으로 검토한 결과, 신청기술과 관

련된 제품은 최소한 4년 동안은 성장하고, 5년 이후부터 8년까지

는 유사 또는 더욱 우수한 제품의 출현으로 무성장 곡선을 그릴

것으로 전망하였다.

매출액은 1차년도에는 기술의 상품화가 끝나서 제품판매에 들

어가다 보니 매출액을 대규모로 추정할 수는 없었으나 대략 2 5억


<표 5-4> 유사기업군의 손익계산서 항목

재 무 항 목 금 액 (백만원) 매출액에 대한 비율( % )

매출액 2 2 , 6 1 1 1 0 0 %

매출원가 1 5 , 1 5 1 6 7 %

매출총이익 7 , 4 5 9 3 3 %

판매비와관리비 4 , 7 0 5 2 1 %

영업이익 2 , 7 5 4 1 2 %

영업외수익 8 1 8 4 %

영업외비용 1 , 2 2 0 5 %

경상이익 2 , 3 5 2 1 0 %

특별이익 0 0 %

특별손실 0 0 %

법인세비용차감전순이익 2 , 3 5 2 1 0 %

당기순이익 1 , 5 2 2 7 %

원 정도는 될 것으로 추정하였다. 2차년도에는 매출이 본격적인

궤도에 올라갈 것으로 예상되어 전년도 대비 200% 성장한 7 5억

원 규모로 추정하였다. 3차년도에는 성장세가 약간 감소하여 전년

대비 100% 성장한 1 5 0억원으로 추정하였고, 4차년도에는 성장세

가 더욱 감소하여 전년대비 50% 증가한 2 2 5억원으로 추정하였다.

5차년도에서 8차년도까지는 무성장 모형을 가정하여 4차년도와

동일한 2 2 5억원의 매출을 올릴 것으로 추정하였다.

2. 기타재무정보추정

매출원가, 판관비, 영업이익, 영업외수익과 비용, 경상이익 등은

동종 기업군의 표준 재무정보를 활용하였다. 앞서 언급한 바와 같

이 본 가치평가에서는 추정 매출액 규모로 보았을 때, 광모듈 제

품을 판매하는 코스닥 등록기업이 가장 적합한 동종 기업군으로

평가된다. <표 5 - 4 >에 기록된 재무정보를 활용하여 본 기술가치평

가에 필요한 재무정보를 추정하고자 한다.

<표 5 - 4 >에서 매출원가는 매출액 대비 6 7 %이고, 판관비는

21%, 영업이익은 12%, 영업외수익은 4%, 영업외비용은 5%, 경상

이익은 10% 등이며, 이 비율을 본 기술가치평가를 위한 추정 현

금흐름에 활용한다.

3. 법인세

법인세는 순이익이 1억원 이하일 경우에 경상이익의 1 5 %를 적


용하고, 순이익이 1억원을 초과할 경우에 1 6백만원의 기본료와 1

억원 초과금액의 2 7 %를 납부하도록 되어 있다. 따라서 추정매출

액 규모가 2 5억원~ 2 2 5억원이고, 순이익이 1억원을 초과하는 경우

를 가정하여 1 6백만원의 기본료와 2 7 %의 법인세 비율을 적용하

기로 한다.

4. 감가상각비등

감가상각비, 퇴직급여충당금, 운전자본증분에 대한 정보는 참고

할 만한 것이 없어서 본 가치평가에서는 생략하였다. 감가상각은

고정자산 중 토지를 제외한 부분을 대상으로 한다. 만약 감가상각

비를 고려한다면 현금흐름 값이 증가되어 기술가치평가 산정액이

증가하는 것이 일반적이다.

5. 할인율과현가계수

일반적으로 할인율은 자본자산가격결정 모형( C A P M )을 이용

한 가중평균자본비용( W A C C )을 많이 사용한다. 이는 다음과 같

은 공식을 통해 계산된다.

CAPM = Rf + βi( E [ Rm] - Rf)

Rf = 무위험 이자율

E [ Rm] - Rf = 시장포트폴리오의 위험 프리미엄

βi = 베타


WACC = (VD×RD) / ( VD+ VE) + ( VE+ RE) / ( VD+ VE)

VD = 장기부채 VE = 자기자본

RD = 장기부채 이자율 RE = 자기자본 수익률

한편, 한국기술거래소, 한국산업은행, 한신대학교, 한국과학기술

정보연구원, 한국발명진흥회는 기술가치평가 핵심지표 개발을 위

해 최근에 공동으로 연구를 수행하였고, 2003년 7월에 그 결과를

발표한 바 있다4 ). 발표내용은 표준 재무정보, 할인율, 기술수명,

기술기여도 등으로 구성되었는데, 본 기술가치평가에서는 할인율


<표 5-5> 산업분류별 할인율 일부

표준산업분류 내 용 할인율( % )

D 3 0 0 컴퓨터 및 사무용기기 제조업 2 3 . 1 5 6

D 3 1 1 전동기/발전기 및 전기변환장치 제조업 2 0 . 9 0 0

D 3 1 2 전기공급 및 전기제어장치 제조업 2 3 . 7 0 0

D 3 1 3 절연선 및 케이블 제조업 2 0 . 7 0 0

D 3 1 4 축전지 및 일차전지 제조업 2 2 . 2 2 4

D 3 2 1 반도체 및 기타 전자부품 제조업 2 2 . 4 0 2

D 3 2 2 통신기기 및 방송장비 제조업 2 3 . 1 6 5

D 3 2 3 방송수신기 및 기타영상, 음향기기 제조업 2 1 . 9 5 6

J 6 4 2 전기통신업 2 3 . 1 4 4

M 7 2 1 컴퓨터시스템 설계 및 자문업 2 4 . 0 8 5

M 7 2 2 소프트웨어 자문, 개발 및 공급업 2 5 . 9 3 8

D 1 5 4 기타 식품 제조업 1 8 . 1 6 5

D 2 4 2 의약품 제조업 2 1 . 3 0 9

D 2 4 3 기타 화학제품 제조업 1 9 . 8 9 9

4) 한국기술거래소, “기술가치평가 핵심지표 개발 결과 발표회”, 2003. 7

에 대한 정보를 활용하고자 한다. 할인율에 대한 발표결과를 <표

5 - 5 >에 정리하였다.

신청기술은 D 3 2 2 (통신기기 및 방송장비 제조업)으로 분류되어

할인율을 2 3 . 1 6 5 %를 사용하기로 한다.

추정된 현금흐름 값을 현재가치화 하려면 미래의 현금흐름 값

에 현가계수를 곱하면 된다. 현가계수는 다음과 같이 계산된다.

1현가계수 =

( 1+γ)t

여기서 r = 할인율, t = 매출액 추정년도

6. 기술기여도

기술기여도는 무형자산에서 기술이 차지하는 비중과 기술이

사용되기까지(또는 제품화되기까지)의 완성도를 고려해서 추정

되어질 수 있다5 ). 많은 경우 기술기여도는 상관행법을 이용하거

나 유사한 기술의 로열티비율을 참조하여 간접적으로 평가하는

경우가 대부분이다. 기술가치평가에 있어서 많은 연구와 실무에

서 기술자산의 기여비율을 2 5 %－3 3 %로 추정하고 있다. 상관행

법에 따르면 2 5 %룰이 많이 적용되는데 이는 라이센스된 지적재

산을 사용한 세금공제전 이익의 2 5 %를 로열티로 설정하는 방법

이다6 ). 이는 수익에 대한 공헌 요소를 자본, 경영, 노동, 기술 등


5) 양동우, “실무차원의 기술가치평가：수익접근법을 중심으로”, 기술혁신학회지, 3권 1

호, 2000, p.82

6) 문영호, “기술가치 어떻게 평가하나”, 산업기술정보원, 2000, p.84

네가지 요소로 보고 네가지 요소 중 하나인 기술의 기여도를

2 5 %로 산정한다는 방식이다7 ). 그러나 업종과 개별기술의 특성에

따라 균등적인 비율은 크게 변할 수 있으며, 특히 기술 중심적인

기업인 경우에는 기술자산 구성비율을 높게 책정하는 것이 바람

직할 것이다.

기술의 기여도를 산정할 때 유의할 사항은 구성비율이 산업별

로 또한 기술별로 큰 차이가 있다는 것이다. 미국 다우케미컬사

등에서는 기술평가시 기술자산 구성비율을 최고 7 5 %까지도 적용

할 수 있도록 하고 있다. 또한 미국의 평가기관에서는 산업별로

기술자산의 평균적인 구성비율을 <표 5 - 6 >과 같이 설정하고 있다.

기술기여도를 기술자산 구성비율과 기술의 완성도의 곱으로 표

시 할 수 있다.

기술의 기여도 = 기술자산 구성비율 × 기술의 완성도


7) 성웅현, “실무자를 위한 기술가치평가모델”, 특허청, 2002

<표 5-6> 산업별 기술자산 구성비율의 예

산 업 분 류 기술자산 구성비율( % )

전기전자 4 7 %

수송장비 2 8 %

비전기전자기계 4 0 %

광장비 8 4 %

화학(특수) 8 1 %

일 반 7 5 %

만약 개발된 기술이 상업화에 성공하여 기술관련 제품이 시장

에서 활발하게 판매되고 있다면, 기술자산 구성비율을 기술의 기

여도로 이용하게 된다. 그러나 기술이 상업화 단계 이전에 있는

기술이라면 기술에 대한 평가시 기술의 기여도는 기술의 완성도

에 따라 ①기술개발단계(1/4), ②기술의 완성단계(1/2), ③기술의

특허 추진단계(3/4), ④상업화 단계(1) 등으로 구분하여 비율을

다시 결정하게 된다.

본 기술가치평가의 평가대상 기술은 최근 전세계적으로도 급속

히 시장규모가 팽창하고 있고, 기술 집약적인 산업이라 할 수 있

다. 따라서 일반적으로 많이 사용하는 2 5 % ~ 3 3 %의 기술기여도를

적용하기에는 타당하지 않는 측면이 많다고 판단하였다.

따라서 기술자산 구성비율과 기술의 완성도를 승하여 계산한

값을 기술기여도로 채택하였다. 전기전자산업의 기술자산 구성비

율은 4 7 %이고, 기술의 완성도는 특허추진단계에서 상업화 단계의

중간값인 0 . 8 7 5 ( ( 0 . 7 5 + 1 ) / 2 )를 적용하기로 한다. 여기서는 평가기

술이 특허출원 단계를 지나서 상업화가 진행중인 것을 고려하였

다. 따라서 기술기여도는 0 . 4 1 1 ( 0 . 4 7×0 . 8 7 5 )이 된다.

이렇게 산정된 기술기여도 값을 미래 현금흐름의 현재가치 값

에 적용하면 평가대상기술인 다채널 광접속용 모듈설계 및 고분

자 도파로 기술에 대한 기술가치평가 금액을 산정할 수 있다. 다

음의 <표 5 - 7 >에 현금흐름 할인법에 의한 기술가치평가 결과를

요약적으로 나타내었다. 평가결과 기술가치평가 금액은 1,189 백

만원으로 산정되었다. 만약 감가상각비 등을 고려하여 좀더 정확

하게 평가할 수 있다면, 평가금액에 변동이 있을 것이다.



<표 5-7> 현금흐름할인법에 의한 기술가치산정

(단위：백만원)

구 분 1차년도 2차년도 3차년도 4차년도 5차년도 6차년도 7차년도 8차년도

매출액 2 , 5 0 0 7,500 15,000 22,500 22,500 22,500 22,500 22,500

( - )매출원가 1 , 6 7 5 5,025 10,050 15,075 15,075 15,075 15,075 15,075

( - )판관비 525 1,575 3,150 4,725 4,725 4,725 4,725 4,725

영업이익 300 900 1,800 2,700 2,700 2,700 2,700 2,700

영업외 수익 100 300 600 900 900 900 900 900

( - )영업외

비용125 375 750 1,125 1,125 1,125 1,125 1,125

경상이익 250 750 1,500 2,250 2,250 2,250 2,250 2,250

( - )법인세 57 192 394 597 597 597 597 597

세후영업이익 194 559 1,106 1,654 1,654 1,654 1,654 1,654

감가상각비

퇴직급여

충당금

( - )운전자본

증분

현금흐름 194 559 1,106 1,654 1,654 1,654 1,654 1,654

할인율 0 . 2 3 1 6 5

현가계수 0.8119 0.6592 0.5352 0.4346 0.3528 0.2865 0.2326 0.1888

현재가치 157 368 592 719 583 474 385 312

사업가치 2,893

기술가치 1,189

제3절 상관행법의적용

상관행법(Rules of Thumb)은 수익을 기준으로 평가하는 방법

으로, 라이센싱에 관행적으로 사용되어 왔다. 실제로 많은 기술이

전 계약에서 상관행법이 통용되고 있다.

일반적으로 상관행법에는“25% rule”이 많이 적용되는데, 라이

선스 된 기술자산을 사용한 산업에서 발생한 세금공제 전 이익의

2 5 %를 로열티로 설정하는 방법이다. 그러나 평가실무에서는 순이

익 산정시 영업비, 경상지출 등의 비용항목 추정과 관련한 오차를

고려하여 순이익 대신에 매출액에 대한“일정 비율( 3 ~ 8 % )”을

로열티로 산정하기도 한다.

본 가치평가는 기술이전을 목적으로 하고 있다고 가정하여 기

술가치를 평가한다. 따라서 기술이전에 의해서 발생하는 기술 매

입자의 매출액을 추정하고 여기에 일정비율을 고려하여 기술가치

를 산정한다. 본 기술가치평가에서는 앞에서 현금흐름할인법을

적용했을 때, 추정한 매출액에 대해서 3 %의 로열티를 적용해 보

았다. 또한 추정된 매출액과 로열티에 대해서 현가계수를 적용하


<표 5-8> 상관행법에 의한 기술가치 산정


구 분 1차년도 2차년도 3차년도 4차년도 5차년도 6차년도 7차년도 8차년도

매출액 2,500 7,500 15,000 22,500 22,500 22,500 22,500 22,500

로열티( 3 % ) 7 5 2 2 5 4 5 0 6 7 5 6 7 5 6 7 5 6 7 5 6 7 5

현가계수 0.8119 0.6592 0.5352 0.4346 0.3528 0.2865 0.2326 0.1888

현재가치 61 148 241 293 238 193 157 127

기술가치 1,459

여 현재가치화 하였다. 최종적으로 산정된 기술가치평가 금액은

1 , 4 5 9백만원으로 평가되었다. 평가결과를 정리하여 나타내면 <표

5 - 8 >과 같다.

제4절 비용접근법의적용

비용접근법을 활용한 기술가치평가에서는 기술개발에 소요된

과거의 비용을 현재시점에서의 실제가격으로 변환시켜서 가치를

산정하는 원가추세법(Trended Original Cost)을 이용하였다. 즉

2 0 0 3년도 소비자 물가지수를 기준으로 과거 2년 동안의 소비자 물

가지수(통계청 자료 참고)의 백분율인 변환율을 활용하였다. 과거

2년 동안에 소요된 연도별 개발비용에 이 변환율을 곱하여 환산

된 금액을 더하면 비용접근법에 의한 기술가치를 산정할 수 있다.

소비자물가지수는 통계청이 발표하는 자료를 참고하면 되는데, 기

준시점은 2 0 0 0년이다( 2 0 0 0년 소비자물가지수=100). 비용접근법에

의한 기술가치는 <표 5 - 9 >처럼 4 7 2백만원으로 평가되었다.


<표 5-9> 비용접근법에 의한 기술가치 산정


구 분 소비자 물가지수 변환율 개발비용 환산금액 기술의 가치

2 0 0 1년 1 0 4 . 1 1 . 0 6 3 2 0 0 2 1 3

4 7 22 0 0 2년 1 0 6 . 9 1 . 0 3 6 2 5 0 2 5 9

2 0 0 3년 1 1 0 . 7 1 . 0 0 0

제5절 가치평가종합결론및 한정조건

1. 평가대상기술의가치결론

평가대상 기술에 대한 무형자산의 기술가치를 현금흐름할인법,

상관행법, 비용접근법에 의해 평가해 보았다. 이에 따른 평가가치

는 다음과 같다.

- 현금흐름할인법 : 1,189 백만원

- 상관행법 : 1,459백만원

- 비용접근법 : 472백만원

비용접근법에 의한 기술가치는 참고적으로 활용하면 될 것으로

사료된다. 이상의 결과를 기초로 볼 때 당해 기술의 가치는 약

1 , 1 8 9백만원~ 1 , 4 5 9백만원이 적정한 범위인 것으로 추정된다.

2. 가정및한정조건

본 평가를 위해서 사용된 정보(추정재무현황 등)는 추정매출액

규모의 가상의 기업을 선정하여 추정하였다. 또한 평가대상 기술

의 권리에 대하여 질권 등이 설정되지 않은 것으로 가정하였다.

본 평가보고서는 기술이전을 가정하고 내부 참고용으로 작성된

자료이며, 내부적으로 참고할 목적으로만 사용되기 위한 것이므

로, 본 평가서를 이해관계 있는 제3자 등에게 본 목적 외의 다른

목적으로 사용하여서는 아니된다.


참고문헌

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