Cam Bien Tiem Can

5/14/2018 Cam Bien Tiem Can - slidepdf.com

http://slidepdf.com/reader/full/cam-bien-tiem-can-55a92da89d37d 1/28

Ti u lu n b môn : C Đi n T ng D ng -ể ậ ộ ơ ệ ử Ứ ụ

Nhóm 8

PROXIMITY SENSOR (C M BI N TI M C N)Ả Ế Ệ Ậ

INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR:

C m bi n ti m c n đi n c m (inductive proximity sensor) là lo i c mả ế ệ ậ ệ ả ạ ả

bi n dùng đ phát hi n s có m t c a m t v t th mà không c n ti pế ể ệ ự ặ ủ ộ ậ ể ầ ế

xúc tr c ti p v i v t th đó, c m bi n ti m c n đa d ng v kích c vàự ế ớ ậ ể ả ế ệ ậ ạ ề ỡ

hình dáng, đ c ng d ng trong nhi u m c đích và lĩnh v c khác nhau.ượ ứ ụ ề ụ ự

Lo i c m bi n này g m có m t cu n dây đi n t đ c s d ng đ phátạ ả ế ồ ộ ộ ệ ừ ượ ử ụ ể

hi n s có m t c a m t v t th kim lo i, nó không th phát hi n m tệ ự ặ ủ ộ ậ ể ạ ể ệ ộ

v t th phi kim.ậ ể

1.C u t o nguyên lý ho t đ ng c a Inductive Pro Sensor:ấ ạ ạ ộ ủa. C u t oấ ạ :g m có 4 thành ph n chính:ồ ầ

Coil: Cu n dây c m bi n.ộ ả ế

Oscillator: B t o dao đ ng g m m t t đi n và m t cu n dâyộ ạ ộ ồ ộ ụ ệ ộ ộ

m c song song.ắ

Trigger Circuit: M ch ghi nh n tín hi u.ạ ậ ệ

Output Circuit: M ch đi n ngõ ra.ạ ệ

b. Nguyên lý ho t đ ng:ạ ộ

GVHD: TS.Đào Th Di uế ệ Trang




Nhóm 8

Khi m t v t th kim lo i ti n vào vùng t tr ng ( sinh ra b iộ ậ ể ạ ế ừ ườ ở

b m t xuyên qua cu n dây d n b m t c a c m bi n) (kho ngề ặ ộ ế ề ặ ủ ả ế ả

cách t 0÷20 cm), t tr ng này ph n h i l i gi cho m ch daoừ ừ ườ ả ồ ạ ữ ạ

đ ng ti p t c ho t đ ng. Khi m t v t th kim lo i ti n vào vùngộ ế ụ ạ ộ ộ ậ ể ạ ế t tr ng, m t dòng đi n xoáy sinh ra trên b m t v t th kimừ ườ ộ ệ ề ặ ậ ể

lo i. Dòng đi n xoáy này t o nên t i c a c m bi n, làm gi m biênạ ệ ạ ả ủ ả ế ả

đ c a vùng đi n t . Khi v t th càng đ n g n c m bi n thì dòngộ ủ ệ ừ ậ ể ế ầ ả ế

đi n xoáy càng tăng lên làm tăng t i c a m ch dao đ ng và h nệ ả ủ ạ ộ ơ

n a làm gi m biên đ c a t tr ng (t tr tăng lên). Đ n m t trữ ả ộ ủ ừ ườ ừ ở ế ộ ị

s nào đó s không tăng n a và b t o dao đ ng s không daoố ẽ ữ ộ ạ ộ ẽ

đ ng n a, tín hi u này s đ c ghi nh n (b i m ch Trigger), xộ ữ ệ ẽ ượ ậ ở ạ ử

lý và đ a ra ngõ ra.ư

Khi v t th đi ra kh i vùng c m bi n, biên đ t n s c a m chậ ể ỏ ả ế ộ ầ ố ủ ạ

dao đ ng tăng lên đ n m t giá tr đ nh tr c thì m ch Trigger thayộ ế ộ ị ị ướ ạ

đ i tr ng thái ngõ ra c a c m bi n và tr ng thái ban đ u c a nó.ổ ạ ủ ả ế ạ ầ ủ

2. Phân lo iạ : G m 5 lo i chínhồ ạ

Cylindrical : Lo i hình tr .ạ ụ

Rectangular: Lo i hình ch nh t.ạ ữ ậ

Miniature : Lo i d t – m ng.ạ ẹ ỏ





Nhóm 8

Harsh enviroment : Lo i dùng trong môi tr ng kh c nghi t.ạ ườ ắ ệ

Special purpose: Lo i dùng cho m c đích đ c bi t.ạ ụ ặ ệ

3. Đ c tính kĩ thu t:ặ ậ

u đi m:Ư ể Phát hi n đ c nh ng kho ng cách nh (≤1 inch)ệ ượ ữ ả ỏ

Phát hi n đ c nh ng kim lo i có tính ch t s t t hay khôngệ ượ ữ ạ ấ ắ ừ

s t t , c u trúc bé, không nh h ng b i b i b n, d u, đ m…ắ ừ ấ ả ưở ở ụ ẩ ầ ộ ẩ

Đ chính xác cao.ộ

Đi n áp đ u vào 10 ÷ 30 VDC (cho t ng lo i)ệ ầ ừ ạ

Tu i th cao 100.000 hours.ổ ọ

D l p đ t.ễ ắ ặ Ch u nhi t đ t 40ị ệ ộ ừ 0C -> 850C.

Nh c đi m:ượ ể

Biên đ tín hi u và s tuy n tính b nh h ng b i tính ch tộ ệ ự ế ị ả ưở ở ấ

đi n t c a v t li u c n đo.ệ ừ ủ ậ ệ ầ

Chi u dài dây n i sensor b h n ch kho ng 12÷18mm vì t n sề ố ị ạ ế ả ầ ố

dao đ ng cao.ộ

b. Target (đ i t ng c m bi n):ố ượ ả ế





Nhóm 8

Target đúng tiêu chu n th ng là thép, có b dày 1mm, chi uẩ ườ ề ề

dài cũng nh chi u r ng b ng đ ng kính c a đ u c m bi nư ề ộ ằ ườ ủ ầ ả ế

sensor (Active Face), h ng vuông góc v i c m bi n.ướ ớ ả ế

Đ i v i c m bi n có vòng ch n thì Target chu n có kích th cố ớ ả ế ắ ẩ ướ

b ng v i đ ng kính c a b m t tác đ ng c a c m bi n. Targetằ ớ ườ ủ ề ặ ộ ủ ả ế

chu n đ i v i c m bi n không có vòng ch n là v t có b m tẩ ố ớ ả ế ắ ậ ề ặ

b ng v i đ ng kính c a b m t tác đ ng c a c m bi n ho cằ ớ ườ ủ ề ặ ộ ủ ả ế ặ

b ng 3 l n vùng tác đ ng c a c m bi n và có th l n h n.ằ ầ ộ ủ ả ế ể ớ ơ

Đ kho ng cách c m bi n v i Target đ t chu n theo quy đ nhể ả ả ế ớ ạ ẩ ị

c a nhà s n xu t thì Target ≥ d. Tuy nhiên, n u Target < Standardủ ả ấ ế

Target ho c có hình d ng không đ u thì kho ng tác đ ng c a c mặ ạ ề ả ộ ủ ả

bi n (Sn) gi m xu ng. Do đó ph i đ t g n h n thì c m bi n m iế ả ố ả ạ ầ ơ ả ế ớ

có th nh n th y đ c.ể ậ ấ ượ

c. H s ch nh s a kích th c v t th :ệ ố ỉ ử ướ ậ ể

M t h s ch nh s a ch p nh n đ c khi v t th nh h n v tộ ệ ố ỉ ử ấ ậ ượ ậ ể ỏ ơ ậ

chu n. Đ xác đ nh vùng c m ng cho v t th nh h n v t chu nẩ ể ị ả ứ ậ ể ỏ ơ ậ ẩ

(Snew), ta nhân kho ng cách vùng tác đ ng c a c m bi n (Srated)ả ộ ủ ả ế

v i h s ch nh s a (T). Ví d : Nh m t c m bi n có vòng ch nớ ệ ố ỉ ử ụ ư ộ ả ế ắ

có kho ng cách vùng tác đ ng là 1mm và v t th c n phát hi n cóả ộ ậ ể ầ ệ

kích th c b ng m t n a v t chu n, ta tính đ c kho ng cách tácướ ằ ộ ử ậ ẩ ượ ả

đ ng m i là 0.83 mm (1mm x 0.83).ộ ớ

Snew = Srated x T





Nhóm 8

Snew = 1mm x 0.83

Snew = 0.83 mm

d. B ng thông s v đ chính xác cho m i lo i Target:ả ố ề ộ ỗ ạ

e. Đ dày c a v t th :ộ ủ ậ ể

Đ dày c a v t th là m t h s khác c n đ c xem xét.ộ ủ ậ ể ộ ệ ố ầ ượ

Kho ng cách vùng tác đ ng thì không đ i đ i v i v t chu n. Tuyả ộ ổ ố ớ ậ ẩ

nhiên đ i v i v t th không có s t trong thành ph n nh đ ng thauố ớ ậ ể ắ ầ ư ồ

(brass), nhôm (aluminum), và đ ng đ (copper) thì s x y ra hi nồ ỏ ẽ ả ệ

t ng “hi u ng b m t” (skin effect). Kho ng cách vùng c mượ ệ ứ ề ặ ả ả

ng s gi m khi đ dày c a v t th tăng lên. N u đ dày c a v tứ ẽ ả ộ ủ ậ ể ế ộ ủ ậ

th khác so v i v t chu n thì m t h s ch nh s a s đ c dungể ớ ậ ẩ ộ ệ ố ỉ ử ẽ ượ

đ đi u ch nh l i.ể ề ỉ ạ





Nhóm 8

f. Kim lo i c a v t th :ạ ủ ậ ể

Kim lo i c u t o nên v t th c ng nh h ng đ n kho ng cáchạ ấ ạ ậ ể ủ ả ưở ế ả

vùng tác đ ng. Khi m t kim lo i nào đó khác thép thì m t h sộ ộ ạ ộ ệ ố

ch nh s a đ c s d ng đ hi u ch nh.ỉ ử ượ ử ụ ể ệ ỉ

4. Vùng tác đ ng c a c m bi n:ộ ủ ả ế

Kho ng cách tác đ ng (Sn) (the rated sensing distance) là m t giáả ộ ộ

tr lý thuy t mà nó không ph thu c vào tính toán nh là sai s c aị ế ụ ộ ư ố ủ

quá trình s n xu t, nhi t đ ho t đ ng và đi n áp cung c p. Trongả ấ ệ ộ ạ ộ ệ ấ

m t vài tr ng h p c m bi n có th phát hi n ra v t th n mộ ườ ợ ả ế ể ệ ậ ể ằ





Nhóm 8

ngoài kho ng cách tác đ ng này. Ho c có tr ng h p v t thả ộ ặ ườ ợ ậ ể

không đ c phát hi n cho đ n khi nó đ n g n h n kho ng cáchượ ệ ế ế ầ ơ ả

tác đ ng. Có m t vài gi i h n ph i đ c xem xét khi c l ngộ ộ ớ ạ ả ượ ướ ượ

kho ng cách tác đ ng trong m i tr ng h p c th .ả ộ ỗ ườ ợ ụ ể Kho ng cách ho t đ ng hi u qu (Sr) (the effective operatingả ạ ộ ệ ả

distance) đi u ki n ngu n đi n cung c p n đ nh v i nhi t đở ề ệ ồ ệ ấ ổ ị ớ ệ ộ

dao đ ng trong kho ng t 23ộ ả ừ 0C ± 0.50C. Nó d a vào vi c tính toánự ệ

sai s trong quá trình s n xu t. Kho ng cách ho t đ ng hi u quố ả ấ ả ạ ộ ệ ả

kho ng ± 10ả 0C c a kho ng cách tác đ ng (Sn). Đi u này có nghĩaủ ả ộ ề

là v t th s đ c phát hi n trong kho ng t 0 đ n 90% c aậ ể ẽ ượ ệ ả ừ ế ủ

kho ng cách tác đ ng. Tùy thu c vào m i thi t b , tuy nhiên,ả ộ ộ ỗ ế ị

kho ng cách tác đ ng hi u qu (Sr) có th xa h n 110% c aả ộ ệ ả ể ơ ủ

kho ng cách tác đ ng (Sn).ả ộ

Kho ng cách chuy n m ch h u ích (Su) (the useful switchingả ể ạ ữ

distance) là kho ng cách chuy n m ch đ c tính toán theo đi uả ể ạ ượ ề

ki n đi n áp và nhi t đ lý thuy t. Kho ng cách chuy n m chệ ệ ệ ộ ế ả ể ạ

h u ích (Su) thì b ng kho ng 10% c a kho ng cách ho t đ ngữ ằ ả ủ ả ạ ộ

hi u qu (Sr).ệ ả Kho ng cách ho t đ ng ch c ch n (Sa) (the guaranteedả ạ ộ ắ ắ

operating distance) là kho ng cách chuy n m ch cho s ho t đ ngả ể ạ ự ạ ộ

c a c m bi n ti m c n trong ph m vi đi u ki n ho t đ ng c cóủ ả ế ệ ậ ạ ề ệ ạ ộ ụ

th ch p nh n đ c đ m b o. Kho ng cách ho t đ ng ch c ch nể ấ ậ ượ ả ả ả ạ ộ ắ ắ

(Sa) n m trong kho ng 0 ÷ 81% c a kho ng cách ho t đ ng (Sn).ằ ả ủ ả ạ ộ





Nhóm 8

Các chuy n m ch c a c m bi n ti m c n ch đáp ng l i v iể ạ ủ ả ế ệ ậ ỉ ứ ạ ớ

v t th khi v t th đó n m trong khu v c xác đ nh đ ng tr c bậ ể ậ ể ằ ự ị ằ ướ ề

m t c a c m bi n. Đi m mà c m bi n ti m c n nh n ra đ cặ ủ ả ế ể ả ế ệ ậ ậ ượ

m t v t th mang đ n g i là đi m tác đ ng (operating point). Vàộ ậ ể ế ọ ể ộ

đi m mà khi v t th đi ra làm thi t b chuy n l i tr ng thái banể ậ ể ế ị ể ạ ạ

đ u g i là đi m thoát (release point). Kho ng cách gi a 2 đi mầ ọ ể ả ữ ể

này g i là vùng tr (hysteretis zone).ọ ễ





Nhóm 8

Kích th c và hình d ng c a đ ng cong đáp ng thì tùy thu cướ ạ ủ ườ ứ ộ

vào t ng lo i c m bi n c th . Đáp ng d i đây miêu t c thừ ạ ả ế ụ ể ứ ướ ả ụ ể

m t lo i c m bi n ti p c n c th .ộ ạ ả ế ế ậ ụ ể

Hysteresis là kho ng cách gi a đi m ho t đ ng và kho ng ho tả ữ ể ạ ộ ả ạ

đ ng c a sensor. Biên đ dao đ ng ph i bé h n d i Hysteresis độ ủ ộ ộ ả ơ ả ể

tránh t o ra các xung chuy n m ch khi sensor ON/OFF.ạ ể ạ

T c đ l n nh t mà sensor có th đ c riêng l t ng tín hi uố ộ ớ ấ ể ọ ẻ ừ ệ

xung (đ i v i Target quay) khi v t trong hay ngoài vùng c mố ớ ậ ở ở ả

bi nv t. Giá tr này ph thu c vào kích th c v t c m bi nế ậ ị ụ ộ ướ ậ ả ế

(mXm), kho ng cách t b m t c m bi n đ n b m t đ i t ngả ừ ề ặ ả ế ế ề ặ ố ượ

Sn/2, t c đ chuy n đ ng c a Target. Các y u t trên s cho taố ộ ể ộ ủ ế ố ẽ

bi t kh năng l n nh t v ho t đ ng c a c m bi n trên m t đ nế ả ớ ấ ề ạ ộ ủ ả ế ộ ơ

v th i gian.ị ờ





Nhóm 8

d:đ ng kính Active Faceườ Sn: kho ng cách t i thi u có th c a c mả ố ể ể ủ ả

5. Vòng ch n( Sheilding)ắ

Shielded Inductive Pro Sensor: C u t o t ng t nh IPS nh ngấ ạ ươ ự ư ư

có thêm mi ng kim lo i m ng bao quanh lõi ferrit và cu n dây, lõiế ạ ỏ ộ

ferrit t p trung t tr ng phân tán vào h ng s d ng (h ng màậ ừ ườ ướ ử ụ ướ

v t th c n phát hi n s đi qua). C m bi n ti p c n có vòng ch nậ ể ầ ệ ẽ ả ế ế ậ ắ

g m có vòng kim lo i bao quang lõi đ gi i h n t tr ng t a raồ ạ ể ớ ạ ừ ườ ỏ ở

ph n bên. Lo i c m bi n này có th đ t lên giá b ng kim lo i, cóầ ạ ả ế ể ặ ằ ạ

m t kho ng tr ng không c m ng đ c, kim lo i trên và tr cộ ả ố ả ứ ượ ạ ở ướ

b m t tác đ ng c a c m bi n. M i c m bi n s có h ng d nề ặ ộ ủ ả ế ỗ ả ế ẽ ướ ẫ

kèm theo cho m i ng d ng. N u có b m t kim lo i đ t đ i di nỗ ứ ụ ế ề ặ ạ ặ ố ệ

v i c m bi n thì nó ph i đ c đ t xa h n t i thi u 3 l n kho ngớ ả ế ả ượ ặ ơ ố ể ầ ả

tác đ ng c a c m bi n.ộ ủ ả ế

GVHD: TS.Đào Th Di uế ệ Trang 1




Nhóm 8





Nhóm 8

Unshielded Inductive Pro Sensor (không có màng ch n): Có thắ ị

tr ng tác đ ng r ng h n lo i có màn ch n. Lõi ferrit t p trung tườ ộ ộ ơ ạ ắ ậ ừ

tr ng phân tán vào h ng s d ng (h ng mà v t th c n phátườ ướ ử ụ ướ ậ ể ầ

hi n s đi qua).ệ ẽ





Nhóm 8





Nhóm 8

6. Kho ng cách gi a các c m bi n:ả ữ ả ế

C n ph i chú ý khi s d ng nhi u c m, khi có hai hay nhi uầ ả ử ụ ề ả ề

h n c m bi n đ t k nhau hay đ i di n nhau có th x y ra nhi uơ ả ế ặ ế ố ệ ể ả ễ

ho c s nh h ng l n nhau gi a chúng d n đ n sai tín hi u đ uặ ự ả ưở ẫ ữ ẫ ế ệ ầ

ra. Nh ng nguyên d i đây t c nhìn chung có th làm th p nh tữ ướ ắ ể ấ ấ

s tác đ ng l n nhau c a các c m bi n:ự ộ ẫ ủ ả ế

Các lo i c m bi n có vòng ch n đ t đ i di n nhau ph i cách ítạ ả ế ắ ặ ố ệ ả

nh t 4 l n vùng tác đ ng c a c m bi n.ấ ầ ộ ủ ả ế

Các lo i c m bi n không có vòng ch n đ t đ i di n nhauạ ả ế ắ ặ ố ệ ph i cách ít nh t 6 l n vùng tác đ ng c a c m bi n.ả ấ ầ ộ ủ ả ế

Các lo i c m bi n có vòng ch n đ t c nh nhau ph i cáchạ ả ế ắ ặ ạ ả

ít nh t 2 l n đ ng kính b m t tác đ ng c a c m bi n.ấ ầ ườ ề ặ ộ ủ ả ế

Các lo i c m bi n không có vòng ch n đ t c nh nhau ph i cách ítạ ả ế ắ ặ ạ ả

nh t 3 l n đ ng kính b m t tác đ ng c a c m bi n.ấ ầ ườ ề ặ ộ ủ ả ế





Nhóm 8

7. Các lo i ngõ ra:ạ

Lo i c m bi n ti m c n đi n c m có 3 dây đ u ra (s d ngạ ả ế ệ ậ ệ ả ầ ử ụ

đi n áp DC) có th có ngõ ra là PNP ho c là NPN. Đi u này phệ ể ặ ề ụ thu c vào lo i transistor đ c s d ng trong chuy n m ch ngõ raộ ạ ượ ử ụ ể ạ

c a c m bi n.ủ ả ế

Hình v d i đây minh h a cho lo i c m bi n có ngõ ra là PNP.ẽ ướ ọ ạ ả ế

Thi t b t i đ c m c gi a ngõ ra (ký hi u A) và dây(-) c aế ị ả ượ ắ ữ ệ ủ

ngu n đi n (ký hi u L-). M t transistor lo i PNP đ c m c gi aồ ệ ệ ộ ạ ượ ắ ữ

ngõ ra (A) và dây (+) (ký hi u L+) c a ngu n đi n. Khi transistorệ ủ ồ ệ

ho t đ ng ch đ ON,có m t dòng đi n đi t dây (L+) qua t iạ ộ ở ế ộ ộ ệ ừ ả

đ n dây (L-). Trong tr ng h p này, dòng đi n này đ c g i làế ườ ợ ệ ượ ọ

dòng đi n ngu n(dòng đi n quy c), nó đi t chi u(+) đ nệ ồ ệ ướ ừ ề ế

chi u(-) c a ngu n đi n và đi qua t i. Thu t ng này gây khó khănề ủ ồ ệ ả ậ ữ

cho nh ng ng i m i s d ng c m bi n, vì dong electron(dòngữ ườ ớ ử ụ ả ế

đi n th c) đi t chi u(-), qua t i và sau đó đ n chi u (+) c aệ ự ừ ề ả ế ề ủ

ngu n khi transistor PNP ho t đ ng ch đ ON.ồ ạ ộ ở ế ộ

Hình v d i đây minh h a cho lo i c m bi n có ngõ ra là lo iẽ ướ ọ ạ ả ế ạ

NPN. Thi t b t i đ c m c gi a ngõ ra(ký hi u A) và dây (+) c aế ị ả ượ ắ ữ ệ ủ

ngu n(kí hi u L+). M t lo i transistor lo i NPN đ c m c gi aồ ệ ộ ạ ạ ượ ắ ữ

ngõ ra(A) và dây (+) (kí hi u L+) c a ngu n đi n. Khi transistorệ ủ ồ ệ

ho t đ ng ch đ ON, dòng đi n đi qua t i g i là dòng đi n mátạ ộ ở ế ộ ệ ả ọ ệ





Nhóm 8

(dòng đi n quy c). Dòng đi n này có chi u ng c l i so v iệ ướ ệ ề ượ ạ ớ

dòng electron (dòng đi n th c).ệ ự

Ngõ ra đ c g i là th ng m (NO) ho c th ng đóng (NC)ượ ọ ườ ở ặ ườ

tùy thu c vào tr ng thái c a transistor khi ch a phát hi n ra v tộ ạ ủ ư ệ ậ

th . Ví d , ngõ ra PNP là OFF khi ch a phát hi n ra v t th , khi đóể ụ ư ệ ậ ể

nó là m t thi t b th ng m . Ng c l i n u ngõ ra PNP là ONộ ế ị ườ ở ượ ạ ế

khi ch a phát hi n ra v t th , khi đó nó là m t thi t b th ngư ệ ậ ể ộ ế ị ườ

đóng.

Ngoài ra còn có lo i c m bi n có ngõ ra b sung (có 4 dây ngõạ ả ế ổ ở

ra). Ngõ ra b sung là lo i ngõ ra có c ti p đi m th ng đóng vàổ ạ ả ế ể ườ

th ng m trên cùng m t c m bi n.ườ ở ộ ả ế

8. Các d ng k t n i c m bi n v i t i:ạ ế ố ả ế ớ ả





Nhóm 8

Trong m t vài ng d ng có th ph i s d ng nhi u c m bi nộ ư ụ ể ả ử ụ ề ả ế

đ đi u khi n m t quá trình công tác.nh ng c m bi n này có thể ề ể ộ ữ ả ế ể

đ c k t n i v i nhau theo ki u song song ho c n i ti p. Đ i v iượ ế ố ớ ể ặ ố ế ố ớ

ki u k t n i n i ti p t t c c m bi n đ u ON thì ngõ ra m i ON.ể ế ố ố ế ấ ả ả ế ề ớ Còn đ i v i ki u k t n i song song thì m t trong các c m bi nố ớ ể ế ố ộ ả ế

ON thì ngõ ra s ON.ẽ

Có m t v n đ ph i đ c xem xét khi k t n i các c m bi nộ ấ ề ả ượ ế ố ả ế

theo ki u k t n i song song. Ch ng h n v n đ s t áp trên m iể ế ố ẳ ạ ấ ề ụ ỗ

c m bi n khi có nhi u c m bi n m c n i ti p v i nhau.ả ế ề ả ế ắ ố ế ớ

a. N i n i ti pố ố ế : tr ng h p này đ cho c m bi n ho t đ ng bình th ng thìỞ ườ ợ ể ả ế ạ ộ ườ

đi n áp r i trên t i ph i bé h n ho c b ng đi n áp ngu n tr đi đi n áp r i trênệ ơ ả ả ơ ặ ằ ệ ồ ừ ệ ơ

các c m bi n.ả ế

Vload ≤ Vsoure -Vsensor





Nhóm 8

b. K t n i song songế ố : Đi u khi n t ng các dòng rò trên c m bi n ph i bé h nề ể ổ ả ế ả ơ

dòng đi n tĩnh l n nh t c a t i:ệ ớ ấ ủ ả

Iroø ≤ Istatic load

*Chú ý: Khi k t n i song song n u dòng rò ch y qua t i quá l n thì có thế ố ế ạ ả ớ ể

do công t c bán d n thay đ i tr ng thái.ắ ẫ ổ ạ





Nhóm 8





Nhóm 8

*Đi n tr Rệ ở * đ n đ nh đi n áp bé nh t khi c m bi n đang ho t đ ngể ổ ị ệ ấ ả ế ạ ộ

9. ng d ng trong công nghi p và s n xu t:Ứ ụ ệ ả ấ

Đi u khi n l u l ng b ng phao.ề ể ư ượ ằ

Đi u khi n máy ti n, máy c t.ề ể ệ ắ

Đi u khi n quy trình n u ch y ch t d o c a máy đúc ch t d oề ể ấ ả ấ ẻ ủ ấ ẻ

(gi cho nhi t đ n đ nh).ữ ệ ộ ổ ị





Nhóm 8


Cam Bien Tiem Can

Documents

Transcript of Cam Bien Tiem Can