Buffer layer 磊晶
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Buffer layer 磊磊 • 成成 : 成 AlN 成 GaN • 成成成成成成 480 °c~550°c 。 • 成成 MOCVD 成成 成成成成成 成成成 ，體 (NH3) 成成成成成成成成成成 (Trimethyl gallium, TMG) 成 成 成 成 成 成 成 成 (Buffer layer) 。 1
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Buffer layer 磊晶. 成分 : 為 AlN 或 GaN 成長溫度約為 480 °c~550°c 。 使用 MOCVD 磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3) 與有機化合物三甲基鎵 ( Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成緩衝層 (Buffer layer) 。. N- GaN 磊晶. 成分 : 為 GaN 摻雜 Si 成長溫度約為 1050°c 。 使用 MOCVD 磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3) 、三甲基鎵 ( Trimethyl gallium, TMG) 與 矽甲烷 (SiH 4 ) 反應後形成。. - PowerPoint PPT Presentation
Transcript of Buffer layer 磊晶
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Buffer layer磊晶• 成分 :為 AlN或 GaN
• 成長溫度約為 480 °c~550°c。
• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)與有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成緩衝層 (Buffer layer)。
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N-GaN磊晶• 成分 :為 GaN摻雜 Si
• 成長溫度約為 1050°c。
• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG)與矽甲烷 (SiH4
)反應後形成。
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Multiple Quantum Well磊晶• 成分 :InGaN/GaN(well/barrier)
• 成長溫度約為 770°c。
• 使用MOCVD磊晶，Well的部分主要氣體為氨氣(NH3) 、有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG)與三甲基銦 (Trimethyl-Indium, TMI)反應形成， Barrier的主要氣體為氨氣 (NH3)與有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成。
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Electron Blocking Layer磊晶
• 成分 :為 AlGaN摻雜Mg
• 成長溫度約為 950°c。
• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 、三甲基鋁（ Trimethyl aluminum, TMAL ） 與 二 茂 鎂(CP2Mg )反應後形成。
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P-GaN磊晶• 成分為 GaN摻雜Mg
• 成長溫度約為 950°c~1120°c。
• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 與二茂鎂(CP2Mg )反應後形成。
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參考資料• http://www.ledinside.com.tw/knowledge/20121018-23464.html• http://www.levitronix.com/cn/cmp-slurry-683.html• http://big5.made-in-china.com/info/article-5005884.html• http://een.ctu.edu.tw/ezfiles/16/1016/img/833/LED13.pdf• http://www.cnledw.com/inter/upload/201105061522121214.pdf• http://www.ieo.nctu.edu.tw/sclab/oedevicepdf/III-V_MOCVD.pdf
