Astro-E2 XISAstro-E2 XIS の軟の軟 XX線領域線領域における量子効率（における量子効率（ QEQE ）Ⅱ）Ⅱ

松浦大介、勝田哲、林田清、鳥居研一、並木雅章、東海林雅幸、松浦大介、勝田哲、林田清、鳥居研一、並木雅章、東海林雅幸、宮内智文、常深博（阪大理）、宮内智文、常深博（阪大理）、中嶋大、山口弘悦（京大）中嶋大、山口弘悦（京大）

幸村孝由（工学院大）、片山晴善（幸村孝由（工学院大）、片山晴善（ JAXAJAXA ）、他）、他 Astro-E2 XISAstro-E2 XISチームチーム

X 線発生装置 チェンバー内部

～3m

比例計数管（ PC ）

XIS-EU(FM 品と同チップ )

XIS-FM(FI ４台 & BI 2 台 )

較正実験方式＠大阪大学

分光 X線

ポスターW27b

発生発生 XX線の強度補正線の強度補正

)()()( tIEKbatQE

QEI

batI

EUEU

FMFM

EU

同時フィットモデル

I : X 線強度t : X 線ジェネレータ稼動時間K(E) : 相対検出効率

補正方法１、同条件で繰り返し測定（データ点を増やす）２、エネルギーバンドごと X線強度を発生装置　の稼動時間でプロット（右図）３、同時フィットを行う（他のバンドでも同様に）

強度補正した各エネルギーの相対検出効率

X線

強度

[cou

nts

/8sec]

稼働時間　 [h]

2004.2 (FM)

2003.12(EU)

2004.4 (EU)

X 線強度と X 線ジェネレータ稼動時間

100 200 300 400

黒： EU のデータ赤： FM のデータ

2003.12.30(EU)

2004.4.5 (EU)

2004.2.4 (FM)

分散 X 線スペクトルの強度（ 1 ヶ月ごと）

X線

強度

[cou

nts

/8sec/c

olu

mn

]

このエネルギーバンドの強度を稼働時間でプロット

X線

強度

[cou

nts

/8sec]

稼働時間　 [h]

2004.2 (FM)

2003.12(EU)

2004.4 (EU)

モデルによる同時フィット

同時フィットモデル

IEU = at + b

IFM= K(E)×(at + b)

K(E)倍

100 200 300 400

ポスターW27b

XIS-FM :XIS-FM : 　ＥＵに対する相対検出　ＥＵに対する相対検出効率効率

FI1 （表面照射型）

K(E) ～ 1.1 倍@0.6 keV

K(E) ～ 10 倍 @0.6 keV

～ 80 倍 @0.28 keV

BI1 （裏面照射型）

XIS-FM XIS-FM 絶対検出効率絶対検出効率

0.01

0.1

1

1 10

XIS FI1 QE

FI1-QE(Osaka)

FI1-QE(Kyoto)

Ex(keV)

XIS-FM : BI1 （裏面照射型）XIS-FM : FI1( 表面照射型 )

阪大と京大で得られたデータが繋がらない繋がらない 11を超えるデータ点を超えるデータ点がある

ポスターW27b

赤　 : 　阪大データ点青　 : 　京大データ点

→比例計数管の QE を再検討中

XIS-FMXIS-FM の絶対検出効率の絶対検出効率

0.01

0.1

1

1 10

XIS FI1 QE

FI1-QE(Osaka)

FI1-QE(Kyoto)x0.8

FI1 QEmodel

Ex(keV)

XIS-FM : FI1( 表面照射型 ) XIS-FM : BI1 （裏面照射型）

ポスターW27b

0.28keV0.28keV 0.65keV0.65keV 1.8keV1.8keV

FM-FI1FM-FI1 ～～ 0.7%0.7% ～～ 20%20% ～～ 80%80%

FM-BI1FM-BI1 ～～ 45%45% ～～ 85%85% ～～ 85%85%

0.01

0.1

1

0.2 0.4 0.6 0.8 1

XIS-EU QEModel XISEU QE

Ex(keV)

2. EU （ Engineering Unit ）の検出効率

分散 X線 スリット

PC

XIS-EU

ON/OFF

1. 比例計数管（ PC ）の検出効率

斜入射較正法 : 垂直入射と 45º入射の検出効率の比から絶対効率を求める

PC

分散 X線 スリット

XIS-EUのPCに対する相対効率測定

XIS-FM-FIXIS-FM-FI の相対検出効率の相対検出効率FI0

FI3

FI1

FI2

K(E) ~ 1.1@0.6 keV

XIS-FM-BIXIS-FM-BI の相対検出効率の相対検出効率BI0 BI1

1keV以下のエネルギーで非常に高くなっているC-K(0.277keV)で約 80倍

K(E) ~ 80@0.28 keV　　　 ~ 10@0.6 keV

SiSi ＯＯ 22 層層 SiSi 層層 空乏層空乏層0.443μm0.443μm±0.004±0.004

0.181μm0.181μm±0.003±0.003

68.9μ68.9μmm ±1.7 ±1.7

SiSi ＯＯ 22 層層 HfOHfO22 層層 空乏層空乏層0.0000μm0.0000μm±0.0005±0.0005

0.005μ0.005μmm

fixedfixed

45.7μm45.7μm

±0.7±0.7

検出効率

FI-CCD BI-CCD

K(E

)

FI-1

K(E) ~ 1.1@0.6 keVK(E) ~ 80@0.28 keV　　　 ~ 10@0.6 keV

系統誤差 : 5%以下

BI-1

FI3

系統誤差

現在の量子効率モデルパラメータ