astf PR 1 · Title: astf_PR_1 Created Date: 10/4/2016 2:10:33 PM
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· 、 二 0の拠 点 あいち ぶ プロジェクトV 近未来自動車技術開発プロジェクト 局k-iム日2電口 ～ 軽く、小さく、頼もしく～ 産業技術総合研究所 ラボ長 清水三聡 研究リ ー ダ ー ：産業技術総合研究所ラボ長 清水三聡 事業化リ ー ダ ー ：（株）サンビ ー オフィス寺尾健志、（株）フジミインコ ー ポレ ー テッド野口直人 参画機関 ：（株）サンビ ー オフィス、（株）SkyDrive 、東邦エンジニアリング（株）、（株）ニ ー トレックス、（株）フジミインコ ー ポレ ー テッド、 フタバ産業（株）、 RITA エレクトロニクス（株）、（株）ワ ー ルドテック、長岡技術科学大学、名古屋工業大学、山口大学 （ 国研） 産業技術総合研究所、（ 一 財）ファインセラミックスセンタ ー While large-scale drones and EVs have become more widespread and require a large amount of power, demand for smaller, lighter, and more efficient power sources is increasing. Therefore, we will develop a high-performance power supply using AIGaN / GaN HEMT capable of high-speed switching, reducing the size and improving the operation efficiency. In addition, precision polishing technology such as CMP for GaN substrates is indispensable for the practical application of vertical GaN power devices. We will develop new CMP polishing technologies, and new grinding technologies for GaN substrates. 課題／背景 ーー1低炭素化社会に向け て車の 電動化、自動 運転の普及、ドロ ー ン などの普及が進んでいる。自動 車 部品から交通システムまで 大きな変化が起き ており、非エレクトロニクス企業 や 中小企業 にも大 変革が求められている。また、GaN、SiC 新材料のパワ ー デバイスが実現し、軽量化・小型化・低損失化を可能にする新 しいコンセプトを用いたパワエレ技術の実現可能 性が明確に なった。エレクトロニクスに長けた部品メ ー カ ー が主体で進めて いるが、製品への適用は事業性 で 判断されて進まないことが 多い。このよ うな状況に対応するには、一企業だけでは困難で あり、半導体技術から電源 まで製品仕様に基づく技術開発プ ラットフォ ー ムを形成し、非エレクトロニクス企業と中小企業の 電動化社会への対応を支援する必要がある。 開発内容／目標 大型のドロ ー ン や EVの普及が進み大電力が必要になった 一 方 で 、搭載する電源の小型化、軽量化、裔効率化への需要が増々 高ま っている。そこで高速スイッチングが可能なAIGaN/GaN HEMTを用いて、キャパシタ ー による電力結合方式の採用やプレ ー ナ ー トランスによる薄型化を試み、多相（多重化） による運転効 率向上 や信頼性向上 を行い、 早 期の 高性能電源開発を行うことが 目的である。 またGaN材料はMOS特性が良いため縦型 GaNパワ ー デバ イスが期待されている。そこで、その製造に用いる大口径の単結 晶GaN基板の開発が行われているが、基板の研磨技術はまだ 完成されていな い。そこで CMP 研磨の新規研磨剤や研磨技術、 研削砥石等の研削 材料 や研削技術を開発し、加工時の潜傷を 検出限界以下にするGaN基板用の研磨技術を開発することが 目的である。 ーーT• — I J 1 ? J 1 コ · J LLC回路 コンデンサ結合方式回路 基本電源ユニットの構成 多相電源とその応用 ( 1 50 h ． ． ,. · . 化学機械研磨 (CMP) 時間と表面損傷 （研磨時間の短縮を目指す） 鳳鸞冒冒二疇 ら公益財団法人科学技術交流財団 一 •一ー · --· ,
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111111、二 こ、ヨ
0の拠点あいち莞累ぶ プロジェクトV
近未来自動車技術開発プロジェクト
局k-i
ム日2 電 口
～軽く、小さく、頼もしく～ 産業技術総合研究所
ラボ長 清水三聡
研究リ ー ダー ：産業技術総合研究所ラボ長 清水三聡
事業化リ ー ダー ：（株）サンビーオフィス寺尾健志、（株）フジミインコ ーポレー テッド野口直人
参画機関 ：（株）サンビーオフィス、（株）SkyDrive、東邦エンジニアリング（株）、（株）ニー トレックス、（株）フジミインコ ーポレー テッド、
フタバ産業（株）、RITA エレクトロニクス（株）、（株）ワ ールドテック、長岡技術科学大学、名古屋工業大学、山口大学
（国研）産業技術総合研究所、（一財）ファインセラミックスセンタ ー
While large-scale drones and EVs have become more widespread and require a large amount of power, demand for smaller, lighter, and more efficient power sources is increasing. Therefore, we will develop a high-performance power supply using AIGaN / GaN HEMT capable of high-speed switching, reducing the size and improving the operation efficiency. In addition, precision polishing technology such as CMP for GaN substrates is indispensable for the practical application of vertical GaN power devices. We will develop new CMP polishing technologies, and new grinding technologies for GaN substrates.
課題／背景ー
ー
1
低炭素化社会に向けて車の電動化、自動 運転の普及、ドローン
などの普及が進んでいる。自動 車 部品から交通システムまで
大きな変化が起き ており、非エレクトロニクス企業 や 中小企業
にも大変革が求められている。また、GaN、SiC新材料のパワ ー
デバイスが実現し、軽量化・小型化・低損失化を可能にする新
しいコンセプトを用いたパワエレ技術の 実現可能性が明確に
なった。エレクトロニクスに長けた部品メ ーカ ーが主体で進めて
いるが、製品への適用は事業性で判断されて進まないことが
多い。このよ うな状況に対応するには、一企業だけでは困難で
あり、半導体技術から電源 まで製品仕様に基づく技術開発プ
ラットフォ ームを形成し、非エレクトロニクス企業と中小企業の
電動化社会への対応を支援する必要がある。
開発内容／目標
大型のドローンやEVの普及が進み大電力が必要になった一方
で、搭載する電源の小型化、軽量化、裔効率化への需要が増々
高まっている。そこで高速スイッチングが可能なAIGaN/GaN
HEMTを用いて、キャパシタ ーによる電力結合方式の採用やプレ ー
ナ ー トランスによる薄型化を試み、多相（多重化）による運転効
率向上や信頼性向上を行い、早期の高性能電源開発を行うことが
目的である。
またGaN材料はMOS特性が良いため縦型GaNパワ ー デバ
イスが期待されている。そこで、その製造に用いる大口径の単結
晶GaN基板の開発が行われているが、基板の研磨技術はまだ
完成されていない。そこでCMP研磨の新規研磨剤や研磨技術、
研削砥石等の研削 材料や研削技術を開発し、加工時の潜傷を
検出限界以下にするGaN基板用の研磨技術を開発することが
目的である。
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LLC回路
コンデンサ結合方式回路
基本電源ユニットの構成
多相電源とその応用
(f) 150 h
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化学機械研磨 (CMP) 時間と表面損傷（研磨時間の短縮を目指す）
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