About SPICE Model of Transistor

トランジスタのスパイスモデル

株式会社ビー・テクノロジーhttp://www.bee-tech.com/[email protected]

1Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

2011 年 4 月 20 日 ( 水曜日 )


1.Gummel-Poon モデル ( パラメータモデル )2. パワー・トランジスタモデル3. ダーリントントランジスタモデル4. デジタルトランジスタモデル (=BRT モデル )

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1.Gummel-Poon モデル ( パラメータモデル )2. パワー・トランジスタモデル3. ダーリントントランジスタモデル4. デジタルトランジスタモデル (=BRT モデル )

Gummel-Poon モデル


C

RE

RBRC

CJE

+

VCE

-

CJSIC

CJC

+ VBC -

E

+

-IB

VBE

Gummel-Poon モデル ( 電荷蓄積効果制御モデル )



PSpice の Bipolar Junction Transistor のモデルについてGummel-Poon モデルを改良している。

Positive current is current flowing into a terminal

Cjc

Qw

(LPNP only)

Qo

Rb

RE

Ibe2

lepi (if RCO>0)

Collector

Cje

Cjs

BaseSubstrate

(Ibe - Ibc1)/Kqp

Substrate

Emitter

Ibc2(LPNP only)



順方向電流ゲインを定めるパラメータ⇒IS,BF,NF,ISE,IKF,NE

逆方向電流ゲインを定めるパラメータ⇒BR,NR,ISC,IKF,NC

順方向及び逆方向領域の出力コンダクタンスを定めるパラメータ⇒VAF,VAR

抵抗 (RB,RC,RE) 、但し、 RB は大電流依存性を持つ事が可能である。

ベース電荷蓄積の影響はキャリアのベース領域走行時間 (TF,TR) と接合容量 (CJ,VJ,MJ) による非線型空乏層容量で定義される。

パワー・トランジスタモデル


パワー・トランジスタモデル


*$*Part Number=Q2SD882*NEC*All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2010.SUBCKT Q2SD882 col base emtrQ1 col base emtr QPWR .67Q2 col base2 emtr QPWR .33RBS base base2 60.5.MODEL QPWR NPN (IS=221f NF=1.00 BF=188 VAF=98.6・・・・・・・・・・・・・ ( 省略 )・・・・・・・・・・・・・ ( 省略 )+ XTB=1.5 CJE=153p VJE=0.600 MJE=0.300 CJC=97.0p VJC=0.220+ MJC=0.200 TF=635p TR=301n EG=1.12 ).ENDS*$

ダーリントントランジスタのスパイスモデル


2004k

C

B

E

B

100E

3k

C



R1,R2 の測定



Dbreak

D2

Base

Emitter

R1

1k

QbreakN

Q1

Collector

QbreakN

Q2

R2

1k



*$*2SD985,NEC*All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2010.SUBCKT Q2SD985 col base emtrQ1 col base eb QPWR .1Q2 col eb emtr QPWRR1 base eb 10.0kR2 eb emtr 500D2 eb base DSUB.MODEL QPWR NPN (IS=1.80p NF=1.00 BF=234 VAF=139・・・・・・・ ( 省略 )・・・・・・・ ( 省略 )+ VJC=1.10 MJC=0.240 TF=89.5n TR=1.70u ).MODEL DSUB D( IS=1.80p N=1 RS=0.167 BV=60.0+ IBV=.001 CJO=30.5p TT=1.70u ).ENDS *$

デジタルトランジスタのスパイスモデル


Q1Q2

U 1R N 1 9 6 2 F S

1 2 3

456*$*PART NUMBER: RN1962FS*Q1,Q2 : VCEO=20V, IC=50mA*All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2010.SUBCKT RN1962FS 1 2 3 4 5 6Q_Q1 6 B1 1 QNR_R1 5 B1 10kR_R2 B1 1 10kQ_Q2 4 B2 2 QNR_R3 3 B2 10kR_R4 B2 2 10k.MODEL QN NPN+ IS=4.00E-14 BF=583.26 IKF=52.610E-3 ISE=6.375E-6 NE=34.522・・・・・・・ ( 省略 ) ・・・・・・・ ( 省略 ) + CJE=2.00E-12 CJC=2.00E-12 VJC=1.50 MJC=.1+ TF=10.00E-9 XTF=10 VTF=10 ITF=1 TR=10.00E-9.ENDS*$

ローム製品：デジタルトランジスタ東芝セミコンダクター社製品： BRT



IC-VI(ON) Characteristics

V_V2

100mV 1.0V 10V 100V-I(V1)

100uA

1.0mA

10mA

100mA

0

V 1

0 . 2 V d c

V 2

0 V d c

Q1Q2

U 1R N 1 9 6 2 F S



IC-VI(OFF) Characteristics

V_V2

0.4V 0.6V 0.8V 1.0V 1.2V 1.4V 1.6V 1.8V 2.0VI(U1:4)

10uA

100uA

1.0mA

10mA

0

V 1

5 V d c

V 20 V d c

Q1Q2

U 1R N 1 9 6 2 F S



hFE-IC Characteristics

I(V2)

1.0mA 10mA 100mAI(V2)/ I_I1

10

100

1.0K

Q1Q2

U 1R N 1 9 6 2 F S V C E

5 V d c

0

I 1

0 A d c

V 2

0 V d c



VCE(Sat)-IC Characteristics

I_I2

1.0mA 10mA 100mAV(F1:2)

10mV

100mV

1.0V

I 2

0 A d c

F 1

F

G A I N = 0 . 0 5

0

Q1Q2

U 1R N 1 9 6 2 F S

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【本社】株式会社ビー・テクノロジー〒 105-0012 　東京都港区芝大門二丁目 2 番 7 号 7 セントラルビル4 階代表電話 : 03-5401-3851設立日 :2002 年 9 月 10 日資本金 :8,830 万円【子会社】Bee Technologies Corporation ( アメリカ )Siam Bee Technologies Co.,Ltd. ( タイランド )

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