6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source...
Transcript of 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source...
![Page 1: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/1.jpg)
6. Bölüm:
Alan Etkili Transistörler
1
Doç. Dr. Ersan KABALCI
![Page 2: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/2.jpg)
FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır.
Benzerlikleri:
• Yükselteçler
• Anahtarlama devreleri
• Empedans uygunlaştırma devreleri
Farkları:
• FETler gerilim kontrollü, BJTler ise akım kontrollü kaynaklardır.
• FETler daha yüksek giriş empedansına sahiptir, BJTler ise daha
yüksek kazanç değerlerine.
• FETler sıcaklık değişimlerinden daha az etkilenirler ve bu nedenle
entegre devrelerde daha kolay kullanılırlar.
• FETler genellikle BJTlerden daha kararlıdırlar.
• FET’in en büyük avantajı yüksek giriş empedansıdır.
FET
2
![Page 3: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/3.jpg)
•JFET–– Junction Field-Effect Transistor
•MOSFET –– Metal-Oxide Field-Effect Transistor
D-MOSFET –– Depletion MOSFET
E-MOSFET –– Enhancement MOSFET
FET Türleri
3
![Page 4: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/4.jpg)
JFET Yapısı
İki tip JFET vardır
•n-kanal
•p-kanal
N-kanal daha yaygın kullanılır.
Üç bağlantı ucu vardır.
•Drain (D) ve source (S) uçları n-kanalına
•Gate (G) ise p-tipi maddeye bağlanır.
4
![Page 5: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/5.jpg)
JFET’in Çalışma Yapısı
JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir.
Source (Kaynak) , drain-source
geriliminde negatif kutuptaki
elektronların toplamını ifade eder.
Drain (Akaç) uygulanan gerilimin
pozitif tarafında elektron eksikliğini ya
da oyukları ifade eder.
Su akıntısının Kontrol kısmı ise n-
kanalının genişliğini ve dolayısıyla
kaynaktan akaça yük akışını kontrol
eden gate (kapı) gerilimidir.
5
![Page 6: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/6.jpg)
JFET Çalışma Karakteristiği
Bir JFETin 3 temel çalışma karakteristiği vardır:
• VGS = 0, pozitif artan VDS
• VGS < 0, pozitif VDS
• Gerilim kontrollü direnç
6
![Page 7: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/7.jpg)
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS = 0, pozitif artan VDS
• N-kanaldaki elektronlar ile p-
kapısındaki oyuklar karşılaşırken p-
kapısı ve n-kanalı arasındaki geçiş
bölgesi artar.
• Geçiş bölgesinin artması n-kanalın
boyutunu azaltır ve n-kanal direncini
yükseltir.
• N-kanal direncinin artmasına rağmen,
VDS gerilimi yükseleceği için source-
drain arasındaki akım (ID) artar.
VGS = 0 and VDS sıfırdan pozitif bir değere yükselirken 3 durum gerçekleşir:
7
![Page 8: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/8.jpg)
VGS = 0 iken VDS daha yüksek bir
pozitif değere getirilirse, geçiş bölgesi
(boşaltılmış bölge) n-kanalı tıkayacak
kadar genişler.
Bu durum, n-kanal akımının (ID) 0A’e
düşeceğini gösterir ancak VDS arttıkça
ID de artacaktır.
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Bükülme (Pinch Off)
8
![Page 9: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/9.jpg)
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Bükülme (Pinch Off)
9
![Page 10: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/10.jpg)
Bükülme noktasında:
• VGS arttırılsa da ID akımında
herhangi bir artışın elde
edilemeyeceği bir noktaya ulaşılır.
Bükülme noktasındaki VGS
gerilimi Vp olarak tanımlanır.
• ID doyum ya da maksimum
değerdedir ve bu durumda akım
IDSS olarak adlandırılır.
• Kanalın direnç değeri
maksimumdur.
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Doyum
10
![Page 11: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/11.jpg)
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS < 0, pozitif VDS
VGS negatif değer aldıkça geçiş bölgesi
artar.
11
![Page 12: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/12.jpg)
VGS negatif değer aldıkça :
• JFET daha düşük bir
gerilimde (Vp) bükülme
noktasına ulaşır.
• VDS artsa da ID azalır
(ID < IDSS)
• Sonuç olarak ID 0A’e ulaşır.
Bu noktada VGS, Vp ya da
VGS(off) olarak adlandırılır.
JFET Çalışma karakteristikleri
VGS < 0, pozitif VDS : ID < IDSS
Bunun yanı sıra yüksek VDS geriliminde JFET kırılma durumuna gelecektir.
Eğer VDS > VDSmax olursa ID kontrolsüz bir şekilde artar.
12
![Page 13: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/13.jpg)
2
P
GS
od
V
V1
rr
Bükülme noktasının solunda
kalan bölge ohmik bölge
olarak tanımlanır.
JFET, VGS gerilimi drain-
source direncini (rd) kontrol
ettiğinden dolayı değişken
direnç olarak kullanılabilir.
VGS negatif değere düştükçe
(rd) direnci artar.
JFET Çalışma karakteristikleri
Gerilim Kontrollü Direnç
13
![Page 14: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/14.jpg)
p-Kanal JFET
Polariteleri ve akım yönlerinin
ters olmasının dışında p-kanal
JFETler n-kanal JFET gibi
çalışır.
14
![Page 15: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/15.jpg)
p-Kanal JFET Karakteristiği
Bunun yanı sıra yüksek VDS geriliminde JFET kırılma durumuna gelecektir. Eğer
VDS > VDSmax olursa ID kontrolsüz bir şekilde artar.
VGS pozitif olarak arttığında
• Geçiş bölgesi artar
• ID azalır (ID < IDSS)
• sonuçta ID = 0A olur.
15
![Page 16: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/16.jpg)
JFET Sembolü
16
![Page 17: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/17.jpg)
2
V
V1DSSD
P
GSII
JFETlerin girişten-çıkışa transfer karakteristiği BJTler kadar kolay
anlaşılır değildir.
BJTler, IB (giriş) ve IC (çıkış) arasındaki ilişkiyi gösterir.
Bir JFETte ise VGS (giriş) ve ID (çıkış) arasındaki ilişki daha karmaşıktır:
JFET Transfer Karakteristiği
17
![Page 18: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/18.jpg)
JFET Transfer Eğrisi
Aşağıdaki şekilde sabit bir VGS değerine göre ID akımı görülmektedir.
18
![Page 19: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/19.jpg)
Bir JFET’in kataloğundaki IDSS ve Vp (VGS(off)) değerlerine göre transfer
eğrisinin çizilmesi aşağıdaki 3 adımda gerçekleştirilir.
VGS = 0V ise ID = IDSS
2
P
GSDSSD
V
V1II
1. Adım
VGS = 0V Vp değerine 2
P
GSDSSD
V
V1II
3. Adım
JFET Transfer Eğrisinin Çizilmesi
19
VGS = Vp (VGS(off)) ise ID = 0A
2
P
GSDSSD
V
V1II
2. Adım
![Page 20: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/20.jpg)
JFET Katalog Sayfaları
Maximum Ratings
Elektriksel Karakteristikleri
20
![Page 21: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/21.jpg)
JFET Katalog Sayfaları
Maximum Ratings
21
![Page 22: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/22.jpg)
JFET Kılıf Tipleri ve Uçları
22
![Page 23: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/23.jpg)
MOSFETler
İki tip MOSFET vardır:
• Kanal Ayarlamalı (Depletion) Tip
• Kanal Oluşturmalı (Enhancement) Tip
MOSFETler JFETlere benzer karakteristik özellikler göstermekle birlikte
JFETlerden daha kullanışlı olmalarını sağlayan özellikleri vardır.
23
![Page 24: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/24.jpg)
MOSFETler
Metal oksit alan etkili transistörler (MOSFET), FET elemanlaının 2.
kategorisidir. Temel farkı, pn jonksiyonunun bulunmaması ve p ve n
maddelerinin birbirinden yalıtılmış olmasıdır. MOSFET’ler statik elektriğe
karşı duyarlıdırlar ve hassas bir şekilde kullanılması gerekir.
24
![Page 25: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/25.jpg)
Kanal Ayarlamalı (Depletion) Tip MOSFET Yapısı
Drain (D) ve source (S) n-katkılı
kanala bağlanır. Bu n-katkılı
kanallar, bir n-kanal ile birbirine
bağlıdır. Bu n-kanalı ise ince bir
yalıtkan SiO2 kanalıyla gate (G)
ucuna bağlanır.
n-katkılı maddeler ise p-katkılı alt
katmanın üstüne yerleştirilir. Bu alt
katmanın ise substrate (SS) yani alt
tabaka bağlantısı yapılır.
25
![Page 26: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/26.jpg)
Kanal Ayarlamalı Tip MOSFETin Temel Çalışma
Prensibi
Kanal Ayarlamalı bir MOSFET iki modda çalıştırılabilir:
• Kanal ayarlama
• Kanal oluşturma
26
![Page 27: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/27.jpg)
Kanal Ayarlamalı MOSFETin Depletion Modu
• VGS = 0V iken ID = IDSS
• VGS < 0V iken ID < IDSS
• Transfer eğrisi çizmek için kullanılan
formül aynıdır:
Depletion Mod
Karakteristik özelliği JFETe
çok benzerdir.
2
P
GSDSSD
V
V1II
27
![Page 28: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/28.jpg)
Kanal Ayarlamalı MOSFETin Enhancement Modu
• VGS > 0V
• ID IDSS’den daha yüksektir
• Transfer eğrisi çizmek
için kullanılan formül
aynıdır:
2
P
GSDSSD
V
V1II
Enhancement Mod
!!! VGS nin pozitif olduğuna dikkat ediniz.
28
![Page 29: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/29.jpg)
p-Kanal Kanal Ayarlamalı MOSFET
29
![Page 30: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/30.jpg)
Elektriksel Karakteristikler
Katalog Sayfaları
30
![Page 31: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/31.jpg)
Maximum Ratings
Katalog Sayfaları
31
![Page 32: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/32.jpg)
Kanal Oluşturmalı (Enhancement) Tip MOSFET
Yapısı
• Drain (D) ve source (S) n-katkılı
kanala bağlanır. Bu n-katkılı
kanallar, bir n-kanal ile birbirine
bağlıdır.
• Gate (G) ucu ince bir yalıtkan SiO2
kanalıyla p-katkılı alt katmana
bağlanır.
• Drain source arasında kanal yoktur.
• n-katkılı madde ise p-katkılı alt
katmanın üstüne yerleştirilir. Bu alt
katmanın ise substrate (SS) yani alt
tabaka bağlantısı yapılır.
32
![Page 33: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/33.jpg)
Kanal Oluşturmalı (Enhancement) Tip MOSFETin
Temel Çalışma Prensibi
• VGS daima pozitiftir.
• VGS arttıkça ID de artar
• VGS sabit tutulur ve VDS
arttırılırsa, ID (IDSS)
değerinde doyuma
gider ve VDSsat doyum
seviyesine ulaşır.
Kanal oluşturmalı MOSFET sadece enhancement modunda çalışır.
33
![Page 34: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/34.jpg)
Kanal Oluşturmalı (Enhancement) Tip MOSFET Transfer
Eğrisi
Belirli bir VGS değerinde
ID’yi belirlemek için :
Burada:
VT = MOSFETin
iletime geçtiği gerilim
ya da eşik gerilimi
k = katalogda belirtilen
sabit değer
2TGSD )VV(kI
k değeri aynı zamanda belirli bir noktadaki
değerler kullanılarak da hesaplanabilir:
2TGS(ON)
D(ON)
)V(V
Ik
VDSsat ise aşağıdaki gibi hesaplanır:
TGSDsat VVV
34
![Page 35: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/35.jpg)
p-Kanal Enhancement Tip MOSFETler
P-kanal kanal oluşturmalı tip (enhancement) MOSFETler gerilim
polariteleri ve akım yönlerindeki terslikler dışında n-kanal Mosfetler
ile aynıdır.
35
![Page 36: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/36.jpg)
MOSFET Sembolleri
36
![Page 37: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/37.jpg)
Maksimum Değerler
Katalog Sayfaları
37
![Page 38: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/38.jpg)
Elektriksel Karakteristikler
Katalog Sayfaları
38
![Page 39: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/39.jpg)
MOSFETlerin Kullanımı
MOSFETler statik elektriğe karşı çok hassastırlar. Harici uçlar ile
katmanlar arasındaki ince SiO2 katmandan dolayı statik elektrik
deşarjlarından ani olarak etkilenirler.
Koruma
• Daima statik korumalı poşetlerde taşınmalı
• MOSFETlere müdahale edilirken statik koruyucu bileklik
kullanılmalı
• Ani geçiş gerilimlerini önlemek için gate ve source uçları
arasında zener gibi gerilim sınırlayıcı elemanlar kullanılmalı.
39
![Page 40: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/40.jpg)
VMOS
VMOS (vertical MOSFET)
devre elemanının yüzey
alanının genişletir.
Avantajları
• VMOS’lar yüzey alanını
genişleterek ısı
dağılımını
kolaylaştırdığından daha
yüksek akımlarda çalışır.
• VMOS’ların anahtarlama
frekansları daha
yüksektir.
40
![Page 41: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/41.jpg)
Avantajları
• Mantık devrelerinde kullanılır
• Yüksek giriş empedansı vardır
• Yüksek anahtarlama frekansı
• Daha düşük çalışma seviyeleri
CMOS
CMOS (complementary
MOSFET), aynı katmanda
hem p-kanal hem de n-kanal
MOSFET kullanılarak
oluşturulur.
41
![Page 42: 6. Bölüm - ekblc.files.wordpress.com · JFET’in çalışması bir vanaya benzetilebilir. Source (Kaynak) , drain-source geriliminde negatif kutuptaki ... Karakteristik özelliği](https://reader033.fdocument.pub/reader033/viewer/2022052516/5af701737f8b9a9e59902553/html5/thumbnails/42.jpg)
Özet Tablosu
42