2.7. Структура ВТСП

10
Влияние давления, облучения, примесей, внешних полей на ВТСП. Кристаллическая структура 2.7. Структура ВТСП

description

2.7. Структура ВТСП. Влияние давления, облучения, примесей, внешних полей на ВТСП. Кристаллическая структура. Структура ВТСП. - PowerPoint PPT Presentation

Transcript of 2.7. Структура ВТСП

Page 1: 2.7. Структура ВТСП

Влияние давления, облучения, примесей, внешних полей на ВТСП. Кристаллическая

структура

2.7. Структура ВТСП

Page 2: 2.7. Структура ВТСП

Структура ВТСП Как показали рентгеноструктурные и

нейтронографические исследования, а также электронная микроскопия, представители основных семейств металлооксидных сверхпроводников имеют перовскитоподобную структуру (т.е. элементарную ячейку, подобную ячейке перовскита – соединения K2NiF4). Типично перовскитная ячейка – у соединения 2-1-4 (La2‑x(Sr/Ba/Ca)xCuO4). Она представляет составную кубическую ОЦК-подобную структуру, образуемую в углах и в центре атомами меди, в ребрах и гранях – кислородными атомами, а в центрах крайних кубиков и на гранях – атомами лантана (либо замещение: барий/стронций)

2

.

Page 3: 2.7. Структура ВТСП

Структура ВТСП Критическая температура растет примерно на 40 градусов с

добавлением каждой медь-кислородной плоскости Это, а также отмечаемое во всех экспериментах ярко выраженное

увеличение проводящих и сверхпроводящих свойств вдоль этих плоскостей, свидетельствует в пользу двумерного варианта сверхпроводимости в ВТСП

Наиболее ярко слоистая структура выражена в висмутовом ВТСП Наличие ориентированных цепочек O-Cu-O-Cu... в соединении 1-2-

3 приводит к специфическим протяженным дефектам структуры – плоскостям двойникования. Они представляют собой плоскости, разграничивающие две соседние области с перпендикулярной друг другу ориентацией цепочек, и оказывают существенное значение на механические и сверхпроводящие свойства ВТСП. В частности, полагают, что они ответственны за особенности зацепления вихревых нитей в смешанном состоянии (пиннинг), температурные и др. зависимости критического тока и ВАХ3

.

Page 4: 2.7. Структура ВТСП

Структура ВТСП

4

.

Page 5: 2.7. Структура ВТСП

Плоскости двойникования

5

.

Page 6: 2.7. Структура ВТСП

Фазовые диаграммы ВТСП Фазовые диаграммы ВТСП:

6

.

YBa2Cu3O7+δ La2–xBaxCuO4

Page 7: 2.7. Структура ВТСП

Химическая связь в ВТСП Химическая связь в оксидных ВТСП – типичная ионно-ковалентная Состояние и свойства купратных плоскостей определяются

валентными состояниями ионов меди и кислорода, которые, в свою очередь, зависят от присутствия других элементов структуры – интекалирующих слоев переменного состава (их называют спейсерами) La-O, Ba-O, Tl-O и т.д.

7

.

Page 8: 2.7. Структура ВТСП

Влияние давления на ВТСП В основном критическая температура дырочных ВТСП возрастает с

давлением Имеются исключения. Например, дырочно-допированные

(Y1–xPrx)Ba2Cu3O7– и Tl2Can–1Ba2CunO2n+4–δ соединения показывают отрицательные значения производной критической температуры по давлению

8

.

Page 9: 2.7. Структура ВТСП

Влияние примесей на ВТСП Экспериментальные данные позволяют сделать обобщающие

выводы по влиянию примесей замещения на ВТСП: 1. Немагнитные и магнитные примеси оказывают примерно

одинаковое влияние на деградацию сверхпроводящих свойств ВТСП в случае их расположения на плоскости CuO2

2. При замещении Cu наиболее существенным является позиция Cu (2) в плоскости CuO2

3. При замещении O также существенной является позиция кислорода в плоскостях CuO2

4. Критические значения концентрации примесей у электронных ВТСП в 3-6 раз ниже, чем у дырочных

5. Зависимость критической температуры у магнитных и немагнитных примесей обычно линейна, и лишь при наличии нескольких неэквивалентных позиций примеси может быть нелинейна9

.

Page 10: 2.7. Структура ВТСП

Влияние примесей на ВТСП 6. Эффективный магнитный момент на медных узлах растет с

введением магнитных примесей и падает в случае немагнитных замещений

7. Концентрация носителей в плоскости CuO2 не зависит от внесения примесей в эту же плоскость, и все наблюдаемые изменения связаны с перераспределением примесей между плоскостью и цепочками Cu-O

10

.