2011 清大電資院學士班

「頂尖企業暑期實習」

經驗分享心得報告 實習企業：力旺電子公司

實習學生：電資院學士班李龍杰

前言 ( 一 )實習時間：民國 100 年 7月 4日至 10

0 年 8 月 31 日，共 59 天 ( 二 )實習地點：力旺電子公司 ( 三 )實習導師：劉承傑 部經理 ( 四 )參與動機：了解科技業實際情況

實習單位簡介 地址 : 竹北市科學工業園區台元一街 5號 8樓 董事長 : 徐清祥 (曾任清華大學電子所所長 ) 公司簡介 : 開發高密度之嵌入式非揮發性記憶體矽智材 技術、 IP 及產品 所屬部門 : 元件工程部 -SONOS 之元件設計、可靠度分析 及改善

實習內容 Topic : Thicker ONO scheme evaluation for N

eoFlash retenion improvement

Motivation : study the characteristics of its data retention performance

Flash Memory

Non-volatile Memories to store the data even with the power turned off

Cell Vt has changed with stored electron or hole in floating gate

“Logic 0” “Logic 1”

DrainSource DrainSource

e-e-e-

CG CGIDID

Sensing VSensing VWLWL

IonIon

VCGVCG

““1”1”““0”0”Nitride

Charge Loss, Retention

charge loss

VtVt

IDID

charge gain

window

ERS state PGM state

silicon measurement data

simulation model

3.21

2.96

2.76

3.423.49

3.44

3.6

2.30969

3.28

3.472 3.4683.508 3.503

2. 25

2. 45

2. 65

2. 85

3. 05

3. 25

3. 45

3. 65

0. 01 0. 1 1 10 100 1000Bake Time (hr)

Delt

a V

t

GF_GREEN_150C_150AGF_GREEN_250C_150AGF_GREEN_85C_150A

80%

Measured Retention data

Simulation Model

Ec

Substrate Ev

12

3

qψT

qψE

Silicon

NitrideTunnel

Oxide

Top

OxideGate

Simulation Model Panel

ONO Thickness dependence of △△Vt

200C

225C

175C

250C

85C

250C

150C

1. E-01

1. E+00

1. E+01

1. E+02

1. E+03

1. E+04

1. E+05

1. E+06

1. E+07

1. E+08

3. 0 5. 0 7. 0 9. 0 11. 0 13. 0

1000/T

Lif

eti

me (

hrs

)

Maxim 40/45/45A

Green 42.5/45/59.5A

實習收穫 Acquire knowledge on device physics Device measuring method Gain experience and insight on data analysis Being able to import what I have learned into

practical use

附錄 (實習照片 )