(1)2008年(平成20年) 月1日(毎月1日発行) …...(1)2008年(平成20年) 月1日(毎月1日発行) よきおとずれ 1カ月140円 年間1500円 ...
2008 年 3 月 18 日
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ASIPP ASIPP HT-7 HT-7 2008 年 3 年 18 年 2011 年年年 HT-7 年年年年年年 (NO20110422) HT-7 年年年年年 2010-04-22
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2011 年春季 HT-7 实验运行报告 ( NO20110422) HT-7 实验运行组 2010-04-22. 2008 年 3 月 18 日. 实验内容. 8:00-13:00 电流引线降温 9:00-11:00 LHCD 调试 / 出气 9:00 真空室烘烤降至壁温 120C 13:30 纵场励磁至 3800A 13:00-15:00 总控与各系统测试 15:00 等离子体放电调试. 等离子体启动调试. Vc~2000V,IT~3800A,Pvv~1.2 e-5Pa 击穿延时较大 , 壁温 ~ 120 ℃, 密度较高. 程序放电调试. - PowerPoint PPT Presentation
Transcript of 2008 年 3 月 18 日
ASIPPASIPPHT-7HT-7
2008 年 3 月 18日
2011年春季 HT-7实验运行报告(NO20110422)
HT-7实验运行组
2010-04-22
ASIPPASIPPHT-7HT-7
8:00-13:00 电流引线降温
9:00-11:00 LHCD调试 /出气
9:00 真空室烘烤降至壁温 120C
13:30 纵场励磁至 3800A
13:00-15:00 总控与各系统测试
15:00 等离子体放电调试
实验内容
ASIPPASIPPHT-7HT-7
等离子体启动调试
Vc~2000V,IT~3800A,Pvv~1.2e-5Pa击穿延时较大 , 壁温~120 ℃,密度较高
ASIPPASIPPHT-7HT-7
程序放电调试
Ip~100kA,200ms,Ne~2.8
ASIPPASIPPHT-7HT-7
垂直位移反馈控制调试
水平场程序控制 水平场反馈控制 >>>Gp ⅹ (-1)
ASIPPASIPPHT-7HT-7
重复放电
Ip~100kA,Vp~2.3,Ne~2.0