2008 年 3 月 18 日

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ASIPP ASIPP HT-7 HT-7 2008 年 3 年 18 年 2011 年年年 HT-7 年年年年年年 (NO20110422) HT-7 年年年年年 2010-04-22

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2011 年春季 HT-7 实验运行报告 ( NO20110422) HT-7 实验运行组 2010-04-22. 2008 年 3 月 18 日. 实验内容. 8:00-13:00 电流引线降温 9:00-11:00 LHCD 调试 / 出气 9:00 真空室烘烤降至壁温 120C 13:30 纵场励磁至 3800A 13:00-15:00 总控与各系统测试 15:00 等离子体放电调试. 等离子体启动调试. Vc~2000V,IT~3800A,Pvv~1.2 e-5Pa 击穿延时较大 , 壁温 ~ 120 ℃, 密度较高. 程序放电调试. - PowerPoint PPT Presentation

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2008 年 3 月 18日

2011年春季 HT-7实验运行报告(NO20110422)

HT-7实验运行组

2010-04-22

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ASIPPASIPPHT-7HT-7

8:00-13:00 电流引线降温

9:00-11:00 LHCD调试 /出气

9:00 真空室烘烤降至壁温 120C

13:30 纵场励磁至 3800A

13:00-15:00 总控与各系统测试

15:00 等离子体放电调试

实验内容

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ASIPPASIPPHT-7HT-7

等离子体启动调试

Vc~2000V,IT~3800A,Pvv~1.2e-5Pa击穿延时较大 , 壁温~120 ℃,密度较高

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程序放电调试

Ip~100kA,200ms,Ne~2.8

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垂直位移反馈控制调试

水平场程序控制 水平场反馈控制 >>>Gp ⅹ (-1)

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重复放电

Ip~100kA,Vp~2.3,Ne~2.0