第四章电子衍射（二） — 单晶体电子衍射花样标定

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第四章电子衍射（二） —单晶体电子衍射花样标定

金属材料电子显微分析

燕山大学材料科学与工程学院材料现代分析测试方法课程教学团队张静武教授 / 博导

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说明：应用与方法花样标定的应用

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1 基本方法：尝试－查表－对照2 练习一：例题3 练习二：立方系练习4 练习三：六方系练习5 练习四：正交系练习

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一、常见的单晶体电子衍射花样

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二、电子衍射花样的产生－花样的位置

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三、电子衍射花样的产生

8

试样

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四、电子衍射花样的基本特征

特征平行四边形 R1 - R2 -R3 - ΦΦ R / R1 夹角

000

R3R1

R2

ΦΦ

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已知条件

RdL 可能相

PDF 卡片

材料工艺

衍射花样

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五、尝试法花样标定（一般步骤）1. 确定特征四边形，测

量 R 、 ΦΦ ：：

最短边、次短边 ΦΦ ≦90°

R3

000

R1

R2

ΦΦ

R1 =R2 =R3 =

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2. 计算面间距： L λ = Rd

L : 0.8mλ ： 0.00251nm(200KV) 单位： mm ． nm R1= d1 = R2= d2 = R3= d3 =

1) 2 R / 2 = R2) Lλ = f0 · MI · MP

L

R

f0

r

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3. 依据已知参数确定物相 ( 族指数 )

1 ）可能相： α-Fe γ-Fe Al

2 ） d 值一般不顺次出现：不同于 X 光衍射（多晶体）3 ）注意误差

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PDF （ ASTM ）卡片值

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• 4. 确定倒易点指数

000

{h1k1l1} - h1k1l1

{h2k2l2} – h2k2l2

{h3k3l3} – h3k3l3

1) 1 点：任意确定2) 2 点：尝试确定－夹角3) 3 点：矢量相加

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5 检验：

RdL

Φ ′

h3k3l3

h2k2l2

Φ

h1k1l1

000

2323

233

222

2

3232322

coslkhlkh

llkkhh

)(/d 23

23

23 lkha

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6. 其它倒易点指数

倒易平面1 ）对称2 ）矢量相加

000

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7. 求倒易平面指数 (UVW)﹡

1) 膜面向上2) 逆时针： g1 － g2

3) 夹角 Φ ≦ 90°4) r ＝ [UVW] = g1 ×

g2

h1k1l1

h2k2l2

( u v w )﹡

Φ

r ＝[UVW]

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倒易平面 - 晶带轴 : 晶带定理

hu + kv + lw = 0

g = ha + kb ﹡ ﹡+lc﹡

r = Ua + Vb + Wc

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h1 k1 l1 h1 k1

l1

h2 k2 l2 h2 k2

l2

U V W

h1k1l1

h2k2l2

( u v w )﹡

Φ

[UVW]

h1U + k1V + l1W = 0h2U + k2V + l2W = 0 指数化简

[UVW] (UVW)0﹡

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Φ ＝90°

h k l

1) 物相2) 点－晶面组3) 晶带4) 晶面夹角5) 晶面

（ UVW)﹡

[UVW]

(h k l)

h k l

衍射花样给出的信息

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电子衍射花样标定要点：

1 反射球切倒易杆：布拉格衍射、偏离矢量、结构振幅、晶体厚度2 电子衍射公式： d 值 PDF 卡片3 晶面夹角公式： 7 个晶系4 材料和工艺：可能相

Lλ ＝ Rd

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五、其它方法1. 查表法

θ

R1

R2000

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2. 对照法

θ

R1

R2000

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六、内标法

1 ）基体花样－Lλ2) Lλ- 析出相 d值

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