НА ОСНОВЕ P-N ПЕРЕХОДОВ И БАРЬЕРОВ ШОТТКИ

Полупроводниковые диоды

ВЫПОЛНИЛИ СТУДЕНТЫ ГРУППЫ

21306 ВАРШУКОВ А.Г.

НИФАЕВ Г. С.

Полупроводниковый диод

Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами.

Виды полупроводниковых диодов

В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и ВАХ различают :1) Диод Шоттки

2) Стабилитроны3) Выпрямительные диоды

4) Варикапы5) Обращенные диоды

6) Туннельные диоды

Барьер Шоттки

Рассмотрим контакт металл–полупроводник (на примере контакта Au-Si n-типа) при условии

Зонная диаграмма при различных значениях напряжения VG на затворе: а) VG = 0; б) VG > 0, прямое смещение; в) VG < 0, обратное смещение

п/пMeп/пМе ; jjФФ

Барьер Шоттки

Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки

В условиях равновесия VG = 0 ток из полупроводника в металл уравновешивается током из металла в полупроводник . При приложении напряжения этот баланс нарушается и общий ток будет равен сумме этих токов.

)1(4

10//

GVsnnMМnn eqnJJJ

;

Диод Шоттки

Диод Шоттки— полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами, так как в них отсутствуют рекомбинационные и диффузионные процессы. Это свойство используется в интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы транзисторов логических элементов. В силовой электронике малое время восстановления позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше.

p-n переход

Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным).

ВАХ p-n перехода имеет вид:

Плотность тока насыщения Js равна:

)1( Gs VeJJ

p

n0p

n

p0n

p

n0p

n

p0ns

pqLnqL

L

pqD

L

nqDJ

p-n переходыпрямое смещение

JnD – диффузионная

компонента

электронного тока

JnD – диффузионная

компонента

дырочного тока

Jрек – рекомбинационный ток

JnE – дрейфовая

компонента

электронного тока

JpE – дрейфовая

компонента

дырочного тока

Jген – генерационный ток

p-n переходыобратное смещение

Выпрямительные диоды

Основа – электронно-дырочный переходВАХ имеет ярко выраженную нелинейность

Выпрямительные диоды

Выпрямление в диоде происходит при больших амплитудных значениях Uвх >0,1 В |Vg|>> kT/q

VG, B 0,01 0,025 0,1 0,25 1

K, отн. ед. 1,0 1,1 55 2,3·104 2,8·1020

1

1G

G

V

V

e

e

J

JK

Учтем, что величина -1 при комнатной температуре составляет -1 = 0,025 В.

Характеристическое сопротивление

Дифференциальное сопротивление:

Сопротивление по постоянному току:

На прямом участке ВАХ сопротивление по постоянному току больше, чем дифференциальное сопротивление RD > rD, а на обратном участке – меньше RD < rD.

Вблизи нулевого значения VG << kT/q

s

1

D

/

II

qkT

dU

dI

dI

dUr

10

1

D

UeI

U

U

I

I

UR

D0

D

1r

Iq

kTR

Эквивалентная малосигнальная схема диода для низких частот

rоб – омическое сопротивление базы диодаrд – дифференциальное сопротивлениеСд – диффузионная ёмкостьСб – барьерная ёмкость

Варикап

Варикап – это полупроводниковый диод реализующий зависимость барьерной емкости от напряжения обратного смещения.Максимальное значение емкости варикап имеет при VG=0

Емкость варикапа определяетсяшириной обедненной зоны. В случае однородного легирования

Стабилитрон

Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке вольт-амперной характеристики.

Основное назначение – стабилизация напряжения на нагрузке при изменяющимся напряжении во внешней цепи

При U<Uстаб Rдиф→0Стабилитрон также называют

опорным диодом

Два механизма:лавинный пробой; туннельный пробой

Туннельный диод

Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p+‑n+ перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке вольт-амперной характеристики которого наблюдается N‑образная зависимость тока от напряжения.

Туннельный диод

Один из методов применения туннельного диода: в качестве активного нелинейного элемента в схемах генераторов колебаний.

Обращённый диод

Обращенный диод – это туннельный диод без участка с ОДС. Высокая нелинейность ВАХ при малых напряжениях вблизи нуля позволяет использовать этот диод для детектирования слабых сигналов в СВЧ‑диапазоне.

ВАХ такого диода при обратномсмещении такая же, как и у туннельного.

Используемые ресурсы

«Твердотельная электроника», В. А. Гуртов

http://dssp.karelia.ru/vgurt/moel2/flash.htm flash-анимации по микрооптоэлектронике

БЛАГОДАРИМ за

ВНИМАНИЕ !