冗長アルゴリズム逐次比較近似ADC での コンパ …...Comp2(高電力)オフセット:-2.0 LSB、ノイズ:0.2 LSB コンパレータのアナログ・キャリブレーションなしの場合
ダブルテールラッチ型コンパレータと プリアンプを用いたコンパレータの...
-
Upload
wing-terrell -
Category
Documents
-
view
101 -
download
0
description
Transcript of ダブルテールラッチ型コンパレータと プリアンプを用いたコンパレータの...
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
ダブルテールラッチ型コンパレータと
プリアンプを用いたコンパレータの性能比較
○ 浦野 達也 *, 浅田 友輔 **, 宮原 正也 **,
岡田 健一 **, 松澤 昭 **
* 東京工業大学工学部電気電子工学科** 東京工業大学大学院理工学研究科
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
2
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
発表内容
• 研究背景• コンパレータの動作• 設計方針• シミュレーション結果• 結論
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
3
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
近年の ADC の性能
近年、 ADC の高速化、低消費電力化が求められている
sf
ENOB2
PowerFoM
sf: サンプリング 周波数
ENOB: 有効ビット
今回は flash 型 ADC を想定している
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
4
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
二つのコンパレータの回路図[1] [2]
[1] D. Schinkel, et al., Dig. Tech. of ISSCC, Feb. 2007.[2] M. Choi and A. Abidi, IEEE JSSC, vol. 36, no. 12, 2001.
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
5
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
ダブルテール型( Reset )
VDDCLKB
Vout+ Vout-
VDD
CLK
Vin+ Vin-
CLK
Di- Di+
Reset mode
ノード Di はともに VDD になり、Vout はともに GND に落ちている
CLK
Di
Vout
CLKLow
CLKLow
CLKHigh
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
6
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
ダブルテール型 (Regeneration)
VDDCLKB
Vout+ Vout-
VDD
CLK
Vin+ Vin-
CLK
Di+ Di-
Regeneration mode
ノード Di の電荷を引き抜くスピードの違いにより出力が決まる
Vin+ > Vin-
CLK
Di+
Vout+
CLKLow
CLKLow
CLKHigh
Di-
Vout-
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
7
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
プリアンプ型 (Reset)
CLK
VDD
CLKVout+Vout-
CLK
VDD
Vin+ Vin-
Vbn
Reset mode
GND へのパスが切れて、 Vout はともに VDD に引き上げられる
CLK
Vout
CLKLow
CLKLow
CLKHigh
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
8
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
プリアンプ型 (Regeneration)
CLK
VDD
CLKVout+Vout-
CLK
VDD
Vin+ Vin-
Vbn
Regeneration mode
プリアンプで増幅された信号を後段のラッチ部で比較する。
CLK
CLKLow
CLKLow
CLKHigh
Vout+
Vout-
Vin+ > Vin-
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
9
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
入力段のステージの比較
VDD
CLK
Vin+ Vin-
CLK
ダブルテール型
• クロックで動作(貫通電流なし)
• 貫通電流あり
動作周波数が高ければ消費電力も上がる
動作周波数が高くても 消費電力は上がらない
VDD
Vin+ Vin-
Vbn
プリアンプ型
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
10
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
設計方針 ( プリアンプ型 )
ばらつきを持たせた部位 VoffsetmV
M1,M2 17.1
M3,M4 1.84
M5,M6 1.79
M7,M8,M9 0.29
• オフセットの値を最小化するように Tr のサイズを決定
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
11
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
オフセットキャンセル
プリアンプを使用することによりラッチ部のオフセットが次式のように見える
os_amposl
in_os VA
VV
Vin_os :入力から見たオフセット
Vosl :ラッチ部のオフセット
Vos_amp :プリアンプのオフセット
A :アンプのゲインまた、プリアンプのオフセットには補償技術[3] を用いている
[3] Y. Shimizu, et al., Dig. Tech. of ISSCC, 2008.
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
12
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
設計方針 ( ダブルテール型 )
入力差動対
バラつきを持たせた部位 VoffsetmV
入力段のみ 15.58
ラッチ部のみ 4.28
入力段 入力差動対のみ 15.51
入力段 入力差動対以外 1.68
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
13
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
消費電力の比較結果
動作周波数をあげるとプリアンプ型のほうが低消費電力を実現
=21.5mV
VDD=1.2V
CMOS90nm プロセス
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
14
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
各部位の消費電力の比較
• 入力段の動作の違いにより、全体の消費電力の増加率が決まっている
• 入力段の消費電力は 3.5GHz あたりで同等になる
04/20/23
T.Urano, Tokyo Tech
15
Matsuzawa& Okada Lab.
Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of TechnologyMatsuzawa
& Okada Lab.Matsuzawa Lab.Tokyo Institute of Technology
結論
• 二つのコンパレータのオフセットの値を同程度にしたとき周波数を変化させて比較し、ある周波数より高周波の点ではプリアンプ型の方が低消費電力を実現できる可能性があることを示した。
• ラッチスピード、ノイズの影響に関しては今後検討していく必要がある。