半導體與光電廠務設施 - cc.ntut.edu.tf10870/file_dl/96up_class/03.pdf · 電路設計 光罩設計 光罩製造 黃光微影 沈積及擴散 金屬化 蝕刻 測試 切割
第 4 章 蝕刻製程
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第 第 4 4 第 第第第第 第 第第第第 第第 第第第第 : 第第 第第第 : 49654043 第第第 49654047 第第第 49654058 第第第 49654111 第第第 49654112
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第 4 章 蝕刻製程. 班級:科管三乙 組員:林宗憲 49654043 王丹祈 49654047 吳清三 49654058 孟暐達 49654111 蔡銘鐘 49654112. 工作分配. 4.2.1~4.2.6 王丹祈 4.2.7~4.2.11 蔡銘鐘 4.3 林宗憲 PowerPoint 製作 孟暐達 報告修改及上台報告 吳清三. 4.2.1 蝕刻. 定義 : 藉由預先定義好的圖形把不要的區域去除,保留要留下的區域,將圖形轉移到所選定的基礎上其過程稱之為蝕刻。 - PowerPoint PPT Presentation
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4 49654043 49654047 49654058 49654111 49654112
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4.2.1~4.2.6 4.2.7~4.2.11 4.3 PowerPoint
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4.2.1 :()()
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4.2.2 :(1)(2)(3)
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(Chemical Machining CHM)(Chemical Etching)
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4.2.3 :()(Plasma Etching)(Physical Bomboard)(Active Radical)()(Chemical Reaction) (1) (Sputter Etching) (2) (Ion Beam Etching) (Plasma Etching) (Reactive Ion Etching RIE)
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(etchant)(selectivity)(isotropic etching)(undercut)3.a(anisotropic etching)3.c(Radical)
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(a).(b).(c).
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4.2.4 / :
: ()
-
4.2.5 : (PVD)(CVD)(Plasma)(Plasma)
-
4.2.6 :
:
:
-
4.2.7 :Optical Emission
-
4.2.8
-
4.2.9 ()
-
4.2.10 (Profile)
-
4.2.11 (Passivative Gas)(Under layer Selectivit)
-
4.3
(IC)IC;IC
-
1121420
-
(Si)(Ge) (GaAs)
1.2()
()
()
-
1
-
RIE
-
(Micro loading Effect)